JPH0388155A - 光学ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、光磁気効果を利用して情報記憶媒体から情
報を再生する情報記憶再生装置に係り、特にその光学ヘ
ッドの光学系の改良に関する。

（従来技術） 光磁気記憶媒体から光磁気効果を利用して情報を再生す
る情報記憶再生装置については、種々のタイプが知られ
、種々の提案がなされている。

例えば、特開昭５７−１６９９３４　（ＵＳＰ４４８２
８０３）或は、特開昭５８−５７０１３（ＵＳＰ４３５
８２００）には、光磁気効果を利用した情報記憶再生装
置の焦点ぼけ検出光学系が開示されている。この公報に
開示された光学系においては、一方の面にハーフミラ−
が形成された平行平板或は、楔プリズムが光源光路中に
配置され、ハーフミラ−で反射された光ビームが情報記
憶媒体に向けられ、情報記憶媒体から反射された光ビー
ムが平行平板或は、楔プリズムを透過され、更にこの透
過した光ビームに非点収差が与えられて光検出器で検出
される光学系が開示されている。

また、特開昭５８−１７１７Ｈ、特開昭５９−７７８４
９或は、ＵＳＰ４７７１４４には、一対の複屈折プリズ
ムがその光学軸が互いに直交するように接合され、この
複屈折プリズムに光ビームを通過させ、光ビームの互い
に直交する２つの偏光成分の進行方向を変化させて分離
するとともにこれを検出し、その検出された光強度の差
を再生信号として検出する光学系が開示されている。

（発明が解決しようとする課題） 特開昭５７−１８９９３４（ＵＳＰ４４８２８０３）或
は、特開昭５６−５７０１３（ＵＳＰ４３５８２００）
に開示された光磁気情報再生装置は、その焦点ぼけ検出
光学系を小型化できるが、焦点検出光学系とは、別途、
光磁気情報再生用の光学系を設けることが要求される。

従って、情報再生装置の光学系が複雑化し、装置自体と
しては大型化する問題がある。これに対して、特開昭５
８−１７１７８９　、特開昭５９−７７８４９或は、Ｕ
ＳＰ４７７１４４に開示された光磁気情報再生装置は、
情報再生用の光学系が開示されるのみで、焦点ぼけ及び
トラッキング検出光学系については何等開示されていな
い。このような情報再生装置に焦点ぼけ及びトラッキン
グ検出光学系を組み込む場合には、仮に再生用光学系と
して複屈折プリズムを用いた光学系が採用されたとして
も光学系が複雑化し、装置自体が大型化する問題がある
。

上述したように従来の光磁気効果を利用した情報再生装
置は、光学系が複雑化し、装置自体が大型化する問題が
ある。

この発明の目的は、光学系が小型化及び簡素化され、装
置自体を小型化することができる光磁気効果を利用した
情報再生装置を提供するにある。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明によれば、光源と、この光源からの光ビームを
反射するとともに情報記憶媒体からの光ビームを透過す
る無偏光光ビームスプリット層と、このビームスプリッ
ト層を透過された光ビームが導入される光学的異方性媒
体で作られ、光ビームを常光線と異常光線とに分離する
プリズム部材と、このプリズム部材からの常光線および
異常光線を検出する手段とから成ることを特徴とする光
学ヘッドが提供される。

（作用） この発明のフォーカス検出装置によれば、光学系が簡素
化及び小型化されることから、（１）光学系全体が軽量
化され、光学ヘッドを迅速に移動可能となり、情報のア
クセス速度が向上される。

（２）光学系が簡素化されることから、光学系の組み立
て調整が容易となり、装置自体のコストをも低減させる
ことができる。

（３）また、光学部品の点数を低減させることができる
ことからも、装置のコストを低く押さえることができる
。

（実記例） 第１図は、この発明の一実施例に係る光磁気効果を利用
した情報再生装置の光学系を概略的に示している。この
光学系においては、光源として略直線偏光光ビームを発
生する半導体レーザ２或は、光ビームを発生する半導体
レーザ２及び半導体レーザからの光ビームを直線偏光光
ビームに変換する偏光子（図示せず）の組み合せから成
る光源装置が用いられている。第１図において、情報が
記憶された光磁気記憶媒体、即ち、光磁気記憶用光ディ
スク１２に形成されているトラッキングガイドがＸ方向
に延出されているとすると、この光源からの光ビームは
、その偏光面がＸ軸或は、Ｚ軸に対して傾き、所定角度
をこれらの軸に対して成すように発生され、検出光学素
子１４に向けられる。

この検出光学素子１４は、第１及び第２の境界面１４Ａ
、１４Ｂを有し、第２図に示されるようにその一方が光
学的異方性媒体で作られ及びその他方が光学的等方媒体
で作られたプリズム部材４．６が第２の境界面１４Ｂを
介して接合され、このプリズム部材４の境界面１４Ｂに
対向する第１の境界面１４Ａ面には、第２図に示される
ように交点に光軸が通り、直交する区分線で区画された
第１及び第３象限に相当する領域が斜線で示すように光
速光層に形成されているマスク層８が形成され、更にこ
のマスク層８上にある特定の反射率及び透過率を有する
光反射透過層１０が形成されている。マスク層８及び光
透過反射層１０は、プリズム部材４の面上に真空蒸着或
は、スパッタリングにより積層形成されても良く、或は
一方の面に光透過反射層１０が形成され、他方の面にマ
スが形成されている平行平板、或は、一方の面に光透過
反射層１０及びマスク層８が形成されている平行平板が
プリズム部材４の面に貼合わされても良い。更に、第１
の平行平板にマスク層８が形成され、第２の平行平板に
透過反射層１０が形成され、これらが貼合わせれてプリ
ズム部材４の面に更に貼合わされても良い。光学的異方
性媒体としては、光学的なアライメントを比較的容易に
調整でき、プリズム部材４．６が光軸に対して傾いたと
しても特性が変化し難いことを考慮すると一軸性結晶が
好ましく、シかもこの媒体は、常光線よりも異常光線に
対して屈折率の大きな正結晶であることがより好ましい
。このような正結晶としては、人工的に人工的に製造で
きるルチル或は、水晶を用いることができる。

このような検出光学素子１４に入射された発散性の光ビ
ームは、その光反射透過層１０でその一部が反射され、
残る成分が検出素子１４内を透過される。検出素子１４
内に導入された光ビームは、光反射透過層１０．マスク
層８及びプリズム部材４を通過してその光強度が大きな
中心部分がプリズム部材４の側面に設けられた光検出器
１６に入射され、その光強度が検出される。この光検出
器１６からの検出信号は、半導体レーザ２の駆動回路（
図示せず）にフィードバックされ、半導体レーザ２から
発生される光ビームがこの検出信号に応じて制御される
。即ち、駆動回路において、検出信号が基準信号電圧と
比較され、その差信号電圧に応じた駆動電流が半導体レ
ーザ２に供給され、この半導体レーザ２が安定に駆動さ
れる。

光反射透過層１０で反射された発散性の光ビームの成分
は、対物レンズ１８によって情報記憶媒体１２上のトラ
ッキングガイド（図示せず）に向けて集束される。対物
レンズ１８が合焦状態に配置される際には、集束性の光
ビームのビームウェストが情報記憶媒体１２の反射面上
に投影され、最少ビームスポットがこの情報記憶媒体１
２の反射面上に形成される。対物レンズ１８がその先軸
に沿って合焦状態から僅かに情報記憶媒体１２に近付い
たり、或いは、情報記憶媒体１２から離れた非合焦状態
においては、集束性の光ビームのビームウェストが情報
記憶媒体１２の反射面上に投影されず、最少ビームスポ
ットよりも大きなスポットがこの光ディスク１２の反射
面上に形成される。情報記憶媒体１２から戻された発散
性の光ビームは、対物レンズ１８によって集束性の光ビ
ームに変換され、再び対物レンズ１８を介して検出光学
素子１４に向けられ、この素子１４の光反射透過層１０
においてその一部が半導体レーザ２に向けて反射され、
その残る部分がその内に進入される。

光反射透過層１０を通過した光ビームは、マスク層８で
その一部が遮光されてこのマスク層８を通過し、プリズ
ム４に導かれる。このとき、１８１の境界面１４Ａで屈
折され、更にプリズム６に入射され、更に第２の境界面
１４Ｂで屈折される。

プリズム４．６の一方が光学的異方性媒体で作られてい
ることから、光ビームは、′ｉｓ１或は第２の境界面１
４Ａ、１４Ｂで屈折される際に常光線２２Ａと異常光線
２２Ｂに分離されて異なる方向に向けられ、プリズム６
から表れたこれらの常光線及び異常光線は、光検出器２
０の異なる検出領域に向けられ、この°検出器２０によ
って検出される。

この実施例においては、常光線２２Ａを用いて焦点ぼけ
信号及びトラッキング信号が信号処理回路２４から発生
され、また、検出された常光線２２Ａ及び異常光線２２
Ｂの光強度の差が再生信号として信号処理回路２４から
発生される。焦点ぼけ信号に応じてボイスコイル１９が
駆動されて対物レンズ１８もしくは光学系全体が光軸方
向に駆動されて対物レンズ１８が合焦状態に維持され、
トラックッキング信号に応じて対物レンズ１８もしくは
光学系全体が情報記憶媒体１２のトラックを横切る方向
に駆動されて集光された光ビームでトラックが追跡され
、対物レンズ１８が合トラック状態に維持される。対物
レンズ１８が合焦状態及び合トラック状態に維持されて
いる間に検出器１６の検出領域から発生された検出信号
は、信号処理回路１８で処理されて情報記録媒体１２に
記録されている情報に対応する再生信号に変換され、信
号処理回路２４から発生されされた再生信号は、図示し
ない外部の表示装置等に再生情報として表示される。

媒体は、常光１１２２Ａ及び異常光１！２２Ｂに対する
屈折率が異なり、屈折率が大きな光線はど屈折角が大き
く、屈折角が大きければ大きいほど大きなコマ収差が光
線に与えられ、検出器２０上に形成されるビームスポッ
トに大きなコマ収差が表れることとなる。光検出器２０
上に形成されるビームスポットの形状変化を検出する検
出系においては、コマ収差が許容範囲を越えてビームス
ポットの形状変化に影響を与えると、焦点ぼけ検出特性
が劣化される。このことから、上述したように常光１１
２２Ａよりも異常光線２２Ｂに対する屈折率が大きな正
結晶が用いられることが好ましく、屈折率の小さな常光
線が焦点ぼけ及びトラックキング検出に用いられる。

第１図に示された検出光学素子１４のプリズム部材４．
６には、既に述べたように対物レンズ１８から集束性光
ビームが入射されるが、この集束性の光ビームは、第３
Ａ図及び第３Ｂ図に示すように検出光学素子１４のプリ
ズム部材４．６によって屈折されて集束点Ｐａ　、　Ｐ
ｂ’、　Ｐｃで規定される集束線に向かって集束される
。（第３Ａ図及び第３Ｂ図に於いては、説明の便宜上、
プリズム部材４．６を等価的に一つのプリズム体１１４
に置き換えている。また、上述したように常光線を用い
て焦点ぼけ及びトラッキングを検出することが好ましい
ことから、常光線のみに着目して図示している。

）現実には、集束性の光ビームを構成する光線Ｌａ、Ｌ
ｂ、Ｌｅは、夫々検出光学素子１４の第１の境界面１４
Ａ上の異なる入射点に入射されて屈折され、再度、検出
光学素子１４中の第２の境界面１４Ｂ上の異なる入射点
で屈折され、これを通過して出射面１４Ｃから出射され
る。このことは、検出光学素子１４のプリズム部材４．
６に等価なプリズム体１１４を側面方向から示した第３
Ｂ図において、光線Ｌａ　、　Ｌｂ　、　Ｌｃは、プリ
ズム体１１４の面１１４Ａ上の異なる入射点Ｒａ、Ｒｈ
、Ｒｅに入射され、このプリズム体１１４を通過して再
び面１１４Ｃで屈折されて検出器２４に向けられること
となる。

