JP2558250B2 - 光ピツクアツプ - Google Patents
光ピツクアツプInfo
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- laser
- semiconductor laser
- optical pickup
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光ピックアップに関し、もっと詳しくは、
半導体レーザからのレーザ光をグレーティングによって
複数のレーザ光に分割し、この分割された光によってデ
ィスクに記録された情報を読取るとともに、トラッキン
グの位置検出を行なう光ピックアップに関する。
半導体レーザからのレーザ光をグレーティングによって
複数のレーザ光に分割し、この分割された光によってデ
ィスクに記録された情報を読取るとともに、トラッキン
グの位置検出を行なう光ピックアップに関する。
背景技術 典型的な先行技術は、第８図に示されている。半導体
レーザ１からのレーザ光２は、グレーティング３によっ
て３本のビームに分割される。この分割されたビーム
は、無偏光ビームスプリッタ（NPBS）４からコリメータ
レンズ５に導かれ、平行ビームとされた後、対物レンズ
６によってディスク７の情報記録面８に集光される。デ
ィスク７が回転することによって３本のビームは、その
情報記録面８上を走査される。情報記録面８からの反射
ビームは、対物レンズ６およびコリメータレンズ５を通
って無偏光ビームスプリッタ４に導かれ、ホトダイオー
ド9,10,11に個別的に受光される。ホトダイオード９
は、４分割されており、ディスク７の情報記録面８に記
録された信号を読取る機能を果たし、ホトダイオード1
0,11は、トラッキング位置を検出する機能を果たす。ホ
トダイオード10,11からの出力に応じて、前記対物レン
ズ６の位置修正が行なわれる。
レーザ１からのレーザ光２は、グレーティング３によっ
て３本のビームに分割される。この分割されたビーム
は、無偏光ビームスプリッタ（NPBS）４からコリメータ
レンズ５に導かれ、平行ビームとされた後、対物レンズ
６によってディスク７の情報記録面８に集光される。デ
ィスク７が回転することによって３本のビームは、その
情報記録面８上を走査される。情報記録面８からの反射
ビームは、対物レンズ６およびコリメータレンズ５を通
って無偏光ビームスプリッタ４に導かれ、ホトダイオー
ド9,10,11に個別的に受光される。ホトダイオード９
は、４分割されており、ディスク７の情報記録面８に記
録された信号を読取る機能を果たし、ホトダイオード1
0,11は、トラッキング位置を検出する機能を果たす。ホ
トダイオード10,11からの出力に応じて、前記対物レン
ズ６の位置修正が行なわれる。
このように無偏光ビームスプリッタ４を用いた３ビー
ム法の光ピックアップ12では、グレーティング３によっ
て分割されない光が、参照符13,14で示される光経路を
通り、トラッキング信号の戻り光となって半導体レーザ
１の参照符A,B,Cで示す位置に戻ってくる。もし仮りに
ディスク７などが傾いたりして、半導体レーザ１のへき
開面1aとディスク７の情報面記録８との距離R1,R2がそ
れぞれ異なってくると、トラッキング信号を検出するホ
トダイオード10,11に干渉じまとなって現われることと
なる。このため正常なトラッキング動作を行なっている
場合であっても、ホトダイオード10,11には、誤動作を
しているかのような誤差信号が現われ、トラッキングが
正常に動作しないという問題が生じる。
ム法の光ピックアップ12では、グレーティング３によっ
て分割されない光が、参照符13,14で示される光経路を
通り、トラッキング信号の戻り光となって半導体レーザ
１の参照符A,B,Cで示す位置に戻ってくる。もし仮りに
ディスク７などが傾いたりして、半導体レーザ１のへき
開面1aとディスク７の情報面記録８との距離R1,R2がそ
れぞれ異なってくると、トラッキング信号を検出するホ
トダイオード10,11に干渉じまとなって現われることと
なる。このため正常なトラッキング動作を行なっている
場合であっても、ホトダイオード10,11には、誤動作を
しているかのような誤差信号が現われ、トラッキングが
正常に動作しないという問題が生じる。
発明が解決しようとする問題点 本発明は、上述の技術的課題を解決し、グレーティン
グからの戻り光が半導体レーザのへき開面に照射しない
ようにした光ピックアップを提供することである。
グからの戻り光が半導体レーザのへき開面に照射しない
ようにした光ピックアップを提供することである。
問題点を解決するための手段 本発明は、半導体レーザ20からのレーザ光をグレーテ
ィング3aによって複数のレーザ光に分割し、この分割さ
れた光によってディスク7aに記録された情報を読取ると
ともに、トラッキングの位置検出を行なう光ピックアッ
プにおいて、 前記半導体レーザ20は、ヒートシンク26上に形成さ
れ、 レーザ発振面25と、一方の電極24が固定されるヒート
シンク26との間の第１の距離D1は、10〜70μｍに選び、
かつレーザ発振面25と、他方の電極22との間の第２の距
離D2は、40〜70μｍに選び、これによってへき開面20a
へのトラッキング信号の戻り光を抑制し、 第１および第２の距離D1,D2の和D3は、80μｍ以上に
選び、これによって前記半導体レーザ20の割れを防止す
ることを特徴とする光ピックアップである。
ィング3aによって複数のレーザ光に分割し、この分割さ
れた光によってディスク7aに記録された情報を読取ると
ともに、トラッキングの位置検出を行なう光ピックアッ
プにおいて、 前記半導体レーザ20は、ヒートシンク26上に形成さ
れ、 レーザ発振面25と、一方の電極24が固定されるヒート
シンク26との間の第１の距離D1は、10〜70μｍに選び、
かつレーザ発振面25と、他方の電極22との間の第２の距
離D2は、40〜70μｍに選び、これによってへき開面20a
へのトラッキング信号の戻り光を抑制し、 第１および第２の距離D1,D2の和D3は、80μｍ以上に
選び、これによって前記半導体レーザ20の割れを防止す
ることを特徴とする光ピックアップである。
作 用 本発明に従えば、前記第１の距離D1を10〜70μｍと
し、第２の距離D2を40〜70μｍとすることによって、半
導体レーザ20のへき開面20aへのトラッキング信号の戻
り光を抑制し、したがって光の干渉を無くしてトラッキ
ングの誤動作を起こさないようにすることができるとと
もに、 また、第１および第２の距離D1,D2の和D3（＝D1＋D
2）を80μｍ以上とすることによって、半導体レーザの
割れを生じないようにして歩留りを向上することができ
る。
し、第２の距離D2を40〜70μｍとすることによって、半
導体レーザ20のへき開面20aへのトラッキング信号の戻
り光を抑制し、したがって光の干渉を無くしてトラッキ
ングの誤動作を起こさないようにすることができるとと
もに、 また、第１および第２の距離D1,D2の和D3（＝D1＋D
2）を80μｍ以上とすることによって、半導体レーザの
割れを生じないようにして歩留りを向上することができ
る。
実施例 第１図は半導体レーザ20の断面図であり、第２図は本
発明の一実施例の断面図である。光ピックアップ19の光
学的構成は、背景技術の第３図で示した光ピックアップ
12の構成と同様であり、対応する部分には同一の参照符
に添字ａを付しておく。本発明に従う半導体レーザ20
は、従来と同様、Ｐ形半導体層21と、Ｐ形半導体層21の
上表面に形成される上部電極22と、Ｎ形半導体層23と、
Ｎ形半導体層23の下表面に形成される下部電極24とによ
って構成される。一般に半導体レーザ20は、その熱抵抗
を低下させるために、PN接合位置であるレーザ発振面25
はできる限りヒートシンク26に近づける必要があり、レ
ーザ発振面25から下部電極24までの距離D1は、たとば３
〜10μｍに選ばれる。また通常、半導体レーザ20全体の
層厚D3は、たとえば100〜120μｍであり、このためレー
ザ発振面25と上部電極22との距離D2は、90〜110μｍと
なる。
発明の一実施例の断面図である。光ピックアップ19の光
学的構成は、背景技術の第３図で示した光ピックアップ
12の構成と同様であり、対応する部分には同一の参照符
に添字ａを付しておく。本発明に従う半導体レーザ20
は、従来と同様、Ｐ形半導体層21と、Ｐ形半導体層21の
上表面に形成される上部電極22と、Ｎ形半導体層23と、
Ｎ形半導体層23の下表面に形成される下部電極24とによ
って構成される。一般に半導体レーザ20は、その熱抵抗
を低下させるために、PN接合位置であるレーザ発振面25
はできる限りヒートシンク26に近づける必要があり、レ
ーザ発振面25から下部電極24までの距離D1は、たとば３
〜10μｍに選ばれる。また通常、半導体レーザ20全体の
層厚D3は、たとえば100〜120μｍであり、このためレー
ザ発振面25と上部電極22との距離D2は、90〜110μｍと
なる。
そこで半導体レーザ20のへき開面20aとグレーティン
グ3aとの距離がR3であり、グレーティング3aからの戻り
光の照射角度がθであるときレーザ発振面25から参照符
Ｂ′またはＣ′で示される位置までの距離R4は、第１式
で示されるとおりである。
グ3aとの距離がR3であり、グレーティング3aからの戻り
光の照射角度がθであるときレーザ発振面25から参照符
Ｂ′またはＣ′で示される位置までの距離R4は、第１式
で示されるとおりである。
R4＝R3・tanθ …（１） 一般に距離R3の値は、600〜800μｍ前後であり、距離
R4の値は70〜80μｍ程度となる。このためレーザ発振面
25から上部電極22までの距離D2またはレーザ発振面25か
ら下部電極24までの距離D1が、上記距離R4を超える場
合、グレーティング3aからのトラッキング信号の戻り光
が半導体レーザ20のへき開面20aに照射されることとな
る。このへき開面20aには、（1/2）・λのSiN膜がコー
ティングされているため、極めて光反射率が高い鏡面構
造となっている。このため光の干渉が極めて生じやすい
条件となっている。したがってディスク7aの位置が傾い
たりしたときには、ホトダイオード10a,11aに干渉じま
となって現われ、トラッキングエラーとなって検出され
るおそれがある。
R4の値は70〜80μｍ程度となる。このためレーザ発振面
25から上部電極22までの距離D2またはレーザ発振面25か
ら下部電極24までの距離D1が、上記距離R4を超える場
合、グレーティング3aからのトラッキング信号の戻り光
が半導体レーザ20のへき開面20aに照射されることとな
る。このへき開面20aには、（1/2）・λのSiN膜がコー
ティングされているため、極めて光反射率が高い鏡面構
造となっている。このため光の干渉が極めて生じやすい
条件となっている。したがってディスク7aの位置が傾い
たりしたときには、ホトダイオード10a,11aに干渉じま
となって現われ、トラッキングエラーとなって検出され
るおそれがある。
そこで本発明では、半導体レーザ20のＰ形半導体層21
およびＮ形半導体層23の各厚みD1,D2を第１式の距離R4
よりも小さく設定するものである。これによってグレー
ティング3aからのトラッキング信号の戻り光が、半導体
レーザ20のへき開面20aに照射されず、光の干渉じまに
よるホトダイオード10a,11aの誤差検出を防止すること
ができる。
およびＮ形半導体層23の各厚みD1,D2を第１式の距離R4
よりも小さく設定するものである。これによってグレー
ティング3aからのトラッキング信号の戻り光が、半導体
レーザ20のへき開面20aに照射されず、光の干渉じまに
よるホトダイオード10a,11aの誤差検出を防止すること
ができる。
レーザ発振面25と、一方の電極24が固定されるヒート
シンク26との間の第１の距離をD1とし、レーザ発振面25
と他方の電極22との間の第２の距離をD2とするとき、本
件発明者の実験によれば、レーザ発振面25と両電極22,2
4との各距離D1,D2をそれぞれ70μｍ以下としたとき、グ
レーティング3aからの半導体レーザ20のへき開面20aの
トラッキング信号の戻り光はなくなり、したがって光の
干渉もなくなってトラッキングの誤動作を起こさないこ
とが確認された。一方、レーザ発振面25と両電極22,24
との各距離D1,D2をあまり薄くしすぎると、半導体レー
ザ20の割れが多くなり、歩留りの低下をきたす。そこで
半導体レーザ20の割れが生じないようにするため、半導
体レーザ20の全体の層厚D3は、最低80μｍ以上必要であ
った。そこでレーザ発振面25と両電極22,24との各距離D
1,D2をそれぞれ40〜70μｍとするとともに、半導体レー
ザ20の全体の層厚D3を80μｍ以上とした場合、半導体レ
ーザ20の割れの発生がなくなり、しかもトラッキング信
号の戻り光による光の干渉じまを生じることがなくな
り、これによって３ビーム法による光ピックアップ19の
トラッキングサーボが極めて安定化することが確認され
るに至った。
シンク26との間の第１の距離をD1とし、レーザ発振面25
と他方の電極22との間の第２の距離をD2とするとき、本
件発明者の実験によれば、レーザ発振面25と両電極22,2
4との各距離D1,D2をそれぞれ70μｍ以下としたとき、グ
レーティング3aからの半導体レーザ20のへき開面20aの
トラッキング信号の戻り光はなくなり、したがって光の
干渉もなくなってトラッキングの誤動作を起こさないこ
とが確認された。一方、レーザ発振面25と両電極22,24
との各距離D1,D2をあまり薄くしすぎると、半導体レー
