JPS6187225A - 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 - Google Patents
光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置Info
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- JPS6187225A JPS6187225A JP59208936A JP20893684A JPS6187225A JP S6187225 A JPS6187225 A JP S6187225A JP 59208936 A JP59208936 A JP 59208936A JP 20893684 A JP20893684 A JP 20893684A JP S6187225 A JPS6187225 A JP S6187225A
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- G11B7/0956—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following specially adapted for discs, e.g. for compensation of eccentricity or wobble to compensate for tilt, skew, warp or inclination of the disc, i.e. maintain the optical axis at right angles to the disc
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学式記録装置、再生装置及び記録再生装置に
適用して好適な光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装
置に関する。
適用して好適な光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装
置に関する。
先ず第５図を参照して、従来の光学式ヘッドのトラッキ
ング誤差検出装置について説明する。
ング誤差検出装置について説明する。
ＯＨは光学式ヘッドを全体として示す。（１）は半導体
レーザ素子（レーザダイオード）で、これのレーザビー
ム出射端面（１°Ａ）側より出射した、断面が楕円の発
散レーザビームＬはコリメータレンズ（不用の場合もあ
る）（２）に入射せしめられて平行ビームとなされた後
、回折格子（グレーティング）（３）に入射せしめられ
る。回折格子（３）より出射したＯ次ビームＬ０及び±
１次ビームＬ＋１１ Ｌ−１（尚、＋２次上、−２次以
下のビームは無視する）は非偏光ビームスプリッタ（ハ
ーフミラ−）（偏向ビームスシリツタの場合は、回折格
子（３）との間に職波長板を設ける）（４）を通過した
後、対物レンズ（５）に入射せしめられて集束せしめら
れ、その集束された０次ビームＬ０及び±１次ビームＬ
＋１＋Ｌ−１は光学式記録媒体（光磁気記録媒体も含む
）（６）の記録面に所定間隔（例えば１０μｍ）を置い
て入射せしめられる。
レーザ素子（レーザダイオード）で、これのレーザビー
ム出射端面（１°Ａ）側より出射した、断面が楕円の発
散レーザビームＬはコリメータレンズ（不用の場合もあ
る）（２）に入射せしめられて平行ビームとなされた後
、回折格子（グレーティング）（３）に入射せしめられ
る。回折格子（３）より出射したＯ次ビームＬ０及び±
１次ビームＬ＋１１ Ｌ−１（尚、＋２次上、−２次以
下のビームは無視する）は非偏光ビームスプリッタ（ハ
ーフミラ−）（偏向ビームスシリツタの場合は、回折格
子（３）との間に職波長板を設ける）（４）を通過した
後、対物レンズ（５）に入射せしめられて集束せしめら
れ、その集束された０次ビームＬ０及び±１次ビームＬ
＋１＋Ｌ−１は光学式記録媒体（光磁気記録媒体も含む
）（６）の記録面に所定間隔（例えば１０μｍ）を置い
て入射せしめられる。
光学式記録媒体（６）で反射した０次ビームＬ０及び±
１次ビームＬ＋１．Ｌ−１は対物レンズ（５）を通過し
た後、ビームスプリッタ（４）に入射せしめられ、その
一部はその反射面（４ａ）で反射して光検出器（７）に
入射せしめられる。この光検出器（７）は、Ｏ次ビーム
Ｌ０及び±１次ビームＬ＋１１ Ｌ−１が各別に入射せ
しめられる３個の光検出部にて構成される。そして、±
１次ビームが夫々入射せしめられる一対の光検出部から
の一対の光検出出力の差を採ることにより、０次ビーム
Ｌ０の光学式記録媒体（６）の記録面上でのトラッキン
グ状態に応じたトラッキング誤差信号が得られる。又、
０次ビームの入射せしめられた光検出部からは、再生信
号、フォーカスエラー信号等が得られる。
１次ビームＬ＋１．Ｌ−１は対物レンズ（５）を通過し
た後、ビームスプリッタ（４）に入射せしめられ、その
一部はその反射面（４ａ）で反射して光検出器（７）に
入射せしめられる。この光検出器（７）は、Ｏ次ビーム
Ｌ０及び±１次ビームＬ＋１１ Ｌ−１が各別に入射せ
しめられる３個の光検出部にて構成される。そして、±
１次ビームが夫々入射せしめられる一対の光検出部から
の一対の光検出出力の差を採ることにより、０次ビーム
Ｌ０の光学式記録媒体（６）の記録面上でのトラッキン
グ状態に応じたトラッキング誤差信号が得られる。又、
０次ビームの入射せしめられた光検出部からは、再生信
号、フォーカスエラー信号等が得られる。
次に、半導体レーザ素子（１）の−例について第６図を
参照して説明する。この半導体レーザ素子（１）は通常
一方の電極を兼ねた銅等よ構成るヒートシンク（８）上
に固着されている。半導体レーザ素子（１）の構造を図
に於いてその上層から下層に向かって説明すると、（１
ａ）は電極層、（１ｂ）はｎ−ＧａＡｓ層（基体層）、
（１ｃ）はｎ−Ｇａ１−ｙＡｌｙＡａ層（クラッド層）
、（１ｄ）はＧａ１−ＸＡＩＸＡＩＩ層（活性層）、（
１ｅ）はｐ−Ｇａ１−ｙＡｌｙＡｓ層（クラッド層）、
（ｉｆ）はｐ−ＧａＡｓ層である。そして、活性層（１
ｄ）から上述のレーザビームＬが出射する。この半導体
レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（弁開面）
（ＩＡ）を正面とすると、その幅が１００〜３００μｍ
、高さく厚さ）が８０〜１００μｍ、奥行が２００〜３
００μｍである。活性層（１ｄ）のヒートシンク（８）
の上面からの高さは数μｍである。
参照して説明する。この半導体レーザ素子（１）は通常
一方の電極を兼ねた銅等よ構成るヒートシンク（８）上
に固着されている。半導体レーザ素子（１）の構造を図
に於いてその上層から下層に向かって説明すると、（１
ａ）は電極層、（１ｂ）はｎ−ＧａＡｓ層（基体層）、
（１ｃ）はｎ−Ｇａ１−ｙＡｌｙＡａ層（クラッド層）
、（１ｄ）はＧａ１−ＸＡＩＸＡＩＩ層（活性層）、（
１ｅ）はｐ−Ｇａ１−ｙＡｌｙＡｓ層（クラッド層）、
（ｉｆ）はｐ−ＧａＡｓ層である。そして、活性層（１
ｄ）から上述のレーザビームＬが出射する。この半導体
レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（弁開面）
（ＩＡ）を正面とすると、その幅が１００〜３００μｍ
、高さく厚さ）が８０〜１００μｍ、奥行が２００〜３
００μｍである。活性層（１ｄ）のヒートシンク（８）
の上面からの高さは数μｍである。
ところで、０次ビームＬ０の光学式記録媒体（６）の記
録面に対するタンジエンシヤルスキユー角カ変化すると
、トラッキングエラー信号もそれに応じて周期的に変化
し、正確なトラッキングエラーを検出することができな
かった。
録面に対するタンジエンシヤルスキユー角カ変化すると
、トラッキングエラー信号もそれに応じて周期的に変化
し、正確なトラッキングエラーを検出することができな
かった。
この原因は次の通りである。光学式記録媒体（６）で反
射したＯ次ビームＬ０及び±１次ビームＬ＋１゜１１は
対物レンズ（５）を通過した後、ビームスプリッタ（４
）の反射面（４ａ）で反射するのみならず、ビームスシ
リツタ（４）を通過し、回折格子（３）に入射して、夫
々に対応して各別００次ビーム及び±１次ビームが発生
し、コリメータレンズ（２）を通過して半導体レーザ素
子（１）に向かう。この半導体レーザ素子（１）に向か
うビームのビーム量は、非偏光ビームスプリッタを用い
た場合には多く、偏光ビームスグリツタを用いた場合は
少ない。
射したＯ次ビームＬ０及び±１次ビームＬ＋１゜１１は
対物レンズ（５）を通過した後、ビームスプリッタ（４
）の反射面（４ａ）で反射するのみならず、ビームスシ
リツタ（４）を通過し、回折格子（３）に入射して、夫
々に対応して各別００次ビーム及び±１次ビームが発生
し、コリメータレンズ（２）を通過して半導体レーザ素
子（１）に向かう。この半導体レーザ素子（１）に向か
うビームのビーム量は、非偏光ビームスプリッタを用い
た場合には多く、偏光ビームスグリツタを用いた場合は
少ない。
この°場合、第７図に示す如く、半導体レーザ素子（１
）のレーザビーム出射端面（ＩＡ）と、回折格子（３）
との相対回動角位置に応じて、半導体レーザ素子（１）
に向かう中心ビームＬ８及びその両側に位置する両側ビ
ームＬｂ、 Ｌ、の配置は夫々中心ビームＬａがレーザ
ビーム出射端面（ＩＡ）上の活性層（１ｄ）に位置し、
両側ビームＬｂ、 Ｌｃが中心ビームＬａの位置を通シ
、活性層（１ｄ）と直交する直線上に於いて上下に位置
する場合と、中心ビームＬ、及び両側ビームＬｂ ＋
Ｌｃが共に活性層（１ｄ）上に位置する場合と、中心ビ
ームＬ１及び両側ビームＬｂ、 Ｌｏを結ぶ直線が上記
２つの場合の中間の任意の角度位置に来る場合とがある
。そして、これら中心ビームＬ、及び両側ビームＬｂ、
Ｌｃは、０次ビームＬ０と、±１次ビームＬ＋１．
Ｌ−１が回折格子（３）によって再回折され、且つ混在
して重畳されたものでおる。
）のレーザビーム出射端面（ＩＡ）と、回折格子（３）
との相対回動角位置に応じて、半導体レーザ素子（１）
に向かう中心ビームＬ８及びその両側に位置する両側ビ
ームＬｂ、 Ｌ、の配置は夫々中心ビームＬａがレーザ
ビーム出射端面（ＩＡ）上の活性層（１ｄ）に位置し、
両側ビームＬｂ、 Ｌｃが中心ビームＬａの位置を通シ
、活性層（１ｄ）と直交する直線上に於いて上下に位置
する場合と、中心ビームＬ、及び両側ビームＬｂ ＋
Ｌｃが共に活性層（１ｄ）上に位置する場合と、中心ビ
ームＬ１及び両側ビームＬｂ、 Ｌｏを結ぶ直線が上記
２つの場合の中間の任意の角度位置に来る場合とがある
。そして、これら中心ビームＬ、及び両側ビームＬｂ、
Ｌｃは、０次ビームＬ０と、±１次ビームＬ＋１．
Ｌ−１が回折格子（３）によって再回折され、且つ混在
して重畳されたものでおる。
ところで、両側ビームＬｂ、 Ｌｃの少なくとも一方が
ヒートシンク（８）の面に入射した場合は、その面が粗
面であるので、そのビームはそこで乱反射されるので問
題はないが、両側ビームＬｂ、 Ｌ、の少なくとも一方
が半導体レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（Ｉ
Ａ）に入射する場合は、この端面（ＩＡ）は反射率が良
好（例えば１０％）なので、この端面（ＩＡ）で反射し
、上述の光路を通過して光検出器（７）に入射するので
、＋１次又は−１ビームと干渉を起こす。このため、０
次ビームＬ。の光学式記録媒体（６）の記録面に対する
タンジエンシヤルスキユー角に応じて、光検出器（７）
に入射する＋１次又は−１次ビームの強度が変化し、ト
ラッキングエラー信号がそのスキュー角に応じて周期的
に変化する。第８図は、両側ビームＬｂ、 Ｌｃの一方
Ｌｂが半導体レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面
（ＩＡ）に入射し、他方Ｌｅがヒートシンク（８）に入
射した場合の、θ次ビームＬ０の光学式記録媒体（６）
の記録面に対するタンジエンシヤルスキユー角α０に対
するトラッキングエラー信号Ｓｅのレベル変化の理想的
な波形を示し、スキュー角α０の変化に応じてトラッキ
ングエラー信号Ｓ。のレーザビームＬ１７）ｉ長λに対
し、λ／２毎の周期でレベルが周期的に変化する。尚、
実際には、１α１が増大するにつれて、トラッキングエ
ラー信号Ｓ６のレベルは減衰する。尚、両側ビームＬｂ
、Ｌｃ共レーザビーム出射端面（ＩＡ）に入射する場合
は、第８図に対応する波形の振幅が第８図のそれの２倍
となり、位相は第８図と異なる。
ヒートシンク（８）の面に入射した場合は、その面が粗
面であるので、そのビームはそこで乱反射されるので問
題はないが、両側ビームＬｂ、 Ｌ、の少なくとも一方
が半導体レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（Ｉ
Ａ）に入射する場合は、この端面（ＩＡ）は反射率が良
好（例えば１０％）なので、この端面（ＩＡ）で反射し
、上述の光路を通過して光検出器（７）に入射するので
、＋１次又は−１ビームと干渉を起こす。このため、０
次ビームＬ。の光学式記録媒体（６）の記録面に対する
タンジエンシヤルスキユー角に応じて、光検出器（７）
に入射する＋１次又は−１次ビームの強度が変化し、ト
ラッキングエラー信号がそのスキュー角に応じて周期的
に変化する。第８図は、両側ビームＬｂ、 Ｌｃの一方
Ｌｂが半導体レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面
（ＩＡ）に入射し、他方Ｌｅがヒートシンク（８）に入
射した場合の、θ次ビームＬ０の光学式記録媒体（６）
の記録面に対するタンジエンシヤルスキユー角α０に対
するトラッキングエラー信号Ｓｅのレベル変化の理想的
な波形を示し、スキュー角α０の変化に応じてトラッキ
ングエラー信号Ｓ。のレーザビームＬ１７）ｉ長λに対
し、λ／２毎の周期でレベルが周期的に変化する。尚、
実際には、１α１が増大するにつれて、トラッキングエ
ラー信号Ｓ６のレベルは減衰する。尚、両側ビームＬｂ
、Ｌｃ共レーザビーム出射端面（ＩＡ）に入射する場合
は、第８図に対応する波形の振幅が第８図のそれの２倍
となり、位相は第８図と異なる。
次に、両側ビームＬｂ、 Ｌｅのうち一方Ｌｂが半導体
レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（ＩＡ）に入
射し、他方Ｌｃがヒートシンク（８）に入射する場合の
干渉について、第９図（レンズ系の図示を省略しである
）を参照して説明する。第９図に於いて、実線にて示さ
れる（ＩＡ）はレーザビーム出射端面であるが、破線に
て示される正規の位置の出射端面（１人）に対し傾いて
いる一般的な場合を示し、又、実線にて示される（６）
は光学式記録媒体であるが、破線にて示される正規の位
置の光学式記録媒体（６）に対し傾いている場合を示す
。Ｏ次ビームＬ。は正規の位置のレーザビーム出射端面
（ＩＡ）及び正規の位置の光学式記録媒体（６）の記録
面に対し鉛直である。θは＋１次ビームＬ＋１のＯ次ビ
ームＬ０に対する角度である。ｔ、はレーザビーム出射
端面（ＬＡ）及び回折格子（３）間の位相長、ｔ２は回
折格子（３）及び光学式記録媒体（６）の記録面間の位
相長である。
レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（ＩＡ）に入
射し、他方Ｌｃがヒートシンク（８）に入射する場合の
干渉について、第９図（レンズ系の図示を省略しである
）を参照して説明する。第９図に於いて、実線にて示さ
れる（ＩＡ）はレーザビーム出射端面であるが、破線に
て示される正規の位置の出射端面（１人）に対し傾いて
いる一般的な場合を示し、又、実線にて示される（６）
は光学式記録媒体であるが、破線にて示される正規の位
置の光学式記録媒体（６）に対し傾いている場合を示す
。Ｏ次ビームＬ。は正規の位置のレーザビーム出射端面
（ＩＡ）及び正規の位置の光学式記録媒体（６）の記録
面に対し鉛直である。θは＋１次ビームＬ＋１のＯ次ビ
ームＬ０に対する角度である。ｔ、はレーザビーム出射
端面（ＬＡ）及び回折格子（３）間の位相長、ｔ２は回
折格子（３）及び光学式記録媒体（６）の記録面間の位
相長である。
Δｔ１．Δｔ２は夫々位相長ｔ１．ｔ２に対する０次ビ
ームＬ。及び＋１次ビーム１’＋１間の位相差である。
ームＬ。及び＋１次ビーム１’＋１間の位相差である。
Δｔ３．Δｔ４は夫々光学式記録媒体（６）のスキュー
位相、レーザビーム出射端面（ＬＡ）のスキュー位相で
′ある。
位相、レーザビーム出射端面（ＬＡ）のスキュー位相で
′ある。
又、ｇを回折格子（３）に於けるθ次ビームＬ０及び＋
１次ビームＬ＋１間の位相差とする。１ｏｌｉ１を夫々
回折格子（３）に於ける０次ビーム、＋１次ビームの透
過率、ｔをハーフミラ−（４ンの透過率、ｒ、ｆを夫々
光学式記録媒体（６）の記録面上、レーザビーム出射端
面（ＩＡ）上の反射率とする。
１次ビームＬ＋１間の位相差とする。１ｏｌｉ１を夫々
回折格子（３）に於ける０次ビーム、＋１次ビームの透
過率、ｔをハーフミラ−（４ンの透過率、ｒ、ｆを夫々
光学式記録媒体（６）の記録面上、レーザビーム出射端
面（ＩＡ）上の反射率とする。
しかして、＋１次ビームＬ＋１が入射する光学式記録媒
体（６）の記録面上の点Ａに於ける光の複素振幅を次の
４つの場合に分けて考える。
体（６）の記録面上の点Ａに於ける光の複素振幅を次の
４つの場合に分けて考える。
（１）ａ＋：＋１次ビームＬ＋１が直接点Ａに入射した
場合である。
場合である。
（２） ａｚ： Ｏ次ビームＬ。が光学式記録媒体（６
）で反射し、再度回折格子（３）に入射することによっ
て得られた０次ビームがレーザビーム出射端面（ＩＡ）
で反射し、再度回折格子（３）に入射することによって
得られた＋１次ビームが点Ａに入射した場合である。
）で反射し、再度回折格子（３）に入射することによっ
て得られた０次ビームがレーザビーム出射端面（ＩＡ）
で反射し、再度回折格子（３）に入射することによって
得られた＋１次ビームが点Ａに入射した場合である。
（３）ａｓ：Ｏ次ビームＬ０が光学式記録媒体（６）で
反射し、再度回折格子（３）に入射することによって得
られた＋１次ビームがレーザビーム出射端面（ＩＡ）で
反射し、再度回折格子（３）に入射することによって得
られた０次ビームが点Ａに入射した場合である。
反射し、再度回折格子（３）に入射することによって得
られた＋１次ビームがレーザビーム出射端面（ＩＡ）で
反射し、再度回折格子（３）に入射することによって得
られた０次ビームが点Ａに入射した場合である。
（４） ａ４： ＋１次ビームＬ＋１が光学式記録媒体
（６）で反射し、再度回折格子（３）に入射することに
よって得られた０次ビームがレーザビーム出射端面（Ｉ
Ａ）で反射し、再度回折格子（３ンに入射することによ
って得られた０次ビームが点Ａに入射する場合である。
（６）で反射し、再度回折格子（３）に入射することに
よって得られた０次ビームがレーザビーム出射端面（Ｉ
Ａ）で反射し、再度回折格子（３ンに入射することによ
って得られた０次ビームが点Ａに入射する場合である。
次にａ、〜ａ４を式にて示す。
”、” ’、””Ｐ （Ｊ（ｔｌ ”ｇ”ｔ２＋Δｔ２
＋Δｔ３）） ・・・（１）ａ２＝ ｉｏ”ｉ、ｔ３
ｒｆ ｌ ｅｘｐ［： ｊ（３（ｔｌ ＋ｔ２）＋ｇ＋
Δｔ２＋Δｔ５）〕・・・（２） ＩＬ５ ＝ｔ０２ｉ １ ｔ５ｒｆ−ｅｘｐ （ｊ （
３（ｔｌ ＋ｔ２）”ｇ” ２Δｔ１＋Δｔ２＋ΔＬ３
＋２ΔＬ４）〕 ・・・（３）ａ４
＝ ｉ、’ｉ、ｔ５ｒトｅｘｐ（ｊ （ｓ（Ｌｌ”Ｌ２
）”ｇ”３（Δｔ２＋Δｔ、）＋２Δｔ、＋２Δｔ４）
〕 ・・・（４）計算の簡単のため、レーザビー
ムの可干渉距離を２（ｔ、＋ｔ２）以下とすると、点Ａ
に於ける光の強度工□は次式のように表される。
＋Δｔ３）） ・・・（１）ａ２＝ ｉｏ”ｉ、ｔ３
ｒｆ ｌ ｅｘｐ［： ｊ（３（ｔｌ ＋ｔ２）＋ｇ＋
Δｔ２＋Δｔ５）〕・・・（２） ＩＬ５ ＝ｔ０２ｉ １ ｔ５ｒｆ−ｅｘｐ （ｊ （
３（ｔｌ ＋ｔ２）”ｇ” ２Δｔ１＋Δｔ２＋ΔＬ３
＋２ΔＬ４）〕 ・・・（３）ａ４
＝ ｉ、’ｉ、ｔ５ｒトｅｘｐ（ｊ （ｓ（Ｌｌ”Ｌ２
）”ｇ”３（Δｔ２＋Δｔ、）＋２Δｔ、＋２Δｔ４）
〕 ・・・（４）計算の簡単のため、レーザビー
ムの可干渉距離を２（ｔ、＋ｔ２）以下とすると、点Ａ
に於ける光の強度工□は次式のように表される。
ＩＡ＝ ｌ ａ１１２＋ｌ ａ２＋ａ３＋ａ４１２＝
ｉ１’ ｔ２［１＋ｉ０’ ｔ’ｒ２ｆ２（３＋２ｃｏ
ｓ２ （Δｔ、＋Δｔ４）＋２邸２（Δｚ、＋ａＬ４＋
ＪＬ２＋ｊｔ３）十２■２（ΔＬ２＋Δｔ、））：ｌ
・・・（５）又、両側ビームＬｂ、 Ｌ
ｃの両方がレーザビーム出射端面（ＩＡ）に入射する場
合に於いて、＋１次ビームＬ＋１が光学式記録媒体（６
）の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビーム１１が０次
ビームＬ０に対し対称な点Ｂに入射する場合は、点への
光の強度工、は（５）式の通りであるが、点Ｂの光の強
度ＩＢは次式のように表される。
ｉ１’ ｔ２［１＋ｉ０’ ｔ’ｒ２ｆ２（３＋２ｃｏ
ｓ２ （Δｔ、＋Δｔ４）＋２邸２（Δｚ、＋ａＬ４＋
ＪＬ２＋ｊｔ３）十２■２（ΔＬ２＋Δｔ、））：ｌ
・・・（５）又、両側ビームＬｂ、 Ｌ
ｃの両方がレーザビーム出射端面（ＩＡ）に入射する場
合に於いて、＋１次ビームＬ＋１が光学式記録媒体（６
）の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビーム１１が０次
ビームＬ０に対し対称な点Ｂに入射する場合は、点への
光の強度工、は（５）式の通りであるが、点Ｂの光の強
度ＩＢは次式のように表される。
Ｉ、 ＝ ｉ、’ ｔ２［１＋ ｔ、４ ｔ’ｒ２ｆ２
（３＋２ｃｏｓ２ （Δｔ、−Δｔ４）＋２ｃｏｓ２（
Δｔ１−Δｔ４＋Δｔ２−Δｔ、）＋２邸２（Δｔ２−
ΔＬ、））） ・・・（
６）〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は上述した光学式トラッキング誤差検出装置に於
いて、光学式記録媒体に対するタンジエンシヤルスキユ
ー角の変化による外乱を減少することのできるトラッキ
ングエラー信号を得ることのできるものを提案しようと
するものである。
（３＋２ｃｏｓ２ （Δｔ、−Δｔ４）＋２ｃｏｓ２（
Δｔ１−Δｔ４＋Δｔ２−Δｔ、）＋２邸２（Δｔ２−
ΔＬ、））） ・・・（
６）〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は上述した光学式トラッキング誤差検出装置に於
いて、光学式記録媒体に対するタンジエンシヤルスキユ
ー角の変化による外乱を減少することのできるトラッキ
ングエラー信号を得ることのできるものを提案しようと
するものである。
本発明は、半導体レーザ索子（１）と、この半導体レー
ザ素子（１）よりのレーザビーム（波長をλとする）が
入射せしめられる回折格子（３）と、この回折格子（３
）より出射した０次ビーム及び±１次ビームが通過せし
められるビームスシリツタ（４）と、このビームスプリ
ッタ（４）より出射した０次ビーム及び±１次ビームが
集束せしめられて光学式記録媒体（６）に入射せしめら
れる対物レンズ（５）と、光学式記録媒体（６）により
反射せしめられだ０次ビーム及び±１次ビームが対物レ
ンズ（５）を通過し、更にビームスプリッタ（４）の反
射面（４＆）で反射した後、入射せしめられる光検出器
（７）とを有し、光検出器（７）より±１次ビームに対
応した一対の光検出出力を得、この一対の光検出出力の
差に基づいて０次ビームの光学式記録媒体（６）上のト
ラッキング状態に応じたトラッキング誤差信号を得るよ
うにした光学式ヘッドＯＨのトラッキング誤差検出装置
に於いて、半導体レーザ素子（１）及び光学式記録媒体
（６）間の光路中に光減衰手段を配して、光学式記録媒
体（６）よりの戻りビームの半導体レーザ素子（１）の
レーザビーム出射端面（ＩＡ）による反射ビームを減衰
せしめ、光学式記録媒体（６）のタンジエンシヤルスキ
ユー角の変動によるトラッキング誤差信号に対する外乱
を減少せしめるようにしたものである。
ザ素子（１）よりのレーザビーム（波長をλとする）が
入射せしめられる回折格子（３）と、この回折格子（３
）より出射した０次ビーム及び±１次ビームが通過せし
められるビームスシリツタ（４）と、このビームスプリ
ッタ（４）より出射した０次ビーム及び±１次ビームが
集束せしめられて光学式記録媒体（６）に入射せしめら
れる対物レンズ（５）と、光学式記録媒体（６）により
反射せしめられだ０次ビーム及び±１次ビームが対物レ
ンズ（５）を通過し、更にビームスプリッタ（４）の反
射面（４＆）で反射した後、入射せしめられる光検出器
（７）とを有し、光検出器（７）より±１次ビームに対
応した一対の光検出出力を得、この一対の光検出出力の
差に基づいて０次ビームの光学式記録媒体（６）上のト
ラッキング状態に応じたトラッキング誤差信号を得るよ
うにした光学式ヘッドＯＨのトラッキング誤差検出装置
に於いて、半導体レーザ素子（１）及び光学式記録媒体
（６）間の光路中に光減衰手段を配して、光学式記録媒
体（６）よりの戻りビームの半導体レーザ素子（１）の
レーザビーム出射端面（ＩＡ）による反射ビームを減衰
せしめ、光学式記録媒体（６）のタンジエンシヤルスキ
ユー角の変動によるトラッキング誤差信号に対する外乱
を減少せしめるようにしたものである。
かかる本発明によれば、半導体レーザ素子（１）及び光
学式記録媒体（６）間の光路に光減衰手段を設けたので
、光学式記録媒体（６）よりの戻りビームが半導体レー
ザ素子（１）のレーザビーム出射端面（ＩＡ）で反射し
ても、その反射ビームの強さは弱められるので、光検出
器（７）に入射する本来の±１次ビームＬ＋１１ Ｌ−
、と干渉するビームの強さは弱くなシ、光学式記録媒体
（６）のタンジエンシヤルスキユー角の変動によるトラ
ッキング誤差信号に対する外乱は減少せしめられる。
学式記録媒体（６）間の光路に光減衰手段を設けたので
、光学式記録媒体（６）よりの戻りビームが半導体レー
ザ素子（１）のレーザビーム出射端面（ＩＡ）で反射し
ても、その反射ビームの強さは弱められるので、光検出
器（７）に入射する本来の±１次ビームＬ＋１１ Ｌ−
、と干渉するビームの強さは弱くなシ、光学式記録媒体
（６）のタンジエンシヤルスキユー角の変動によるトラ
ッキング誤差信号に対する外乱は減少せしめられる。
以下に、本発明の一実施例を説明するも、光学式ヘッド
のトラッキング誤差検出装置の全体の構成例及び半導体
レーザ素子の構成例は、夫々上述の第５図及び第６図並
びにそれについての説明を援用し、重複説明は省略する
。
のトラッキング誤差検出装置の全体の構成例及び半導体
レーザ素子の構成例は、夫々上述の第５図及び第６図並
びにそれについての説明を援用し、重複説明は省略する
。
本発明では、半導体レーザ素子（１）及び光学式記録媒
体（６）間の光路に光減衰手段を設けるものである−０ 第１の実施例では、第１図に示すように、第５図のビー
ムスプリッタ（４）を光減衰手段として用いるもので、
その透過率を比較的小に（例えば２５チ）反射率を比較
的大に（例えば６５チ）夫々選定する。
体（６）間の光路に光減衰手段を設けるものである−０ 第１の実施例では、第１図に示すように、第５図のビー
ムスプリッタ（４）を光減衰手段として用いるもので、
その透過率を比較的小に（例えば２５チ）反射率を比較
的大に（例えば６５チ）夫々選定する。
尚、この場合、損失が１０チである。
ビームスプリッタ（ハーフミラ−）（４）は周知の如く
、三角プリズム（４１） 、 （４□）間に誘電体の多
層膜（４３）を被着形成したもので、その膜厚１層数等
を制御することにより、透過率及び反射率を制御するこ
とができる。
、三角プリズム（４１） 、 （４□）間に誘電体の多
層膜（４３）を被着形成したもので、その膜厚１層数等
を制御することにより、透過率及び反射率を制御するこ
とができる。
第２の実施例では、第２図に示す如く、第５図の回折格
子（３）を光減衰手段として用いるもので、溝（３ａ）
の形成された面の反対側の面に光吸収層（３ｂ）＆被着
形成するものである。光吸収層（３ｂ）の代シに光反射
層を用いても良い。
子（３）を光減衰手段として用いるもので、溝（３ａ）
の形成された面の反対側の面に光吸収層（３ｂ）＆被着
形成するものである。光吸収層（３ｂ）の代シに光反射
層を用いても良い。
第３の実施例では、第３図に示す如く、回折格子（３）
自体としてＮＤにュートラル・デンシティ）フィルタ（
光反射フィルタも可）を用いて、透過率を下げて、光減
衰手段として用いるようにした場合である。
自体としてＮＤにュートラル・デンシティ）フィルタ（
光反射フィルタも可）を用いて、透過率を下げて、光減
衰手段として用いるようにした場合である。
第４の実施例では、第４図に示す如く、第５図の半導体
レーザ素子（１）の金属パッケージ（９）に設けられた
窓Ｃ１ＯとしてＮＤフィルタを用いて、光減衰手段とし
た場合である。
レーザ素子（１）の金属パッケージ（９）に設けられた
窓Ｃ１ＯとしてＮＤフィルタを用いて、光減衰手段とし
た場合である。
この他、別体のＮＤフィルタ（光反射フィルタも可）を
半導体レーザ素子（１）及び光学式記録媒体（６）間の
光路中に設けて、光減衰手段としても良い。
半導体レーザ素子（１）及び光学式記録媒体（６）間の
光路中に設けて、光減衰手段としても良い。
尚、とのＮＤフィルタは半導体レーザ素子（１）及びビ
ームスプリッタ（４）間の光路中に設けた方が、ビーム
スプリッタ（４）及び光学式記録媒体（６）間の光路中
に設けるに比し、光検出器（７）への入射ビームの強さ
を犬にすることができ、それだけ半導体レーザ素子（１
）の出力パワーを大きくしなくて済む。
ームスプリッタ（４）間の光路中に設けた方が、ビーム
スプリッタ（４）及び光学式記録媒体（６）間の光路中
に設けるに比し、光検出器（７）への入射ビームの強さ
を犬にすることができ、それだけ半導体レーザ素子（１
）の出力パワーを大きくしなくて済む。
上述せる如き光減衰手段を設けることにより、上述の（
５）式及び（６）式に於ける、透過率を小さくすること
ができ、これにより点Ａ、Ｂの光の強度工Ａ ＋ ”Ｂ
を小さくすることができる。尚、これにより、光検出器
（７）への入射光量が減少するので、その分生導体レー
ザ素子（１）の出力パワーを上げる必要がある。
５）式及び（６）式に於ける、透過率を小さくすること
ができ、これにより点Ａ、Ｂの光の強度工Ａ ＋ ”Ｂ
を小さくすることができる。尚、これにより、光検出器
（７）への入射光量が減少するので、その分生導体レー
ザ素子（１）の出力パワーを上げる必要がある。
従って、本発明による光学式ヘッドのトラッキング誤差
検出装置によれば、光学式記録媒体よりの戻υビームの
半導体レーザ素子のレーザビーム出射端面による反射ビ
ームを減衰せしめることが出来、光学式記録媒体のタン
ジエンシヤルスキユー角の変動によるトラッキング誤差
信号に対する外乱を減少させることができる。
検出装置によれば、光学式記録媒体よりの戻υビームの
半導体レーザ素子のレーザビーム出射端面による反射ビ
ームを減衰せしめることが出来、光学式記録媒体のタン
ジエンシヤルスキユー角の変動によるトラッキング誤差
信号に対する外乱を減少させることができる。
第１図〜第４図は本発明の各実施例の光減衰手段を示す
断面図、第５図は従来の光学式ヘッドのトラッキング誤
差検出装置を示す路線的配置図、第６図及び第７図は従
来の光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装置に於ける
半導体レーザ素子の一例を示す正面図、第８図は波形図
、第９図は干渉の説明に供する線図である。 ＯＨは光学ヘッド、（１）は半導体レーザ素子、 （Ｌ
Ａ）はそのレーザビーム出射端面、（１ｄ）はその活性
層、（２）はコリメータレンズ、（３）は回折格子（光
減衰手段） 、 （４）はビームスプリッタ（光減衰手
段） 、（５）は対物レンズ、（６）は光学式記録媒体
、（至）は半導体レーザ素子の・臂ツケージの窓（光減
衰手段）である。 第１図 第２図 第３図 第４図 二弁続ネｌ↑正書 昭和５９年１２月 ４日 特許庁長官 志 賀 学 殿１、事件の表示 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２
１８）ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 （１１明細書中、第３頁６行〜７行及び第５頁１８行「
非偏光」とあるを夫々「無偏光」と訂正する。 （２） 同、第３頁８行「回折格子（３）」とあるを
１一対物レンズ（５）」と訂正する。 （３）同、第３頁６行〜７行「理想的な・・・変化する
。」とあるを１周期性を示す。」と訂正する。 （４）同、第９頁１行、２行、３行及び４行「位相」と
あるを夫々「光路」と訂正する。 （５）同、同頁５行〜６行及び６行「位相」とあるを夫
々「による光路差」と訂正する。 （６）回向中、第９図を別紙の如く訂正する。 以上
断面図、第５図は従来の光学式ヘッドのトラッキング誤
差検出装置を示す路線的配置図、第６図及び第７図は従
来の光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装置に於ける
半導体レーザ素子の一例を示す正面図、第８図は波形図
、第９図は干渉の説明に供する線図である。 ＯＨは光学ヘッド、（１）は半導体レーザ素子、 （Ｌ
Ａ）はそのレーザビーム出射端面、（１ｄ）はその活性
層、（２）はコリメータレンズ、（３）は回折格子（光
減衰手段） 、 （４）はビームスプリッタ（光減衰手
段） 、（５）は対物レンズ、（６）は光学式記録媒体
、（至）は半導体レーザ素子の・臂ツケージの窓（光減
衰手段）である。 第１図 第２図 第３図 第４図 二弁続ネｌ↑正書 昭和５９年１２月 ４日 特許庁長官 志 賀 学 殿１、事件の表示 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２
１８）ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 （１１明細書中、第３頁６行〜７行及び第５頁１８行「
非偏光」とあるを夫々「無偏光」と訂正する。 （２） 同、第３頁８行「回折格子（３）」とあるを
１一対物レンズ（５）」と訂正する。 （３）同、第３頁６行〜７行「理想的な・・・変化する
。」とあるを１周期性を示す。」と訂正する。 （４）同、第９頁１行、２行、３行及び４行「位相」と
あるを夫々「光路」と訂正する。 （５）同、同頁５行〜６行及び６行「位相」とあるを夫
々「による光路差」と訂正する。 （６）回向中、第９図を別紙の如く訂正する。 以上
Claims (1)
- 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子よりのレーザ
ビームが入射せしめられる回折格子と、該回折格子より
出射した０次ビーム及び±１次ビームが通過せしめられ
るビームスプリッタと、該ビームスプリッタより出射し
た０次ビーム及び±１次ビームが集束せしめられて光学
式記録媒体に入射せしめられる対物レンズと、上記光学
式記録媒体により反射せしめられた０次ビーム及び±１
次ビームが上記対物レンズを通過し、更に上記ビームス
プリッタの反射面で反射した後、入射せしめられる光検
出器とを有し、該光検出器より上記±１次ビームに対応
した一対の光検出出力を得、該一対の光検出出力の差に
基づいて上記０次ビームの上記光学式記録媒体上のトラ
ッキング状態に応じたトラッキング誤差信号を得るよう
にした光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装置に於い
て、上記半導体レーザ素子及び上記光学式記録媒体間の
光路中に光減衰手段を配して、上記光学式記録媒体より
の戻りビームの上記半導体レーザ素子のレーザビーム出
射端面による反射ビームを減衰せしめ、上記光学式記録
媒体のタンジエンシヤルスキユー角の変動による上記ト
ラッキング誤差信号に対する外乱を減少せしめるように
したことを特徴とする光学式ヘッドのトラッキング誤差
検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208936A JP2575099B2 (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
| AU49635/85A AU4963585A (en) | 1984-10-04 | 1985-10-03 | Apparatus for detecting tracking error of an optical head |
| PCT/JP1985/000547 WO1986002191A1 (en) | 1984-10-04 | 1985-10-03 | Apparatus for detecting tracking error of an optical head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208936A JP2575099B2 (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187225A true JPS6187225A (ja) | 1986-05-02 |
| JP2575099B2 JP2575099B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=16564584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59208936A Expired - Lifetime JP2575099B2 (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2575099B2 (ja) |
| AU (1) | AU4963585A (ja) |
| WO (1) | WO1986002191A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62120641A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 光学ヘツド装置 |
| JP2009066923A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Seiko Epson Corp | 表示器支持装置、電子機器 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8501665A (nl) * | 1985-06-10 | 1987-01-02 | Philips Nv | Optische aftasteenheid met positie- en standdetektiestelsel voor een elektromagnetisch gelagerd objektief. |
| US4835761A (en) * | 1985-11-20 | 1989-05-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Signal to noise ratio of optical head apparatus employing semiconductor laser beam source |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51148405A (en) * | 1975-06-02 | 1976-12-20 | Philips Nv | Recording carrier reader |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP59208936A patent/JP2575099B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-10-03 AU AU49635/85A patent/AU4963585A/en not_active Abandoned
- 1985-10-03 WO PCT/JP1985/000547 patent/WO1986002191A1/ja unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51148405A (en) * | 1975-06-02 | 1976-12-20 | Philips Nv | Recording carrier reader |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62120641A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 光学ヘツド装置 |
| JP2009066923A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Seiko Epson Corp | 表示器支持装置、電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU4963585A (en) | 1986-04-17 |
| JP2575099B2 (ja) | 1997-01-22 |
| WO1986002191A1 (en) | 1986-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |