JP3152456B2 - 焦点誤差信号検出装置及び光情報記録再生装置並びに光磁気情報記録再生装置 - Google Patents

焦点誤差信号検出装置及び光情報記録再生装置並びに光磁気情報記録再生装置

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JP3152456B2
JP3152456B2 JP23834291A JP23834291A JP3152456B2 JP 3152456 B2 JP3152456 B2 JP 3152456B2 JP 23834291 A JP23834291 A JP 23834291A JP 23834291 A JP23834291 A JP 23834291A JP 3152456 B2 JP3152456 B2 JP 3152456B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、焦点誤差信号検出装置
及び光情報記録再生装置並びに光磁気情報記録再生装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、光情報記録再生装置の光ディスク
用ピックアップなどで焦点誤差信号検出用に広く使われ
ている非点収差法は、光学系が大きくなり装置をコンパ
クトにできないという欠点がある。また、装置をコンパ
クトにできる焦点誤差信号検出法としてTAOHS法
(臨界角法(特公昭63−9305号公報参照))とい
う方法が知られている。以下、この方法の原理を図1
0、図11を参照して簡単に説明する。
【0003】図10において、光情報記録媒体(以下、
光ディスクと呼ぶ)からの反射光が合焦状態では平行光
線で検出プリズム1に入射するようにし、また、検出プ
リズム1の反射面2は、この合焦状態での入射光線に対
して臨界角もしくはそれよりやや小さめに設定する。す
ると、光ディスクが合焦状態からずれて検出プリズム1
に収束光の状態(図10の点線)で入射すると、反射面
2への入射光線は光軸上の中心光線を除いて臨界角の前
後で連続的に変化する。すなわち、中心光線より図10
において右側の光線は、一番右側(外側)の光線を筆頭
として全ての入射光線の入射角は臨界角よりも小さくな
る。従って、この部分では、透過光が存在し、この透過
した分だけ中心光線から右側の光線束の強度は弱められ
る。また、中心光線より図10において左側の光線の射
角は臨界角よりも大きくなり、この部分で入射した光線
は全て全反射する。
【0004】これに対して、光ディスクが反対方向にず
れて発散光の状態で検出プリズムに入射すると、反射面
2で反射される反射光の光量分布が変化し、中心光線を
含む紙面に対し垂直な面を境としての明暗の状態が収束
光の場合と逆になる。また、合焦状態では反射面2への
入射光線は平行光で、その全光線が一様に反射されるか
ら、上述した明暗は現われない。光検出器3は、上述し
た反射面2からの反射光の光量分布を検出するもので、
中心光線を含む紙面に垂直な面を境に2分割した2つの
受光領域a,bを持っている。このようにすれば、合焦
状態では受光部a,bへの入射光量はそれぞれ等しくな
り、反射面2へ収束光の状態で光ディスクからの反射光
が入射した場合には、aが明るくbが暗くなり、逆に発
散光の状態で入射した場合には、aが暗くbが明るくな
るので、各受光領域a,bの出力の差を検出することに
より焦点誤差信号(フォーカスエラー信号)が得られ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図11には検
出プリズム1の屈折率が1.50の場合のP偏光及びS
偏光の反射率Rp,Rsが示されているが、図11を見る
と明らかなように、臨界角よりも入射角が大きい場合に
は全反射するが、臨界角よりも入射角が小さい場合に
は、全部が透過するのではなく一部の光は反射するので
感度が悪いという欠点がある。以上のように、非点収差
法による焦点誤差検出では光学系が大きくなり装置をコ
ンパクトにできないという欠点があり、また、バルク型
光学系を用いた上述の臨界角法では焦点誤差信号の感度
が悪いという問題がある。本発明は上記事情に鑑みてな
されたものであって、コンパクトで且つ非常に感度の高
い焦点誤差信号を得ることができる焦点誤差信号検出装
置、及び、非常に感度の高い焦点誤差信号を得ることが
できる焦点誤差信号検出部を備えた光情報記録再生装置
並びに光磁気情報記録再生装置を提供することを目的と
する。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の焦点誤差信号検出装置は、光導波路
Aと、光導波路Bと、光導波路Aと光導波路Bを結合す
る導波層の膜厚がテーパ状に変化しているテーパ状結合
部からなり、光情報記録媒体からの反射光を光導波路
A,Bにおける伝搬定数がそれぞれβA,βB(βA
βB)である導波モードとして励振し、前記導波モード
を光導波路Aから光導波路Bへ前記導波モードの中心光
線の臨界角(=arcsin(βB/βA))付近で入射させ、
前記テーパ状結合部で反射した光の光量分布の変化を、
光導波路Aに形成された光検出器によって検出すること
により前記光情報記録媒体からの焦点誤差信号を得るよ
うに構成したことを特徴としている。尚、臨界角という
のは普通のバルクのメディアの光学系の場合に使われる
用語では、媒質0(屈折率n0)から媒質1(屈折率
1、n0>n1)へ光が入射する時の入射角arcsin(n1
/n0)のことを言うが、本発明においては、バルクの
メディアの光学系ではなく、光導波路という二次元光学
系を考えているので、前記arcsin(βB/βA)という角
度は厳密には臨界角とは言わないが、便宜上、この二次
元光学系におけるarcsin(βB/βA)という角度のこと
を、以後、臨界角と呼ぶことにする。
【0007】請求項2記載の焦点誤差信号検出装置は、
光導波路Aと、光導波路Bと、光導波路Aと光導波路B
を結合する導波層の膜厚がテーパ状に変化しているテー
パ状結合部からなり、光情報記録媒体からの反射光を光
導波路A,Bにおける伝搬定数がそれぞれβA,βBA
>βB)である導波モードとして励振し、前記導波モード
を光導波路Aから光導波路Bへ前記導波モードの中心光
線の臨界角(=arcsin(βB/βA))付近で入射させ、前
記テーパ状結合部で反射した光を、再び前記テーパ状結
合部と同じ構成のテーパ状結合部に前記臨界角と同じ臨
界角付近で入射させることを少なくとも1回以上行な
い、最終のテーパ状結合部で反射した光の光量分布の変
化を、光導波路Aに形成された光検出器によって検出す
ることにより前記光情報記録媒体からの焦点誤差信号を
得るように構成したことを特徴としている。
【0008】請求項3記載の光情報記録再生装置は、光
情報記録媒体からの反射光を光導波路に導波モードとし
て導く光導波路カップリング部と、前記光導波路におけ
る光導波路領域Aと光導波路領域Bと該光導波路領域A
とBを結合する導波層の膜厚がテーパ状に変化している
テーパ状結合部と該テーパ状結合部で反射した光と屈折
(透過)した光をそれぞれ検出する光検出器からなる焦
点誤差信号検出部からなり、前記光導波路カップリング
部でカップリングされた導波モード(光導波路領域A,
Bにおける伝搬定数がそれぞれβA,βBでβA>βB)の
両端(両外側)の光線が前記焦点誤差信号検出部におけ
るテーパ状結合部に入射角度arcsin(βB/βA)付近で入
射するように焦点誤差信号検出部を二つ前記導波モード
の中心光線に対して線対称な位置に構成し、前記二つの
焦点誤差信号検出部における複数の光検出器によって検
出された信号によって、光情報記録媒体からの焦点誤差
信号を得ることを特徴としている。
【0009】請求項4記載の光情報記録再生装置は、光
情報記録媒体からの反射光を光導波路に導波モードとし
て導く光導波路カップリング部と、前記光導波路におけ
る光導波路領域Aと光導波路領域Bと該光導波路領域A
とBを結合する導波層の膜厚がテーパ状に変化している
テーパ状結合部と該テーパ状結合部で反射した光と屈折
(透過)した光をそれぞれ検出する光検出器からなる焦
点誤差信号検出部からなり、前記光導波路カップリング
部でカップリングされた導波モード(光導波路領域A,
Bにおける伝搬定数がそれぞれβA,βBでβA>βB)の
両端(両外側)の光線が前記焦点誤差信号検出部におけ
るテーパ状結合部に入射角度arcsin(βB/βA)付近で入
射するように焦点誤差信号検出部を二つ平行な位置に構
成し、前記二つの焦点誤差信号検出部における複数の光
検出器によって検出された信号によって光情報記録媒体
からの焦点誤差信号を得ることを特徴としている。
【0010】請求項5記載の光磁気情報記録再生装置
は、光磁気情報記録媒体からの反射光を光導波路に導波
モードとして導く光導波路カップリング部と、前記光導
波路における光導波路領域Aと光導波路領域Bと該光導
波路領域AとBを結合する導波層の膜厚がテーパ状に変
化しているテーパ状結合部と該テーパ状結合部で反射し
た光と屈折(透過)した光をそれぞれ検出する光検出器
からなる焦点誤差信号検出部と、前記焦点誤差信号検出
部と同じ構成で前記導波モードに対する位置関係が前記
焦点誤差信号検出部と異なる光磁気信号検出部からな
り、前記光導波路カップリング部でカップリングされた
導波モードの両端(両外側)の光束は、平行または前記
導波モードの中心光線に対して線対称な位置に構成され
た二つの焦点誤差信号検出部に導かれ焦点誤差信号を検
出し、前記導波モードの中心光線付近の光束は光磁気信
号検出部に導かれ、前記光磁気信号検出部における光導
波路領域Aを導波するTEモードとTMモードを前記光
磁気信号検出部におけるテーパ状結合部において反射及
び透過(屈折)により分離して前記光磁気信号検出部に
おける複数の光検出器により検出し、該検出信号の差動
により光磁気信号を検出することを特徴としている。
【0011】請求項6記載の光磁気情報記録再生装置
は、光磁気情報記録媒体からの反射光を光導波路に導波
モードとして導く光導波路カップリング部と、前記光導
波路における光導波路領域Aと光導波路領域Bと該光導
波路領域AとBを結合する導波層の膜厚がテーパ状に変
化しているテーパ状結合部と該テーパ状結合部で反射し
た光と屈折(透過)した光をそれぞれ検出する光検出器
からなる焦点誤差信号検出部と、該焦点誤差信号検出部
に導かれる導波光の光路上に装荷される吸収性薄膜と、
前記焦点誤差信号検出部と同じ構成で前記導波モードに
対する位置関係が前記焦点誤差信号検出部と異なる光磁
気信号検出部からなり、前記光導波路カップリング部で
カップリングされた導波モードの両端(両外側)の光束
は、前記吸収性薄膜によってTMモードが吸収された
、二つの焦点誤差信号検出部に導かれ焦点誤差信号を
検出し、前記導波モードの中心光線付近の光束は前記光
磁気信号検出部に導かれ、前記光磁気信号検出部におけ
る光導波路領域Aを導波するTEモードとTMモードを
前記光磁気信号検出部におけるテーパ状結合部において
反射及び透過(屈折)により分離して前記光磁気信号検
出部における複数の光検出器により検出し、該検出信号
の差動により光磁気信号を検出することを特徴としてい
る。
【0012】
【作用】以下、本発明の基本的な構成、原理及び作用に
ついて説明する。ここで、光が膜厚方向に閉じ込められ
た二次元光導波路を考える。そして、導波光の動きを、
Z方向の動きと、X−Y平面上の動きとに分離して取り
扱い、後者を二次元光学と呼ぶ。この二次元光学におい
ては、モードの等価屈折率がバルク光学系の屈折率に対
応し、モードの等価屈折率は導波路の膜厚や屈折率を変
えることによって変化させることができる。尚、モード
の等価屈折率は、導波路だけでなく基板やクラッド層の
屈折率、膜厚を変えることによっても変化する。また、
二次元光学においても、フェルマーの原理とスネルの法
則は維持される。今、図12のように膜厚方向(Z軸方
向)にテーパ状の結合部を持つ2つの二次元導波路A,
Bを考える。そして、導波路A,Bにおけるモード伝搬
定数をそれぞれβA,βBとすると、スネルの法則は下記
の式のようになる。 βA sinαA=βB sinαB ・・・ 但し、αA は導波路Aにおける入射角、αB は導波路B
における屈折角を表わし、どちらもX−Y平面上にあ
る。今、βA>βBと仮定すると、二次元光学では、入射
角αA が、 αA<arcsin(βB/βA) ・・・ 上記式の条件を満足していれば導波路Aで生じた光波
は式に従って導波路Bに屈折する(図12(b))。ま
た、入射角αA が、 αA>arcsin(βB/βA) ・・・ 上記式の条件を満足する場合には、結合部において全
反射が起こる(図12(a))。
【0013】前述の図10のように、バルクのメディア
の境界における反射の場合には、臨界角よりも入射角度
が小さいとフレネルの法則に従う部分反射という現象が
起こり、図12のような二次元光学の場合にも、導波路
Aと導波路Bの境界が光の波長に対して急に変化してい
る場合には部分反射が起こるが、導波路Aと導波路Bの
境界が光の波長に対して十分緩やかなテーパ状になって
いる場合には、arcsin(βB/βA)という臨界角を境にし
て屈折か反射が起こり、部分反射という現象は起こらな
い。尚、ここで言うテーパ状結合部とは、図1(b)の断
面図に示すように、同一材料の膜で膜厚が変化したもの
や、図1(c),(d)の断面図に示すように、異種の材料
の膜が結合したものなどが考えられ、膜構成は図1
(b),(c),(d)以外でもよい。
【0014】そこで今、図1のような光導波路型焦点誤
差検出装置を考える。尚、図1(a)は焦点誤差検出装置
の平面図、(b),(c),(d)は、前述したようにテーパ
状結合部の膜構成がそれぞれ異なる焦点誤差検出装置の
断面図である。図1において、光ディスクからの反射光
が、合焦状態では平行光線で光導波路Aにカップリング
し、伝搬定数βA の導波モードとして伝搬し、光導波路
Bとの境界部に入射するようにする。この時、光導波路
Bでの伝搬定数βB はβA>βBという条件を満足してお
り、光導波路AとBの境界部分は光の波長に対して十分
緩やかなテーパ状になっている。テーパ状結合部は、合
焦状態での導波光(平行光線)に対して前述の臨界角
(arcsin(βB/βA)近傍に設定する。すると、光ディス
クが合焦状態からずれてテーパ結合部に収束光の状態
(図1(a)の点線で示す状態)で入射すると、中心光線
から右側の入射光線の入射角は臨界角よりも小さくなり
導波路Bに屈折する。また、中心光線よりも左側の入射
光線の入射角は、臨界角よりも大きくなり全反射する。
逆に、発散光の状態で入射すると、中心光線から右側の
光線は全反射し、中心光線から左側の光線は導波路Bに
屈折する。
【0015】従って、図1(a)に示すように中心光線
を境に2分割された光導波路型光検出器11,12を作
り、中心光線を境に右側の光線のテーパ結合部からの反
射光を一方の光検出器12で検出し、中心光線を境に
側の光線のテーパ結合部からの反射光をもう一方の光検
出器11で検出するように設置すれば、光検出器11と
12の出力の差信号を検出することにより、非常に感度
の高い焦点誤差信号(フォーカスエラー信号)が得られ
る。何故なら、バルクのメディアの境界面での反射の場
合には、臨界角よりも入射角度が小さいと部分反射が起
こるため、反射強度が0にはならないが(P偏光のブリ
ュースター角の場合は除く)、図1の光導波路における
テーパ結合部での反射の場合には、臨界角よりも入射角
度が小さい場合には完全に導波光は屈折し、反射強度が
0になるためである。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細説明す
る。 [実施例1]先ず、請求項1の発明に対する実施例につ
いて説明する。図1において、光導波路A,Bの断面図
は例えば(d)のようになっており、具体的には、Si
基板上にSiO2 バッファ層(屈折率1.460、膜厚
1.0μm)が形成された基板15上にプラズマCVD
法によりSiN膜13(屈折率1.860、膜厚0.3
μm)を形成し、その上にさらにSiON膜14(屈折
率1.530、膜厚1.50μm)を形成した。テーパ
状結合部は、SiN膜を蒸着する際にナイフエッジ状の
マスクを置いて作成した。しかし、これは必ずしもこの
方法でなくてもよく、SiN膜を基板全面に蒸着した
後、ウェットエッチング等によって余分な膜を除去して
もよい。また、テーパ状結合部の長さは、30μm程度
ついており、入射光(例えば、He−Neレーザ光)の
波長0.633μmに対して十分に緩やかなテーパが付
いている。ここで、導波路A、導波路BにおけるTE0
モードの等価屈折率と臨界角θcは以下の通りである。 導波路A 導波路B θc TE0モード: 1.7467 1.5200 60.48°
【0017】従って、図1(a)のθa を、 θa=90°−θc=29.52° として波長633nmのTE0 モード光を導波させる
と、光検出器11及び12で検出される反射率の変化の
ようすは図2のようになる。理想的なテーパが形成され
ている場合には、反射率は、臨界角θc において図2の
実線bで表わされるようなステップ状の変化をするが、
実際のテーパの場合には点線aで表わされるような変化
をする。これを図11の反射率曲線と比較すると、臨界
角より小さい角度では急に反射率が0に近づくのがわか
る。前述のように、導波光のテーパ状結合部への入射角
度の変化は、中心光線の左側と右側で逆になるので、光
検出器11と12の出力の差信号を検出すると、感度の
高い焦点誤差信号が得られる。尚、ここではTE0 モー
ドを使ったが、必ずしもTE0 モードである必要はな
い。但し、導波路伝搬損失の少ないモードを使った方が
よいので、高次モードよりは低次モード、TMモードよ
りはTEモードを使った方がよい。
【0018】[実施例2]次に、請求項2の発明に対す
る実施例について説明する。図1におけるテーパ状結合
部の長さが入射光の波長に対して十分に長くないなどの
テーパが不完全な場合には、臨界角よりも小さい角度で
導波光がテーパ状結合部に入射した時、100%屈折せ
ずに一部の光が反射してしまう部分反射という現象が起
こり、結果的に焦点誤差信号の感度が悪くなる。そこ
で、このような場合には、図3に示すようにテーパ状結
合部を二段またはそれ以上重ねると、臨界角よりも小さ
い角度で入射した時にも反射率Rm(Rm≪1)の部分反
射が起こってしまうテーパであっても、n段のテーパ状
結合部を通って最終的に光検出器31,32で検出され
る反射率(Rmのn乗)は限りなく0に近づき、焦点誤差
信号の感度を上げることができる。この時、n段(nは
2以上の整数)のテーパ状結合部は、それぞれ平行な位
置関係になっている。
【0019】[実施例3]次に、以上述べた光導波路の
テーパ状結合部における臨界角を利用した、請求項3記
載の発明による光情報記録再生装置の原理及び実施例に
ついて説明する。図4、図5は請求項3記載の発明によ
る光情報記録再生装置の一実施例を説明するための構成
図で、図4は全体構成を示す側面図、図5は導波路素子
の平面図であり、図中41は光源、42はコリメートレ
ンズ、44は対物レンズ、45は光情報記録媒体(光デ
ィスク)、43はプリズムカプラー、46は高屈折率接
着層、47は金属マスク層、48はギャップ層、49は
光導波路層、50はバッファ層、51は基板、54は低
屈折率光導波路層、52a,b、53a,bは光検出器
である。図4、図5において、光源41からの出射光は
コリメートレンズ42により集束され、プリズムカプラ
43に入射し、プリズムカプラ43の底面からの反射光
が対物レンズ44を通って光情報記録媒体45に集光
し、その反射戻り光が再び対物レンズ44を通ってプリ
ズムカプラ43に再び入射し、光導波路層49にカップ
リングして導波光となる。
【0020】また、光導波路層49を伝搬している時の
伝搬定数βAよりも伝搬定数が小さくなるように光導波
路層49よりも低屈折率の光導波路層54(伝搬定数β
B(<βA))が形成されている導波路B領域が2つ、図
5に示すように導波光の中心光線に対して対称な位置に
構成されており、導波光の両端(外側)の光はそれぞれ
導波路B領域に入射する。この時、図4に示すように光
導波路層49と低屈折率光導波路層54の結合部は光源
の波長に対して十分に緩いテーパ状に膜厚が変化してい
るテーパ状結合部となっており、光源41からの光が光
情報記録媒体45上に合焦状態で入射している時、導波
光が平行光線として導波路B領域に臨界角arcsin(βB
/βA)で入射するように設定する。
【0021】すると光情報記録媒体45が対物レンズ4
4の焦点位置より遠ざかった場合、反射戻り光は合焦時
に比べてやや収束ぎみの光束となり、導波光の両端の光
束はそれぞれ臨界角arcsin(βB/βA)よりも小さい入
射角度で導波路B領域に入射するため、テーパ状結合部
において屈折し、光検出器53a,53bで検出され
る。逆に光情報記録媒体45が対物レンズ44の焦点位
置より近づいた場合、反射戻り光は合焦時に比べてやや
発散ぎみの光束となり、導波光の両端の光束は、それぞ
れ臨界角arcsin(βB/βA)よりも大きい入射角度で導
波路B領域に入射するため、テーパ結合部で全反射し光
検出器52a,52bで検出される。
【0022】そこで、光検出器52a,53a,53
b,52bの各出力をP1,P2,P3,P4 とし、焦点
位置誤差信号(フォーカスエラー信号)ΔFを、 ΔF=(P1+P4)−(P2+P) とすると、非常に感度の高い焦点位置誤差信号が得られ
る。また、このような構成にすると、トラッキング誤差
信号ΔTは、プッシュプル法により、 ΔT=(P1+P2)−(P3+P4) とすることによって得ることができるが、必ずしもトラ
ッキング信号はプッシュプル法で得る必要はない。ま
た、トラッキング誤差信号ΔTが不用であれば、図5の
導波路B領域は1つでよく、光検出器も52a,53a
及び52b,53bの組はどちらか1組でよく、この場
合のフォーカスエラー信号ΔFは、ΔF=P1−P2、あ
るいはΔF=P3−P4で検出できる。
【0023】ここで、プリズムカプラー43は、グレー
ティングカプラーや端面入射法などの他のカップリング
法でもよく、また、光情報記録媒体45からの反射戻り
光を効率よく光導波路49にカップリングさせるための
ギャップ層48、金属マスク層47、高屈折率接着層4
6は必ずしも本発明に必要な要件ではなく、その他の構
成でも実施することができる。また、断面の膜構成も必
ずしも図4の構成である必要はなく、伝搬定数の高い導
波路と伝搬定数の低い導波路がテーパ状結合部で結合さ
れており、伝搬定数の高い導波路側から伝搬定数の低い
導波路の方へ、入射角度が臨界角近傍で入射するような
構成になっていればよい。また、導波光の中心光線に対
して対称な位置に構成された2つの導波路領域Bの間
は、図5のように必ずしも開けておく必要はない。但し
導波光の外側の光束の方が、光情報記録媒体45への焦
点の位置が変動した時の角度の振れ幅が大きいので、な
るべく外側の光を用いた方が感度のよいフォーカス信号
が得られる。
【0024】具体的な実施例としては、図4、図5にお
いてSi基板上にSiO2 をバッファ層として形成し、
その上に光導波路層49としてSiN膜(屈折率1.8
50、膜厚0.3μm)を形成し、導波路B領域の部分
をウェットエッチングで除去後、低屈折率導波路54と
してSiON膜(屈折率1.520、膜厚1.5μm)
を形成した。光源には波長788nmの半導体レーザを
使い、TE0 モードをカップリングさせる構成にした。
導波路領域Bとその周りの導波路領域での等価屈折率は
それぞれ1.6770、1.5057であるので、臨界
角が63.88°となり、図5のθa は、 θa=90°−63.88°=26.12° とした。光検出器は、それぞれの導波路領域Bのテーパ
状結合部での反射光と屈折光が検出できるように4つ形
成し、前述の方式で感度のよい焦点誤差信号とトラッキ
ング信号を得た。
【0025】[実施例4]次に、光導波路のテーパ状結
合部における臨界角を利用した、請求項4記載の発明に
よる光情報記録再生装置の原理及び実施例について説明
する。図6、図7は請求項4記載の発明による光情報記
録再生装置の一実施例を説明するための構成図で、図6
は全体構成を示す側面図、図7は導波路素子の平面図で
あり、図中61は光源、62はコリメートレンズ、63
はハーフミラー(あるいは偏光ビームスプリッタでもよ
い)、64は対物レンズ、65は光情報記録媒体(光デ
ィスク)、66はプリズムカプラー、67は高屈折率接
着層、68はギャップ層、69は光導波路層、70はバ
ッファ層、71は基板、72は高屈折率光導波路層、7
3a,b、74a,bは光検出器である。図6、図7に
おいて、光源61からの出射光はコリメートレンズ62
により収束され、ハーフミラー63を通って、対物レン
ズ64により光情報記録媒体65上に集光する。この光
情報記録媒体65からの反射戻り光は、対物レンズ64
により再び収束されてハーフミラー63により反射さ
れ、プリズムカプラー66に入射する。
【0026】光導波路層69にカップリングして導波光
となった光束は、一旦高屈折率導波路層72に結合し、
高屈折率光導波路層72と光導波路層69の結合部(テ
ーパ状結合部)に入射する構成としている。そして、こ
のテーパ状結合部に導波光の両端(外側)の光束がそれ
ぞれ入射するように図7のようにテーパ状結合部を2つ
設置する。この時、2つのテーパ状結合部は平行な位置
関係になっており、光情報記録媒体65に合焦状態で光
が入射している時、導波光が平行光線となって上記テー
パ状結合部に臨界角で入射するような構成となってい
る。すると光検出器73b,74b,73a,74aの
各出力をP1,P2,P3,P4 とし、焦点誤差信号(フォ
ーカスエラー信号)ΔFを、 ΔF=(P1+P4)−(P2+P3) とすることによって、非常に感度の高い焦点誤差信号が
得られる。また、トラッキング信号ΔTを、 ΔT=(P1+P2)−(P3+P4) とすれば、プッシュプル法によるトラッキング信号が得
られる。
【0027】尚、本実施例におけるプリズムカプラーも
グレーティングカプラーや端面入射法などの他のカップ
リング法でもよく、光情報記録媒体65からの反射戻り
光を効率良く光導波路層69にカップリングさせるため
のギャップ層68、高屈折率接着層66も本発明に必ず
しも必須の要件ではなく他の構成でもよい。また、断面
の膜構成も必ずしも図6の構成である必要はない。但
し、プリズムカプラーを使って光導波路にカップリング
させるような構成の場合には、本実施例のように最初に
低い屈折率の導波路に上記反射戻り光をカップリングさ
せて、次に高い屈折率の導波路に結合させて、再び低い
導波路とのテーパ結合部に導波光を導波させて、前述の
臨界角を利用した方法で焦点誤差信号、トラッキング信
号を得るという構成にすると、プリズムカプラーの屈折
率が低くてもよいので(光導波路の屈折率よりも高けれ
ばよい)、安価なプリズムを使えるなどの効果がある。
【0028】次に、より具体的な例で本発明の効果を説
明する。図6、図7において、Si基板71上にSiO
2 膜をバッファ層70として形成し、最初に高屈折率光
導波路層72としてSiN膜を形成し、フォトリソグラ
フィとウェットエッチングによってSiN膜を図7のよ
うな形状にパターンニングし、その後、光導波路層69
としてSiON膜を蒸着し、ギャップ層68としてSi
2 膜を蒸着した。尚、入射光源61には、波長788
nmの半導体レーザを用いた。ところで、設計値は、S
iN膜が屈折率1.850、膜厚0.30μm、SiO
N膜が屈折率1.52、膜厚1.50μm、SiO2
が屈折率1.45、膜厚1.0μmであったので、TE
0 モードのSiN導波路層領域での等価屈折率とSiO
N導波路層領域での等価屈折率は、それぞれ1.705
0、1.5080であるので、図7の平行光線がテーパ
状結合部へ入射する時の角度θa は、 θa=90°−arcsin(1.5080/1.7050)≒27.82° で設計し、作製した。
【0029】ところが、実際にはウェットエッチングの
際にSiN膜をオーバーエッチングしてしまい、SiN
膜の膜厚が0.01Å少なくなってしまったため、Si
N導波路層領域での等価屈折率が1.6998となって
しまった。従って、実際の臨界角θc は、 θc=arcsin(1.5080/1.6998)≒62.52° となり、実際のデバイスで平行光線がテーパ状結合部へ
入射する時の入射角度、 90°−θa=62.18° より0.34°大きくなってしまった。
【0030】このように、実際に請求項3、4の発明を
実現させるための光導波路を作製する場合には、成膜時
や加工プロセスの際に設計値との誤差が生じ、作製され
たデバイスの平行光線のテーパ結合部への入射角度と、
実際の膜の臨界角にずれが生じる場合がある。このよう
な時に、図4、図5に示した請求項3の実施例のように
2つのテーパ状結合部が中心光線に対して対称な位置に
配置されている場合には補正することができないが、本
実施例のように、2つのテーパ状結合部が平行な位置に
配置されている場合には、例えば図7にψc で示したよ
うな向きに反射戻り光のプリズムカプラーへの入射角度
を0.34°ずらしてやると、臨界角の補正ができる。
このように、本実施例は、デバイスを作製した後、入射
角度補正をすることができるという効果がある。
【0031】[実施例5]次に、前述の光導波路のテー
パ状結合部における臨界角を利用した焦点誤差検出の原
理を光磁気信号検出装置と組み合わせた、請求項5記載
の発明による光磁気情報記録再生装置の原理及び実施例
について説明する。図8は請求項5記載の発明による光
磁気情報記録再生装置の一実施例を説明するための構成
図で、導波路素子の平面図である。尚、導波路の膜構成
や光源等の素子は前述の実施例4と同じとするが、これ
は必ずしも同じである必要はない。図8においては、図
7で焦点誤差信号検出に用いた2つの(平行な位置関係
にある)テーパ状結合部は、導波光の両端(外側)の光
が入射するように配置し、導波光の中心付近の光が入射
する3つめのテーパ状結合部をTE−TMモード分離部
として構成した。
【0032】以下、具体的な実施例で本発明の原理を説
明する。Si基板上にSiO2 膜をバッファ層として形
成し、最初に高屈折率光導波路層としてSiN膜を形成
して、フォトリソグラフィとウェットエッチングにより
SiN膜を図8のような形状にパターンニングし、その
後、光導波路層としてSiON膜を蒸着し、さらにギャ
ップ層としてSiO2 膜を蒸着した。尚、SiN膜の屈
折率は1.850、膜厚は0.30μm、SiON膜の
屈折率は1.52、膜厚は1.50μm、SiO2 膜の
屈折率は1.45、膜厚は1.0μmであった。またT
0 モードとTM0 モードのSiN導波路層領域での等
価屈折率と、SiON導波路層領域での等価屈折率は、
それぞれ次のようになった。尚、入射光源は波長788
nmの半導体レーザを用いた。 SiN領域 SiON領域 臨界角 TE0モード 1.7050 1.5080 62.18° TM0モード 1.6657 1.5075 64.83°
【0033】図8示す左右のテーパ状結合部は、平行
な導波光がTE0 モードの臨界角で入射するように、 θa1=θa3=90°−arcsin(1.5080/1.70
50)≒27.82° として、真中のTE−TMモード分離部は、TE0モー
ドは臨界角よりも大きい入射角度でテーパ状結合部に入
射し、TM0モードは臨界角よりも小さい入射角度でテ
ーパ状結合部に入射するように、θa2=26.50°に
設定されている。尚、これは必ずしもこの角度でなくて
もよく、θa2が、 90°−arcsin(1.5075/1.6657)<θa2 θa2<90°−arcsin(1.5080/1.7050) の範囲、すなわち、 25.17°<θa2<27.82° の間に設定されていれば、TE0モードはテーパ状結合
部において全反射し、光検出器82aで検出され、TM
0モードはテーパ状結合部において屈折し、光検出器8
2bで検出される。
【0034】ここで光磁気情報記録媒体に記録された光
磁気記録信号を読み取るためには、光磁気情報記録媒体
からの反射戻り光の直交する2つの偏光成分の強度比を
検出しなくてはならないので、前記2つの偏光成分を光
導波路のTEモード、TMモードとして光導波路にカッ
プリングさせた後、2つのモードを分離して検出し、差
信号を取ればよい。従って、本実施例の光検出器82a
と82bの出力の差信号を取れば、光磁気信号が得られ
る。また、光検出器83b,83a,81b,81aの
出力をそれぞれP1,P2,P3,P4 とし、焦点誤差信
号(フォーカスエラー信号)ΔFを、 ΔF=(P1+P4)−(P2+P3) とすることによって、焦点誤差信号が得られる。尚、本
発明においては焦点誤差信号を得るためにTE0 モード
を使ったが、これはTM0 モードでもかまわない。但し
通常の光導波路の場合には、TEモードよりもTMモー
ドの方が伝搬損失が大きいので、TEモードを用いた方
がよい。
【0035】このように、本発明においては3つのテー
パ結合部を構成することによって、焦点誤差信号、光磁
気信号が得られるようになる。但し、前述のように、導
波光の外側の光束の方が中心光線付近の光束に比べて焦
点位置が変動した時の角度の振れ幅が大きいので、焦点
誤差信号検出用には、導波光の両外側の光束を用い、光
磁気信号検出用には、導波光の中心光線付近の光束を用
いる方がよい。また、本実施例においては、焦点誤差信
号を得るための2つのテーパ状結合部の位置関係は請求
項4の場合と同様に平行としたが、これは、請求項3の
ように導波光の中心光線に対して対称な位置に構成され
ていてもよい。
【0036】[実施例6]次に、請求項6記載の発明の
実施例について説明する。前述の実施例5において、フ
ォーカス信号を得るための2つのテーパ状結合部は、平
行な導波光がTE0 モードの臨界角で入射するように構
成されているが、ここにTM0 モードが入射した場合に
は、TM0 モードの方が臨界角が大きいので、テーパ状
結合部を屈折して光検出器83b、81bで検出されて
しまい、焦点誤差信号のノイズになってしまう可能性が
ある。この問題を解決するためには、図9に示すように
金属マスクなどの吸収性の薄膜90を焦点誤差信号検出
用の導波光の両外側の光束上に装荷し、TM0 モード
を、その吸収性薄膜90で吸収させればよい。
【0037】尚、この時、中心光線付近の導波光は、T
0 モードとTM0 モードを分離して光磁気信号検出に
用いるので、中心光線付近の導波光の光束上には、吸収
性薄膜を装荷しないようにしなくてはならない。また、
この時、吸収性薄膜は光導波路層の上に装荷されてされ
ていても、光導波路層の下にあってもかまわないが、な
るべくTM0 モードは吸収して、TE0モードは吸収さ
れないような構成にしなくてはならないので、光導波路
層と吸収性薄膜の間には、透明で光導波路層よりも屈折
率の低い層が存在した方がよい。また、本実施例におい
ては、図9に示すように、焦点誤差信号を得るための2
つのテーパ状結合部の位置関係は平行であるが、反射面
84を使って光検出器83a,83bに至る光束の光路
を曲げ、図8に示した実施例の構成にするよりも素子全
体の長さが短くできるようにした。
【0038】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて説明したよう
に、請求項1記載の発明によれば、従来の非点収差法を
用いて光情報記録媒体からの焦点誤差信号を検出する焦
点誤差信号検出装置に比べて装置をコンパクトにでき、
且つ、バルク型光学素子を用いた臨界角法(TAOHS
法)に比べて非常に感度の高い焦点誤差信号を得ること
ができる。また、請求項2記載の発明によれば、請求項
1記載の焦点誤差検出装置よりも更に高感度の焦点誤差
信号を得ることができる。
【0039】請求項3記載の発明による光情報記録再生
装置では、請求項1の発明と同様に非常に感度の高い焦
点誤差信号を得ることができ、更にトラッキング信号も
同時に得ることができる。また、請求項4記載の発明に
よる光情報記録再生装置は、請求項3と同様に感度の高
い焦点誤差信号を得ることができ、更にトラッキング信
号を同時に得ることができると共に入射角度補正をする
ことができるという効果がある。
【0040】請求項5記載の発明による光磁気情報記録
再生装置は、非常に感度の高い焦点誤差信号、トラッキ
ング信号を得ることができると同時に、光磁気信号も検
出することができる。また、請求項6記載の発明による
光磁気情報記録再生装置においては、請求項5と同様に
焦点誤差信号、トラッキング信号、及び光磁気信号を同
時に得ることができ、更に請求項5の装置に比べて良好
なS/N比を持つ焦点誤差信号が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】請求項1記載の発明の説明図であって、(a)
は焦点誤差信号検出装置の要部平面図、(b),
(c),(d)はテーパ状結合部の膜構成がそれぞれ異
なる焦点誤差信号検出装置の要部断面図である。
【図2】図1に示す焦点誤差信号検出装置のテーパ状結
合部における導波光の入射角度と反射率の関係を示すグ
ラフである。
【図3】請求項2記載の発明の一実施例を示す焦点誤差
信号検出装置の要部平面図である。
【図4】請求項3記載の発明の一実施例を示す光情報記
録再生装置の側面図である。
【図5】同上光情報記録再生装置の信号検出部を構成す
る導波路素子の平面図である。
【図6】請求項4記載の発明の一実施例を示す光情報記
録再生装置の側面図である。
【図7】同上光情報記録再生装置の信号検出部を構成す
る導波路素子の平面図である。
【図8】請求項5記載の発明の一実施例を示す図であっ
て、光磁気情報記録再生装置の信号検出部を構成する導
波路素子の平面図である。
【図9】請求項6記載の発明の一実施例を示す図であっ
て、光磁気情報記録再生装置の信号検出部を構成する導
波路素子の平面図である。
【図10】従来のバルク型光学素子を用いた臨界角法に
よる焦点誤差信号検出方法の説明図である。
【図11】図10における検出プリズムの屈折率が1.
50の場合のP偏光及びS偏光の入射角度に対する反射
強度の変化を示すグラフである。
【図12】光導波路Aと光導波路Bとをテーパ状結合部
で結合してなる二次元光学系の原理説明図である。
【符号の説明】
11,12・・・光検出器 13・・・SiN膜 14・・・SiON膜 15・・・基板 31,32・・・光検出器 41,61・・・光源 42,62・・・コリメートレンズ 43,66・・・プリズムカプラー 44,64・・・対物レンズ 45,65・・・光情報記録媒体 46,67・・・高屈折率接着層 47・・・金属マスク層 48,68・・・ギャップ層 49,69・・・光導波路層 50,70・・・バッファ層 51,71・・・基板、 52a,52b,53a,53b・・・光検出器 54・・・低屈折率光導波路層 63・・・ハーフミラー 72・・・高屈折率光導波路層 73a,73b,74a,74b・・・光検出器 81a,81b,82a,82b,83a,83b・・
・光検出器 90・・・吸収性薄膜 A・・・光導波路A領域 B・・・光導波路B領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−201225(JP,A) 特開 平4−17133(JP,A) 特開 平4−219657(JP,A) 特開 平4−319543(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 7/09 G11B 7/095 G11B 7/135 G11B 11/105 551 G11B 11/105 556

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光導波路Aと、光導波路Bと、光導波路A
    と光導波路Bを結合する導波層の膜厚がテーパ状に変化
    しているテーパ状結合部からなり、光情報記録媒体から
    の反射光を光導波路A,Bにおける伝搬定数がそれぞれ
    βA,βB(βA>βB)である導波モードとして励振し、
    前記導波モードを光導波路Aから光導波路Bへ前記導波
    モードの中心光線の臨界角(=arcsin(βB/βA))付
    近で入射させ、前記テーパ状結合部で反射した光の光量
    分布の変化を、光導波路Aに形成された光検出器によっ
    て検出することにより前記光情報記録媒体からの焦点誤
    差信号を得るように構成したことを特徴とする焦点誤差
    信号検出装置。
  2. 【請求項2】光導波路Aと、光導波路Bと、光導波路A
    と光導波路Bを結合する導波層の膜厚がテーパ状に変化
    しているテーパ状結合部からなり、光情報記録媒体から
    の反射光を光導波路A,Bにおける伝搬定数がそれぞれ
    βA,βB(βA>βB)である導波モードとして励振し、
    前記導波モードを光導波路Aから光導波路Bへ前記導波
    モードの中心光線の臨界角(=arcsin(βB/βA))付
    近で入射させ、前記テーパ状結合部で反射した光を、再
    び前記テーパ状結合部と同じ構成のテーパ状結合部に前
    記臨界角と同じ臨界角付近で入射させることを少なくと
    も1回以上行ない、最終のテーパ状結合部で反射した光
    の光量分布の変化を、光導波路Aに形成された光検出器
    によって検出することにより前記光情報記録媒体からの
    焦点誤差信号を得るように構成したことを特徴とする焦
    点誤差信号検出装置。
  3. 【請求項3】光情報記録媒体からの反射光を光導波路に
    導波モードとして導く光導波路カップリング部と、前記
    光導波路における光導波路領域Aと光導波路領域Bと該
    光導波路領域AとBを結合する導波層の膜厚がテーパ状
    に変化しているテーパ状結合部と該テーパ状結合部で反
    射した光と屈折(透過)した光をそれぞれ検出する光検
    出器からなる焦点誤差信号検出部からなり、前記光導波
    路カップリング部でカップリングされた導波モード(光
    導波路領域A,Bにおける伝搬定数がそれぞれβA,βB
    でβA>βB)の両端(両外側)の光線が前記焦点誤差信
    号検出部におけるテーパ状結合部に入射角度arcsin(β
    B/βA)付近で入射するように焦点誤差信号検出部を二
    つ前記導波モードの中心光線に対して線対称な位置に構
    成し、前記二つの焦点誤差信号検出部における複数の光
    検出器によって検出された信号によって、光情報記録媒
    体からの焦点誤差信号を得ることを特徴とする光情報記
    録再生装置。
  4. 【請求項4】光情報記録媒体からの反射光を光導波路に
    導波モードとして導く光導波路カップリング部と、前記
    光導波路における光導波路領域Aと光導波路領域Bと該
    光導波路領域AとBを結合する導波層の膜厚がテーパ状
    に変化しているテーパ状結合部と該テーパ状結合部で反
    射した光と屈折(透過)した光をそれぞれ検出する光検
    出器からなる焦点誤差信号検出部からなり、前記光導波
    路カップリング部でカップリングされた導波モード(光
    導波路領域A,Bにおける伝搬定数がそれぞれβA,βB
    でβA>βB)の両端(両外側)の光線が前記焦点誤差信
    号検出部におけるテーパ状結合部に入射角度arcsin(β
    B/βA)付近で入射するように焦点誤差信号検出部を二
    つ平行な位置に構成し、前記二つの焦点誤差信号検出部
    における複数の光検出器によって検出された信号によっ
    て光情報記録媒体からの焦点誤差信号を得ることを特徴
    とする光情報記録再生装置。
  5. 【請求項5】光磁気情報記録媒体からの反射光を光導波
    路に導波モードとして導く光導波路カップリング部と、
    前記光導波路における光導波路領域Aと光導波路領域B
    と該光導波路領域AとBを結合する導波層の膜厚がテー
    パ状に変化しているテーパ状結合部と該テーパ状結合部
    で反射した光と屈折(透過)した光をそれぞれ検出する
    光検出器からなる焦点誤差信号検出部と、前記焦点誤差
    信号検出部と同じ構成で前記導波モードに対する位置関
    係が前記焦点誤差信号検出部と異なる光磁気信号検出部
    からなり、前記光導波路カップリング部でカップリング
    された導波モードの両端(両外側)の光束は、平行また
    は前記導波モードの中心光線に対して線対称な位置に構
    成された二つの焦点誤差信号検出部に導かれ焦点誤差信
    号を検出し、前記導波モードの中心光線付近の光束は光
    磁気信号検出部に導かれ、前記光磁気信号検出部におけ
    る光導波路領域Aを導波するTEモードとTMモードを
    前記光磁気信号検出部におけるテーパ状結合部において
    反射及び透過(屈折)により分離して前記光磁気信号検
    出部における複数の光検出器により検出し、該検出信号
    の差動により光磁気信号を検出することを特徴とする光
    磁気情報記録再生装置。
  6. 【請求項6】光磁気情報記録媒体からの反射光を光導波
    路に導波モードとして導く光導波路カップリング部と、
    前記光導波路における光導波路領域Aと光導波路領域B
    と該光導波路領域AとBを結合する導波層の膜厚がテー
    パ状に変化しているテーパ状結合部と該テーパ状結合部
    で反射した光と屈折(透過)した光をそれぞれ検出する
    光検出器からなる焦点誤差信号検出部と、該焦点誤差信
    号検出部に導かれる導波光の光路上に装荷される吸収性
    薄膜と、前記焦点誤差信号検出部と同じ構成で前記導波
    モードに対する位置関係が前記焦点誤差信号検出部と異
    なる光磁気信号検出部からなり、前記光導波路カップリ
    ング部でカップリングされた導波モードの両端(両外
    側)の光束は、前記吸収性薄膜によってTMモードが吸
    収された後、二つの焦点誤差信号検出部に導かれ焦点誤
    差信号を検出し、前記導波モードの中心光線付近の光束
    は前記光磁気信号検出部に導かれ、前記光磁気信号検出
    部における光導波路領域Aを導波するTEモードとTM
    モードを前記光磁気信号検出部におけるテーパ状結合部
    において反射及び透過(屈折)により分離して前記光磁
    気信号検出部における複数の光検出器により検出し、該
    検出信号の差動により光磁気信号を検出することを特徴
    とする光磁気情報記録再生装置。
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JPH05325215A (ja) 1993-12-10

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