ザ20の割れが多くなり、歩留りの低下をきたす。そこで
半導体レーザ20の割れが生じないようにするため、半導
体レーザ20の全体の層厚D3は、最低80μｍ以上必要であ
った。そこでレーザ発振面25と両電極22,24との各距離D
1,D2をそれぞれ40〜70μｍとするとともに、半導体レー
ザ20の全体の層厚D3を80μｍ以上とした場合、半導体レ
ーザ20の割れの発生がなくなり、しかもトラッキング信
号の戻り光による光の干渉じまを生じることがなくな
り、これによって３ビーム法による光ピックアップ19の
トラッキングサーボが極めて安定化することが確認され
るに至った。
また熱抵抗の低下を図るために、レーザ発振面25と下
部電極24との距離D1を10〜40μｍとし、レーザ発振面25
と上部電極22との距離D2を40〜70μｍとするようにすれ
ば、ヒートシンク16aへの熱放散を可及的に高めること
ができる。
部電極24との距離D1を10〜40μｍとし、レーザ発振面25
と上部電極22との距離D2を40〜70μｍとするようにすれ
ば、ヒートシンク16aへの熱放散を可及的に高めること
ができる。
本件発明者の実験結果を述べる。第１表は、第３図〜
第５図に示される実験結果を示す。
第５図に示される実験結果を示す。
第３図は、半導体レーザ20の距離D2に対するラジアル
誤差信号（以下、RESと略称する。）のオフセット変動
量（単位％）を示す。参照符27で示す本発明の第１実施
例では、D1＝D2＝50μｍであり、このとき第１比較例と
して参照符28で示す実験では、D1＝５μｍ、D2＝95μｍ
である。この第３図の実験結果から、本発明によれば、
RESオフセット変動量のばらつきが、比較例に比べて極
めて小さいことが判る。RESオフセット変動量Ａは、次
の第１式で示される。
誤差信号（以下、RESと略称する。）のオフセット変動
量（単位％）を示す。参照符27で示す本発明の第１実施
例では、D1＝D2＝50μｍであり、このとき第１比較例と
して参照符28で示す実験では、D1＝５μｍ、D2＝95μｍ
である。この第３図の実験結果から、本発明によれば、
RESオフセット変動量のばらつきが、比較例に比べて極
めて小さいことが判る。RESオフセット変動量Ａは、次
の第１式で示される。
ここで、Ｅは、ホトダイオード10a（または11a）に受光
されるサブビームの信号レベルを表し、Ｆは、ホトダイ
オード11a（または10a）で受光されるサブビームの信号
レベルを表す。ホトダイオード10a,11aの中央に配置さ
れるホトダイオード9aは、メインビームを受光する。ラ
ジアル誤差信号のオフセット変動量が大きくなると、音
飛びなどが生じ、このラジアル誤差信号のオフセット変
動量を小さくする必要があり、本発明はこのことを達成
する。
されるサブビームの信号レベルを表し、Ｆは、ホトダイ
オード11a（または10a）で受光されるサブビームの信号
レベルを表す。ホトダイオード10a,11aの中央に配置さ
れるホトダイオード9aは、メインビームを受光する。ラ
ジアル誤差信号のオフセット変動量が大きくなると、音
飛びなどが生じ、このラジアル誤差信号のオフセット変
動量を小さくする必要があり、本発明はこのことを達成
する。
第４図は、ディスク7aを、光軸に対して傾斜させたと
きのラジアル誤差信号のバランス状態を示すグラフであ
る。ディスク7aを光軸に対して傾斜させると、光路長が
変化し、干渉状態が変化し、ラジアル誤差信号のオフセ
ット変動量が第４図の第２実施例のように変化する。こ
のRESオフセット変動量は、９％であって、小さい値で
ある。これに対して第５図に示される第２比較例では、
RESオフセット変動量は18％であって大きな値である。
きのラジアル誤差信号のバランス状態を示すグラフであ
る。ディスク7aを光軸に対して傾斜させると、光路長が
変化し、干渉状態が変化し、ラジアル誤差信号のオフセ
ット変動量が第４図の第２実施例のように変化する。こ
のRESオフセット変動量は、９％であって、小さい値で
ある。これに対して第５図に示される第２比較例では、
RESオフセット変動量は18％であって大きな値である。
第６図は、本件発明者の実験によるレーザダイオード
20の距離D2に対するラジアル誤差信号RESのオフセット
変動量を表すグラフである。距離D2が70μｍ以下では、
RESオフセット変動量は９％程度であって極めて小さい
けれども、距離D2が70μｍを越えると、RESオフセット
変動量は18％程度に急激に大きくなることが判る。本発
明では、距離D2では、70μｍ以下に選び、これによって
グレーティングから半導体レーザ20のへき開面へのトラ
ッキング信号の戻り光を抑制する。
20の距離D2に対するラジアル誤差信号RESのオフセット
変動量を表すグラフである。距離D2が70μｍ以下では、
RESオフセット変動量は９％程度であって極めて小さい
けれども、距離D2が70μｍを越えると、RESオフセット
変動量は18％程度に急激に大きくなることが判る。本発
明では、距離D2では、70μｍ以下に選び、これによって
グレーティングから半導体レーザ20のへき開面へのトラ
ッキング信号の戻り光を抑制する。
半導体レーザ20では、温度が高いと、信頼性が低下す
るので、電流による発熱を効果的にヒートシンク26に放
熱させる必要がある。そこでたとえば特開昭61−24030
では、距離D1を数μｍに選んで薄く構成し、放熱効果を
図っている。距離D1をこのように薄く構成すると、Ｎ形
半導体層23の結晶成長が不充分となり、不純物が混入
し、また格子欠陥が増大し、このような不純物の混入お
よび格子欠陥は、半導体レーザ20の熱による破壊が生じ
やすいという問題が生じる。
るので、電流による発熱を効果的にヒートシンク26に放
熱させる必要がある。そこでたとえば特開昭61−24030
では、距離D1を数μｍに選んで薄く構成し、放熱効果を
図っている。距離D1をこのように薄く構成すると、Ｎ形
半導体層23の結晶成長が不充分となり、不純物が混入
し、また格子欠陥が増大し、このような不純物の混入お
よび格子欠陥は、半導体レーザ20の熱による破壊が生じ
やすいという問題が生じる。
また光ピックアップに用いられる半導体レーザ20で
は、レーザ発振面25に関して上下の各半導体層21,23の
厚みをほぼ等しくすることによって、各半導体層21,23
のへき開面20aを、第１図の上下の各距離R4以内の範囲
に確実に存在させて、戻り光による悪影響を防ぐことが
望まれるけれども、上述ように放熱効果を図るために
は、特開昭61−24030では距離D1を数μｍとして薄くせ
ざるを得ない。
は、レーザ発振面25に関して上下の各半導体層21,23の
厚みをほぼ等しくすることによって、各半導体層21,23
のへき開面20aを、第１図の上下の各距離R4以内の範囲
に確実に存在させて、戻り光による悪影響を防ぐことが
望まれるけれども、上述ように放熱効果を図るために
は、特開昭61−24030では距離D1を数μｍとして薄くせ
ざるを得ない。
本発明ではこの問題を解決するために、ヒートシンク
26の構成を、鉄材の表面に銅メッキを施すことによって
熱放散を良好にし、またＮ形半導体層23の結晶成長の製
法を向上して、レーザ発振面25における不純物の混入を
防ぎ、また格子欠陥を少なくし、こうしてレーザ発振面
25に対する熱破壊を起こりにくくすることによって、距
離D1を10μｍ以上として厚くすることが初めて可能にな
る。こうして放熱を向上して熱破壊を起こりにくくする
ことによって、Ｎ形半導体層23を、10μｍ以上として厚
くし、その分、もう１つの距離D2を、前記距離R4以内と
して、各距離D1,D2をほぼ等しい値に近づけることが可
能になり、こうして戻り光による悪影響を確実に防ぐこ
とが可能になる。
26の構成を、鉄材の表面に銅メッキを施すことによって
熱放散を良好にし、またＮ形半導体層23の結晶成長の製
法を向上して、レーザ発振面25における不純物の混入を
防ぎ、また格子欠陥を少なくし、こうしてレーザ発振面
25に対する熱破壊を起こりにくくすることによって、距
離D1を10μｍ以上として厚くすることが初めて可能にな
る。こうして放熱を向上して熱破壊を起こりにくくする
ことによって、Ｎ形半導体層23を、10μｍ以上として厚
くし、その分、もう１つの距離D2を、前記距離R4以内と
して、各距離D1,D2をほぼ等しい値に近づけることが可
能になり、こうして戻り光による悪影響を確実に防ぐこ
とが可能になる。
また本発明では距離D3は、80μｍ以上として、製造時
の半導体レーザ20の割れを少なくして歩留りの向上を図
るようにしており、このとき距離D1を10μｍ以上とする
ことによって、その分、距離D2を小さな値とし、戻り光
の反射を防ぐことができる。
の半導体レーザ20の割れを少なくして歩留りの向上を図
るようにしており、このとき距離D1を10μｍ以上とする
ことによって、その分、距離D2を小さな値とし、戻り光
の反射を防ぐことができる。
距離D2は、40μｍ以上に選び、これによってＰ形半導
体層21上の電極22にワイヤボンドを施すときにおける圧
縮応力でレーザ発振面25の格子欠陥が発生することを防
ぐことができるようになる。
体層21上の電極22にワイヤボンドを施すときにおける圧
縮応力でレーザ発振面25の格子欠陥が発生することを防
ぐことができるようになる。
本件発明者の実験によれば、半導体レーザ20の距離D3
に対する距離D1は、第７図に示される範囲29であり、こ
れは第２表にもまた示す。
に対する距離D1は、第７図に示される範囲29であり、こ
れは第２表にもまた示す。
このような第７図に示される範囲29に選ぶことによっ
て、レーザビームの戻り光が、半導体レーザ20のへき開
面20aによって反射されることを防ぐことができる。
て、レーザビームの戻り光が、半導体レーザ20のへき開
面20aによって反射されることを防ぐことができる。
効 果 以上のように本発明によれば、半導体レーザ20のレー
ザ発振面20aと一方の電極24が固定されるヒートシンク2
6との間の第１の距離D1を10〜70μｍに選び、レーザ発
振面25と他方の電極22との間の第２の距離D2を、40〜70
μｍに選ぶことによって、グレーティングから半導体レ
ーザのへき開面へのトラッキング信号の戻り光を抑制す
ることができ、したがって光の干渉を無くしてトラッキ
ングの誤動作を起こさせないようにすることができる。
ザ発振面20aと一方の電極24が固定されるヒートシンク2
6との間の第１の距離D1を10〜70μｍに選び、レーザ発
振面25と他方の電極22との間の第２の距離D2を、40〜70
μｍに選ぶことによって、グレーティングから半導体レ
ーザのへき開面へのトラッキング信号の戻り光を抑制す
ることができ、したがって光の干渉を無くしてトラッキ
ングの誤動作を起こさせないようにすることができる。
特に本発明では、ヒートシンクにたとえば鉄材の表面
に銅メッキを施して放熱の向上を図り、あるいはまた結
晶成長の製法を向上してレーザ発振面における不純物の
悪影響を防ぎ、また格子欠陥を少なくし、レーザ発振面
の熱破壊を起こりにくくすることなどによって、距離D1
を10μｍ以上に厚くすることを可能とし、したがってそ
の分、距離D2を小さくし、へき開面に戻り光が照射され
ることを確実に防ぐことが可能である。
に銅メッキを施して放熱の向上を図り、あるいはまた結
晶成長の製法を向上してレーザ発振面における不純物の
悪影響を防ぎ、また格子欠陥を少なくし、レーザ発振面
の熱破壊を起こりにくくすることなどによって、距離D1
を10μｍ以上に厚くすることを可能とし、したがってそ
の分、距離D2を小さくし、へき開面に戻り光が照射され
ることを確実に防ぐことが可能である。
また本発明では、距離D2を40μｍ以上として、ワイヤ
ボンド時の圧縮応力によるレーザ発振面の格子欠陥の発
生を防ぐ。
ボンド時の圧縮応力によるレーザ発振面の格子欠陥の発
生を防ぐ。
また、第１および第２の距離D1,D2の和D3（＝D1＋D
2）を80μｍ以上とすることによって、製造時の半導体
レーザの割れを少なくして歩留りの向上を図ることがで
きるようになる。
2）を80μｍ以上とすることによって、製造時の半導体
レーザの割れを少なくして歩留りの向上を図ることがで
きるようになる。
第１図は半導体レーザ20の断面図、第２図は本発明の一
実施例の系統図、第３図は本件発明者の実験結果を示す
距離D2とラジアル誤差信号RESのオフセット変動量との
関係を示すグラフ、第４図は本件発明者の実験の結果を
示すディスク7aの傾きに対するラジアル誤差信号のバラ
ンスを示すグラフ、第５図は本件発明者の比較例として
の実験結果を示すディスク7aの傾きに対するラジアル誤
差信号のバランスを示すグラフ、第６図は本件発明者の
実験結果を示す距離D2に対するラジアル誤差信号RESの
オフセット変動量を示すグラフ、第７図は半導体レーザ
20のチップ厚である距離D3と距離D1との関係を示す図、
第８図は先行技術を説明するための図である。 1,20……半導体レーザ、3,3a……グレーティング、4,4a
……無偏光ビームスプリッタ、7,7a……ディスク、9,9
a,10,10a,11,11a……ホトダイオード、12,19……光ピッ
クアップ、25……レーザ発振面
実施例の系統図、第３図は本件発明者の実験結果を示す
距離D2とラジアル誤差信号RESのオフセット変動量との
関係を示すグラフ、第４図は本件発明者の実験の結果を
示すディスク7aの傾きに対するラジアル誤差信号のバラ
ンスを示すグラフ、第５図は本件発明者の比較例として
の実験結果を示すディスク7aの傾きに対するラジアル誤
差信号のバランスを示すグラフ、第６図は本件発明者の
実験結果を示す距離D2に対するラジアル誤差信号RESの
オフセット変動量を示すグラフ、第７図は半導体レーザ
20のチップ厚である距離D3と距離D1との関係を示す図、
第８図は先行技術を説明するための図である。 1,20……半導体レーザ、3,3a……グレーティング、4,4a
……無偏光ビームスプリッタ、7,7a……ディスク、9,9
a,10,10a,11,11a……ホトダイオード、12,19……光ピッ
クアップ、25……レーザ発振面
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザ20からのレーザ光をグレーテ
ィング3aによって複数のレーザ光に分割し、この分割さ
れた光によってディスク7aに記録された情報を読取ると
ともに、トラッキングの位置検出を行なう光ピックアッ
プにおいて、 前記半導体レーザ20は、ヒートシンク26上に形成され、 レーザ発振面25と、一方の電極24が固定されるヒートシ
ンク26との間の第１の距離D1は、10〜70μｍに選び、か
つレーザ発振面25と、他方の電極22との間の第２の距離
D2は、40〜70μｍに選び、これによってへき開面20aへ
のトラッキング信号の戻り光を抑制し、 第１および第２の距離D1,D2の和D3は、80μｍ以上に選
び、これによって前記半導体レーザ20の割れを防止する
ことを特徴とする光ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192318A JP2558250B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光ピツクアツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192318A JP2558250B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光ピツクアツプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252737A JPS6252737A (ja) | 1987-03-07 |
| JP2558250B2 true JP2558250B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=16289287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60192318A Expired - Lifetime JP2558250B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光ピツクアツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2558250B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6967979B2 (en) | 2000-10-06 | 2005-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device, optical pickup and fabrication method of semiconductor laser device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144665A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Crystal cleavage method |
| JP2565183B2 (ja) * | 1984-07-12 | 1996-12-18 | ソニー株式会社 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60192318A patent/JP2558250B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 第３２回応用物理学関係連合講演会講演予稿集（１９８５年春季）、Ｐ．１０７、「光ディスク・ピックアップ・トラッキング信号の戻り光によるＤＣ変動」 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6252737A (ja) | 1987-03-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |