JPS58175147A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS58175147A JPS58175147A JP57055428A JP5542882A JPS58175147A JP S58175147 A JPS58175147 A JP S58175147A JP 57055428 A JP57055428 A JP 57055428A JP 5542882 A JP5542882 A JP 5542882A JP S58175147 A JPS58175147 A JP S58175147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- optical
- feedback
- coupling lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザを用いた光ピツクアップ装置に関
するものである。
するものである。
光ディスク尋の信号再生に用いる光ピツクアップに於い
ては、半導体し〜ザ郷から射出されたレーザ光を光学レ
ンズ等でディスク信号面に微少スポットに絞り込み、デ
ィスク信号により変調された反射光を光検出器で電気信
号Ｋｔ換し情報を再生する。
ては、半導体し〜ザ郷から射出されたレーザ光を光学レ
ンズ等でディスク信号面に微少スポットに絞り込み、デ
ィスク信号により変調された反射光を光検出器で電気信
号Ｋｔ換し情報を再生する。
この椙の元ピックアップの構成を第１図に示す。
半導体レーザ１の光束は、カップリングレンズ２で平行
光束にされ、偏光プリズム５．１／４波長物４を通り対
物レンズ５によりディスク６の信号面に絞り込まれる。
光束にされ、偏光プリズム５．１／４波長物４を通り対
物レンズ５によりディスク６の信号面に絞り込まれる。
反射光は対物レンズ５．１／４波長板４を通り偏光プリ
ズム５で反射され光検出器７で電気信号に変換される。
ズム５で反射され光検出器７で電気信号に変換される。
この種の光学系に於ては偏光プリズム３と１／４鼓長＄
４４用いるＫめ、原堆的に半導体レーザには反射光は帰
還しないが、部品の精度や組立精度およびディスク材質
の光学的異方性（複屈折）等により微少ではあるが半導
体レーザ１に帰還してしまい、帰還元量奢零にすること
は不可能である。この場合、特に屈折率ガイド構造等の
縦モードのシングルモードレーザダイオードはこの微少
な殉１１光量のため、縦モードが変化し、光出力が変化
する。＠号再生の場−合〈′トの光出力変動がノイズと
なり、デづスフより良好な信号を検出することが困難と
なっていた。
４４用いるＫめ、原堆的に半導体レーザには反射光は帰
還しないが、部品の精度や組立精度およびディスク材質
の光学的異方性（複屈折）等により微少ではあるが半導
体レーザ１に帰還してしまい、帰還元量奢零にすること
は不可能である。この場合、特に屈折率ガイド構造等の
縦モードのシングルモードレーザダイオードはこの微少
な殉１１光量のため、縦モードが変化し、光出力が変化
する。＠号再生の場−合〈′トの光出力変動がノイズと
なり、デづスフより良好な信号を検出することが困難と
なっていた。
本発明の目的は以上述べた光出力変動ノイズの欠点を低
減した元ピックアップ装ａを提供することにある。
減した元ピックアップ装ａを提供することにある。
従来シングルモードレーザでを工、帰還光によるノイズ
を低減するため、極力半導体レーザに光が帰還しないよ
うにしていた（参考文献 日経メカニカル １２／２１
，１９８１等）。
を低減するため、極力半導体レーザに光が帰還しないよ
うにしていた（参考文献 日経メカニカル １２／２１
，１９８１等）。
出願人が第１図の光学系においているいろな半導体レー
ザを用い、この帰還ノイズのレベルと帰還量の関係Ｙ評
しく枳１」定した結果、ある帰還量の時にノイズが大き
くなるが、ある量以上る事実ケ発見した。以下こ扛ヲ説
明する。
ザを用い、この帰還ノイズのレベルと帰還量の関係Ｙ評
しく枳１」定した結果、ある帰還量の時にノイズが大き
くなるが、ある量以上る事実ケ発見した。以下こ扛ヲ説
明する。
以上述べた現象を利用した実施例を第５図、第４図によ
り説明する。
り説明する。
第５図は本発明の一実施例の構成−で、半導体レーザ１
とカップリングレンズ２の閾に、デ１スクの信号読出し
に用いる光束１１（一部分）をくりぬいた部分１２ヲ有
する球状の凹面鏡からなる光帰還材１６が配置さ扛、カ
ップリングレンズ２に進光しない光束１５を、反射面１
４で反射させ又、半導体レーザ１に帰還させ工いる。
とカップリングレンズ２の閾に、デ１スクの信号読出し
に用いる光束１１（一部分）をくりぬいた部分１２ヲ有
する球状の凹面鏡からなる光帰還材１６が配置さ扛、カ
ップリングレンズ２に進光しない光束１５を、反射面１
４で反射させ又、半導体レーザ１に帰還させ工いる。
第４図は本発明の他実施例の構成医で、半導体レーザ１
からでた光束１５を大きな開口数を有するカップリング
レンズ２によって光束１１１１３馨干行光とした後に、
ディスクの信号読出しに用いる光束１１０光路外に反射
ｉ［１１７を施した光帰還材１８′１に：、反射面１７
が光束と垂直になるように配置したものであり、反射光
１３はカップリンクレンズ２を介し半導体レーザ１に帰
還する。
からでた光束１５を大きな開口数を有するカップリング
レンズ２によって光束１１１１３馨干行光とした後に、
ディスクの信号読出しに用いる光束１１０光路外に反射
ｉ［１１７を施した光帰還材１８′１に：、反射面１７
が光束と垂直になるように配置したものであり、反射光
１３はカップリンクレンズ２を介し半導体レーザ１に帰
還する。
この第４図、第５図において、信号読出しに用いる光束
部分の等価的な開口数をｈＡ＝＝ｏ、１ｓとすれば、最
大でレーザ発光光量の７０％程度の安定な光帰還を行な
うことができる。
部分の等価的な開口数をｈＡ＝＝ｏ、１ｓとすれば、最
大でレーザ発光光量の７０％程度の安定な光帰還を行な
うことができる。
本発明は、以上述べたようＫ、半導体レーザの光を一部
帰還させることにより、レーザの縦モードの変化に伴う
ノイズｌ低減し、ディスクより良質な信号ｌ検出するこ
とか可能となり、かつ信号読出しに用いる光束以外の今
まで使用していなかった光束を用いて半導体レーザに帰
還させるため、信号読出しに用いる光束の光量損失がな
く光利用効率に優れている。
帰還させることにより、レーザの縦モードの変化に伴う
ノイズｌ低減し、ディスクより良質な信号ｌ検出するこ
とか可能となり、かつ信号読出しに用いる光束以外の今
まで使用していなかった光束を用いて半導体レーザに帰
還させるため、信号読出しに用いる光束の光量損失がな
く光利用効率に優れている。
第１図は光ピツクアップの基本構成囚、第２図は半導体
レーザの帰還光量とノイズめ関係ケ示す特性図、第５図
は本発明の一実施例を示す構成内、第４図は本発明の他
実施例Ｙ示す橋成図である。 １・・・半導体レーザ ２・・・カップリングレンズ３
・・偏光プリズム ４・・・１／４波長飯５・・・対物
レンズ ６・・・ディスク７・・・光検出器 １１・・・信号読出しに用いる光束 １３・・・信号読出しに用いない光束 １４・・反射面 １６．１８・・・光帰還材 １７・・・平面状の反射面 代理人弁理士 薄 １）Ｖ皐（ 才１図 才２図 Ｕ−ヂ光の１帰１量（％） 才 ３ 図
レーザの帰還光量とノイズめ関係ケ示す特性図、第５図
は本発明の一実施例を示す構成内、第４図は本発明の他
実施例Ｙ示す橋成図である。 １・・・半導体レーザ ２・・・カップリングレンズ３
・・偏光プリズム ４・・・１／４波長飯５・・・対物
レンズ ６・・・ディスク７・・・光検出器 １１・・・信号読出しに用いる光束 １３・・・信号読出しに用いない光束 １４・・反射面 １６．１８・・・光帰還材 １７・・・平面状の反射面 代理人弁理士 薄 １）Ｖ皐（ 才１図 才２図 Ｕ−ヂ光の１帰１量（％） 才 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 半導体レーザの光束をカップリングレンズと光分
配集子ン介してレンズでディスクに絞り込み、該ディス
クからの反射光を前記光分配素子を介して光検出器でビ
ククア７プする光ピツクアップ装置において、前記デ１
スクに照射されｆい光束を前記半導体レーザに帰還する
帰還手段を設けたことを特徴とする光ピンクアップ装置
。 ２、＠に帰還手段は前記半導体レーザと前記カップリン
グレンズの間に配置された凹面状の反射面を待つ光帰還
材である特許請求の範囲第１項記載の元ピックアップ装
置。 ３ 前記に還手段は前記カップリングレンズと前記レン
ズの間に、配置された平面状の故射面ン持つ光帰還材で
ある特許請求の範囲第１項記載の元ピンクアップ装置１
゜
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055428A JPS58175147A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055428A JPS58175147A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58175147A true JPS58175147A (ja) | 1983-10-14 |
Family
ID=12998304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57055428A Pending JPS58175147A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58175147A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61207056U (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-27 | ||
| JPS63268139A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 | Alps Electric Co Ltd | 光学式ピツクアツプの光学装置 |
| JP2838441B2 (ja) * | 1995-02-08 | 1998-12-16 | ハイデルベルガー ドルツクマシーネン アクチエンゲゼルシヤフト | オプトエレクトロニクス記録装置 |
| JP2008129315A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Seiko Epson Corp | 光源装置、画像表示装置 |
-
1982
- 1982-04-05 JP JP57055428A patent/JPS58175147A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61207056U (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-27 | ||
| JPS63268139A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 | Alps Electric Co Ltd | 光学式ピツクアツプの光学装置 |
| JP2838441B2 (ja) * | 1995-02-08 | 1998-12-16 | ハイデルベルガー ドルツクマシーネン アクチエンゲゼルシヤフト | オプトエレクトロニクス記録装置 |
| JP2008129315A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Seiko Epson Corp | 光源装置、画像表示装置 |
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