JPH058501B2 - - Google Patents
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- JPH058501B2 JPH058501B2 JP59145767A JP14576784A JPH058501B2 JP H058501 B2 JPH058501 B2 JP H058501B2 JP 59145767 A JP59145767 A JP 59145767A JP 14576784 A JP14576784 A JP 14576784A JP H058501 B2 JPH058501 B2 JP H058501B2
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光学式記録装置、再生装置及び記録再
生装置に適用して好適な光学式ヘツドのトラツキ
ング誤差検出装置に関する。
生装置に適用して好適な光学式ヘツドのトラツキ
ング誤差検出装置に関する。
背景技術とその問題点
先ず第１図を参照して、従来の光学式ヘツドの
トラツキング誤差検出装置について説明する。
OHは光学ヘツドを全体として示す。１は半導体
レーザ素子（レーザダイオード）で、これのレー
ザビーム出射端面１Ａ側より出射した、断面が楕
円の発散レーザビームＬはコリメータレンズ（不
用の場合もある）２に入射せしめられて平行ビー
ムとなされた後、回折格子（グレーテイング）３
に入射せしめられる。回折格子３より出射した０
次ビームL0及び±１次ビームL+1，L-1（尚、＋２
次以上、−２次以下のビームは無視する）は無偏
光ビームスプリツタ（ハーフミラー）（偏向ビー
ムスプリツタの場合は、対物レンズ５との間に1/
４波長板を設ける）４を通過した後、対物レンズ
５に入射せしめられて集束せしめられ、その集束
された０次ビームL0及び±１次ビームL+1，L-1
は光学式記録媒体（光磁気記録媒体も含む）６の
記録面に所定間隔（例えば10μm）を置いて入射
せしめられる。
トラツキング誤差検出装置について説明する。
OHは光学ヘツドを全体として示す。１は半導体
レーザ素子（レーザダイオード）で、これのレー
ザビーム出射端面１Ａ側より出射した、断面が楕
円の発散レーザビームＬはコリメータレンズ（不
用の場合もある）２に入射せしめられて平行ビー
ムとなされた後、回折格子（グレーテイング）３
に入射せしめられる。回折格子３より出射した０
次ビームL0及び±１次ビームL+1，L-1（尚、＋２
次以上、−２次以下のビームは無視する）は無偏
光ビームスプリツタ（ハーフミラー）（偏向ビー
ムスプリツタの場合は、対物レンズ５との間に1/
４波長板を設ける）４を通過した後、対物レンズ
５に入射せしめられて集束せしめられ、その集束
された０次ビームL0及び±１次ビームL+1，L-1
は光学式記録媒体（光磁気記録媒体も含む）６の
記録面に所定間隔（例えば10μm）を置いて入射
せしめられる。
光学式記録媒体６で反射した０次ビームL0及
び±１次ビームL+1，L-1は対物レンズ５を通過
した後、ビームスプリツタ４に入射せしめられ、
その一部はその反射面４ａで反射して光検出器７
に入射せしめられる。この光検出器７は、０次ビ
ームL0及び±１次ビームL+1，L-1が各別に入射
せしめられる３個の光検出部にて構成される。そ
して、±１次ビームが夫々入射せしめられる一対
の光検出部からの一対の光検出出力の差を採るこ
とにより、０次ビームL0の光学式記録媒体６の
記録面上でのトラツキング状態に応じたトラツキ
ング誤差信号が得られる。又、０次ビームの入射
せしめられた光検出部からは、再生信号、フオー
カスエラー信号等が得られる。
び±１次ビームL+1，L-1は対物レンズ５を通過
した後、ビームスプリツタ４に入射せしめられ、
その一部はその反射面４ａで反射して光検出器７
に入射せしめられる。この光検出器７は、０次ビ
ームL0及び±１次ビームL+1，L-1が各別に入射
せしめられる３個の光検出部にて構成される。そ
して、±１次ビームが夫々入射せしめられる一対
の光検出部からの一対の光検出出力の差を採るこ
とにより、０次ビームL0の光学式記録媒体６の
記録面上でのトラツキング状態に応じたトラツキ
ング誤差信号が得られる。又、０次ビームの入射
せしめられた光検出部からは、再生信号、フオー
カスエラー信号等が得られる。
次に、半導体レーザ素子１の一例について第２
図を参照して説明する。この半導体レーザ素子１
は通常一方の電極を兼ねた銅等より成るヒートシ
ンク８上に固着されている。半導体レーザ素子１
の構造を図に於いてその上層から下層に向かつて
説明すると、１ａは電極層、１ｂはｎ−GaAs層
（基体層）、１ｃはｎ−Ga1−yAlyAs層（クラツ
ド層）、１ｄはGa1−xAlxAs層（活性層）、１ｅ
はｐ−Ga1−yAlyAs層（クラツド層）、１ｆはｐ
−GaAs層である。そして、活性層１ｄから上述
のレーザビームＬが出射する。この半導体レーザ
素子１のレーザビーム出射端面（剪開面）１Ａを
正面とすると、その幅が100〜300μm、高さ（厚
さ）が80〜100μm、奥行が200〜300μmである。
活性層１ｄのヒートシンク８の上面からの高さは
数μmである。
図を参照して説明する。この半導体レーザ素子１
は通常一方の電極を兼ねた銅等より成るヒートシ
ンク８上に固着されている。半導体レーザ素子１
の構造を図に於いてその上層から下層に向かつて
説明すると、１ａは電極層、１ｂはｎ−GaAs層
（基体層）、１ｃはｎ−Ga1−yAlyAs層（クラツ
ド層）、１ｄはGa1−xAlxAs層（活性層）、１ｅ
はｐ−Ga1−yAlyAs層（クラツド層）、１ｆはｐ
−GaAs層である。そして、活性層１ｄから上述
のレーザビームＬが出射する。この半導体レーザ
素子１のレーザビーム出射端面（剪開面）１Ａを
正面とすると、その幅が100〜300μm、高さ（厚
さ）が80〜100μm、奥行が200〜300μmである。
活性層１ｄのヒートシンク８の上面からの高さは
数μmである。
ところで、０次ビームL0の光学式記録媒体６
の記録面に対するタンジエンシヤルスキユー角が
変化すると、トラツキングエラー信号もそれに応
じて周期的に変化し、正確なトラツキングエラー
を検出することができなかつた。
の記録面に対するタンジエンシヤルスキユー角が
変化すると、トラツキングエラー信号もそれに応
じて周期的に変化し、正確なトラツキングエラー
を検出することができなかつた。
本発明者等はその原因を究明したところ、次の
ようなことが分かつた。光学式記録媒体６で反射
した０次ビームL0及び±１次ビームL+1，L-1は
対物レンズ５を通過した後、ビームスプリツタ４
の反射面４ａで反射するのみならず、ビームスプ
リツタ４を通過し、回折格子３に入射して、夫々
に対応して格別の０次ビーム及び±１次ビームが
発生し、コリメータレンズ２を通過して半導体レ
ーザ素子１に向かう。この半導体レーザ素子１に
向かうビームのビーム量は、無偏光ビームスプリ
ツタを用いた場合には多く、偏向ビームスプリツ
タを用いた場合は少ない。
ようなことが分かつた。光学式記録媒体６で反射
した０次ビームL0及び±１次ビームL+1，L-1は
対物レンズ５を通過した後、ビームスプリツタ４
の反射面４ａで反射するのみならず、ビームスプ
リツタ４を通過し、回折格子３に入射して、夫々
に対応して格別の０次ビーム及び±１次ビームが
発生し、コリメータレンズ２を通過して半導体レ
ーザ素子１に向かう。この半導体レーザ素子１に
向かうビームのビーム量は、無偏光ビームスプリ
ツタを用いた場合には多く、偏向ビームスプリツ
タを用いた場合は少ない。
この場合、第３図に示す如く、半導体レーザ素
子１のレーザビーム発光端面１Ａと、回折格子３
との相対回動角位置に応じて、半導体レーザ素子
１に向かう中心ビームLa及びその両側に位置す
る両側ビームLb，Lcの配置は夫々中心ビームLa
がレーザビーム出射端面１Ａ上の活性層１ｄに位
置し、両側ビームLb，Lcが中心ビームLaの位置
を通り、活性層１ｄと直交する直線上に於いて上
下に位置する場合と、中心ビームLa及び両側ビ
ームLb，Lcが共に活性層１ｄ上に位置する場合
と、中心ビームLa及び両側ビームLb，Lcを結ぶ
直線が上記２つの場合の中間の任意の角度位置に
来る場合とがある。そして、これら中心ビーム
La及び両側ビームLb，Lcは、０次ビームL0と、
±１次ビームL+1，L-1が回折格子３によつて再
回折され、且つ混在して重畳されたものである。
子１のレーザビーム発光端面１Ａと、回折格子３
との相対回動角位置に応じて、半導体レーザ素子
１に向かう中心ビームLa及びその両側に位置す
る両側ビームLb，Lcの配置は夫々中心ビームLa
がレーザビーム出射端面１Ａ上の活性層１ｄに位
置し、両側ビームLb，Lcが中心ビームLaの位置
を通り、活性層１ｄと直交する直線上に於いて上
下に位置する場合と、中心ビームLa及び両側ビ
ームLb，Lcが共に活性層１ｄ上に位置する場合
と、中心ビームLa及び両側ビームLb，Lcを結ぶ
直線が上記２つの場合の中間の任意の角度位置に
来る場合とがある。そして、これら中心ビーム
La及び両側ビームLb，Lcは、０次ビームL0と、
±１次ビームL+1，L-1が回折格子３によつて再
回折され、且つ混在して重畳されたものである。
ところで、両側ビームLb，Lcの少なくとも一
方がヒートシンク８の面に入射した場合は、その
面が粗面であるので、そのビームはそこで乱反射
されるので問題はないが、両側ビームLb，Lcの
少なくとも一方が半導体レーザ素子１のレーザビ
ーム出射端面１Ａに入射する場合は、この端面１
Ａは反射率が良好（例えば10％）なので、この端
面１Ａで反射し、上述の光路を通過して光検出器
７に入射するので、＋１次又は−１ビームと干渉
を起こす。このため、０次ビームL0の光学式記
録媒体６の記録面に対するタンジエンシヤルスキ
ユー角に応じて、光検出器７に入射する＋１次又
は−１次ビームの強度が変化し、トラツキングエ
ラー信号がそのスキユー角に応じて周期的に変化
する。第４図は、両側ビームLb，Lcの一方Lbが
半導体レーザ素子１のレーザビーム発光端面１Ａ
に入射し、他方Lcがヒートシンク８に入射した
場合の、０次ビームL0の光学式記録媒体６の記
録面に対するタンジエンシヤルスキユー角α°に対
するトラツキングエラー信号Seのレベル変化の
周期性を示す。尚、実際には、｜α｜が増大する
につれて、トラツキングエラー信号Seのレベル
は減衰する。尚、両側ビームLb，Lc共レーザビ
ーム出射端面１Ａに入射する場合は、第４図に対
応する波形の振幅が第４図のそれの２倍となり、
位相は第４図と異なる。
方がヒートシンク８の面に入射した場合は、その
面が粗面であるので、そのビームはそこで乱反射
されるので問題はないが、両側ビームLb，Lcの
少なくとも一方が半導体レーザ素子１のレーザビ
ーム出射端面１Ａに入射する場合は、この端面１
Ａは反射率が良好（例えば10％）なので、この端
面１Ａで反射し、上述の光路を通過して光検出器
７に入射するので、＋１次又は−１ビームと干渉
を起こす。このため、０次ビームL0の光学式記
録媒体６の記録面に対するタンジエンシヤルスキ
ユー角に応じて、光検出器７に入射する＋１次又
は−１次ビームの強度が変化し、トラツキングエ
ラー信号がそのスキユー角に応じて周期的に変化
する。第４図は、両側ビームLb，Lcの一方Lbが
半導体レーザ素子１のレーザビーム発光端面１Ａ
に入射し、他方Lcがヒートシンク８に入射した
場合の、０次ビームL0の光学式記録媒体６の記
録面に対するタンジエンシヤルスキユー角α°に対
するトラツキングエラー信号Seのレベル変化の
周期性を示す。尚、実際には、｜α｜が増大する
につれて、トラツキングエラー信号Seのレベル
は減衰する。尚、両側ビームLb，Lc共レーザビ
ーム出射端面１Ａに入射する場合は、第４図に対
応する波形の振幅が第４図のそれの２倍となり、
位相は第４図と異なる。
次に、両側ビームLb，Lcのうちの一方Lbが半
導体レーザ素子１のレーザビーム出射端面１Ａに
入射し、他方Lcがヒートシンク８に入射する場
合の干渉について、第５図（レンズ系の図示を省
略してある）を参照して説明する。第５図に於い
て、実線にて示される１Ａはレーザビーム出射端
面であるが、破線にて示される正規の位置の出射
端面１Ａに対し傾いている一般的な場合を示し、
又、実線にて示される６は光学式記録媒体である
が、破線にて示される正規の位置の光学式記録媒
体６に対し傾いている場合を示す。０次ビーム
L0は正規の位置のレーザビーム出射端面１Ａ及
び正規の位置の光学式記録媒体６の記録面に対し
鉛直である。θは＋１次ビームL+1の０次ビーム
L0に対する角度である。l1はレーザビーム出射端
面１Ａ及び回折格子３間の光路長、l2は回折格子
３及び光学式記録媒体６の記録面間の光路長であ
る。Δl1，Δl2は夫々光路長l1，l2に対する０次ビ
ームL0及び＋１次ビームL+1間の光路差である。
Δl3，Δl4は夫々光学式記録媒体６のスキユーによ
る光路差、レーザビーム出射端面１Ａのスキユー
による光路差である。
導体レーザ素子１のレーザビーム出射端面１Ａに
入射し、他方Lcがヒートシンク８に入射する場
合の干渉について、第５図（レンズ系の図示を省
略してある）を参照して説明する。第５図に於い
て、実線にて示される１Ａはレーザビーム出射端
面であるが、破線にて示される正規の位置の出射
端面１Ａに対し傾いている一般的な場合を示し、
又、実線にて示される６は光学式記録媒体である
が、破線にて示される正規の位置の光学式記録媒
体６に対し傾いている場合を示す。０次ビーム
L0は正規の位置のレーザビーム出射端面１Ａ及
び正規の位置の光学式記録媒体６の記録面に対し
鉛直である。θは＋１次ビームL+1の０次ビーム
L0に対する角度である。l1はレーザビーム出射端
面１Ａ及び回折格子３間の光路長、l2は回折格子
３及び光学式記録媒体６の記録面間の光路長であ
る。Δl1，Δl2は夫々光路長l1，l2に対する０次ビ
ームL0及び＋１次ビームL+1間の光路差である。
Δl3，Δl4は夫々光学式記録媒体６のスキユーによ
る光路差、レーザビーム出射端面１Ａのスキユー
による光路差である。
又、ｇを回折格子３に於ける０次ビームL0及
び＋１次ビームL+1間の位相差とする。i0，i1を
夫々回折格子３に於ける０次ビーム、＋１次ビー
ムの透過率、ｔをハーフミラー４の透過率、ｒ，
ｆを夫々光学式記録媒体６の記録面上、レーザビ
ーム出射端面１Ａ上の反射率とする。
び＋１次ビームL+1間の位相差とする。i0，i1を
夫々回折格子３に於ける０次ビーム、＋１次ビー
ムの透過率、ｔをハーフミラー４の透過率、ｒ，
ｆを夫々光学式記録媒体６の記録面上、レーザビ
ーム出射端面１Ａ上の反射率とする。
しかして、＋１次ビームL+1が入射する光学式
記録媒体６の記録面上の点Ａに於ける光の複素振
幅を次の４つの場合に分けて考える。
記録媒体６の記録面上の点Ａに於ける光の複素振
幅を次の４つの場合に分けて考える。
(1) a1：＋１次ビームL+1が直接点Ａに入射した
場合。
場合。
(2) a2：０次ビームL0が光学式記録媒体６で反射
し、再度回折格子３に入射することによつて得
られた０次ビームがレーザビーム出射端面１Ａ
で反射し、再度回折格子３に入射することによ
つて得られた＋１次ビームが点Ａに入射した場
合である。
し、再度回折格子３に入射することによつて得
られた０次ビームがレーザビーム出射端面１Ａ
で反射し、再度回折格子３に入射することによ
つて得られた＋１次ビームが点Ａに入射した場
合である。
(3) a3：０次ビームL0が光学式記録媒体６で反射
し、再度回折格子３に入射することによつて得
られた＋１次ビームがレーザビーム出射端面１
Ａで反射し、再度回折格子３に入射することに
よつて得られた０次ビームが点Ａに入射した場
合である。
し、再度回折格子３に入射することによつて得
られた＋１次ビームがレーザビーム出射端面１
Ａで反射し、再度回折格子３に入射することに
よつて得られた０次ビームが点Ａに入射した場
合である。
(4) a4：＋１次ビームL+1が光学式記録媒体６で
反射し、再度回折格子３に入射することによつ
て得られた０次ビームがレーザビーム出射端面
１Ａで反射し、再度回折格子３に入射すること
によつて得られた０次ビームが点Ａに入射する
場合である。
反射し、再度回折格子３に入射することによつ
て得られた０次ビームがレーザビーム出射端面
１Ａで反射し、再度回折格子３に入射すること
によつて得られた０次ビームが点Ａに入射する
場合である。
次にa1〜a4を式にて示す。
a1＝i1ｔ・exp｛ｊ（l1＋ｇ＋l2＋Δl2＋Δl3）｝
……(1) a2＝i2 0i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋Δl2＋
Δl3｝〕 ……(2) a3＝i2 0i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋2Δl1 ＋Δl2＋Δl3＋2Δl4｝〕 ……(3) a4＝i2 0i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ ＋３（Δl2＋Δl3）＋2Δl1＋2Δl4｝〕 ……(4) 計算の簡単のため、レーザビームの可干渉距離
を２（l1＋l2）以下とすると、点Ａに於ける光の強
度IAは次式のように表される。
……(1) a2＝i2 0i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋Δl2＋
Δl3｝〕 ……(2) a3＝i2 0i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋2Δl1 ＋Δl2＋Δl3＋2Δl4｝〕 ……(3) a4＝i2 0i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ ＋３（Δl2＋Δl3）＋2Δl1＋2Δl4｝〕 ……(4) 計算の簡単のため、レーザビームの可干渉距離
を２（l1＋l2）以下とすると、点Ａに於ける光の強
度IAは次式のように表される。
IA＝｜a1｜2＋｜a2＋a3＋a4｜2
＝i2 1t2〔１＋i4 0t4r2f2｛３＋2cos2（Δl1＋Δl4）＋2
cos2
（Δl1 ＋Δl4＋Δl2＋Δl3）＋2cos2（Δl2＋Δl3）｝〕…
…(5) 又、両側ビームLb，Lcの両方がレーザビーム
出射端面１Ａに入射する場合に於いて、＋１次ビ
ームL+1が光学式記録媒体６の記録面上の点Ａに
入射し、−１次ビームL-1が０次ビームL0に対し
対称な点Ｂに入射する場合は、点Ａの光の強度IA
は(5)式の通りであるが、点Ｂの光の強度IBは次式
のように表される。
cos2
（Δl1 ＋Δl4＋Δl2＋Δl3）＋2cos2（Δl2＋Δl3）｝〕…
…(5) 又、両側ビームLb，Lcの両方がレーザビーム
出射端面１Ａに入射する場合に於いて、＋１次ビ
ームL+1が光学式記録媒体６の記録面上の点Ａに
入射し、−１次ビームL-1が０次ビームL0に対し
対称な点Ｂに入射する場合は、点Ａの光の強度IA
は(5)式の通りであるが、点Ｂの光の強度IBは次式
のように表される。
IB＝i2 1t2〔１＋i4 0t4r2 2｛３＋2cos2（Δl1−Δl4）
＋2cos2（Δl1−Δl4＋Δl2−Δl3）＋2cos2（Δl2−
Δl3）｝〕 ……(6) 発明の目的 本発明は上述した光学式トラツキング誤差検出
装置に於いて、光学ヘツドの０次ビームの光学式
記録媒体に対するタンジエンシヤルスキユー角の
変化によつては変化する虞のないトラツキングエ
ラー信号を得ることのできるものを提案しようと
するものである。
Δl3）｝〕 ……(6) 発明の目的 本発明は上述した光学式トラツキング誤差検出
装置に於いて、光学ヘツドの０次ビームの光学式
記録媒体に対するタンジエンシヤルスキユー角の
変化によつては変化する虞のないトラツキングエ
ラー信号を得ることのできるものを提案しようと
するものである。
発明の概要
本発明は、半導体レーザ素子と、この半導体レ
ーザ素子よりのレーザビーム（波長をλとする）
が入射せしめられる回折格子と、この回折格子よ
り出射した０次ビーム及び±１次ビームが通過せ
しめられるビームスプリツタと、このビームスプ
リツタより出射した０次ビーム及び±１次ビーム
が集束せしめられて光学式記録媒体に入射せしめ
られる対物レンズと、光学式記録媒体により反射
せしめられた０次ビーム及び±１次ビームが対物
レンズを通過し、更にビームスプリツタの反射面
で反射した後、入射せしめられる光検出器とを有
し、光検出器より±１次ビームに対応した一対の
光検出出力を得、この一対の光検出出力の差に基
づいて０次ビームの光学式記録媒体上のトラツキ
ング状態に応じたトラツキング誤差信号を得るよ
うにした光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装
置に於いて、光学式記録媒体より反射し、対物レ
ンズ、ビームスプリツタ及び回折格子を通過して
半導体レーザ素子に向かう中心ビーム及びその両
側の両側ビームに関し、中心ビームに対する該両
側ビームの少なくとも一方の光路差（λ／４）・
（2n＋１）＜但しｎ＝０，１，２，３，……＞に
選定して成ることを特徴とするものである。
ーザ素子よりのレーザビーム（波長をλとする）
が入射せしめられる回折格子と、この回折格子よ
り出射した０次ビーム及び±１次ビームが通過せ
しめられるビームスプリツタと、このビームスプ
リツタより出射した０次ビーム及び±１次ビーム
が集束せしめられて光学式記録媒体に入射せしめ
られる対物レンズと、光学式記録媒体により反射
せしめられた０次ビーム及び±１次ビームが対物
レンズを通過し、更にビームスプリツタの反射面
で反射した後、入射せしめられる光検出器とを有
し、光検出器より±１次ビームに対応した一対の
光検出出力を得、この一対の光検出出力の差に基
づいて０次ビームの光学式記録媒体上のトラツキ
ング状態に応じたトラツキング誤差信号を得るよ
うにした光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装
置に於いて、光学式記録媒体より反射し、対物レ
ンズ、ビームスプリツタ及び回折格子を通過して
半導体レーザ素子に向かう中心ビーム及びその両
側の両側ビームに関し、中心ビームに対する該両
側ビームの少なくとも一方の光路差（λ／４）・
（2n＋１）＜但しｎ＝０，１，２，３，……＞に
選定して成ることを特徴とするものである。
かかる本発明によれば、この種光学式トラツキ
ング誤差検出装置に於いて、光学式ヘツドの０次
ビームの光学式記録媒体に対するタンジエンシヤ
ルスキユー角の変化によつて変化する虞のないト
ラツキングエラー信号を得ることのできるものを
得ることができる。
ング誤差検出装置に於いて、光学式ヘツドの０次
ビームの光学式記録媒体に対するタンジエンシヤ
ルスキユー角の変化によつて変化する虞のないト
ラツキングエラー信号を得ることのできるものを
得ることができる。
実施例
以下に、第５図を再度参照して本発明の一実施
例を説明する。第３図に示す如く半導体レーザ素
子１に向かう中心ビームLa及び両側ビームLb，
Lcを結ぶ直線が半導体レーザ素子１の活性層１
ｄに対し略直交している場合は、中心ビームLa
に対する両側ビームLb，Lcの一方Lbの光路差を
（λ／４）・（2n＋１）＜但し、ｎ＝０，１，２，
３，……＞に選べば、即ち(5)式に於いて、 Δl1＋Δl4＝（π／２）・（2n＋１） ……(7) に選べば、(5)式は、 IA＝i2 1t2（１＋i4 0t4r4f2）＝const. ……(8) となり、中心ビームLaと両側ビームLb，Lcの一
方Lbとの間の干渉はなくなり、タンジエンシヤ
ルスキユー角の変換によつては、トラツキングエ
ラー信号のレベルが変化しなくなる。尚、Δl1，
Δl4のうち一方を固定すれば、他方は（λ／４）・
（2n＋１）となる。尚、ビームLcはヒートシンク
８に入射して乱反射されるので、中心ビームLa
と干渉を生じる虞はない。
例を説明する。第３図に示す如く半導体レーザ素
子１に向かう中心ビームLa及び両側ビームLb，
Lcを結ぶ直線が半導体レーザ素子１の活性層１
ｄに対し略直交している場合は、中心ビームLa
に対する両側ビームLb，Lcの一方Lbの光路差を
（λ／４）・（2n＋１）＜但し、ｎ＝０，１，２，
３，……＞に選べば、即ち(5)式に於いて、 Δl1＋Δl4＝（π／２）・（2n＋１） ……(7) に選べば、(5)式は、 IA＝i2 1t2（１＋i4 0t4r4f2）＝const. ……(8) となり、中心ビームLaと両側ビームLb，Lcの一
方Lbとの間の干渉はなくなり、タンジエンシヤ
ルスキユー角の変換によつては、トラツキングエ
ラー信号のレベルが変化しなくなる。尚、Δl1，
Δl4のうち一方を固定すれば、他方は（λ／４）・
（2n＋１）となる。尚、ビームLcはヒートシンク
８に入射して乱反射されるので、中心ビームLa
と干渉を生じる虞はない。
又、第３図に示す如く、両側ビームLb，Lcが
共にレーザビーム出射端面１Ａに入射する可能性
がある場合は、上述の条件に加えて、中心ビーム
Laに対する両側ビームLb，Lcの他方Lcの光路差
をも（λ／４）・（2n＋１）に選べば、即ち(6)式
に於いて、 Δl1−Δl4＝（π／２）・（2m＋１）＜但し、ｍ＝
０，１，２，３，……） ……(9) に選べば、(6)式は、 IB＝i2 1t2（１＋i4 0t4r2f2）＝const.……(10) となり、中心ビームLaと両側ビームLb，Lcの他
方Lcとの間の干渉もなくなり、タンジエンシヤ
ルスキユー角の変化によつては、トラツキングエ
ラー信号のレベルが変化しなくなる。従つて、こ
の場合は(7)式及び(9)式を共に満足するようにΔl1，
Δl4を選定する。
共にレーザビーム出射端面１Ａに入射する可能性
がある場合は、上述の条件に加えて、中心ビーム
Laに対する両側ビームLb，Lcの他方Lcの光路差
をも（λ／４）・（2n＋１）に選べば、即ち(6)式
に於いて、 Δl1−Δl4＝（π／２）・（2m＋１）＜但し、ｍ＝
０，１，２，３，……） ……(9) に選べば、(6)式は、 IB＝i2 1t2（１＋i4 0t4r2f2）＝const.……(10) となり、中心ビームLaと両側ビームLb，Lcの他
方Lcとの間の干渉もなくなり、タンジエンシヤ
ルスキユー角の変化によつては、トラツキングエ
ラー信号のレベルが変化しなくなる。従つて、こ
の場合は(7)式及び(9)式を共に満足するようにΔl1，
Δl4を選定する。
その他の構成は第１図及び第２図と同様であ
る。
る。
かくして、かかる光学式ヘツドのトラツキング
誤差検出装置によれば、光学式記録媒体で反射し
たビームが対物レンズ５、ビームスプリツタ４及
び回折格子３を通じて半導体レーザ素子１のレー
ザビーム出射端面１Ａで反射しても、中心ビーム
Laと両側ビームLb，Lcとが干渉する虞がないの
で、光学式ヘツドOHの０次ビームの光学式記録
媒体に対するタンジエンシヤルスキユー角の変化
によつて変化する虞のないトラツキングエラー信
号を得ることができる。
誤差検出装置によれば、光学式記録媒体で反射し
たビームが対物レンズ５、ビームスプリツタ４及
び回折格子３を通じて半導体レーザ素子１のレー
ザビーム出射端面１Ａで反射しても、中心ビーム
Laと両側ビームLb，Lcとが干渉する虞がないの
で、光学式ヘツドOHの０次ビームの光学式記録
媒体に対するタンジエンシヤルスキユー角の変化
によつて変化する虞のないトラツキングエラー信
号を得ることができる。
尚、ビームの配置が上述の中間状態にあるとき
も上述と同様である。
も上述と同様である。
発明の効果
上述せる本発明によれば、この種光学式ヘツド
のトラツキング誤差検出装置に於いて、光学式ヘ
ツドの０次ビームの光学式記録媒体に対するタン
ジエンシヤルスキユー角の変化によつては変化す
る虞のないトラツキングエラー信号を得ることの
できるものを得ることができる。
のトラツキング誤差検出装置に於いて、光学式ヘ
ツドの０次ビームの光学式記録媒体に対するタン
ジエンシヤルスキユー角の変化によつては変化す
る虞のないトラツキングエラー信号を得ることの
できるものを得ることができる。
第１図は従来の光学式ヘツドのトラツキング誤
差検出装置を示す略線的配置図、第２図及び第３
図は従来の光学式ヘツドのトラツキング誤差検出
装置に於ける半導体レーザ素子の一例を示す正面
図、第４図は波形図、第５図は干渉の説明に供す
る線図である。 OHは光学ヘツド、１は半導体レーザ素子、１
Ａはそのレーザビーム出力端面、１ｄはその活性
層、２はコリメータレンズ、３は回折格子、４は
ビームスプリツタ、５は対物レンズ、６は光学式
記録媒体である。
差検出装置を示す略線的配置図、第２図及び第３
図は従来の光学式ヘツドのトラツキング誤差検出
装置に於ける半導体レーザ素子の一例を示す正面
図、第４図は波形図、第５図は干渉の説明に供す
る線図である。 OHは光学ヘツド、１は半導体レーザ素子、１
Ａはそのレーザビーム出力端面、１ｄはその活性
層、２はコリメータレンズ、３は回折格子、４は
ビームスプリツタ、５は対物レンズ、６は光学式
記録媒体である。
Claims (1)
- １ 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子よ
りのレーザビーム（波長をλとする）が入射せし
められる回折格子と、該回折格子より出射した０
次ビーム及び±１次ビームが通過せしめられるビ
ームスプリツタと、該ビームスプリツタより出射
した０次ビーム及び±１次ビームが集束せしめら
れて光学式記録媒体に入射せしめられる対物レン
ズと、上記光学式記録媒体により反射せしめられ
た０次ビーム及び±１次ビームが上記対物レンズ
を通過し、更に上記ビームスプリツタの反射面で
反射した後、入射せしめられる光検出器とを有
し、該光検出器より上記±１次ビームに対応した
一対の光検出出力を得、該一対の光検出出力の差
に基づいて上記０次ビームの上記光学式記録媒体
上のトラツキング状態に応じたトラツキング誤差
信号を得るようにした光学式ヘツドのトラツキン
グ誤差検出装置に於いて、上記光学式記録媒体よ
り反射し、上記対物レンズ、上記ビームスプリツ
タ及び上記回折格子を通過して上記半導体レーザ
素子に向かう中心ビーム及びその両側の両側ビー
ムに関し、該中心ビームに対する該両側ビームの
少なくとも一方の光路差を（λ／４）・（2n＋１）
＜但しｎ＝０，１，２，３，……＞に選定して成
ることを特徴とする光学式ヘツドのトラツキング
誤差検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14576784A JPS6124032A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14576784A JPS6124032A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124032A JPS6124032A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH058501B2 true JPH058501B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=15392687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14576784A Granted JPS6124032A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6124032A (ja) |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP14576784A patent/JPS6124032A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6124032A (ja) | 1986-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |