JPS61248244A - 光学式ヘツド装置 - Google Patents
光学式ヘツド装置Info
- Publication number
- JPS61248244A JPS61248244A JP60089590A JP8959085A JPS61248244A JP S61248244 A JPS61248244 A JP S61248244A JP 60089590 A JP60089590 A JP 60089590A JP 8959085 A JP8959085 A JP 8959085A JP S61248244 A JPS61248244 A JP S61248244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- dielectric thin
- waveguide
- substrate
- film layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光学的に情報を記録再生する光デイスク装置
に関し、特に情報の読み出しや書き込みに用いられる光
学式ヘッド装置に関するものである。
に関し、特に情報の読み出しや書き込みに用いられる光
学式ヘッド装置に関するものである。
この種の光ＩＣ化された光学式ヘッド装置の一般的な概
略図を示す。同図を参照して従来の光学式ヘッド装置を
説明する。同図において、（１）は基板、（２）は該基
板（１）上に形成されたバッファ層、（３）は該バッフ
ァ層（２）上に基板（１）より屈折率が大きい粗材の誘
電体薄膜層にて形成される誘電体薄膜導波路、（４）は
該誘電体薄膜導波路（３）の光入射面（１１）の側面に
取付けられ、レーザ光を発振する半導体レーザダイオー
ド、（５）はと記話電体薄膜導波路（３）上に光学素子
として形成され、上記半導体レーザダイオード（４）に
て発振されたレーザ光を平行光線束とするコリメートレ
ンズ、（８）は上記誘電体薄膜導波路（３）上に光学素
子として形成された上記コリメートレンズ（５）から射
出されたレーザ光を入射光として射出させ、後述する記
録媒体としてのディスク（３）からの反射光を反射させ
るビームスプリッタ、（７）は上記誘電体薄膜導波路（
３）上に光学素子として形成され、上記ビームスプリー
２り（７）から射出されたレーザ光を外部空間の一点に
集光させると共に、記録媒体としてのディスク（９）面
゛にて反射された上記一点に集光したレーザ光を上記誘
電体薄膜導波路（３）に導く集光グレーディングカップ
ラ、（８）は該集光グレーティングカップラ（７）にて
導かれた反射光が入射され、この入射光を電気信号に変
換する光検知器である。
略図を示す。同図を参照して従来の光学式ヘッド装置を
説明する。同図において、（１）は基板、（２）は該基
板（１）上に形成されたバッファ層、（３）は該バッフ
ァ層（２）上に基板（１）より屈折率が大きい粗材の誘
電体薄膜層にて形成される誘電体薄膜導波路、（４）は
該誘電体薄膜導波路（３）の光入射面（１１）の側面に
取付けられ、レーザ光を発振する半導体レーザダイオー
ド、（５）はと記話電体薄膜導波路（３）上に光学素子
として形成され、上記半導体レーザダイオード（４）に
て発振されたレーザ光を平行光線束とするコリメートレ
ンズ、（８）は上記誘電体薄膜導波路（３）上に光学素
子として形成された上記コリメートレンズ（５）から射
出されたレーザ光を入射光として射出させ、後述する記
録媒体としてのディスク（３）からの反射光を反射させ
るビームスプリッタ、（７）は上記誘電体薄膜導波路（
３）上に光学素子として形成され、上記ビームスプリー
２り（７）から射出されたレーザ光を外部空間の一点に
集光させると共に、記録媒体としてのディスク（９）面
゛にて反射された上記一点に集光したレーザ光を上記誘
電体薄膜導波路（３）に導く集光グレーディングカップ
ラ、（８）は該集光グレーティングカップラ（７）にて
導かれた反射光が入射され、この入射光を電気信号に変
換する光検知器である。
上記誘電体薄膜導波路（３）は、半導体レーザダイオー
ド（４）にて発振されたレーザ光が入射される光入射面
（１１）を傷のない平滑な面で形成し、この光入射面（
１１）に上記半導体レーザダイオード（４）をレーザ光
が直角に入射されるように取付けて構成される。
ド（４）にて発振されたレーザ光が入射される光入射面
（１１）を傷のない平滑な面で形成し、この光入射面（
１１）に上記半導体レーザダイオード（４）をレーザ光
が直角に入射されるように取付けて構成される。
上記コリメートレンズ（５）、ビームスプリッタ（８）
、集光グレーティングカップラ（７）は、上記誘電体薄
膜導波路（３）の誘電体薄膜層上に設けられた別の訓電
体層に電子ビーム露光等を用いて作成される。
、集光グレーティングカップラ（７）は、上記誘電体薄
膜導波路（３）の誘電体薄膜層上に設けられた別の訓電
体層に電子ビーム露光等を用いて作成される。
次に上記従来装置の動作にって説明する。
まず半導体レーザダイオード（４）からレーザ光が発振
され、このレーザ光が誘電体薄膜導波路（３）の側面の
平滑に形成された光入射面（１１）から入射されコリメ
ートレンズ（５）にて平行光とされ、ビームスプリッタ
（６）を通って集光グレーティングカップラ（７）によ
りディスク（８）上の一点に集光して投射される。この
ディスク（９）上に投射されたレーザ光は、ディスク（
９）の情報ピット（１０）により情報レーザ光として反
射され、この反射にされた情報レーザ光が集光グレーテ
ィングカップラ（７）にて再び誘電体薄膜導波路（３）
に導かれ、ビームスプリッタ（６）にて３０°屈折され
て光検知器（８）で情報ピット（１０）の光信号を電気
信号に変換している。
され、このレーザ光が誘電体薄膜導波路（３）の側面の
平滑に形成された光入射面（１１）から入射されコリメ
ートレンズ（５）にて平行光とされ、ビームスプリッタ
（６）を通って集光グレーティングカップラ（７）によ
りディスク（８）上の一点に集光して投射される。この
ディスク（９）上に投射されたレーザ光は、ディスク（
９）の情報ピット（１０）により情報レーザ光として反
射され、この反射にされた情報レーザ光が集光グレーテ
ィングカップラ（７）にて再び誘電体薄膜導波路（３）
に導かれ、ビームスプリッタ（６）にて３０°屈折され
て光検知器（８）で情報ピット（１０）の光信号を電気
信号に変換している。
従来の光学式ヘッド装置は以上のように構成されている
ので、半導体レーザダイオード（４）にて発振されたレ
ーザ光は誘電体薄膜導波路層（３）の光入射面（１１）
から入射され各々光学系素子へと導かれるが半導体レー
ザダイオード（４）のレーザ光をできるだけ多く誘電体
薄膜導波路（３）内に導くためには、半導体レーザダイ
オード（４）の入射側端面が誘電体薄膜導波路（３）の
光入射面（１１）に配設し、光軸に対し、直角で且つ光
入射面（１１）が傷のない滑らかな平面でなければなら
ない、そのためこの光入射面（１１）の端面を光学的な
精度で研摩しなければならず手作業を必要とし、また工
程数が複雑化すると共に自動化や量産化が困難であった
。
ので、半導体レーザダイオード（４）にて発振されたレ
ーザ光は誘電体薄膜導波路層（３）の光入射面（１１）
から入射され各々光学系素子へと導かれるが半導体レー
ザダイオード（４）のレーザ光をできるだけ多く誘電体
薄膜導波路（３）内に導くためには、半導体レーザダイ
オード（４）の入射側端面が誘電体薄膜導波路（３）の
光入射面（１１）に配設し、光軸に対し、直角で且つ光
入射面（１１）が傷のない滑らかな平面でなければなら
ない、そのためこの光入射面（１１）の端面を光学的な
精度で研摩しなければならず手作業を必要とし、また工
程数が複雑化すると共に自動化や量産化が困難であった
。
本発明は上記点に鑑みてなされたもので、半導体レーザ
ダイオードから発振されるレーザ光を高効率に入射でき
る光入射面 を容易且つ簡易な構成で自動化・量産化で
きる光学式ヘッド装置を得ることを目的とする。
ダイオードから発振されるレーザ光を高効率に入射でき
る光入射面 を容易且つ簡易な構成で自動化・量産化で
きる光学式ヘッド装置を得ることを目的とする。
本発明に係る光学式ヘッド装置は、誘電体薄膜層の基板
の端面を劈開面として形成し、この劈開面に添って形成
される誘電体薄膜層の破断面を誘電体薄膜導波路のレー
ザ光入射面とした構成である。
の端面を劈開面として形成し、この劈開面に添って形成
される誘電体薄膜層の破断面を誘電体薄膜導波路のレー
ザ光入射面とした構成である。
本発明における誘電体薄膜導波路（３）は、この誘電体
薄膜導波路（３）の誘電体薄膜層を基板上に一体形成し
た後、ト記基板を破断して劈開面を形成し、この基板の
劈開面形成に伴って誘電体薄膜導波路（３）の光入射面
を高精度な平滑面として形成する。
薄膜導波路（３）の誘電体薄膜層を基板上に一体形成し
た後、ト記基板を破断して劈開面を形成し、この基板の
劈開面形成に伴って誘電体薄膜導波路（３）の光入射面
を高精度な平滑面として形成する。
以下、本発明の一実施例を図に基づいて説明する。同図
において、未実施例に係る光学系ヘッド装置は、誘電体
薄膜導波路（３）の誘電体薄ｆｆＩＭをバッファ層（２
）を介して蒸着、スパッタリング等にて基板（１）上に
形成し、この基板（１）を単結晶材料にて組成し、この
基板（１）の結晶方位を選択して破断して劈開面を形成
し、この劈開面形成に伴って上記誘電体薄膜導波路（３
）の光入射面（１１）を上記劈開面に添った平滑面にて
形成し、この光入射面（１１）にレーザ発振器（４）を
配設する構成とされる。
において、未実施例に係る光学系ヘッド装置は、誘電体
薄膜導波路（３）の誘電体薄ｆｆＩＭをバッファ層（２
）を介して蒸着、スパッタリング等にて基板（１）上に
形成し、この基板（１）を単結晶材料にて組成し、この
基板（１）の結晶方位を選択して破断して劈開面を形成
し、この劈開面形成に伴って上記誘電体薄膜導波路（３
）の光入射面（１１）を上記劈開面に添った平滑面にて
形成し、この光入射面（１１）にレーザ発振器（４）を
配設する構成とされる。
上記誘電体薄膜導波路（３）上に形成されるコリメート
レンズ（５）、ビームスプリッタ（Ｓ）、集光グレーテ
ィングカップラ（７）等は誘電体薄膜導波路（３）の誘
電体薄膜層の上に設けられた別の誘電体層にフォトポリ
マをフォトリングラフィはあるいは電子ビーム描画法等
又はプラズマエツチング法等により作成する。
レンズ（５）、ビームスプリッタ（Ｓ）、集光グレーテ
ィングカップラ（７）等は誘電体薄膜導波路（３）の誘
電体薄膜層の上に設けられた別の誘電体層にフォトポリ
マをフォトリングラフィはあるいは電子ビーム描画法等
又はプラズマエツチング法等により作成する。
上記構成に基づく本実施例の動作について説明する。ま
ず、単結晶材料がある一定の方向に容易に割れて平滑な
面をつくることは結晶の襞間性としてよく知られている
。誘電体ｉｓ導波路（３）の誘電体薄膜層自信にこのよ
うな襞間性がある場合もあるが、誘電体薄膜層は多くの
場合ガラスのような非晶質の材料で構成され、襞間性が
ない場合が多い、そこで、その下地であり又、厚さも誘
電体薄膜導波路（３）に比して極めて厚い基板（１）°
を単結晶材料で作成すると、基板（１）の襞間にともな
い誘電体薄膜導波路（３）の誘電体薄膜層はこれに添っ
て光軸に対し垂直でかつ平滑な破断面を形成する。この
ようにして得られた誘電体薄膜導波路（３）の破断面で
ある光入射面（１１）が半導体レーザダイオード（４）
の取りつけ面となり、半導体レーザダイオード（４）に
て発振されるレーザ光を十分入射するのに必要な条件を
満足する平面を容易に得ることができ、誘電体薄膜導波
路（３）と半導体レーザ、ダイオード（４）との結合を
容易に高めることができる。
ず、単結晶材料がある一定の方向に容易に割れて平滑な
面をつくることは結晶の襞間性としてよく知られている
。誘電体ｉｓ導波路（３）の誘電体薄膜層自信にこのよ
うな襞間性がある場合もあるが、誘電体薄膜層は多くの
場合ガラスのような非晶質の材料で構成され、襞間性が
ない場合が多い、そこで、その下地であり又、厚さも誘
電体薄膜導波路（３）に比して極めて厚い基板（１）°
を単結晶材料で作成すると、基板（１）の襞間にともな
い誘電体薄膜導波路（３）の誘電体薄膜層はこれに添っ
て光軸に対し垂直でかつ平滑な破断面を形成する。この
ようにして得られた誘電体薄膜導波路（３）の破断面で
ある光入射面（１１）が半導体レーザダイオード（４）
の取りつけ面となり、半導体レーザダイオード（４）に
て発振されるレーザ光を十分入射するのに必要な条件を
満足する平面を容易に得ることができ、誘電体薄膜導波
路（３）と半導体レーザ、ダイオード（４）との結合を
容易に高めることができる。
なお、上記実施例においては基板（１）を単結晶材料に
て形成する構成としたが、破断することにより劈開面が
得られる結晶材料であれば他の材料で構成することもで
きる。
て形成する構成としたが、破断することにより劈開面が
得られる結晶材料であれば他の材料で構成することもで
きる。
また上記実施例においては光検知器（８）を誘電体薄膜
導波路（３）の側端面に設ける構成としたが、Ｅ記銹電
体薄膜導波路（３）内に積層一体形成する構成であって
もよい。
導波路（３）の側端面に設ける構成としたが、Ｅ記銹電
体薄膜導波路（３）内に積層一体形成する構成であって
もよい。
以上説明したように本発明に係る光学式ヘッド装置は、
光を導波する誘電体薄膜導波路の誘電体薄膜層が形成さ
れる基板を襞間性を有する材料にて組成し、この基板の
劈開面に添って誘電体薄膜導波路の光入射面を形成する
構成を取ったことから、上記誘電体薄膜導波路の誘電体
薄膜層を基板上に一体形成した後、上記基板を破断して
劈開面を形成し、この基板の臂開面形成に伴って誘電体
薄膜導波路の光入射面を高精度な平滑面として形成でき
ることとなり、光学的に高精度な平滑面を容易に得られ
るという効果を奏し、製作に要する工程数を簡素化でき
ると共に自動化、量産化できる効果を併有する。
光を導波する誘電体薄膜導波路の誘電体薄膜層が形成さ
れる基板を襞間性を有する材料にて組成し、この基板の
劈開面に添って誘電体薄膜導波路の光入射面を形成する
構成を取ったことから、上記誘電体薄膜導波路の誘電体
薄膜層を基板上に一体形成した後、上記基板を破断して
劈開面を形成し、この基板の臂開面形成に伴って誘電体
薄膜導波路の光入射面を高精度な平滑面として形成でき
ることとなり、光学的に高精度な平滑面を容易に得られ
るという効果を奏し、製作に要する工程数を簡素化でき
ると共に自動化、量産化できる効果を併有する。
図は本発明を説明するための光学式ヘッド装置の概略図
を示すつ （１）は基板、 （２）はバッファ層、 （３）は誘電体薄膜導波路、 （４）は半導体レーザダイオード、 （５）はコリメートレンズ、 （６）はビームスプリッタ、 （７）は集光グレーティングカップラ、（８）は光検知
器、 （９）はディスク、 （１０）は情報ピ１．．ト。 代 理 人 大 岩 増 雄１１・ｙｃ
λＭ佃 手続補正書（自発） 昭和 １ 」 珀
を示すつ （１）は基板、 （２）はバッファ層、 （３）は誘電体薄膜導波路、 （４）は半導体レーザダイオード、 （５）はコリメートレンズ、 （６）はビームスプリッタ、 （７）は集光グレーティングカップラ、（８）は光検知
器、 （９）はディスク、 （１０）は情報ピ１．．ト。 代 理 人 大 岩 増 雄１１・ｙｃ
λＭ佃 手続補正書（自発） 昭和 １ 」 珀
Claims (1)
- 一枚の基板の表面に誘電体薄膜層にて形成され、レーザ
光を導波する誘電体薄膜導波路と、該誘電体薄膜導波路
にレーザ光を入射するレーザ発振器と、上記誘電体薄膜
導波路の誘電体薄膜層上に不等間隔曲線群を形成してな
り、情報記録面上の一点に上記レーザ光を収束させる集
光グレーティングカップラと、該集光グレーティングカ
ップラにて収束させられたレーザ光の情報記録面からの
反射光を受光して電気信号に変換する光検知器とを備え
てなる光学式ヘッド装置において、上記誘電体薄膜層の
基板の端面を劈開面として形成し、この劈開面に添って
形成される誘電体薄膜層の破断面を誘電体薄膜導波路の
レーザ光入射面として構成したことを特徴とする光学式
ヘッド装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60089590A JPS61248244A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 光学式ヘツド装置 |
| US06/855,110 US4779259A (en) | 1985-04-25 | 1986-04-23 | Optical head assembly with efficient light source coupling surface and method of construction |
| US07/188,210 US4859033A (en) | 1985-04-25 | 1988-04-29 | Method of producing optical head assembly |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60089590A JPS61248244A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 光学式ヘツド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61248244A true JPS61248244A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=13974993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60089590A Pending JPS61248244A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 光学式ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61248244A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209204A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Alps Electric Co Ltd | 光導波路型光学素子およびこれを用いた光学式ピックアップ |
-
1985
- 1985-04-25 JP JP60089590A patent/JPS61248244A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209204A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Alps Electric Co Ltd | 光導波路型光学素子およびこれを用いた光学式ピックアップ |
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