JPS61248245A - 光学式ヘツド装置 - Google Patents
光学式ヘツド装置Info
- Publication number
- JPS61248245A JPS61248245A JP60089591A JP8959185A JPS61248245A JP S61248245 A JPS61248245 A JP S61248245A JP 60089591 A JP60089591 A JP 60089591A JP 8959185 A JP8959185 A JP 8959185A JP S61248245 A JPS61248245 A JP S61248245A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric thin
- thin film
- waveguide
- light
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
この発明は光学的に情報を記録再生する光デイスク装置
に関し特に情報の読み出しゃ書き込みに用いられる光学
式ヘッド装置に関するものである。
に関し特に情報の読み出しゃ書き込みに用いられる光学
式ヘッド装置に関するものである。
［従来の技術］
この種の光ＩＣ化された光学式ヘッド装置の一般的な概
略図を第２図に示す。同図を参照して従来の光学式ヘッ
ド装置を説明する。同図において、（１）は基板、（２
）は該基板（１）上に形成されたバッファ層、（３）は
該バッファ層（２）上に基板（１）より屈折率が大きい
素材の誘電体薄膜層にて形成される誘電体薄膜導波路、
（４）は該誘電体薄膜導波路（３）の光入射面（１１）
に取付けられ、レーザ光を発振する半導体レーザダイオ
ード、（５）は上記誘電体薄膜導波路（３）上に光学素
子として形成され、上記半導体レーザダイオード（４）
にて発振されたレーザ光を平行光線束とするコリメート
レンズ、（６）は上記誘電体薄膜導波路（３）上に光学
素子として形成され、コリメートレンズ（５）から射出
されたレーザ光を入射光として射出させ、後述する記録
媒体としてのディスク（１２）からの反射光を反射させ
るビームスプリッタ、（７）は上記誘電体薄膜導波路（
３）上に光学素子として形成され、上記ビームスプリッ
タ（７）から射出されたレーザ光を外部空間の一点に集
光させると共に。
略図を第２図に示す。同図を参照して従来の光学式ヘッ
ド装置を説明する。同図において、（１）は基板、（２
）は該基板（１）上に形成されたバッファ層、（３）は
該バッファ層（２）上に基板（１）より屈折率が大きい
素材の誘電体薄膜層にて形成される誘電体薄膜導波路、
（４）は該誘電体薄膜導波路（３）の光入射面（１１）
に取付けられ、レーザ光を発振する半導体レーザダイオ
ード、（５）は上記誘電体薄膜導波路（３）上に光学素
子として形成され、上記半導体レーザダイオード（４）
にて発振されたレーザ光を平行光線束とするコリメート
レンズ、（６）は上記誘電体薄膜導波路（３）上に光学
素子として形成され、コリメートレンズ（５）から射出
されたレーザ光を入射光として射出させ、後述する記録
媒体としてのディスク（１２）からの反射光を反射させ
るビームスプリッタ、（７）は上記誘電体薄膜導波路（
３）上に光学素子として形成され、上記ビームスプリッ
タ（７）から射出されたレーザ光を外部空間の一点に集
光させると共に。
記録媒体としてのディスク（１２）面にて反射された上
記一点に集光したレーザ光を上記誘電体薄膜導波路（３
）に導く集光グレーディングカップラ、（８）は該集光
グレーティングカプラ（７）にて導かれた反射光が入射
され、この入射光を電気信号に変換する光検知器である
。
記一点に集光したレーザ光を上記誘電体薄膜導波路（３
）に導く集光グレーディングカップラ、（８）は該集光
グレーティングカプラ（７）にて導かれた反射光が入射
され、この入射光を電気信号に変換する光検知器である
。
上記誘電体薄膜導波路（３）は、半導体レーザダイオー
ド（４）にて発振されたレーザ光が入射される光入射面
（１１）を傷のない平滑な面で形成し、この光入射面（
１１）に上記半導体レーザダイオード（４）をレーザ光
が直角に入射されるように取付けて構成される。
ド（４）にて発振されたレーザ光が入射される光入射面
（１１）を傷のない平滑な面で形成し、この光入射面（
１１）に上記半導体レーザダイオード（４）をレーザ光
が直角に入射されるように取付けて構成される。
上記コリメートレンズ（５）、ビームスプリッタ（Ｂ）
、集光グレーティングカップラ（７）は、上記誘電体薄
膜導波路（３）の誘電体薄膜層上に設けられた別の誘電
体層に電子ビーム露光等を用いて作成される。
、集光グレーティングカップラ（７）は、上記誘電体薄
膜導波路（３）の誘電体薄膜層上に設けられた別の誘電
体層に電子ビーム露光等を用いて作成される。
次に上記従来装置の動作にって説明する。
まず半導体レーザダイオード（４）からレーザ光が発振
され、このレーザ光が誘電体薄膜導波路（３）の側面の
平滑に形成された光入射面（１１）から入射されコリメ
ートレンズ（５）にて平行なレーザ光とされ、ビームス
プリッタ（６）を通って集光グレーティングカップラ（
７）によりディスク（１２）上の一点に集束して投射さ
れる。このディスク（１２）上に投射されたレーザ光は
、ディスク（１２）の情報ビット（１３）により情報レ
ーザ光として反射され、この反射にされた情報レーザ光
が集光グレーティングカップラ（７）にて再び誘電体薄
膜導波路（３）に導かれ、ビームスプリッタ（６）にて
ｉａθ°屈折されて光検知器（９）°で情報ピッ） （
１３）の情報レーザ光の信号を電気信号に変換している
。
され、このレーザ光が誘電体薄膜導波路（３）の側面の
平滑に形成された光入射面（１１）から入射されコリメ
ートレンズ（５）にて平行なレーザ光とされ、ビームス
プリッタ（６）を通って集光グレーティングカップラ（
７）によりディスク（１２）上の一点に集束して投射さ
れる。このディスク（１２）上に投射されたレーザ光は
、ディスク（１２）の情報ビット（１３）により情報レ
ーザ光として反射され、この反射にされた情報レーザ光
が集光グレーティングカップラ（７）にて再び誘電体薄
膜導波路（３）に導かれ、ビームスプリッタ（６）にて
ｉａθ°屈折されて光検知器（９）°で情報ピッ） （
１３）の情報レーザ光の信号を電気信号に変換している
。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の光学式ヘッド装置は以上のように構成されている
ので、半導体レーザダイオード（４）にて発振されたレ
ーザ光は誘電体薄膜導波路（３）の光入射面（１１）か
ら入射され各々の光学系素子へと導かれるが、半導体レ
ーザダイオード（４）のレーザ光をできるだけ多く誘電
体薄膜導波路（３）内に導くためには、半導体レーザダ
イオード（４）の入射側端面が誘電体薄膜導波路（３）
の光入射面（１１）に当接し、光軸に対し直角で且つ光
入射面（１１）が傷のない滑らかな平面でなければなら
ない。そのためこの光入射面（１１）の端面を光学的な
精度で研摩しなければならず手作業を必要とし、また工
程数が複雑化すると共に自動化や量産化が困難であった
。
ので、半導体レーザダイオード（４）にて発振されたレ
ーザ光は誘電体薄膜導波路（３）の光入射面（１１）か
ら入射され各々の光学系素子へと導かれるが、半導体レ
ーザダイオード（４）のレーザ光をできるだけ多く誘電
体薄膜導波路（３）内に導くためには、半導体レーザダ
イオード（４）の入射側端面が誘電体薄膜導波路（３）
の光入射面（１１）に当接し、光軸に対し直角で且つ光
入射面（１１）が傷のない滑らかな平面でなければなら
ない。そのためこの光入射面（１１）の端面を光学的な
精度で研摩しなければならず手作業を必要とし、また工
程数が複雑化すると共に自動化や量産化が困難であった
。
特にレーザ光を効率よく誘電体薄膜導波路（３）内に入
射させるためには、上記光学的研摩のみでは半導体レー
ザダイオード（４）の取付面となる光入射面（１１）で
レーザ光が反射するため入射効率が悪くるという欠点を
有すると共に、上記レーザ光の反射に基づき半導体レー
ザダイオード（４）の発振状態が不安定となるなどの問
題点があった。
射させるためには、上記光学的研摩のみでは半導体レー
ザダイオード（４）の取付面となる光入射面（１１）で
レーザ光が反射するため入射効率が悪くるという欠点を
有すると共に、上記レーザ光の反射に基づき半導体レー
ザダイオード（４）の発振状態が不安定となるなどの問
題点があった。
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、半導体レー
ザダイオードからの射出光をより効率よく誘電体薄膜導
波路（３）に入射でき、安定した高性能の光学式ヘッド
装置を得ることを目的としている。
ザダイオードからの射出光をより効率よく誘電体薄膜導
波路（３）に入射でき、安定した高性能の光学式ヘッド
装置を得ることを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
本発明に係る光学式ヘッド装置は、レーザ発振器により
発振されたレーザ光が入射される誘電体薄膜導波路の光
入射面に反射防止膜を形成して構成される。
発振されたレーザ光が入射される誘電体薄膜導波路の光
入射面に反射防止膜を形成して構成される。
［作用］
本発明における光学式ヘッド装置は、レーザ発振器によ
り発振されたレーザ光が反射防止膜を通って誘電体薄膜
導波路の光入射面から反射されることなく入射される。
り発振されたレーザ光が反射防止膜を通って誘電体薄膜
導波路の光入射面から反射されることなく入射される。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。
第１図に本実施例に係る光学式ヘッド装置の斜視図を示
し、同図において本実施例装置は、基板（１）、バッフ
ァ層（２）、誘電体薄膜導波路（３）、半導体レーザダ
イオード（０、コリメートレンズ（５）、ビームスプリ
ッタ（６）、集光グレーティングカップラ（７）、光検
知器（８）及びディスク（８）の構成について前記従来
装置と同様に構成され、上記誘電体薄膜導波路（３）の
光入射面（１１）と半導体レーザダイオード（４）との
間に多層無反射コーティング層にて形成された反射防止
膜（１２）を上記従来装置の構成に加えて構成される。
し、同図において本実施例装置は、基板（１）、バッフ
ァ層（２）、誘電体薄膜導波路（３）、半導体レーザダ
イオード（０、コリメートレンズ（５）、ビームスプリ
ッタ（６）、集光グレーティングカップラ（７）、光検
知器（８）及びディスク（８）の構成について前記従来
装置と同様に構成され、上記誘電体薄膜導波路（３）の
光入射面（１１）と半導体レーザダイオード（４）との
間に多層無反射コーティング層にて形成された反射防止
膜（１２）を上記従来装置の構成に加えて構成される。
上記反射防止膜（１２）は、半導体レーザダイオード（
４）から発振されたレーザ光が入射される光入射面（１
１）に０．１〜０．２［ｇｍ ］程度の誘電体薄膜を多
層にわたり蒸着させて形成される。
４）から発振されたレーザ光が入射される光入射面（１
１）に０．１〜０．２［ｇｍ ］程度の誘電体薄膜を多
層にわたり蒸着させて形成される。
上記構成に基づく本実施例の動作について説明する。ま
ず、半導体レーザダイオード（４）にてレーザ光が発振
され、このレーザ光が反射防止膜（１２）により誘電体
薄膜導波路（３）の光入射面（１１）での反射を極力抑
制した状態で上記誘電体薄膜導波路（３）内に導かれる
。以下の動作は従来装置と同様に入射されたレーザ光が
コリメートレンズ（５）、ビームスプリッタ（Ｂ）、集
光グレーティングカップラ（７）及び゛ディスク（９）
を介して光検知器（８）に導かれ、電気信号に変換され
る。
ず、半導体レーザダイオード（４）にてレーザ光が発振
され、このレーザ光が反射防止膜（１２）により誘電体
薄膜導波路（３）の光入射面（１１）での反射を極力抑
制した状態で上記誘電体薄膜導波路（３）内に導かれる
。以下の動作は従来装置と同様に入射されたレーザ光が
コリメートレンズ（５）、ビームスプリッタ（Ｂ）、集
光グレーティングカップラ（７）及び゛ディスク（９）
を介して光検知器（８）に導かれ、電気信号に変換され
る。
なお、上記実施例における反射防止膜（１２）を単に多
層の誘電体薄膜にて形成したが、膜の光学的厚さが四分
の一波長として形成するか、又は膜の屈折率が誘電体薄
膜導波路（３）の屈折率と膜の外の媒質の屈折率との相
乗平均となるように形成する構成とすることもできる。
層の誘電体薄膜にて形成したが、膜の光学的厚さが四分
の一波長として形成するか、又は膜の屈折率が誘電体薄
膜導波路（３）の屈折率と膜の外の媒質の屈折率との相
乗平均となるように形成する構成とすることもできる。
また、上記実施例においては反射防止膜（１２）を多層
の誘電体薄膜にて形成したが単層のものであっても良い
。
の誘電体薄膜にて形成したが単層のものであっても良い
。
また、上記実施例においては反射防止膜（１２）に直接
半導体レーザダイオード（４）を取付ける構成としたが
、反射防止膜（１２）に該反射防止膜（１２）と同じ屈
折率の液体を介して半導体レーザダイオード（４）を取
付ける油侵系で構成することもできる。この油侵系とし
てはセダー油等がｍイラ、ｔ’？。
半導体レーザダイオード（４）を取付ける構成としたが
、反射防止膜（１２）に該反射防止膜（１２）と同じ屈
折率の液体を介して半導体レーザダイオード（４）を取
付ける油侵系で構成することもできる。この油侵系とし
てはセダー油等がｍイラ、ｔ’？。
る。
さらにまた、上記油侵系を乾燥系で構成しても同様に作
用する。
用する。
［発明の効果］
以上のように本発明に係る光学式ヘッド装置は、レーザ
発振器により発振されたレーザ光が入射される誘電体薄
膜導波路の光入射面に反射防止膜を形成する構成を採っ
たことから、レーザ発振器により発振されたレーザ光が
反射防止膜を通って誘電体薄膜導波路の光入射面から反
射されることなく入射できることとなり、レーザ光を高
効率に入射できる効果を奏すると共に、安定した高性能
を得ることでかきる効果を併有する。
発振器により発振されたレーザ光が入射される誘電体薄
膜導波路の光入射面に反射防止膜を形成する構成を採っ
たことから、レーザ発振器により発振されたレーザ光が
反射防止膜を通って誘電体薄膜導波路の光入射面から反
射されることなく入射できることとなり、レーザ光を高
効率に入射できる効果を奏すると共に、安定した高性能
を得ることでかきる効果を併有する。
第１図は本発明を説明するための光学式ヘッド装置の概
略図、第２図は従来装置の概略図を示す。 （１）・・・基板、 （２）・・・バッファ層、
（３）・・・誘電体薄膜導波路、 （４）・・・半導体レーザダイオード、（５）・・・コ
リメートリンズ、 （６）・・・ビームスプリッタ、 （７）・・・集光グレーティングカップラ、（８）・・
・光検知器、 （８）・・・ディスク、（１０）・・
・情報ビット、 （１１）・・・光入射面、（１２）・
・・反射防止膜。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
略図、第２図は従来装置の概略図を示す。 （１）・・・基板、 （２）・・・バッファ層、
（３）・・・誘電体薄膜導波路、 （４）・・・半導体レーザダイオード、（５）・・・コ
リメートリンズ、 （６）・・・ビームスプリッタ、 （７）・・・集光グレーティングカップラ、（８）・・
・光検知器、 （８）・・・ディスク、（１０）・・
・情報ビット、 （１１）・・・光入射面、（１２）・
・・反射防止膜。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）一枚の基板の表面に誘電体薄膜層にて形成され、
レーザ光を導波する誘電体薄膜導波路と、該誘電体薄膜
導波路にレーザ光を入射するレーザ発振器と、上記誘電
体薄膜導波路の誘電体薄膜層上に不等間隔曲線群を形成
してなり、情報記録面上の一点に上記レーザ光を収束さ
せる集光グレーティングカップラと、該集光グレーティ
ングカップラにて収束させられたレーザ光の情報記録面
からの反射光を受光して電気信号に変換する光検知器と
を備えてなる光学式ヘッド装置において、上記レーザ発
振器によりレーザ光が入射される誘電体薄膜導波路の光
入射面に反射防止膜を形成して構成したことを特徴とす
る光学式ヘッド装置。 - （２）上記誘電体薄膜導波路の光入射面と反射防止膜と
の間を油侵系にて構成したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光学式ヘッド装置。 - （３）上記誘電体薄膜導波路の光入射面と反射防止膜と
の間を乾燥系にて構成したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光学式ヘッド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60089591A JPS61248245A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 光学式ヘツド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60089591A JPS61248245A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 光学式ヘツド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61248245A true JPS61248245A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=13975019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60089591A Pending JPS61248245A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 光学式ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61248245A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03125338A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式ヘッド装置 |
| US7580336B2 (en) | 2004-12-08 | 2009-08-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optical head having a beam input/output coupler on a planar waveguide |
-
1985
- 1985-04-25 JP JP60089591A patent/JPS61248245A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03125338A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式ヘッド装置 |
| US7580336B2 (en) | 2004-12-08 | 2009-08-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optical head having a beam input/output coupler on a planar waveguide |
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