KR930007176B1

KR930007176B1 - 광학식 헤드의 트랙킹 오차 검출 장치

Info

Publication number: KR930007176B1
Application number: KR1019850005513A
Authority: KR
Inventors: 기여시 오오사또; 고우도꾸 데라야마; 도오루 후꾸모또
Original assignee: 소니 가부시끼가이샤; 오오가 노리오
Priority date: 1985-04-30
Filing date: 1985-07-31
Publication date: 1993-07-31
Also published as: KR860008532A; JPS61250845A; JP2565186B2

Abstract

내용 없음.

Description

광학식 헤드의 트랙킹 오차 검출 장치

제1도는 발명의 요부의 한 예를 도시한 측면도.

제2도는 발명의 요부의 한 예를 도시한 정면도.

제3도는 본 발명의 요부의 다른 예를 도시한 정면도.

제4도는 광학적 헤드의 트랙킹 오차 검출장치의 광학계의 배치도의 한 예를 도시한 도면.

제5도 내지 제7도는 제4도의 설명을 위한 도면.

제8도는 간섭을 설명하기 위한 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 반도체 레이저 장치 1A 및 10A : 레이저 빔 출사단면

1d : 활성층 2 : 콜리미이터렌즈

3 : 회절격자 4 : 빔 스프리터

5 : 대물렌즈 6 : 광학식 디스크

8 및 11 : 헤드부 10 : 레이저 칩

12 : 무반사 코팅

본 발명은 광학식 기록장치, 재생장치 및 기록 재생장치에 사용되는데 적합한 광학식 헤드의 트랙킹 오차 검출장치에 관한 것이다.

본 발명은 반도체 레이저 장치로부터 나오는 레이저 빔을 회절격자에 의해 회절시켜서 0차 및 ±1차의 빔을 얻어, 이 3개의 빔중 적어도 2개의 빔의 광학식 기록 매체로부터 나오는 반사 빔을 광 검출기로 검출하여, 상기 검출 출력에서 트랙킹 에러 신호를 얻는 것에 있어서, 상기 반사 빔의 반도체 레이저 장치로 되돌아오는 것중 특히 반도체 레이저 장치의 레이저 칩 이외의 헤드부에 입사하는 사이드 빔이 반사하여 또다시 기록 매체에 입사하지 아니하도록, 헤드부의 빔 입사부에 무반사 코팅을 시설한 것이다. 이 경우에, 레이저 출사단면측에 입사할 수 있는 빔에 대해서는 이 레이저 출사단면에서의 빔의 반사를 억제시킨다.

이와 같이 하면, 광학식 디스크에 경사가 있더라도, 트랙킹 에러 신호가 상기 경사에 영향을 받지 않는다.

제4도는 종래의 광학식 헤드의 트랙킹 오차 검출장치의 한 예로, OH는 광학식 헤드를 전체로서 표시한다. (1)은 예컨대 레이저 다이오드를 사용한 반도체 레이저 장치로 이것의 레이저 빔 출사단면(1A)에서 출사한 단면이 타원인 발산 레이저 빔(L)은 콜리미이터렌즈(2)(불필요한 경우도 있음)에 입사한 평행 빔으로 한 후, 회절격자(그레팅)(3)에 입사한다. 이 회절격자(3)에서는 0차 빔(L₀) 및 ±1차 빔(L₊₁, L_-1)(또한, +2차 이상, -2차 이하의 빔은 무시한다)이 얻어져, 이것이 무편광 빔 스프리터(4)(하드밀러)(편향 빔 스프리터의 경우는, 대물렌즈(5)와의 사이에 1/4파장판을 설치한다)를 통과한 후, 대물렌즈(5)에 입사하여 집속되어, 집속된 0차 빔(L₀) 및 ±1차 빔(L₊₁, L_-1)은 광학식 기록 매체(광자기 기록 매체로 포함)로서의 광학식 디스크(6)의 기록면에 소정간격(예컨대 10㎛)을 두고서 입사한다.

광학식 디스크(6)로 반사된 0차 빔(L₀) 및 ±1차 빔(L₊₁, L_-1)은 대물렌즈(5)를 통과한 후 빔 스프리터(4)에 입사하고 상기 빔의 일부는 상기 빔 스프리터(4)의 반사면(4a)에서 반사되어 광 검출기(7)에 입사된다. 이 광 검출기(7)는 특히 0차 빔(L₀) 및 ±1차 빔(L₊₁, L_-1)을 입사시키는 3개의 광 검출부로서 구성된다.

따라서, 소위 3스폿법이라 불리는 트랙킹 에러 검출법의 경우, ±1차 빔이 각각 입사하는 한쌍의 광 검출부에서 한쌍의 광 검출 출력의 차를 취함으로써, 0차 빔(L₀)의 광학식 디스크(6)의 기록면상에서 트랙킹 상태에 따른 트랙킹 에러 신호가 얻어진다. 0차 빔이 입사한 광 검출부에서 재생신호, 포커스 에러 신호등을 얻을 수 있다.

또한, 이 3개의 빔중 0차 및 그 양측의 사이드 빔중 하나의 사이드 빔 또는 3개의 빔 전부를 사용해서 소위 푸시풀법에 의한 트랙킹 에러 신호의 검출법을 개량한 방법도 있다(특원소 제59-215860호 참조).

즉, 이 방법은 3개의 빔에 대한 광 검출기가 1/2로 분할되는 것을 사용한다. 그래서, 디스크상의 0차 빔에 의한 스폿이 트랙에 있을때, 양측의 사이드 빔에 의한 스폿은 랜드에 오도록 하여 둔다. 즉, 1/2 트래피치 몫만큼 변경된다. 이와 같이 하면, 각각의 스폿에 대한 광 검출기의 각 분할부의 검출 출력의 차의 출력, 즉 푸시풀 출력은 0차 빔에 의한 것과, ±1차 빔에 의한 것에서는 역상으로 된다. 한편, 대물렌즈의 가로벗어남이나 디스크의 경사에 의해 광 검출기의 푸시풀 출력에 생기는 직류 변동분은 동상으로 된다.

따라서, 0차 빔에 대한 광 검출기의 푸시풀 출력(PP₀)과, +1차 또는 -1차의 빔에 대한 광 검출기의 푸시풀 출력(PP₁) 또는 (PP₂)와의 차를 취하면, 대물렌즈의 가로 벗어남이나 디스크에 경사가 있더라도 직류변동분이 없는 트랙킹 에러 신호를 얻을 수가 있다.

또한, 3개의 푸시풀 출력을 사용하여, PP₀(G₁PP₁+G₂PP₂)인 연산에 의해 트랙킹 에러 신호를 얻도록 하여도 좋다. 이 경우, (G₁) 및 (G₂)는 광 검출기간의 이득차를 고려한 정수이다.

다음에, 반도체 레이저 장치(1)의 일예에 대해서 제5도를 참조하여 설명한다. 반도체 레이저 장치(1)는 통상 한쪽의 전극을 겸한 구리등의 금속으로 구성된 히트싱크로(heatsink)로 이루어진 헤드부(8)상에 고정되어 있다. 즉, 이 예에서는 헤드부(8)는 히트싱크만으로 구성되어 있다.

반도체 레이저 장치(1)의 레이저 칩의 구조를 도면의 상층에서 하층으로 설명하면, (1a)는 전극층, (1b)는 n-GaAs층(기체층), (1c)은 n-G_a1-yAl_yAs층(클래드 층), (1d)는 G_a1-xAl_xAs층(활성층), (1e)는 P-G_a1-yAl_yAs층(클래드 층), (1f)는 P-GaAs층이다. 따라서, 활성층(1d)에서 상술한 레이저 빔(L)이 출사된다. 이 반도체 레이저 장치(1)의 레이저 빔 출사다년(벽개면)(1A)을 정면으로 하면, 그 폭이 100 내지 300㎛, 높이(두께)가 80 내지 100㎛, 깊이가 200 내지 300㎛가 된다. 활성층(1d)의 헤드부(8)의 상면에서의 높이는 수 ㎛가 된다.

그러나, 실제 3스폿법 뿐만 아니라 상술된 바와 같은 개량된 푸시풀 방식의 트랙킹 에러 검출법을 사용한 경우에도,광학식 디스크에 탄젠셜(tangential)방향의 경사가 있을때, 트랙킹 에러 신호에 직류 변동이 발생해서, 정확한 트랙킹 에러를 검출할 수가 없었다.

본 발명자들은 그 원인을 규명하였던 바, 다음과 같은 것을 알 수 있었다.

광학식 디스크(6)에서 반사한 0차 빔(L₀) 및 ±1차 빔(L₊₁, L_-1)은 대물렌즈(5)를 통과한 후 빔 스프리터(4)의 반사면(4a)에서 반사할 뿐만 아니라, 빔 스프리터(4)를 통과하여 회절격자(3)에 입사되어 각각에 대응하는 특별한 0차 빔 및 ±1차 빔을 발생시켜 콜리미이터렌즈(2)를 통과하여 반도체 레이저 장치(1)로 향한다. 이 반도체 레이저 장치(1)로 향하는 빔의 빔량은 무편광 빔 스프리터를 사용한 경우에는 많고 편광빔 스프리터를 사용한 경우는 적다. 이 경우, 반도체 레이저 장치(1)의 레이저 빔 출사단면(1A)과, 회절격자(3)와의 상대회동각 위치에 따라서, 반도체 레이저 장치(1)로 향하는 중심 빔(La) 및 그 양측에 위치하는 사이드 빔(Lb, Lc)의 배치는 제6도에 도시된 바와 같이, 각각 중심 빔(La)이 레이저 빔 출사단면(1A)상의 활성층(1d)에 위치하여, 양측 빔(Lb, Lc)의 중심 빔(La)의 위치를 지나 활성층(1d)과 직교하는 직선상에 있어서 상하에 위치하는 수직방향으로 일렬로 되는 경우와, 중심 빔(La) 및 양측 빔(Lb, Lc)이 공히 활성층(1d)위에 위치하는 수평방향으로 일렬로 되는 경우와 중심 빔(La) 및 양측 빔(Lb, Lc)을 연결하는 직선이 상기 2개의 경우에 중간 임의의 각도 위치로 오는 경우가 있다. 그래서, 이들 중심 빔(La) 및 양측 빔(Lb, Lc)은 0차 빔(L₀) 및 ±1차 빔(L₊₁, L_-1)이 회절격자(3)에 의해 재회절되고, 또한 혼재하여 중첩된 것이다.

그런데, 양측 빔(Lb, Lc)의 적어도 한쪽이 헤드부(8)의 면에 입사한 경우는, 상기 면이 거친면이기 때문에, 상기 빔은 그면에서 불규칙 반사된다. 한편, 양측 빔(Lb, Lc)중 적어도 하나의 빔이 반도체 레이저 소자(1)의 레이저 빔 출사단면(1A)에 입사되는 경우, 상기 단면(1A)은 반사율이 양호(예컨대 10%)하므로, 상기 단면(1A)에서 반사한다. 이와 같이 레이저 장치(1)에 입사된 0차 빔 및 ±1차 빔은 반사되고 또다시 회절격자(3)에서 회절되어 디스크(6)에 도달하기 때문에, 복잡한 간섭 패턴이 광 검출기(7)상에 나타난다.

여기서, 이 간섭 패턴은 0차 빔과 ±1차 빔의 광로길이의 차(위상차)에 의해 변화한다. 따라서, 디스크(6)의 경사각의 변화에 의해 변화한다. 따라서, 트랙킹 에러 신호도 디스크의 경사 각의 변화에 의해 변화하여, 예컨대 제7도와 같은 주기성을 갖는다. 또한, 실제로는 ｜α｜가 증대함에 따라서, 트랙킹 에러 신호(Se)의 레벨은 감쇄한다. 또한, 양측 빔(Lb, Kc) 모두가 레이저 빔 출사단면(1A)에 입사하는 경우는, 제7도에 대응하는 파형의 진폭이 제7도의 진폭의 2배로 되며, 위상은 제7도와 다르게 된다.

다음에, 이상과 같은 간섭 패턴의 해석을 제8도(렌즈계는 도시되어 있지 않다)를 참조하면서 설명한다.

제8도에 있어서, 실선으로 표시되는(1A)는 레이저 빔 출사단면이나, 파선으로 표시되는 정규 위치의 출사단면(1A)에 대해서 기울어져 있는 일반적인 경우를 나타내고, 또한, 실선으로 표시되는 (6)은 디스크이나, 경사를 가져서, 파선으로 피쇼되는 정류의 위치에 대해 경사져 있는 경우를 나타낸다. 0차 빔(L₀)은 정규의 위치의 레이저 빔 출사단면(1A) 및 정규 위치의 광학식 디스크(6)의 기록면에 대해서 연직 방향이다. 0는 +1차 빔(L₊₁)의 0차 빔(L₀)에 대한 각도이다. l₁은 레이저 빔 출사단면(1A) 및 회절격자(3)간의 광로길이 l₂는 회절격자(3) 및 광학식 디스크(6)간의 기록면간의 광로길이다.

l₁,

l₂는 각각 광로길이(l₁, l₂)에 대한 0차 빔(L₀) 및 +1차 빔(L₊₁)간의 광로차이다. (

l₃), (

l₄)는 각각 광학식 디스크(6)의 경사에 의한 광로차, 레이저 빔 출사단면(1A)의 경사에 의한 광로차다.

또한, g는 회절격자(3)에 있어서 0차 빔(L₀) 및 +1차 빔(L₊₁)간의 위상차이다. i₀, i₁각각은 회절격자(3)에 있어서 0차 빔 +1차 빔의 투과율, t는 하프밀러(4)의 투과율, r, f는 각각 광학식 기록매체(6)의 기록면상에서 레이저 빔 출사단면(1A)상의 반사율이다.

+1차 빔(L₊₁)이 입사하는 광학식 디스크(6)의 기록면상의 점(A)에 있어서 광의 복소 진폭을 다음 4가지 경우로 나누어서 생각하기로 한다.

(1) a₁: +1차 빔( L₊₁)이 직접점(A)에 입사한 경우.

(2) a₂: 0차 빔(L₀)가 광학식 디스크(6)에서 반사하며, 재차 회절격자(3)에 입사하므로서 얻어진 0차 빔이 레이저 빔 출사단면(1A)에서 반사하여, 재차 회절격차(3)에 입사하므로서 얻어진 +1차 빔이 점(A)에 입사한 경우.

(3) a₃: 0차 빔(L₀)가 광학식 디스크(6)에서 반사하여, 재차 회절격차(3)에 입사하므로서 얻어진 +1차 빔이 레이저 빔 출사단면(1A)에서 반사하여 재차 회절격차(3)에 입사하므로서 얻어진 0차 빔이 점(A)에 입사한 경우.

(4) a₄: +1차 빔( L₊₁)이 광학식 디스크(6)에서 반사하며, 재차 회절격차(3)에 입사하므로서 얻어진 0차 빔이 레이저 빔 출사단면(1A)에서 반사하여, 재차 회절격자(3)에 입사하므로서 얻어진 0차 빔 점(A)에 입사하는 경우.

다음에 a₁내지 a₄를 식으로 표시한다.

a₁=i₁t exp{j(ℓ₁+g+ℓ₂+

ℓ₂,

ℓ₃)} ………………………………… (1)

a₂=i₀ ²i₁t³rf exp[j{3(ℓ₁+ℓ₂)+g+

ℓ²+

ℓ³}] …………………… (2)

a₃=i₀ ²i₁t³rf exp[j{3(ℓ₁+ℓ₂)+g+2

ℓ₁+

ℓ₂+

ℓ₃+2

ℓ₄}]… (3)

a₄=i₀ ²i₁t³rf exp[j{3(ℓ₁+ℓ₂)+g+3(

ℓ₂+

ℓ₃)+2

ℓ₁+2

ℓ₄}]… ……… (4)

계산을 간단히 하기 위해서, 레이저 빔의 간섭 거리를 2(ℓ₁+ℓ₂)이하로 하면, 점 A에 있어서 광의 강도(Ⅰ_A)는 다음식과 같이 표시된다.

Ⅰ_A=｜a₁｜²+｜a₂+a₃+a₄｜²=i₁ ²t²[1+i₀ ⁴t⁴r²f²{3+2cos 2(

ℓ₁+

ℓ₄)+2cos 2(

ℓ₁+

ℓ₄+

ℓ₂+

ℓ₃)+2cos 2(

ℓ₂+

ℓ₃)}] ………………… (5)

또한, 양측 빔(Lb, Lc)의 양쪽이 레이저 빔 출사단면(1A)에 입사하는 경우에 있어서, +1차 비임(L₊₁)이 광학식 디스크(6)의 기록면상의 점(A)에 입사하여, -1차 빔(L_-1)이 0차 비임(L₀)에 대해 대칭인 점(B)에 입사하는 경우는 점(A)의 빛의 강도(Ⅰ_A)는 (5)식과 같으나, 점(B)의 빛의 강도(Ⅰ₈)는 다음 식과 같이 표시된다.

Ⅰ_B=i₁ ²t²[1+i₀ ⁴t⁴r²f²{3+2cos 2(

ℓ₁-

ℓ₄)+2cos 2(

ℓ₁-

ℓ₄₊

ℓ₂-

ℓ₃)+2cos 2(

ℓ₂-

ℓ₃)}] …………………………………… (6)

이상과 같이 하여, 광 검출기(7)상에서는 복잡한 간섭 패턴이 생기나, 특히 중심 빔(La)에 대해 양측 빔(Lb, Lc)이 수직방향으로 나란하여, 빔(Lb)이 레이저 출사단면(1A)에,빔(Lc)이 헤드부(8)에, 각각 입사하는 경우, 빔(Lb)은 출사단면(1A)에서 반사되어, 빔(Lc)은 헤드부(8)(거친면으로 되어 있음)에서 불규칙 반사되므로, 반도체 레이저 장치(1)로 되돌아간 양측 빔(Lb, LC)에 대해서 재차 디스크(6)측으로 가는 빔에 불균형이 생기는데, 이 때문에 트랙킹 에러 신호에 직류 변동이 생긴다. 이 사실은 전술한 3스폿법 및 개량된 푸시풀법의 어떤 경우에도 같다.

여기에서, 헤드부(8)측에 입사하는 빔은 불규칙 반사되므로 광학계로 되돌아가지않을 것으로 생각해, 레이저 빔 출사단면(1A)측에 입사하는 빔에 대해서 이것의 반사를 억제하는 수단이 제공되는 것으로 생각하였다.

예컨대, 레이저 소자인 다이오드 칩을 엷게 하여 사이드 빔이 되돌아와도 그것이 출사단면 밖이 되도록 하고 있었다.

또한, 레이저 다이오드로서 고출력의 것에서는 레이저 출사단면의 반사율이 낮은 것(예컨대 2 내지 3% 정도)이 사용되고 있으나, 이와 같은 레이저 다이오드를 사용해서, 출사단면측으로 되돌아오는 빔의 반사를 억제하고 있었다.

이와 같이, 출사단면측에 있어서 되돌아 오는 빔 반사를 억제하는 대책이 강구되어 왔으나 상술한 바와 같이 헤드부에 대한 대책은 강구되지 않고 있었다.

그런, 상기한 바와 같이 레이저 출사단면측에 있어서 되돌아오는 빔의 반사의 억제가 충분히 이루어지면, 헤드부에 있어서 불규칙 반사된 것이, 콜리미이터렌즈(2)를 거쳐, 회절격자(3)를 거쳐서 디스크(6)쪽으로 되돌아가는 빛의 몫이 무시할 수 없게 되어, 트랙킹 에러 신호의 직류 변동분을 완전히 제거할 수는 없었다.

본 발명에서는 반도체 레이저 장치의 레이저 출사단면측은 상기 단면측으로 되돌아오는 빔의 반사를 억제하는 수단이 사용되고 있는 경우에, 레이저 칩 이외에 헤드부에 입사하는 빔에 대해서, 헤드부의 빔 입사부에 무반사코팅을 실시하여 반사빔이 광학계에 재입사하는 일이 없도록 한다.

레이저 출사단면측만이 아니고, 헤드부측에도 사이드빔의 반사를 제어하는 수단이 설치되었으므로, 반도체 레이저 장치로부터의 반사빔은 거의 메인 빔만으로 되어, 트랙킹 에러신호의 직류변동분이 제거되는 것이다.

제1도는 본 발명 장치에 사용하는 반도체 레이저 장치(1)의 한예로, (1)은 레이저 칩이며, (11)은 금속으로 형성된 헤드부다.

(10A)는 레이저 출사단면이며, (10d)는 활성층이다.

상기 예에 있어서 제1도에서 파선의 광로로 표시한 콜리미이터 렌즈(2)를 거쳐 사이드 빔이 입사하는 헤드부(11)의 면에는 무반사코팅(12)이 제공된다. 따라서, 이 헤드부(11)의 무반사 코팅(12)이 제공된 부분에 사이드 빔이 입사하여도 그 반사는 억제되어, 콜리미이터렌즈(2)에 재입사하는 일은 거의 없게 된다.

이 경우에, 헤드부(11)의 콜리미이터렌즈(2)와의 대향면의 가로방향의 전역에 걸쳐서 무반사 코팅(12)을 제공할 필요는 없고, 제2도에 도시하는 바와 같이 레이저 칩(10) 아래쪽의 사이드 빔이 입사하는 부분에만 설치하여도 좋다.

그래서, 무반사 코팅(12)을 실시한 부분의 도면의 좌우방향의 단변(12A)(12B)의 위치를, 레이저 칩(10)을 헤드부(11)위에 설치할때의 자리맞춤용의 표시로서 사용할 수가 있다. 즉, 양단면(12A)(12B)간의 거리를 레이저 칩(10)의 출사단면(10A)의 폭과 같게 하여 두면, 레이저 칩(10)의 양쪽을 무반사 코팅(12)을 실시한 부분의 양단면(12A)(12B)에 맞추는 것만으로 자리맞춤이 가능하다. 물론, 양단면(12A)(12B)을 함께 표시하는 것은 아니고, 그 한쪽만을 자리맞춤용의 표시로 하도록 하여도 좋다.

반도체 장치(1)로서는 레이저 칩(10)을 직접 금속으로 구성된 히트싱크위에 배치하는 것은 아니고, 제3도에 도시하는 바와 같이 실리콘 기판(13)위에 레이저 칩(10)을 배치하여, 이 레이저 칩(10)이 배치된 실리콘 기판(13)을 히트싱크(14)에 배치하는 것과 같이 구성되어 있다. 즉, 이 경우는 헤드부는 실리콘 기판과 히트싱크로 구성된다.

이와 같이 구성된 경우에, 사이드 빔은 히트싱크(14)가 아닌 실리콘 기판(13)상에 입사하는 경우가 있다.

여기서, 제3도 예와 같은 경우에는, 무반사 코팅(12)은 이 실리콘 기판(13) 및 히트싱크(14)중 필요한 부분에 설치된다.

본 발명의 효과에 의하면, 사이드 빔 중 헤드부에 입사하는 빔의 반사 빔이 재차 광학계로 되돌아 오는 일이 없으므로, 레이저 칩의 출사단면 측에 있어서 그 반사 빔을 억제하도록 대책을 세워두면, 트랙킹 에러신호의 디스크의 경사에 의한 직류 변동을 보다 효과적으로 제거할 수가 있다.

Claims

반도체 레이저 장치(1)와, 회절격자(3)와, 빔 스프리터(4)와, 대물렌즈(5)와, 광 검출기(7)를 갖는 광학식 헤드의 트랙킹 오차 검출 장치로서, 상기 반도체 레이저 장치(1)로부터 나오는 레이저 빔이 상기 회절격자(3)에 의해 메인 빔 및 그의 양측의 2개의 사이드 빔으로 나누어져 이 3개의 빔이 상기 빔 스프리터(4) 및 대물렌즈(5)를 거쳐서 광학식 기록 매체(6)에 입사되며, 상기 광학식 기록 매체(6)에서 반사된 빔이 상기 대물렌즈(5)를 거쳐서 빔 스프리터에 입사되어 반사되고, 상기 반사 빔이 상기 광 검출기(7)에 입사되어 상기 3개의 빔중 적어도 2개의 빔이 상기 광 검출기로부터(7) 나오는 검출 출력을 사용해서 상기 광학식 기록 매체(6)상의 상기 메인 빔(L₀)의 트랙킹 상태에 따른 트랙킹 에러 신호를 얻는 상기 광학식 헤드의 트랙킹 오차 검출 장치에 있어서, 상기 광학식 기록 매체(6)로부터 나오는 반사 빔이 상기 대물렌즈(5), 상기 빔 스프리터(4) 및 상기 회절격자(3)를 통과하여 상기 반도체 레이저 장치(1)로 되돌아가는 양측 빔에 대해서 레이저 출사단면(10A)에서의 빔 반사를 억제함과 동시에, 레이저 칩(10) 이외의 부분에 입사하는 사이드 빔(L₊₁, L_-1)의 반사 빔이 상기 광학계(3), (4), (5), (7)에 재입사하지 아니하도록 상기 레이저 칩(10A)이외의 부분이 무반사 코팅(12)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학식 헤드의 트랙키 오차 검출 장치.