JP2565183B2 - 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 - Google Patents
光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光学式記録装置、再生装置及び記録再生装置
に適用して好適な光学式ヘッドのトラッキング誤差検出
装置に関する。
に適用して好適な光学式ヘッドのトラッキング誤差検出
装置に関する。
背景技術とその問題点 先ず第３図を参照して、従来の光学式ヘッドのトラッ
キング誤差検出装置について説明する。OHは光学式ヘッ
ドを全体として示す。（１）は半導体レーザ素子（レー
ザダイオード）で、これのレーザビーム出射端面（1A）
側より出射した、断面が楕円の発散レーザビームＬはコ
リメータレンズ（不用の場合もある）（２）に入射せし
められて平行ビームとなされた後、回折格子（グレーテ
ィング）（３）に入射せしめられる。回折格子（３）よ
り出射した０次ビームL0及び±１次ビームL+1,L
-1（尚、＋２次上、−２以下のビームは無視する）は非
偏光ビームスプリッタ（ハーフミラー）（偏向ビームス
プリッタの場合は、回折格子（３）との間に1/4波長枚
を設ける）（４）を通過した後、対物レンズ（５）に入
射せしめられて集束せしめられ、その集束された０次ビ
ームL0及び±１次ビームL+1,L-1は光学式記録媒体（光
磁気記録媒体も含む）（６）の記録面に所定間隔（例え
ば10μｍ）を置いて入射せしめられる。
キング誤差検出装置について説明する。OHは光学式ヘッ
ドを全体として示す。（１）は半導体レーザ素子（レー
ザダイオード）で、これのレーザビーム出射端面（1A）
側より出射した、断面が楕円の発散レーザビームＬはコ
リメータレンズ（不用の場合もある）（２）に入射せし
められて平行ビームとなされた後、回折格子（グレーテ
ィング）（３）に入射せしめられる。回折格子（３）よ
り出射した０次ビームL0及び±１次ビームL+1,L
-1（尚、＋２次上、−２以下のビームは無視する）は非
偏光ビームスプリッタ（ハーフミラー）（偏向ビームス
プリッタの場合は、回折格子（３）との間に1/4波長枚
を設ける）（４）を通過した後、対物レンズ（５）に入
射せしめられて集束せしめられ、その集束された０次ビ
ームL0及び±１次ビームL+1,L-1は光学式記録媒体（光
磁気記録媒体も含む）（６）の記録面に所定間隔（例え
ば10μｍ）を置いて入射せしめられる。
光学式記録媒体（６）で反射した０次ビームL0及び±
１次ビームL+1,L-1は対物レンズ（５）を通過した後、
ビームスプリッタ（４）に入射せしめられ、その一部は
その反射面（4a）で反射して光検出器（７）に入射せし
められる。この光検出器（７）は、０次ビームL0及び±
１次ビームL+1,L-1が各別に入射せしめられる３個の光
検出部にて構成される。そして、±１次ビームが夫々入
射せしめられる一対の光検出部からの一対の光検出出力
の差を採ることにより、０次ビームL0の光学式記録媒体
（６）の記録面上でのトラッキング状態に応じたトラッ
キング誤差信号が得られる。又、０次ビームの入射せし
められた光検出部からは、再生信号、フォーカスエラー
信号等が得られる。
１次ビームL+1,L-1は対物レンズ（５）を通過した後、
ビームスプリッタ（４）に入射せしめられ、その一部は
その反射面（4a）で反射して光検出器（７）に入射せし
められる。この光検出器（７）は、０次ビームL0及び±
１次ビームL+1,L-1が各別に入射せしめられる３個の光
検出部にて構成される。そして、±１次ビームが夫々入
射せしめられる一対の光検出部からの一対の光検出出力
の差を採ることにより、０次ビームL0の光学式記録媒体
（６）の記録面上でのトラッキング状態に応じたトラッ
キング誤差信号が得られる。又、０次ビームの入射せし
められた光検出部からは、再生信号、フォーカスエラー
信号等が得られる。
次に、半導体レーザ素子（１）の一例について第４図
を参照して説明する。この半導体レーザ素子（１）は通
常一方の電極を兼ねた銅等より成るヒートシンク（８）
上に固着されている。半導体レーザ素子（１）の構造を
図に於いてその上層から下層に向かって説明すると、
（1a）は電極層、（1b）はｎ−GaAs層（基体層）、（1
c）はｎ−Ga1−yAlyAs層（クラッド層）、（1d）はGa1
−xAlxAs層（活性層）、（1e）はｐ−Ga1−yAlyAs層
（クラッド層）、（1f）はｐ−GaAs層である。そして、
活性層（1d）から上述のレーザビームＬが出射する。こ
の半導体レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（劈
開面）（1A）を正面とすると、その幅が100〜300μｍ、
高さ（厚さ）が80〜100μｍ、奥行が200〜300μｍであ
る。活性層（1d）のヒートシンク（８）の上面からの高
さは数μｍである。
を参照して説明する。この半導体レーザ素子（１）は通
常一方の電極を兼ねた銅等より成るヒートシンク（８）
上に固着されている。半導体レーザ素子（１）の構造を
図に於いてその上層から下層に向かって説明すると、
（1a）は電極層、（1b）はｎ−GaAs層（基体層）、（1
c）はｎ−Ga1−yAlyAs層（クラッド層）、（1d）はGa1
−xAlxAs層（活性層）、（1e）はｐ−Ga1−yAlyAs層
（クラッド層）、（1f）はｐ−GaAs層である。そして、
活性層（1d）から上述のレーザビームＬが出射する。こ
の半導体レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（劈
開面）（1A）を正面とすると、その幅が100〜300μｍ、
高さ（厚さ）が80〜100μｍ、奥行が200〜300μｍであ
る。活性層（1d）のヒートシンク（８）の上面からの高
さは数μｍである。
ところで、０次ビームL0の光学式記録媒体（６）の記
録面に対するタンジェンシャルスキュー角が変化する
と、トラッキングエラー信号もそれに応じて周期的に変
化し、正確なトラッキングエラーを検出することができ
なかった。
録面に対するタンジェンシャルスキュー角が変化する
と、トラッキングエラー信号もそれに応じて周期的に変
化し、正確なトラッキングエラーを検出することができ
なかった。
本発明者等はその原因を究明したところ、次のような
ことが分かった。光学式記録媒体（６）で反射した０次
ビームL0及び±１次ビームL+1,L-1は対物レンズ（５）
を通過した後、ビームスプリッタ（４）の反射面（4a）
で反射するのみならず、ビームスプリッタ（４）を通過
し、回折格子（３）に入射して、夫々に対応して格別の
０次ビーム及び±１次ビームが発生し、コリメータレン
ズ（２）を通過して半導体レーザ素子（１）に向かう。
この半導体レーザ素子（１）に向かうビームのビーム量
は、非偏光ビームスプリッタを用いた場合には多く、偏
光ビームスプリッタを用いた場合は少ない。この場合、
半導体レーザ素子（１）のレーザビーム発光端面（1A）
と、回折格子（３）との相対回動角位置に応じて、半導
体レーザ素子（１）に向かう中心ビームLa及びその両側
に位置する両側ビームLb,Lcの配置は夫々中心ビームLa
がレーザビーム出射端面（1A）上の活性層（1d）に位置
し、両側ビームLb,Lcが中心ビームLaの位置を通り、活
性層（1d）と直交する直線上に於いて上下に位置する場
合と、中心ビームLa及び両側ビームLb,Lcが共に活性層
（1d）上に位置する場合と、中心ビームLa及び両側ビー
ムLb,Lcを結ぶ直線が上記２つの場合の中間の任意の角
度位置に来る場合とがある。そして、これら中心ビーム
La及び両側ビームLb,Lcは、０次ビームL0と、±１次ビ
ームL+1,L-1が回折格子（３）によって再回折され、且
つ混在して重畳されたものである。
ことが分かった。光学式記録媒体（６）で反射した０次
ビームL0及び±１次ビームL+1,L-1は対物レンズ（５）
を通過した後、ビームスプリッタ（４）の反射面（4a）
で反射するのみならず、ビームスプリッタ（４）を通過
し、回折格子（３）に入射して、夫々に対応して格別の
０次ビーム及び±１次ビームが発生し、コリメータレン
ズ（２）を通過して半導体レーザ素子（１）に向かう。
この半導体レーザ素子（１）に向かうビームのビーム量
は、非偏光ビームスプリッタを用いた場合には多く、偏
光ビームスプリッタを用いた場合は少ない。この場合、
半導体レーザ素子（１）のレーザビーム発光端面（1A）
と、回折格子（３）との相対回動角位置に応じて、半導
体レーザ素子（１）に向かう中心ビームLa及びその両側
に位置する両側ビームLb,Lcの配置は夫々中心ビームLa
がレーザビーム出射端面（1A）上の活性層（1d）に位置
し、両側ビームLb,Lcが中心ビームLaの位置を通り、活
性層（1d）と直交する直線上に於いて上下に位置する場
合と、中心ビームLa及び両側ビームLb,Lcが共に活性層
（1d）上に位置する場合と、中心ビームLa及び両側ビー
ムLb,Lcを結ぶ直線が上記２つの場合の中間の任意の角
度位置に来る場合とがある。そして、これら中心ビーム
La及び両側ビームLb,Lcは、０次ビームL0と、±１次ビ
ームL+1,L-1が回折格子（３）によって再回折され、且
つ混在して重畳されたものである。
ところで、両側ビームLb,Lcの少なくとも一方がヒー
トシンク（８）の面に入射した場合は、その面が粗面で
あるので、そのビームはそこで乱反射されるので問題は
ないが、両側ビームLb,Lcの少なくとも一方が半導体レ
ーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（1A）に入射す
る場合は、この端面（1A）は反射率が良好（例えば10
％）なので、この端面（1A）で反射し、上述の光路を通
過して光検出器（７）に入射するので、＋１次又は−１
ビームと干渉を起こす。このため、０次ビームL0の光学
式記録媒体（６）の記録面に対するタンジェンシャルス
キュー角に応じて、光検出器（７）に入射する＋１次又
は−１次ビームの強度が変化し、トラッキングエラー信
号がそのスキュー角に応じて周期的に変化する。第６図
は、両側ビームLb,Lcの一方Lbが半導体レーザ素子
（１）のレーザビーム発光端面（1A）に入射し、他方Lc
がヒートシンク（８）に入射した場合の、０次ビームL0
の光学式記録媒体（６）の記録面に対するタンジェンシ
ャルスキュー角α゜に対するトラッキングエラー信号Se
のレベル変化の理想的な波形を示し、スキュー角α゜の
変化に応じてトラッキングエラー信号Seのレーザビーム
Ｌの波長λに対し、λ/2毎の周期でレベルが周期的に変
化する。尚、実際には、｜α｜が増大するにつれて、ト
ラッキングエラー信号Seのレベルは減衰する。尚、両側
ビームLb,Lc共レーザビーム出射端面（1A）に入射する
場合は、第６図に対応する波形の振幅が第６図のそれの
２倍となり、位相は第６図と異なる。
トシンク（８）の面に入射した場合は、その面が粗面で
あるので、そのビームはそこで乱反射されるので問題は
ないが、両側ビームLb,Lcの少なくとも一方が半導体レ
ーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（1A）に入射す
る場合は、この端面（1A）は反射率が良好（例えば10
％）なので、この端面（1A）で反射し、上述の光路を通
過して光検出器（７）に入射するので、＋１次又は−１
ビームと干渉を起こす。このため、０次ビームL0の光学
式記録媒体（６）の記録面に対するタンジェンシャルス
キュー角に応じて、光検出器（７）に入射する＋１次又
は−１次ビームの強度が変化し、トラッキングエラー信
号がそのスキュー角に応じて周期的に変化する。第６図
は、両側ビームLb,Lcの一方Lbが半導体レーザ素子
（１）のレーザビーム発光端面（1A）に入射し、他方Lc
がヒートシンク（８）に入射した場合の、０次ビームL0
の光学式記録媒体（６）の記録面に対するタンジェンシ
ャルスキュー角α゜に対するトラッキングエラー信号Se
のレベル変化の理想的な波形を示し、スキュー角α゜の
変化に応じてトラッキングエラー信号Seのレーザビーム
Ｌの波長λに対し、λ/2毎の周期でレベルが周期的に変
化する。尚、実際には、｜α｜が増大するにつれて、ト
ラッキングエラー信号Seのレベルは減衰する。尚、両側
ビームLb,Lc共レーザビーム出射端面（1A）に入射する
場合は、第６図に対応する波形の振幅が第６図のそれの
２倍となり、位相は第６図と異なる。
次に、両側ビームLb,Lcのうちの一方Lbが半導体レー
ザ素子（１）のレーザビーム出射端面（1A）に入射し、
他方Lcがヒートシンク（８）に入射する場合の干渉につ
いて、第７図（レンズ系の図示を省略してある）を参照
して説明する。第７図に於いて、実線にて示される（1
A）はレーザビーム出射端面であるが、破線にて示され
る正規の位置の出射端面（1A）に対して傾いている一般
的な場合を示し、又、実線にて示される（６）は光学式
記録媒体であるが、破線にて示される正規の位置の光学
式記録媒体（６）に対し傾いている場合を示す。０次ビ
ームL0は正規の位置のレーザビーム出射端面（1A）及び
正規の位置の光学式記録媒体（６）の記録面に対し鉛直
である。θは＋１次ビームL+1の０次ビームL0に対する
角度である。l1はレーザビーム出射端面（1A）及び回折
格子（３）間の位相長、l2は回折格子（３）及び光学式
記録媒体（６）の記録面間の位相長である。Δl1,Δl2
は夫々位相長l1,l2に対する０次ビームL0及び＋１次ビ
ームL+1間の位相差である。Δl3,Δl4は夫々光学式記録
媒体（６）のスキュー位相、レーザビーム出射端面（1
A）のスキュー位相である。
ザ素子（１）のレーザビーム出射端面（1A）に入射し、
他方Lcがヒートシンク（８）に入射する場合の干渉につ
いて、第７図（レンズ系の図示を省略してある）を参照
して説明する。第７図に於いて、実線にて示される（1
A）はレーザビーム出射端面であるが、破線にて示され
る正規の位置の出射端面（1A）に対して傾いている一般
的な場合を示し、又、実線にて示される（６）は光学式
記録媒体であるが、破線にて示される正規の位置の光学
式記録媒体（６）に対し傾いている場合を示す。０次ビ
ームL0は正規の位置のレーザビーム出射端面（1A）及び
正規の位置の光学式記録媒体（６）の記録面に対し鉛直
である。θは＋１次ビームL+1の０次ビームL0に対する
角度である。l1はレーザビーム出射端面（1A）及び回折
格子（３）間の位相長、l2は回折格子（３）及び光学式
記録媒体（６）の記録面間の位相長である。Δl1,Δl2
は夫々位相長l1,l2に対する０次ビームL0及び＋１次ビ
ームL+1間の位相差である。Δl3,Δl4は夫々光学式記録
媒体（６）のスキュー位相、レーザビーム出射端面（1
A）のスキュー位相である。
又、ｇを回折格子（３）に於ける０次ビームL0及び＋
１次ビームL+1間の位相差とする。i0,i1を夫々回折格子
（３）に於ける０次ビーム，＋１次ビームの透過率、ｔ
をハーフミラー（４）の透過率、r,fを夫々光学式記録
媒体（６）の記録面上、レーザビーム出射端面（1A）上
の反射率とする。
１次ビームL+1間の位相差とする。i0,i1を夫々回折格子
（３）に於ける０次ビーム，＋１次ビームの透過率、ｔ
をハーフミラー（４）の透過率、r,fを夫々光学式記録
媒体（６）の記録面上、レーザビーム出射端面（1A）上
の反射率とする。
しかして＋１次ビームL+1が入射する光学式記録媒体
（６）の記録面上の点Ａに於ける光の複素振幅を次の４
つの場合に分けて考える。
（６）の記録面上の点Ａに於ける光の複素振幅を次の４
つの場合に分けて考える。
（１）a1:1次ビームL+1が直接点Ａに入射した場合。
（２）a2:0次ビームL0が光学式記録媒体（６）で反射
し、再度回折格子（３）に入射することによって得られ
た０次ビームがレーザビーム出射端面（1A）で反射し、
再度回折格子（３）に入射することによって得られた＋
１次ビームが点Ａに入射した場合である。
し、再度回折格子（３）に入射することによって得られ
た０次ビームがレーザビーム出射端面（1A）で反射し、
再度回折格子（３）に入射することによって得られた＋
１次ビームが点Ａに入射した場合である。
（３）a3:0次ビームL0が光学式記録媒体（６）で反射
し、再度回折格子（３）に入射することによって得られ
た＋１次ビームがレーザビーム出射端面（1A）で反射
し、再度回折格子（３）に入射することによって得られ
た０次ビームが点Ａに入射した場合である。
し、再度回折格子（３）に入射することによって得られ
た＋１次ビームがレーザビーム出射端面（1A）で反射
し、再度回折格子（３）に入射することによって得られ
た０次ビームが点Ａに入射した場合である。
（４）a4:＋１次ビームL+1が光学式記録媒体（６）で反
射し、再度回折格子（３）に入射することによって得ら
れた０次ビームがレーザビーム出射端面（1A）で反射
し、再度回折格子（３）に入射することによって得られ
た０次ビームが点Ａに入射した場合である。
射し、再度回折格子（３）に入射することによって得ら
れた０次ビームがレーザビーム出射端面（1A）で反射
し、再度回折格子（３）に入射することによって得られ
た０次ビームが点Ａに入射した場合である。
次にa1〜a4を式にて示す。
a1＝i1t・exp｛ｊ（l1＋ｇ＋l2＋Δl2＋Δl3）｝・・・
（１） a2＝▲ｉ2 0▼i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋Δl
2 ＋Δl3｝〕 ・・・（２） a3＝▲ｉ2 0▼i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋２
Δl1 ＋Δl2＋Δl3＋２Δl4｝〕 ・・・（３） a4＝▲ｉ2 0▼i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ ＋３（Δl2＋Δl3）＋２Δl1＋２Δl4｝〕・・・（４） 計算の簡単のため、レーザビームの可干渉距離を２（l1
＋l2）以下とすると、点Ａに於ける光の強度IAは次式の
ように表される。
（１） a2＝▲ｉ2 0▼i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋Δl
2 ＋Δl3｝〕 ・・・（２） a3＝▲ｉ2 0▼i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋２
Δl1 ＋Δl2＋Δl3＋２Δl4｝〕 ・・・（３） a4＝▲ｉ2 0▼i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ ＋３（Δl2＋Δl3）＋２Δl1＋２Δl4｝〕・・・（４） 計算の簡単のため、レーザビームの可干渉距離を２（l1
＋l2）以下とすると、点Ａに於ける光の強度IAは次式の
ように表される。
IA＝|a1|2＋|a2＋a3＋a4|2 ＝▲ｉ2 1▼t2〔１＋▲ｉ4 0▼t4r2f2｛３＋2cos2（Δl1
＋Δl4） ＋2cos2（Δl1＋Δl4＋Δl2＋Δl3） ＋2cos2（Δl2＋Δl3）｝〕 ・・・（５） 又、両側ビームLb,Lcの両方がレーザビーム出射端面（1
A）に入射する場合に於いて、＋１次ビームL+1が光学式
記録媒体（６）の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビー
ムL-1が０次ビームL0に対し対称な点Ｂに入射する場合
は、点Ａの光の強度IAは（５）式の通りであるが、点Ｂ
の光の強度IBは次式のように表される。
＋Δl4） ＋2cos2（Δl1＋Δl4＋Δl2＋Δl3） ＋2cos2（Δl2＋Δl3）｝〕 ・・・（５） 又、両側ビームLb,Lcの両方がレーザビーム出射端面（1
A）に入射する場合に於いて、＋１次ビームL+1が光学式
記録媒体（６）の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビー
ムL-1が０次ビームL0に対し対称な点Ｂに入射する場合
は、点Ａの光の強度IAは（５）式の通りであるが、点Ｂ
の光の強度IBは次式のように表される。
IB＝▲ｉ2 1▼t2〔１＋▼ｉ4 0▼t4r2f2｛３＋2cos2（Δl
1 −Δl4）＋2cos2（Δl1−Δl4 ＋Δl2−Δl3）＋2cos2（Δl2 −Δl3）｝〕 ・・・（６） 発明の目的 本発明は上述した光学式トラッキング誤差検出装置に
於いて、光学式ヘッドの０次ビームの光学式記録媒体に
対するタンジェンシャルスキュー角の変化によっては変
化する虞のないトラッキングエラー信号を得ることので
きるものを提案しようとするものである。
1 −Δl4）＋2cos2（Δl1−Δl4 ＋Δl2−Δl3）＋2cos2（Δl2 −Δl3）｝〕 ・・・（６） 発明の目的 本発明は上述した光学式トラッキング誤差検出装置に
於いて、光学式ヘッドの０次ビームの光学式記録媒体に
対するタンジェンシャルスキュー角の変化によっては変
化する虞のないトラッキングエラー信号を得ることので
きるものを提案しようとするものである。
発明の概要 本発明は、半導体レーザ素子と、その半導体レーザ素
子よりのレーザビームが入射せしめられる回折格子と、
その回折格子より出射した０次ビーム及び±１次ビーム
が通過せしめられるビームスプリッタとそのビームスプ
リッタより出射した０次ビーム及び±１次ビームが集束
せしめられて光記録媒体に入射せしめられる対物レンズ
と、光記録媒体により反射せてめられた０次ビーム及び
±１次ビームが対物レンズを通過し、更にビームスプリ
ッタの反射面で反射した後、入射せしめられる光検出器
とを有し、光検出器より±１次ビームに対応した一対の
光検出出力を得、その一対の光検出出力の差に基づいて
０次ビームの光記録媒体上のトラッキング状態に応じた
トラッキング誤差信号を得るようにした光学式ヘッドの
トラッキング誤差検出装置において、光記録媒体より反
射し、対物レンズ、ビームスプリッタ及び回折格子を通
過して半導体レーザ素子に向かう中心ビーム及びその両
側の両側ビームのうちその両側ビームが半導体レーザ素
子の活性層に対して直交するようになし、且つ半導体レ
ーザ素子は両側ビームのうちの一方のビームを半導体レ
ーザ素子が固定される電極の側面に入射させ、他方のビ
ームを、半導体レーザ素子のレーザビーム出射端面に入
射させないようにこのビームに対応する上記半導体レー
ザ素子の厚さを薄くする。
子よりのレーザビームが入射せしめられる回折格子と、
その回折格子より出射した０次ビーム及び±１次ビーム
が通過せしめられるビームスプリッタとそのビームスプ
リッタより出射した０次ビーム及び±１次ビームが集束
せしめられて光記録媒体に入射せしめられる対物レンズ
と、光記録媒体により反射せてめられた０次ビーム及び
±１次ビームが対物レンズを通過し、更にビームスプリ
ッタの反射面で反射した後、入射せしめられる光検出器
とを有し、光検出器より±１次ビームに対応した一対の
光検出出力を得、その一対の光検出出力の差に基づいて
０次ビームの光記録媒体上のトラッキング状態に応じた
トラッキング誤差信号を得るようにした光学式ヘッドの
トラッキング誤差検出装置において、光記録媒体より反
射し、対物レンズ、ビームスプリッタ及び回折格子を通
過して半導体レーザ素子に向かう中心ビーム及びその両
側の両側ビームのうちその両側ビームが半導体レーザ素
子の活性層に対して直交するようになし、且つ半導体レ
ーザ素子は両側ビームのうちの一方のビームを半導体レ
ーザ素子が固定される電極の側面に入射させ、他方のビ
ームを、半導体レーザ素子のレーザビーム出射端面に入
射させないようにこのビームに対応する上記半導体レー
ザ素子の厚さを薄くする。
かかる本発明によれば、この種光学式トラッキング誤
差検出装置に於いて、特別な光学部品を用いずに、半導
体レーザ素子に光記録媒体からの戻り光が戻らないよう
にしたので、簡単な構成によって光学式ヘッドの０次ビ
ームの光学式記録媒体に対するタンジェンシャルスキュ
ー角の変化によって変化する虞のないトラッキングエラ
ー信号を得ることのできるものを得ることができる。
差検出装置に於いて、特別な光学部品を用いずに、半導
体レーザ素子に光記録媒体からの戻り光が戻らないよう
にしたので、簡単な構成によって光学式ヘッドの０次ビ
ームの光学式記録媒体に対するタンジェンシャルスキュ
ー角の変化によって変化する虞のないトラッキングエラ
ー信号を得ることのできるものを得ることができる。
実施例 以下に第１図を参照して、本発明の一実施例を説明す
るも、第１図に於いて、第３図〜第７図と対応する部分
には同一符号を付して重複説明を省略する。第１図は半
導体レーザ素子（１）に向かう中心ビームLa及び両側ビ
ームLb,Lcを結ぶ直線が半導体レーザ素子（１）の活性
層（1d）に対し略々直交している場合である。しかし
て、この実施例では半導体レーザ素子（１）の厚さ（高
さ）を例えば80μｍ程度に薄く（低く）して、両側ビー
ムLb,Lcのうち図に於いて上側のビームLbがレーザビー
ム出射端面（1A）に入射しないようにしている。換言す
れば、両側ビームLb、Lcのうちの一方のビームと中心ビ
ームLaの間隔よりも半導体レーザ素子（１）の活性層
（1d）を薄くするものである。尚、図に於いて下側のビ
ームLcはヒートシンク（８）に入射し、そこで乱反射さ
れる。尚、その他の構成は第３図〜第７図と同様であ
る。
るも、第１図に於いて、第３図〜第７図と対応する部分
には同一符号を付して重複説明を省略する。第１図は半
導体レーザ素子（１）に向かう中心ビームLa及び両側ビ
ームLb,Lcを結ぶ直線が半導体レーザ素子（１）の活性
層（1d）に対し略々直交している場合である。しかし
て、この実施例では半導体レーザ素子（１）の厚さ（高
さ）を例えば80μｍ程度に薄く（低く）して、両側ビー
ムLb,Lcのうち図に於いて上側のビームLbがレーザビー
ム出射端面（1A）に入射しないようにしている。換言す
れば、両側ビームLb、Lcのうちの一方のビームと中心ビ
ームLaの間隔よりも半導体レーザ素子（１）の活性層
（1d）を薄くするものである。尚、図に於いて下側のビ
ームLcはヒートシンク（８）に入射し、そこで乱反射さ
れる。尚、その他の構成は第３図〜第７図と同様であ
る。
かくして、かかる光学式ヘッドのトラッキング誤差検
出装置によれば、光学式記録媒体で反射したビームが対
物レンズ（５）、ビームスプリッタ（４）及び回折格子
（３）を通じて半導体レーザ素子（１）に向かっても、
そのレーザビーム出射端面（1A）で反射する虞がないの
で、光学式ヘッドOHの０次ビームの光学式記録媒体に対
するタンジェンシャルスキュー角の変化によって変化す
る虞のないトラッキングエラー信号を得ることができ
る。
出装置によれば、光学式記録媒体で反射したビームが対
物レンズ（５）、ビームスプリッタ（４）及び回折格子
（３）を通じて半導体レーザ素子（１）に向かっても、
そのレーザビーム出射端面（1A）で反射する虞がないの
で、光学式ヘッドOHの０次ビームの光学式記録媒体に対
するタンジェンシャルスキュー角の変化によって変化す
る虞のないトラッキングエラー信号を得ることができ
る。
尚、半導体レーザ素子（１）の厚さを薄くすると、強
度上問題がある場合は、第２図に示すように、半導体レ
ーザ素子（１）の上面の中央部に溝（９）を形成して、
上側のビームLbがレーザビーム出射端面（1A）に入射し
ないようにすることもできる。
度上問題がある場合は、第２図に示すように、半導体レ
ーザ素子（１）の上面の中央部に溝（９）を形成して、
上側のビームLbがレーザビーム出射端面（1A）に入射し
ないようにすることもできる。
又、両側ビームLb,Lcが共にレーザビーム出射端面（1
A）上の活性層（1d）に入射する可能性がある場合は、
それを回避すべく、半導体レーザ素子（１）の幅を狭く
するか、両側に夫々溝を形成するようにすれば良い。
A）上の活性層（1d）に入射する可能性がある場合は、
それを回避すべく、半導体レーザ素子（１）の幅を狭く
するか、両側に夫々溝を形成するようにすれば良い。
尚、ビームの配置が上述の中間状態にあるときも上述
と同様である。
と同様である。
発明の効果 上述せる本発明によれば、この種光学式ヘッドのトラ
ッキング誤差検出装置に於いて、特別な光学部品を用い
ずに、半導体レーザ素子に光記録媒体からの戻り光が戻
らないようにしたので、簡単な構成によって光学式ヘッ
ドの０次ビームの光学式記録媒体に対するタンジェンシ
ャルスキュー角の変化によっては変化する虞のないトラ
ッキングエラー信号を得ることのできるものを得ること
ができる。
ッキング誤差検出装置に於いて、特別な光学部品を用い
ずに、半導体レーザ素子に光記録媒体からの戻り光が戻
らないようにしたので、簡単な構成によって光学式ヘッ
ドの０次ビームの光学式記録媒体に対するタンジェンシ
ャルスキュー角の変化によっては変化する虞のないトラ
ッキングエラー信号を得ることのできるものを得ること
ができる。
第１図及び第２図は本発明による光学式ヘッドのトラッ
キング誤差検出装置の各実施例の半導体レーザ素子を示
す正面図、第３図は従来の光学式ヘッドのトラッキング
誤差検出装置を示す略線的配置図、第４図及び第５図は
従来の光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装置に於け
る半導体レーザ素子の一例を示す正面図、第６図は波形
図、第７図は干渉の説明に供する線図である。 OHは光学ヘッド、（１）は半導体レーザ素子、（1A）は
そのレーザビーム出力端面、（1d）はその活性層、
（２）はコリメータレンズ、（３）は回折格子、（４）
はビームスプリッタ、（５）は対物レンズ、（６）は光
学式記録媒体である。
キング誤差検出装置の各実施例の半導体レーザ素子を示
す正面図、第３図は従来の光学式ヘッドのトラッキング
誤差検出装置を示す略線的配置図、第４図及び第５図は
従来の光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装置に於け
る半導体レーザ素子の一例を示す正面図、第６図は波形
図、第７図は干渉の説明に供する線図である。 OHは光学ヘッド、（１）は半導体レーザ素子、（1A）は
そのレーザビーム出力端面、（1d）はその活性層、
（２）はコリメータレンズ、（３）は回折格子、（４）
はビームスプリッタ、（５）は対物レンズ、（６）は光
学式記録媒体である。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザ素子と、 該半導体レーザ素子よりのレーザビームが入射せしめら
れる回折格子と、 該回折格子より出射した０次ビーム及び±１次ビームが
通過せしめられるビームスプリッタと、 該ビームスプリッタより出射した０次ビーム及び±１次
ビームが集束せしめられて光記録媒体に入射せしめられ
る対物レンズと、 上記光記録媒体により反射せしめられた０次ビーム及び
±１次ビームが上記対物レンズを通過し、更に上記ビー
ムスプリッタの反射面で反射した後、入射せしめられる
光検出器とを有し、 該光検出器より上記±１次ビームに対応した一対の光検
出出力を得、該一対の光検出出力の差に基づいて上記０
次ビームの上記光記録媒体上のトラッキング状態に応じ
たトラッキング誤差信号を得るようにした光学式ヘッド
のトラッキング誤差検出装置において、 上記光記録媒体より反射し、上記対物レンズ、上記ビー
ムスプリッタ及び上記回折格子を通過して上記半導体レ
ーザ素子に向かう中心ビーム及びその両側の両側ビーム
のうち該両側ビームが上記半導体レーザ素子の活性層に
対して直交するようになし、且つ上記半導体レーザ素子
は上記両側ビームのうちの一方のビームを上記半導体レ
ーザ素子が固定される電極の側面に入射させ、他方のビ
ームを、上記半導体レーザ素子のレーザビーム出射端面
に入射させないよにこのビームに対応する上記半導体レ
ーザ素子の厚さを薄く構成したことを特徴とする光学式
ヘッドのトラッキング誤差検出装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59144927A JP2565183B2 (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
| US06/753,570 US4742506A (en) | 1984-07-12 | 1985-07-10 | Tracking error detecting apparatus for an optical head with skew error reduction by using an inclined header portion |
| CA000486654A CA1239474A (en) | 1984-07-12 | 1985-07-11 | Tracking error detecting apparatus for an optical head |
| KR1019850004924A KR930002162B1 (ko) | 1984-07-12 | 1985-07-11 | 광학식 헤드의 트랙킹 오차 검출장치 |
| DE8585305007T DE3575036D1 (de) | 1984-07-12 | 1985-07-12 | Vorrichtung zur ermittlung eines spurfolgefehlers. |
| EP85305007A EP0171929B1 (en) | 1984-07-12 | 1985-07-12 | Tracking error detecting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59144927A JP2565183B2 (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124030A JPS6124030A (ja) | 1986-02-01 |
| JP2565183B2 true JP2565183B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=15373444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59144927A Expired - Lifetime JP2565183B2 (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565183B2 (ja) |
| KR (1) | KR930002162B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2558250B2 (ja) * | 1985-08-30 | 1996-11-27 | シャープ株式会社 | 光ピツクアツプ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58188342A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ光雑音低減方法 |
| JPS5947778A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Hitachi Ltd | 半導体受光素子とそれを用いたレ−ザ発振装置 |
-
1984
- 1984-07-12 JP JP59144927A patent/JP2565183B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-07-11 KR KR1019850004924A patent/KR930002162B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR860001418A (ko) | 1986-02-26 |
| JPS6124030A (ja) | 1986-02-01 |
| KR930002162B1 (ko) | 1993-03-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |