JPS58188342A - 半導体レ−ザ光雑音低減方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体レーザを光源として用いる光デイスク再
生装置などの光学的情報処理装置において、半・薄体レ
ーザの発生する光雑音を低減する方法に関するものであ
る。

従来から、単−縦モード半導体レーザでは、素子端面か
ら放射された光が外部の反射面で反射して出射端面へ帰
還すると、一定電流でレーザ素子を駆動しても光出力が
変動し、信号再生などの場合にはこれが光雑音となって
良好な信号を検出することが国難となることが知られて
いた。

このため、光通信や光デイスク再生装置など半導体レー
ザを光学情報処理に利用する場合には、帰還光による半
導体レーザ雑音の発生を防ぐために偏光分離などの手段
によって半導体レーザ卓子へ極力光が戻らないようにし
ていた。しかし、帰還光量を完全に零にすることは実際
には不可能であり、また、光学部品の精度、組立精度な
どのばらつきによって、半導体レーザへの帰還光量が出
射光曖の０．１ｍ程度になると、光雑音が急激に増加し
てしまう。したがって半導体レーザへの滑還光曖を極力
少なくして半導体レーザの光雑音を抑制する使用法は部
品精度や組立精度が非常に厳しくなるという欠点があっ
た。

＃ｃ１図（ＩＬ）は光ディスク再生用ビックアップ光学
系の基本構成を示したものである。半導体レーザ１の発
光点８から放射されたレーザ光をカップリングレンズ２
で平行光として、偏光プリズム３および１／４波長板４
を通過させた後、絞抄こみレンズ５によυディスク上の
反射面６上で光スボ。

ト９に絞りこむ。反射面からの反射光は再び収りこみレ
ンズ５ｊ６よび１／４波長板４を通過し、偏光プリズム
３によって鷹にけりだされて光検出器７に１して一気信
号に変換される。

従来、この礪の半導体レーザを使用する場合には１／４
波長板４と・線光プリズム３０組みあわせによって原理
上はディスクからの反射光が半導体レーザへは戻らない
ように１．ている。すなわち、第１図（ｂｌに示す如く
、直線偏九している半導体レーザからの出射光は偏波面
を１／４波長板の結晶軸に対して４５°の角度をなして
入射させることにより、１／４波長板通過後のレーザ光
は円偏光になる。このレーザ光が反射面で反射し、再び
１／４波長板を通過すると、最初の偏光方向とは偏波面
が９０°回転した直線側となる。９０’偏光方向が異な
る光は偏光プリズムを透過せずに反射するために半導体
レーザへは戻らなくなる。しかし、光学部品の精度、組
立種度また光学的異方性（ｖｌ屈折）などにより、微少
ではあるが発光点８にレーザ光がＳ、ｔすることは櫛け
られない。たとえば第１図（ａ）でディスク７の反射面
６からの反射光が偏光プリズム３で光検出器７へ最大に
導が扛るように調整したとき、光検出器７と半導体レー
ザ１へ分配さ扛る比率を２００対１、半導体レーザ１と
カップリングレンズ２の結合効率を、すなわち半導体レ
ーザの前方に出射された全光量に対するカップリングレ
ンズ通過後の光量比を２０チ、反射面の反射率を９０ｑ
６と考えると、半導体レーザの前方への出射光の０．０
９〜０．１１程度の光が発光皐８へ戻ることになる。こ
の程度の光量によっても単−縦モード半導体レーザは光
雑音を発生して信号再生を妨害する。

本発明の目的は、単−縦モード半導体レーザの光雑音の
発生を低減させ、半導体レーザを光源として用いる光学
的情報処理装置において良好なＳ／Ｎを得るための方法
を提供す゛ることにある。

前述のとおり、屈折率導波型の半導体レーザにおいては
、素子への帰還光量が光雑音レベルに密接に関係してい
る。

出願人がいろいろな半導体レーザで帰還光１と光雑音の
関係を祥しく測定したところ、雑音レベルは帰還光量に
対して単調増加ではなく、ある帰踵光普においてピーク
をもつという事実を発見した。この−例を第２図に示す
。横軸は帰還光量率すなわち半導体レーザの端面めたり
の全出射光鎗に対する孝子発光点への帰還光量の割合を
示す。

縦軸はレーザ光を光検出器で観測した場合、直流出力を
１とした時の帯域幅Ｉ　Ｈｚあたりの相対雑音強度を表
わす。ｄい換えれば、相対雑音強度１０−１３とはＩ　
Ｑ　１ｃＨｚ　　帯域幅で測定した場合のＳ／Ｎ９Ｑ　
ｄＢに相等する。測定は５ＱＱｋｌ（Ｚの帯域で、屈折
率導波型の単−縦モード半導体レーザを光出力３＋ｎＶ
Ｖ一定のまｔ卓子１度を２０′０〜６０′Ｏまで変化さ
せて行ない、第２図はその時の最大雑音レベルをプロッ
トしたものである。

この結束によ扛ば、４肝のピークは帰還光量率が０．１
優付近にあり、これ以上帰還を率を増加させると雑音は
逆に減少する。このため、帰還光量率を少なくするので
はなく、ｌチ以上まで増加させピークの右目で半導体レ
ーザを１史用することにより雑音の発生を小さくするこ
とができる。

第３図ｔａｌ　ｇ　ヨヒｌｂ）に０．１１％還および２
％帰還時に、横軸に温度をとった場合の相対雑音強度の
変化のようすを示す。２１程度の光帰還により雑音強度
の変動が０．１ｍ帰還時に比べ１０　ｄＢ以上小さくな
り、雑音低減に効果のあることがわかる。

＃Ｊ２図の雑音強度のカーブは、レーザ素子やレーザ端
面と反射面との光学的距離によりやや異なるが、帰還光
量率を１チ以上とすることにより大部分の４合、雑音の
ピークを越え雑音の変動はほぼ落ちつく。

帰還光量率は大きくとってもレーザ雑音そのものに関し
ての障害は少ないが、信号光量が減少するため、邂気系
とのＳ／Ｎが問題になってくる。

したがって、帰還光量率は１チから１０係程度が適当で
あり、Ｓ／Ｎの点からは１４〜３慢程度がよく好ましく
、標準値としては２チ程度で充分である。

帰還光量率は後述するように、力、プリングレンズの結
合効１１Ａｑや光学部品の効率などから計算できるため
、これがｘｃ１６〜１０チの範囲になるよう光学系を設
定する。

以下、本発明の実現方法を図面を参照して説明する。

まず、光学系の構成は第１図（ａ）と同一のｔま、１／
４波長板へ入射するレーザ光の偏波面と１／４波長板の
結晶軸とのなす角θを第４図（ａ）に示す如く正規の４
５°からずらすことによって所定の帰還光量を得る場合
を説明する。

４１図（ａ）の系において、１７４波長板を光学系の光
軸を中心に、回転させたとき、ディスクからの反射光が
イ扁光プリズム３をレーザ１側へ透過する割合Ｔ３は、
θの関数として であり、これは４４図ｔｂｌのようになる。ここで、光
学系を次のように仮定する。カップリングレンズ２はＮ
Ａ（開口数）を０．１５として、半導体レーザ１とカッ
プリングレンズ２の結合効率ダを２０チ、ディスク６の
鏡面部での反射率Ｒ６を０．９．レンズ２．５および偏
光プリズム３および１／４波長板４の片道での表面反射
および減衰による光損失Ｌ２　、Ｌ、、Ｌ３　、Ｌ４を
各々１優、ただし光の往路でのカップリングレンズの損
失Ｌ２はダによマれるものとする。この他のこの光学系
の損失はないものとする。この系では、半導体レーザの
発光点８とディスク上のスポット９は互いに僧と結偉の
関係にあるので、ディスクからの反射光のうち力、プリ
ングレンズ２に入射した光量にし／ズ２による損失し２
　　を差しひいた光量が発光点８へ戻ると考えられる。

しだがって、レーザへの帰還光量率ＦはＦ＝ηｘ　（１
−Ｌ　２）ｘ（１−Ｌ３）２ｘ（１−Ｌ４）２ｘ（１−
Ｌ、）２×ル　ｘ　Ｔ。

〜Ｏ，１７ＸＴ３ となる。帰還光量率を１優以上とするためには、’ｒ３
＞ｓ、ｓ優とすればよい。帰還光量率を２俤とするとき
にはＴ３ｂｔ２％　　とすればよい。

このとき１／４波長板の配置角度θは、θ＝’　（ｃｏ
ｓ　’　（２Ｔ、−１）　）から±７°以上、帰還光量
比を２優とする場合には±１０°程ｔｆｊ回転させて用
いる。これは逆に言えば、光検出器７の光量を最大値に
対して、Ｔ。

だけ減少するように１／４波長板を回転させて調整すれ
ばよい。

帰還光量比を上限のｉｎｓとする場合には、Ｔ３＝５８
１０＝２００または７０’となるが信号光量もＴ３だけ
減少するので帰還光量比を大きくする場合には、電気系
など他の部分のＳ／Ｎとの兼ねあいを考慮する必要はあ
る。

第５図は、基本構成は第１図ＩＮ）と同様であるが光テ
ィスフ再生用ピックア、ブにおいて、いゎゆる３スポッ
ト方式のトラッキングを行なうために、回折格子１０　
、　Ｆ６よびトラ、キング誤差検出用の光検出器１２ａ
、１２ｂと検出レンズ１１を含んだ光学系である。この
光学系においては、レーザ■からでて平行光となったレ
ーザ光は、回折格子１０をとおると０次光、±１次光お
よび高次の回折光に分かれる。±１次光は絞りこみレン
ズ５によって主スポット９の両側にスポット１３＆＋１
３ｂを生じ、この両スポットの反射光を光検出器１２ａ
、１２ｂで受け、両者の差動信号からトラ、りずれを得
る。このような回折格子を用いた光学系において、前述
のように１／４波長板を回転させてレーザー、へ光を戻
すばあいには光が帰路に回折格子１°を横切る際にも回
折光を生じる。

このうち士１次の回折光はレンズ２を通ってレーザ端面
と同一平面上にスポット１５ａ、１５ｂを結ぶため、発
光点８には戻らず、雑音低減には寄ノ 与しない。したがって帰還光量率の計算は以下のように
なる。

レーザ光が回折格子を通過する際の入射光に対する０次
の透過光量の割合Ｔ。を０．７とし、他の光学系の効率
は前例と同一とする。Ｔｏが往復で効くので帰還光量率
Ｆは Ｆ＝ηＸ（１−Ｌ２）Ｘ（１−Ｌ、）Ｘ（１−Ｌ、）Ｘ
（１−Ｌｓ）”ｘＲｘＴ　　　ｘＴ ６　　　　　　Ｇ　　　　　　３ ＝０．０８×Ｔ。

となる。

したがって、Ｆを１優は上とするにはＴ、を１２係以上
とするために１／４波長板を正規の位置から±１０’以
上４５°り内回転させればよい。ただしこの例に５いて
はＦの最大値は８ｍまでしかとれないことになる。Ｆを
標準値である２優とするときはＴ３が２４係、θ＝３０
０または６０゜となり、１／４波長板を±１５°程度回
転させて用いればよい。

一般に半導体レーザはチップの膜厚方向とそれに垂直な
方向ではビームの広がシ角が異なり、単に半導体レーザ
の出射光の全部をレンズで絞りこむと、スポットが楕円
になってしまい、光スポ。

トを充分に小さく紋りこむことができなくなる。

窮１図（ＩＬｌｊ６よび第５図の例では、これを円形に
近づけるため、カップリングレンズ２としてＮＡの小さ
いものを用い、レーザ光の中央部だけを利用している。

一方、第６図（ａｌ　、　ｆｌｙ）では、１個または２
個のプリュスタープリズム１６＆、１６ｂを用いて、ビ
ーム形状を整形するようにしている。このため、カップ
リングレンズ２には、ＮＡが０．５程度の比較的大きい
ものを使用でき、光の利用効率を高くできる。次に、こ
の光学系における所定の帰還光量率の実現法を示す。

第６図（ａ）はブリュースタープリズム１６＆を１個用
いた場合である。カップリングレンズ２のＮＡは０．５
を用いたとし、η＝８０９６とする。また、プリズム１
６１Ｌの損失Ｌｔｓは片道で２１とし、他の光学系の効
率は第１図の場合と等しいとする。

帰還光量率Ｆは Ｆ’＝ｖｘ（１−Ｌ　）ｘ（ｔ　−Ｌ　ずｘ（ｔ　−Ｌ
　）２Ｘ（１−Ｌ　）”２　　　　　　　　　　　　Ｓ
　　　　　　　　　　　　４　　　　　　　　　　　１
１ｘ（１−Ｌ　　）”ｘＲｘＴ １６　　　　　　　６　　　　　　３ ＝０．６５ｘＴ。

となる。Ｆをｌチル１ｏチにする場合、Ｔ、＝１５〜Ｉ
５チであり、１／４波長板を±３５°〜１１．５°回転
させればよい。標準帰還光緻率２％では　Ｔ、＝３％、
θ＝４０’ｔたは５０’ｌ／４波長板を±５°４１！度
回転させる。

第６図（ｂ）のように２個のブリュースタープリズムを
用いる場合も同様に計算すると、Ｔ、＝１．６〜１６ｍ
で帰還光量４Ｆ＝１〜１ｏ幅は達成でき、この時の１／
４波長板の回転角は、ブリュースタープリズムが１個の
時とほぼ同程度で±３５°〜士１２°である。標準帰還
光量率２憾では　Ｔ３＝３２チで、１／４波長板の回転
角はやはり±５０である。

以上のようにカップリングレンズ２のＮＡが大きイ場合
には、Ｆ＝１１ｓ！ｆ、テＴ、　＝１．５１４トする。

このため、偏光プリズムの消光比がｔ、Ｓ憾程匿と比較
的部品精度の低いものを用いる場合には１／４波長板を
正規の位置、すなわちθ＝４５゜付近で用いても、自動
的に１優程度の帰還光量率は達成できる場合がある。但
し、この様な場合でも余裕をみて標準値の２係程度とす
るのが望ましい。

これらブリュースタープリズムを用いた光学系に−に第
５図に示した回折格子１０をそう人した場合には、往復
での０次光の透過率Ｔ　を考慮して、ｌ光プリズムの透
過率Ｔ３　を決定すればよいことはぎうまでもない。

以上では、帰還光量率１〜１０％を達成するために、１
／４波長板を光学系の光軸を中心に回転させて偏光プリ
ズムの透過率Ｔ３を変化させる方法を述べた。これに対
して、１／４波長板を入射光軸に対し傾けて配置するこ
とによっても同様に所定のＴ３を得ることは可能である
。また、１／４波長板ではなく、位相シフト着そのもの
が所定のＴ３を得らｎるように設定された光学素子を用
いてもよい。

以上に示した光学部品を含む系、または、光学系の配置
順序を変えた場合においても、要は発光点への帰還光量
率が１〜１０チとなるよう、偏光プリズムの透過率Ｔ３
を１７４波長板を用いて設定すれば、レーザ雑音の低減
効果を得ることが可能である。

１／４波長板と偏光プリズムを使用した場合では、比較
的少ないレーザ出力で効率よく信号光蓋が得られるとい
う利点がある。

次に、所定の帰還光量率を得るために、上述のようなレ
ーザ光の偏光を利用しない方法を示す。

第７図は、第１図（２）の光学系において１／４波長板
４と偏光プリズム３を偏光の影響をあまりうけず一定の
透過率と反射率をもったプリズム１７に置き換えたもの
である。このような性質をもった光学部品を以後半透明
プリズムとよぶことにする。この場合には次のようにし
て所定帰還光を得る。

半透明プリズムの入射光量に対する透過率を１０反射率
をＲ１□とする。なお、半透明プリズム自体の吸収など
の損失によって、必ずしもＴｉｆｆとＲ１７の和が１と
はならず、一般には ルＩＴ＋Ｔ１□くｌ である。

半導体レーザーからでた光はカップリングレンズ２で平
行光になった後、半透明プリズム１７に入射する。ここ
に、入射光に対してＴ１□だけが反射面側へ透過し、Ｐ
Ｌｌｌは光検出器７とは反対側へけりだされる。一方、
反射面６で反射した光が再び半透明プリズムへ入射する
と更に、ここで透過光と反射光に分かれ、Ｒ１７に相当
する光量が検出器７に到達し、Ｔ１７に相当する光量が
発光点８へ帰還することになる。

ここで、半透明プリズムによる損失を無視し、Ｒ＋’ｒ
　　　＝１ １７　　　　１丁 であるとし、結合効率ダを２０＊　、他の光学部品の効
率は上述の場合と同様とする。帰還光量率Ｆは Ｆ＝りｘ（１−Ｌ、）ｘ（１−Ｌ２）ｘＲ６ｘＴ１□＝
　０．１７　Ｘ　Ｔ” ７ となり、Ｆを１〜１０ｔｓとする為には半透明プリズム
の透過率ＴＩ７を２２〜２７優とすればよい。

標準的な帰還光量率でめるＦ＝２１とするためにはＴ、
＝３４１１であり、半透明プリズムは反射率”１７を６
６係、透過率Ｔ１７を３４優とすることにより達成でき
る。

第８図は、半透明プリズムを使用した場合、第５図に対
応し７て回折格子１０及び凸レンズ１１を挿入したピッ
クアップ光学系である。回折格子１　（’ｌの０次光の
透過効率Ｔ。を７０係として同様に計算すると、Ｆ＝１
１で　Ｔ１．＝３４’ｍＦ＝２％　でＴ、７＝４８’４
となるｏ　　したがって、この場合、帰還光量率を２俤
とする１合には、半透明プリズムの反射率と透過率がほ
ぼ等しい、いわゆる一般のハーフプリズムを用いればよ
い。

なお、第８図の例で光検出器２５はレーザからの出射光
が、最初に半透明プリズムで横にけりだされる光を受け
て、レーザ電流を制御するために用いるものである。

また、半透明プリズム１７の１７ｂ面を通過する光が外
部で反射し、再度１７ｂ面に入射して光検出器７へ到達
するのを防止するために、１７ｂ面をスリガラスなどを
用いて光が散乱するような処理を行なってもよい。また
同様な意味から１７ｂ面に頌きを与えて、光検出器７へ
この光が戻らない工うにしてもよい。

以上の説明では、すべて反射型の光デイスク再生装置に
適用した場合について説明したが、本発明は、これに限
らず透過型光ディスク装置にも適用可能である。第９１
凶［ＩＬ）に透過型光ディスク装置における本発明の一
例を示す。半導体レーザｌから出射された光は透過型の
光ディスク６／　上でスポット９を結び、情報ビットが
ある場合にはその透過光が光検出器７で受光さｎる。第
９図ｔａ）の場合、半導体レーザ１への帰還光は、ディ
スク６′　以外の別の反射面１８上に結んだ光スポット
１９を発光点８へ戻すことによって得る。力、プリング
レンズ２による結合効率ダを２０’！　、反射面１８の
反射率”１１１を９０１．凸レンズ１１による片道の損
失し１１を１優とする。半透明プリズム１７の反射率を
”Ｔ７とすると、帰還光量率ＦはＦ”−＋７ｘ（１−Ｌ
　　）”ｘ（１−Ｌ　　）ｘＲｘＲ２＋Ｉ　　　　　　
　　　　　　２　　　　　　ＩＩ　　　　　ｌ？＝０．
１７ＸＦＬ２ ７ Ｆを１−１０係とする為には、”１７を２４〜７７チと
する。Ｆ−２チではＦＬ１□＝３４優である。な８、こ
の場合には、ディスク６′の面上に焦点９を結ばせる他
に、又射面１８上にも正確に焦点１９を結ばせる必要が
ある。一方、第９図ｉｂ）のようにレンズ１１を用いず
、光ビームを直接、反射面１８に当てることも原理的に
は可能である。しかし、この場合、帰屑光を発光点８に
正確に帰虐させるのがやや困帷となる。

また、透過光方式のピックアップの場合には、反吋面１
８の反射率Ｒ７，を変化させて」Ｉ光量を制御すること
も可能である。

尚、今までは半透明プリズムを用いて説明を行なったが
、第１Ｏ図のように、プリズム構造ではなく、半透明ミ
ラー板を用いて全く同様であることは拷うまでもない。

ｇ！は半導体レーザの発光点８に全出射光の１−１Ｏ４
の光量を戻すように透ＩＭ率または反射率を制御すれば
よい。

半透明プリズムを用いた場合においては、１／４波長板
が不快となり、コストが低減できる。また、偏光の性質
を利用していないので、ディスクにリタデーシ曹ン（ｌ
（屈折性）がある場合でも、反射光量の変動を少なくで
きるという利点があ−る。

以上の説明では、帰還九駄を半導体レーザの前方から得
たが、帰還光を半・薄体レーザの後方光から得ることも
可能である。第１１図は第１図の光学系に、半導体レー
ザ１の後方光を利用して光帰還を行なうためにレンズ２
１および半透明鏡２２を加えたものである。レンズ２１
によって、半透明鏡２２の反射面にスポット２４をつく
り、この反射光を後方側の発光点８へ帰還させるように
している。尚、一般に半導体レーザの後方光は光出力を
制御するためのモニタ用として用いられるが、本例では
半透明鏡２２からの透過光を光検出器２３で受光させる
ことによりこの機能を持たせている。レンズ２１のＮＡ
を０．１５として、結合効率り′　を２０優とし、半透
明−２２の反射率をル２□、光の帰路におけるレンズ２
１の損失Ｌ２、を１優とすると、帰還光量率Ｆは １・にｖ’ｘＲｘ（１−Ｌ　　） ２２　　　　　　　　　　　２２！ 崎（１，２ｘ　［七２□ である。したがって、Ｆを１〜１０１とするためには、
半透明鏡２２の反射率Ｒ２□を５〜５０優にすればよい
。Ｆを標準帰遣歇である２俤とする場合６ｃはル２□を
１０％とすればよい。尚、この場合にも許透明繞２２の
反射１用上でレーザ光が正確に焦ａ２４を結ぶよう調整
する必要がある。

このように、半導体レーザの後方光を利用して光帰還を
かける場合には、偏光プリズム３．１／４波長板４など
、前方光測の光学系は従来と同じでよいため、レーザ光
の利用効率を酸も大きくできるという利点がある。なら
、第１１図の方法と上述した方法とを組みあわせて、前
方光および後方光の両方で、所定の帰還量を得るように
してもよい０ 本発明は１頂上ボベたように、半導体レーザの射出光量
の１％から１０１を、半導体レーザの発光点に戻してや
ることにＬうて、導−縦モード半導体レーザの光雑音を
大幅に低減でき、その結果ディスクより良責な信号を検
出できる。

【図面の簡単な説明】

＃ｃ１図（ａｌ　、　ｔｔ））は光ピツクアップの構成
を説明するための図、第２図は半導体レーザへの帰還光
量とレーザ雑音レベルの関係を示す図、第３図（ａ）。 ｌｂ）は帰置光による雑音低減効果を示す図、第４図（
ａ）　、　ｆｂｌは１／４波長板の設定角と帰還光量の
関係を示す図、第５図は１回折格子を用いた光ピツクア
ップの構成図、４６図１ａ）　、　（ｂｌはブリー−ス
タープリズムを用いた光ピツクアップの構成図、第７図
は半透明プリズムを用いた光ピツクアップの構成図、第
８図は半透明プリズムと回折格子を用いたピックアップ
の構成図、第９図＋ａ）　、　（ｂ）は半透明プリズム
を用いた透４型光ディスク再生用ピ、クアップの構成図
、第１０図は半透明鏡を用い走光ピックアップの構成図
、第１１図は半導体レーザの後方光を帰踵させるための
光ピツクアップ構成図である。 ｌ・・・・牟−縦モード半導体レーザ、２　・・・カッ
プリングレンズ、３．・・・・・・偏光プリズム４・・
・・・１／４波長板　５．・・・・絞りこみレンズ６・
・・・・反射面　　　　７．・・・・・・光検出器８．
８′　・・・・発光点　９・・・・・・光スポット１０
・・・・・・回折格子　　１１．・・・・・・凸レンズ
１２・・・・トラッキング誤差検出用光検出器１３ａ、
１３ｂ・・・・トラッキング用サイドスポット＋５ａ、
１５ｂ　　・・・帰還光によってできるサイドスポット ｉ６ａ、＋６ｂ・・・・ブリュースタープリズム１７・
・・・・・半透明プリズム　１８・・・反射面１９・・
・・光スポット　　　２０・・・・・・≠透明鏡２１・
・・・・・凸レンズ　　　　２２・・・・・半透明鏡２
３・・・・・・モニタ用光検出器 ２４・・・・・・元スポット １ＰｌＩ圀（（１） ７１、ｒ　図　（が） ａ 垢４園（ａ） 、、　　　　　第４＠（〆す 粍晶軸１て灯４Ｙ儂遠動の股光＾襲　ρ拓　５　図 ８　６　　図　　（ａ） ８７　圀 第８図 ／１６　　　／ 糖ｑ＠（ａｔ 島９目（ボン 躬　ＩＱ　　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ｌ、単−縦モード半導体レーザを光源として用いる光学
   的情報処理装置において、該半導体レーザが方端面あた
   り出射する全出射光量のうち１ｍから１０優相当光量を
   該半導体レーザの発光点に帰還させることを特徴とする
   半導体レーザ光雑音低減方法。