JPS58125245A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS58125245A JPS58125245A JP57007572A JP757282A JPS58125245A JP S58125245 A JPS58125245 A JP S58125245A JP 57007572 A JP57007572 A JP 57007572A JP 757282 A JP757282 A JP 757282A JP S58125245 A JPS58125245 A JP S58125245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- light
- pickup device
- optical pickup
- signal
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0656—Seeding, i.e. an additional light input is provided for controlling the laser modes, for example by back-reflecting light from an external optical component
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザダイオードを用いた光ピツクアッ
プ装置に関するものである。
プ装置に関するものである。
光ディスク郷の信号り生に用いる光ピツクアップ装置に
於いては、レーザダイオード郷の光束を光学レンズ等で
ディスク信号面に微少スポッ）Ｋ絞シ込み、ディスク信
号によシ変調された反射光を光検出器で電気信号に変換
し情報を再生する。
於いては、レーザダイオード郷の光束を光学レンズ等で
ディスク信号面に微少スポッ）Ｋ絞シ込み、ディスク信
号によシ変調された反射光を光検出器で電気信号に変換
し情報を再生する。
この種光ピックアップの構成を第１図に示もレーザダイ
オードｌの光束をカップリングレンズ２で平行光束にし
、偏光プリズム３．／４波長板番を通シ絞シ込みレンズ
６によシディスク６の信号面に絞シ込まれる。反射光は
へ４を通シ偏光プリズム３で反射され光検出器７で電気
信号に変換される。この椎の光学系に於いては・偏ｊｔ
７” リＸ Ａ ｓ ト／４波長板番を用いるために
、原理的にはレーザｌには反射光が帰還しないが、部品
の精度９組立精度、またディスクの光学的異方性（複屈
折）等によシ微少ではあるが、レーザＩＫ帰還し帰還光
量を零にすることは不可能である。この場合、％に屈折
率ガイド構造等の縦モードのシングルモードレーザダイ
オードはこの微少な帰ｆｆｉ光量のため、縦モードが変
化し、光出力が変化′する。信号再生の場合この光出力
変動がノイズになってしまいディスクより良好な信号を
検出することが困難となん本発明の目的は、光出力変動
ノイズの欠点を低減しかつ光利用効率の優れた光ピツク
アップ装置を提供することＫある。
オードｌの光束をカップリングレンズ２で平行光束にし
、偏光プリズム３．／４波長板番を通シ絞シ込みレンズ
６によシディスク６の信号面に絞シ込まれる。反射光は
へ４を通シ偏光プリズム３で反射され光検出器７で電気
信号に変換される。この椎の光学系に於いては・偏ｊｔ
７” リＸ Ａ ｓ ト／４波長板番を用いるために
、原理的にはレーザｌには反射光が帰還しないが、部品
の精度９組立精度、またディスクの光学的異方性（複屈
折）等によシ微少ではあるが、レーザＩＫ帰還し帰還光
量を零にすることは不可能である。この場合、％に屈折
率ガイド構造等の縦モードのシングルモードレーザダイ
オードはこの微少な帰ｆｆｉ光量のため、縦モードが変
化し、光出力が変化′する。信号再生の場合この光出力
変動がノイズになってしまいディスクより良好な信号を
検出することが困難となん本発明の目的は、光出力変動
ノイズの欠点を低減しかつ光利用効率の優れた光ピツク
アップ装置を提供することＫある。
光源であるレーザダイオードには大別して、上記した屈
折率ガイドを設けたいわゆるシングルモードレーザとゲ
インガイドによるマルチモードレーザがある。シングル
、マルチというのは縦モードのことである。シングルモ
ードレーザは帰還光でモードが変化しやすいが、マルチ
モードレーザは、モードが変化しにくいため、帰還光に
よるノイズの点ではマルチモードの方が一般的には優れ
ている。しかし１ルチモードレーザには非点隔差がある
ため、シリンドリカルレンズ等を用いて、これを補正し
なくてはいけないという欠点がある。このため、シング
ルモードレーザの方が構成部品が少なくてすむへ以上述
べたノイズが出るという欠点をもつ。従来は帰還光によ
るノイズを低減するため、極力レーザに光が帰還しない
ようにしていた。（参２ 考文献日経メカニカル ／２．、 １９８１％）出願人
がいろいろな半導体レーザでこの帰還ノイズのレベルと
帰還量の関係を評しく １１１１１定した結果、ある帰
還量の時にノイズが大きくなりある亀をかえって帰還し
た方がノイズレベルが低下する事実を発見した。第２因
にシングルモードレーザの反射帰還光量とノイズレベル
の関係を示す。これはＣ５Ｐ型レーザを用いて、開口数
α１５でカップリングした例であシ、レンズ系を通シデ
ィスク面での光量を１００ｓとしてあム実際レーザの射
出光電のすべてを光学系が用いてはいない。これは、半
導体レーザの発光パターンが非等の楕円であることと、
絞シ込みレンズの一口の強良が一様である方が小さなス
ホットを形成するために必要なためである。よってレー
ザの発光パターンにより異なるが１０〜３ｏ゛−程度を
光学系が通るのが普通である。以下帰ａｎＦｉこの光学
系を通る光電を１ｏｏ ％としである。第２図かられか
るように１約１０％以上帰還させると急激にノイズが少
なくなる事実がわかった。これは、ある程度以上帰還さ
れるとシングルモードレーザがマルチライクになるため
と考えられる。約２０チ程度レーザに帰還してやれＦｉ
ｔｔはノイズは低減され支障がないレベルになる。
折率ガイドを設けたいわゆるシングルモードレーザとゲ
インガイドによるマルチモードレーザがある。シングル
、マルチというのは縦モードのことである。シングルモ
ードレーザは帰還光でモードが変化しやすいが、マルチ
モードレーザは、モードが変化しにくいため、帰還光に
よるノイズの点ではマルチモードの方が一般的には優れ
ている。しかし１ルチモードレーザには非点隔差がある
ため、シリンドリカルレンズ等を用いて、これを補正し
なくてはいけないという欠点がある。このため、シング
ルモードレーザの方が構成部品が少なくてすむへ以上述
べたノイズが出るという欠点をもつ。従来は帰還光によ
るノイズを低減するため、極力レーザに光が帰還しない
ようにしていた。（参２ 考文献日経メカニカル ／２．、 １９８１％）出願人
がいろいろな半導体レーザでこの帰還ノイズのレベルと
帰還量の関係を評しく １１１１１定した結果、ある帰
還量の時にノイズが大きくなりある亀をかえって帰還し
た方がノイズレベルが低下する事実を発見した。第２因
にシングルモードレーザの反射帰還光量とノイズレベル
の関係を示す。これはＣ５Ｐ型レーザを用いて、開口数
α１５でカップリングした例であシ、レンズ系を通シデ
ィスク面での光量を１００ｓとしてあム実際レーザの射
出光電のすべてを光学系が用いてはいない。これは、半
導体レーザの発光パターンが非等の楕円であることと、
絞シ込みレンズの一口の強良が一様である方が小さなス
ホットを形成するために必要なためである。よってレー
ザの発光パターンにより異なるが１０〜３ｏ゛−程度を
光学系が通るのが普通である。以下帰ａｎＦｉこの光学
系を通る光電を１ｏｏ ％としである。第２図かられか
るように１約１０％以上帰還させると急激にノイズが少
なくなる事実がわかった。これは、ある程度以上帰還さ
れるとシングルモードレーザがマルチライクになるため
と考えられる。約２０チ程度レーザに帰還してやれＦｉ
ｔｔはノイズは低減され支障がないレベルになる。
従来からハーフプリズム、ハーフミラ−ｔ−用いて光学
系を簡略することもできるが、との場合は光の利用光効
が非常に劣化する。第３図にレーザ帰還量と信号レベル
（光利用効率）の関係を偏光プリズム、′／４板を用い
た光学系の場合を０１ハーフミラ−の場合をψ）に示す
。
系を簡略することもできるが、との場合は光の利用光効
が非常に劣化する。第３図にレーザ帰還量と信号レベル
（光利用効率）の関係を偏光プリズム、′／４板を用い
た光学系の場合を０１ハーフミラ−の場合をψ）に示す
。
同じ２０−の帰還量で、ハーフミラ−の方よシ偏光プリ
ズムの方が４倍近く効率がよい。
ズムの方が４倍近く効率がよい。
よって、偏光プリズムを用いたまま、少々レーザに帰還
やるのが優れている。このためには１／４波長板にを正
規のレーザの波長に対して正確に位相が９０°シフトし
ないようＫすれはよい。
やるのが優れている。このためには１／４波長板にを正
規のレーザの波長に対して正確に位相が９０°シフトし
ないようＫすれはよい。
たとえば入射偏光方向に対し、′／４波長板の光軸を入
射光軸を軸上正規の４５°ではなく、３０゜程度にする
ことによシ２０チの帰還量を作ることができる。また／
４波長板を入射光軸に対し畑けても容易に可能となる。
射光軸を軸上正規の４５°ではなく、３０゜程度にする
ことによシ２０チの帰還量を作ることができる。また／
４波長板を入射光軸に対し畑けても容易に可能となる。
以上述べた本発明の一実施例を第４ＶＫ社。
本実施例は前記した入射偏波方向に対し／４波長板の光
軸を本来の位置よりずらせた例であム０祉従来の例であ
る。入射偏波方向に対して１／４波長板番αが４６０の
角度をなしている。ψ）は本発明の例であシ、入射偏波
方向に対し、４波長板４ｂの光軸を６０’に設定しであ
る。このため入射光の位相変化９０’よシすれるため、
レーザへの帰還量を５４０％にすることができる。
軸を本来の位置よりずらせた例であム０祉従来の例であ
る。入射偏波方向に対して１／４波長板番αが４６０の
角度をなしている。ψ）は本発明の例であシ、入射偏波
方向に対し、４波長板４ｂの光軸を６０’に設定しであ
る。このため入射光の位相変化９０’よシすれるため、
レーザへの帰還量を５４０％にすることができる。
また、／４波長板そのものをレーザに２０％程度帰還す
るように／４波長ではなく、位相シフト量そのものが／
４波長からずらしたものを用いてもよい。
るように／４波長ではなく、位相シフト量そのものが／
４波長からずらしたものを用いてもよい。
本発明は以上述べたようにル−ザダイオ−ドの光を一部
戻してやることによシ、レーザの縦モードの変化に伴な
うノイズを低減し得、ディスクより良質な信号を検出す
ることが可能となり、かつ光利用効率の優れた光ピツク
アップを提供することができる。
戻してやることによシ、レーザの縦モードの変化に伴な
うノイズを低減し得、ディスクより良質な信号を検出す
ることが可能となり、かつ光利用効率の優れた光ピツク
アップを提供することができる。
第１図は光ピツクアップ装置の基本構成図、第２図は本
発明によるレーザの帰還光量とノイズの関係特性図、第
３図は本発明によるレーザ帰還光量と信号レベルの関係
特性図、１ＰＪ４図は２７４波長板と光軸との関係を示
す図、←）は従来、φ）は本発明の実施例である。 ｌ・・・レーザダイオード ２・・・カップリングレンズ ３・・・偏光プリズム ４・・・７４波長板 ５・・・絞り込みレンズ ６・・・ディスク。 代理人弁理士 薄 １）利 Ｖｉａ。 ＋１ 図 才２０ し−サ゛°光Ｏ帰遺量（に） 才３図 （鵡 （ｂ） レーサ゛帰衰量（Ｘ） レア帰夏量（×）才
４ＷＪ 手続補正書（自発） 事件の表示 昭和５７ 年特許願第 ７５７２ 号発明の名
称 光ピツクアップ装置 補正をする者 鰭との関係 特許出願人 名 称 １５１０１株式会ト！ 日 立 製
作 所代 理 人 補正 の 対 象 明細書の特許請求の範囲１発明の詳
細な説明。 図面の簡単な説明の欄及び図面。 補正の内容 別紙の過少り＼ １、 明細書の轡許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 ２ 明細書第２頁第１７行の「ないが、」を下記文章に
訂正する。 「ない。すなわち直接偏光している半導体レーザ１から
の出射光は、偏波面を１／４波長板４の結晶軸に対して
４５″の角度をなして入射させることにより、１／４波
長板４通過後のレーザ光は円偏光忙なる。このレーザ光
がディスク６０反射面で反射し、再び１／４波長板４を
通過すると、最初の入射偏光方向とは偏波面が９０＠回
転した直線偏光となる。、９０°偏光方向が異なる光は
偏光プリズム３を透過せずに反射するために半導体レー
ザ１へは戻らなくなる６しかし、」３、 明細書第４頁
第８行の「大きく」を「ピークＩＫ訂正する。 ４、 明細書第４頁第９行の「ある量」を「それ以上の
量」Ｋ訂正する、 ５、 明細書第４頁第１７行の「非環の」を「非等方の
」に訂正する、 ＆ 明細書第５頁第１行の「を光学系が」を１が光学系
を」ｋ訂正する。 ｌ 明細書第５頁第３行の「第２図」の前に下記文章を
追加する。 「第２図において、横軸はレーザ光の帰還率を示す。ま
た縦軸はレーザ光を光検出器で観測し直流出力を１とし
た時の帯域幅１Ｈｚあたシの相対ノイズ強度を示す。い
いかえれば相対ノイズ強度１（１−Ｉ８とはｔｏ ｋＨ
ｚ （１ｏ−’ ）帯域幅で測定した場合のＳ／Ｎ９０
ｄｊに相当する。」８、 明細書第５頁第９行の「る。 」の次に下記文章を追加する。 「また直径が１２５１のコンパクトディスクにおいて、
このレーザ帰還量に対する該ディスク上に記録されてい
るｐＣＭ信号のフレームエラー数を測定してみると、第
３図のようＫなシ、１０嗟以上帰還させるとエラー数は
急激に減ることもわかった。」 ９ 明細書第５頁第１０行乃至第６頁第６行の「従来か
ら・・・・・・・・・・・・可能となる。」を削除する
。 １０、明細書第６頁第７行の「以上述べた」を［次Ｋｌ
に訂正する。 １ｔ 明細書第６頁第１９行と第２０行の間に下記文
章を加入する。 ［第１図の偏向プリズムに代えて）１−フプリズム、ハ
ーフミラ−を用いて光学系を構成すると光学系を簡略す
ることができ、この場合λ／４波長板を省略することが
できる。 第５図はその例で、ハーフミラ−５ｇを用いた場合であ
る。この場合ハーフミラ−の透過率と反射率の設定によ
りし〜ザへの帰還量を変えることができる。 第６図は、レーザ帰還量と信号レベル（光利用効率）の
関係を示す。同図（α）は偏光プリズムλ／４板を用い
た光学系の場合を示し、同図（ｈ）はハーフミラ−の場
合を示す。同じ２０％の帰還量で、ハーフミラ−の方よ
り偏光プリズムの方が４倍近く効率がよい。」 １２、明細書第７頁第１０行の「信号レベル」を「フレ
ームエラー数」に１Ｔユ１う。 １＆ 明細書第７頁第１２行の「である。」を下記文章
に訂正する。 「、第５図は本発明の他の実施例の構成図、第６図はレ
ーザ帰還光量と信号レベルの関係特性図で、（ａ）は第
４図（ｈ）の実施例の場合、（ｂ）は第５図の実施例の
場合を示す。」 １４ 図面第２図乃至第４図を別紙の通り訂正し、さ
ら忙第５図と第６図を別紙の通シ追加する。 以上 特許請求の範囲 ツブする光ピツクアップ装置において、前記反−射ツ（
の内の所定光量を常に！！ｉ１１！半導体レーザに帰還
する帰還手段を設けたことを特徴とする光ピツクアップ
装置。 ２、 前記帰還手段による前記所定光量が前記反射大の
光量の１０−以上である特許請求の範囲第１項記載の光
ピツクアップ装置。 ３ 前記半導体レーザは縦モードがシングルの半導体レ
ーザである特許請求の範囲第１項又は第ユ］記載の光ピ
ツクアップ装置。 ピックアップ装置。 ５、前記位相板は１／４波長板であや、該１７４波長板
の結晶軸を基準角度より所定角度ずらしてなプ装置。 嫁 ３ 辺 レーデＮＪの帰１豐 （％） 脩４ 図 （久）（１）） 也５図
発明によるレーザの帰還光量とノイズの関係特性図、第
３図は本発明によるレーザ帰還光量と信号レベルの関係
特性図、１ＰＪ４図は２７４波長板と光軸との関係を示
す図、←）は従来、φ）は本発明の実施例である。 ｌ・・・レーザダイオード ２・・・カップリングレンズ ３・・・偏光プリズム ４・・・７４波長板 ５・・・絞り込みレンズ ６・・・ディスク。 代理人弁理士 薄 １）利 Ｖｉａ。 ＋１ 図 才２０ し−サ゛°光Ｏ帰遺量（に） 才３図 （鵡 （ｂ） レーサ゛帰衰量（Ｘ） レア帰夏量（×）才
４ＷＪ 手続補正書（自発） 事件の表示 昭和５７ 年特許願第 ７５７２ 号発明の名
称 光ピツクアップ装置 補正をする者 鰭との関係 特許出願人 名 称 １５１０１株式会ト！ 日 立 製
作 所代 理 人 補正 の 対 象 明細書の特許請求の範囲１発明の詳
細な説明。 図面の簡単な説明の欄及び図面。 補正の内容 別紙の過少り＼ １、 明細書の轡許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 ２ 明細書第２頁第１７行の「ないが、」を下記文章に
訂正する。 「ない。すなわち直接偏光している半導体レーザ１から
の出射光は、偏波面を１／４波長板４の結晶軸に対して
４５″の角度をなして入射させることにより、１／４波
長板４通過後のレーザ光は円偏光忙なる。このレーザ光
がディスク６０反射面で反射し、再び１／４波長板４を
通過すると、最初の入射偏光方向とは偏波面が９０＠回
転した直線偏光となる。、９０°偏光方向が異なる光は
偏光プリズム３を透過せずに反射するために半導体レー
ザ１へは戻らなくなる６しかし、」３、 明細書第４頁
第８行の「大きく」を「ピークＩＫ訂正する。 ４、 明細書第４頁第９行の「ある量」を「それ以上の
量」Ｋ訂正する、 ５、 明細書第４頁第１７行の「非環の」を「非等方の
」に訂正する、 ＆ 明細書第５頁第１行の「を光学系が」を１が光学系
を」ｋ訂正する。 ｌ 明細書第５頁第３行の「第２図」の前に下記文章を
追加する。 「第２図において、横軸はレーザ光の帰還率を示す。ま
た縦軸はレーザ光を光検出器で観測し直流出力を１とし
た時の帯域幅１Ｈｚあたシの相対ノイズ強度を示す。い
いかえれば相対ノイズ強度１（１−Ｉ８とはｔｏ ｋＨ
ｚ （１ｏ−’ ）帯域幅で測定した場合のＳ／Ｎ９０
ｄｊに相当する。」８、 明細書第５頁第９行の「る。 」の次に下記文章を追加する。 「また直径が１２５１のコンパクトディスクにおいて、
このレーザ帰還量に対する該ディスク上に記録されてい
るｐＣＭ信号のフレームエラー数を測定してみると、第
３図のようＫなシ、１０嗟以上帰還させるとエラー数は
急激に減ることもわかった。」 ９ 明細書第５頁第１０行乃至第６頁第６行の「従来か
ら・・・・・・・・・・・・可能となる。」を削除する
。 １０、明細書第６頁第７行の「以上述べた」を［次Ｋｌ
に訂正する。 １ｔ 明細書第６頁第１９行と第２０行の間に下記文
章を加入する。 ［第１図の偏向プリズムに代えて）１−フプリズム、ハ
ーフミラ−を用いて光学系を構成すると光学系を簡略す
ることができ、この場合λ／４波長板を省略することが
できる。 第５図はその例で、ハーフミラ−５ｇを用いた場合であ
る。この場合ハーフミラ−の透過率と反射率の設定によ
りし〜ザへの帰還量を変えることができる。 第６図は、レーザ帰還量と信号レベル（光利用効率）の
関係を示す。同図（α）は偏光プリズムλ／４板を用い
た光学系の場合を示し、同図（ｈ）はハーフミラ−の場
合を示す。同じ２０％の帰還量で、ハーフミラ−の方よ
り偏光プリズムの方が４倍近く効率がよい。」 １２、明細書第７頁第１０行の「信号レベル」を「フレ
ームエラー数」に１Ｔユ１う。 １＆ 明細書第７頁第１２行の「である。」を下記文章
に訂正する。 「、第５図は本発明の他の実施例の構成図、第６図はレ
ーザ帰還光量と信号レベルの関係特性図で、（ａ）は第
４図（ｈ）の実施例の場合、（ｂ）は第５図の実施例の
場合を示す。」 １４ 図面第２図乃至第４図を別紙の通り訂正し、さ
ら忙第５図と第６図を別紙の通シ追加する。 以上 特許請求の範囲 ツブする光ピツクアップ装置において、前記反−射ツ（
の内の所定光量を常に！！ｉ１１！半導体レーザに帰還
する帰還手段を設けたことを特徴とする光ピツクアップ
装置。 ２、 前記帰還手段による前記所定光量が前記反射大の
光量の１０−以上である特許請求の範囲第１項記載の光
ピツクアップ装置。 ３ 前記半導体レーザは縦モードがシングルの半導体レ
ーザである特許請求の範囲第１項又は第ユ］記載の光ピ
ツクアップ装置。 ピックアップ装置。 ５、前記位相板は１／４波長板であや、該１７４波長板
の結晶軸を基準角度より所定角度ずらしてなプ装置。 嫁 ３ 辺 レーデＮＪの帰１豐 （％） 脩４ 図 （久）（１）） 也５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 半導体レーザ光検出器、偏光プリズムと波長板を有
する光ピツクアップ装置において、半導体レーザの信号
読み出しに使用するディスクから反射された光量の内房
定光量を常に半導体レーザに帰還するようにしたことを
特徴とする光ピツクアップ装置。 ２、 前記所定光量がディスクから反射された光・量の
１０％以上である特許請求の範囲第１項記載の光ピツク
アップ装置。 五 前記波長板が１／４波長すなわち位相が９００シフ
トよシずらしてなる特許請求の範囲第１項、第２項記載
の光ピツクアップ装置。 歳 前記半導体レーザが縦モードがシングルの半相祉−
ザである特許請求の範囲第１項、第２項、第３項記載の
光ピツクアップ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007572A JPS58125245A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 光ピツクアツプ装置 |
| DE8383100531T DE3376172D1 (en) | 1982-01-22 | 1983-01-21 | Method and apparatus for reducing semiconductor laser optical noise |
| US06/460,015 US4532619A (en) | 1982-01-22 | 1983-01-21 | Method and apparatus for reducing semiconductor laser optical noise |
| EP83100531A EP0084871B1 (en) | 1982-01-22 | 1983-01-21 | Method and apparatus for reducing semiconductor laser optical noise |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007572A JPS58125245A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125245A true JPS58125245A (ja) | 1983-07-26 |
| JPH0585970B2 JPH0585970B2 (ja) | 1993-12-09 |
Family
ID=11669520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57007572A Granted JPS58125245A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125245A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59207441A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-24 | Olympus Optical Co Ltd | 光ピツクアツプ装置 |
| JPS6089841A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 反射光一部帰還型光アイソレ−タ |
| JPS60131647A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 波長板 |
| JPH02137132A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-25 | Sony Corp | 光学記録媒体の再生装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5637834A (en) * | 1980-08-20 | 1981-04-11 | Hitachi Ltd | Optical pickup |
| JPS5680193A (en) * | 1979-12-06 | 1981-07-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57007572A patent/JPS58125245A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5680193A (en) * | 1979-12-06 | 1981-07-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device |
| JPS5637834A (en) * | 1980-08-20 | 1981-04-11 | Hitachi Ltd | Optical pickup |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59207441A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-24 | Olympus Optical Co Ltd | 光ピツクアツプ装置 |
| JPS6089841A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 反射光一部帰還型光アイソレ−タ |
| JPS60131647A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 波長板 |
| JPH02137132A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-25 | Sony Corp | 光学記録媒体の再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0585970B2 (ja) | 1993-12-09 |
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