第３Ａ図及び第３Ａ図から明らか？ｊように、プリズム
体１１４中では、光１１１Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃは、物理的
距離Ａ、Ｂ、Ｃを有する即ち、異なる光路長を有する光
路を通って出射面１１４Ｃに達する。このことは、第３
Ａ図に示すように光線Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃは、光軸に沿っ
た異なる入射点Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃで面１１４Ａに入射さ
れることから、面１１４Ａで屈折されるに際して平面的
にも異な光路を通る光線Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃに分離される
こととなる。従って、光出射面１１４Ｃから表れた光線
Ｌａ　、　Ｌｂ　、　Ｌｃは、異なる集束点Ｐａ、　Ｐ
ｂ　、　Ｐｃに集束される。

第３Ａ図及び第３Ｂ図を参照して説明したように集束性
の光ビームは、検出光学素子１４によってコマ収差に近
い収差が与えられる。従って、光検出器２４の検出面が
第３Ｂ図に示すよう略光軸Ｏに対して直角な点Ｄａ　、
　Ｄｂ　、　Ｄａで規定される面に配置される場合には
、第４Ａ図、第４Ｂ図及び第４Ｃ図に示すような光ビー
ムスポットＳａ　、　Ｓｂ　、　Ｓｃが光検出器２４の
検出面に形成される。ここで、光検出器２４の検出面は
、その中心を通り、光軸Ｏ及び集束点Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ
に対して直角な分割線２６で上下の領域に区分され、ま
た、この分割線２６に直交する分割線２７によって、互
いに等しい面積を有する検出領域２４ａ〜２４ｄに区分
されている。このような検出器２４の配置において、対
物レンズ１８が合焦状態にある際に光検出器２４の検出
面の中心線が集束点ｐｂに一致され、光検出器２４の検
出面の僅か前方に集束点Ｐａが形成され、光検出器２４
の検出面の僅か後方に集束点ＰＣが形成される場合には
、光検出器２４の検出面の中心線上に集束点ｐｂに対応
する点状のスポットが形成される。また、集束点Ｐａか
らは発散性の光ビームが光検出器２４の検出面の上方の
領域２４ａ、２４ｂ入射されることからビームセグメン
トスポット５ａ−１が形成され、集束点Ｐｃに向かう集
束性の光ビームが光検出器１６の検出面の下方の領域２
４ｃ、２４ｄに照射されることからビームセグメントス
ポット５ａ−２が形成され、光検出器２４の検出面上に
は、全体として８字型の半分に相当する形状を有するビ
ームスポットＳａが形成される。これに対して、対物レ
ンズ１８が情報記憶媒体１２に近付づいた非合焦状態に
ある場合には、対物レンズ１８からの光ビームは、その
集束性が弱まることから、集束点Ｐａが光検出器２４の
検出面に近付き、集束点ｐｂが光検出器２４の検出面の
後方にシフトされ、また、集束点Ｐｃが光検出器２４の
検出面からより離れることとなる。

従って、第４Ｂ図に示すように光検出器２４の検出面の
上方の領域２４ａ、２４ｂに形成されるビームセグメン
トスポット５ｂ−ｔが合焦時のビームセグメントスポッ
ト５ａ−１に比べ小さく形成され、光検出器２４の検出
面の下方の領域２４ｃ、２４ｄに形成されるビームセグ
メントスポット５ｂ−２が合焦時のビームセグメントス
ポット５ａ−１に比べ大きく形成される。また、対物レ
ンズ１８が情報記憶媒体１２から遠ざかった非合焦状態
にある場合には、対物レンズ１８からの光ビームは、そ
の集束性が強まることから、集束点Ｐａが光検出器２４
の検出面からより離れ、集束点ｐｂが光検出器２４の検
出面の前方にシフトされ、また、集束点Ｐｃが光検出器
２４の検出面に近付くこととなる。従って、第４Ｃ図に
示すように光検出器２４の検出面の上方の領域２４ａ、
２４ｂに形成されるビームセグメントスポット５ｃ−１
が合焦時のビームセグメントスポット５ａ−１に比べ大
きく形成され、光検出器２４の検出面の下方の領域２４
ｃ、２４ｄに形成されるビームセグメントスポット５ｃ
−２が合焦時のビームセグメントスポット５ａ−２に比
べ大きく形成される。

第５図に示すように光検出器２４の検出領域２４ａ、２
４ｂは、第１の加算器３６に接続され、その検出領域２
４　ａ、２４ｂからの検出信号が第１の加算器３６で加
算される。また、光検出器２４の検出領域２４ｃ、２４
ｄは、第２の加算器３８に接続され、その検出領域２４
ｃ、２４ｄからの検出信号が第２の加算器３８によって
加算される。第１及び第２の加算器３６．３８からの加
算信号が作動増幅器４０に入力され、その差が増幅され
てフォーカス制御信号として発生される。第４Ａ図の説
明から明らかなように合焦時には、検出領域２４　ａ　
ｓ　２４　ｃからの検出信号が互いに等しく、また、検
出領域２４ｂ、２４ｄからの検出信号が互いに等しい。

従って、合焦時においては、作動増幅器４０から合焦を
意味するゼロレベルのフォーカス制御信号が発生される
。これに対して、対物レンズ１８が情報記憶媒体１２に
近付づいた非合焦状態にある場合には、検出領域２４ａ
、２４ｂからの検出信号を第１の加算器３６によって加
算した第１の和信号が検出領域２４ｃ、２４ｄからの検
出信号を第２の加算器３８によって加算した第２の和信
号に比べて小さくなり、作動増幅器４０から例えば、プ
ラスレベルのフォーカス制御信号が発生される。対物レ
ンズ１８が情報記憶媒体１２から遠ざかった非合焦状態
にある場合には、検出領域２４ａ、２４ｂからの検出信
号を第１の加算器３６によって加算した第１の和信号が
検出領域２４　ｃ、２４ｄからの検出信号を第２の加算
器３８によって加算した第２の和信号に比べて大きくな
り、作動増幅器４０から例えば、マイナスレベルのフォ
ーカス制御信号が発生される。

第５図に示すように情報記録媒体１２のトラックで光ビ
ームが回折されることによって光検出器２４の検出面上
に形成されるビームスポットＳａ中に暗部として回折パ
ターン４２が生じる。この回折パターン４２を検出する
為に第５図に示すように光検出器２４の検出領域２４ａ
、２４ｄは、第３の加算器４４に接続され、その検出領
域２４ａ。

２４ｄからの検出信号が第３の加算器４４で加算される
。また、光検出器２４の検出領域２４ｂ。

２４ｃは、第４の加算器４６に接続され、その検出領域
２４ｂ、２４ｃからの検出信号が第４の加算器４６によ
って加算される。第１及び第２の加算器４４．４６から
の第１及び第２の加算信号が作動増幅器４８に入力され
、その差が増幅されてトラック制御信号として発生され
る。情報記憶媒体１２のトラックが光ビームで正確に追
跡されている合トラック状態では、第５図に示されるよ
うに回折パターンが分割線２７に対して対称に生じる。

従って、第１及び第２の加算器４４．４６から等しいレ
ルの第１及び第２の加算信号が発生され、作動増幅器４
８からは、ゼロレベルのトラック制御信号が発生される
。これに対して、情報記憶媒体１２のトラックの中心か
ら光ビームが僅かに外れた弁台トラック状態では、回折
パターン４２は、光ビームスポットＳａ中で光検出器２
４の検出領域２４ａ、２４ｄ或いは、検出領域２４ｂ。

２４ｃのいずれかの側に僅かにシフトされる。従って、
第１及び第２の加算器４４．４６から異なるレベルの第
１及び第２の加算信号が発生され、作動増幅器４８から
は、プラス或いは、マイナスレベルのトラック制御信号
が発生される。

光検出８２４の検出領域２４．２４ｂ、２４Ｃｔ２４ｄ
は、第５図に示すように加算！１５０に接続されている
。情報記憶媒体１２上では、これに集束された光ビーム
が光記憶媒体１２のトラックに記録された情報即ち、磁
区の磁界の方向に応じてこの情報記憶媒体１２によって
入射された光ビームの偏光面が僅かに回転される。この
偏光面が回転された光ビームは、検出光学素子１４によ
って偏光面の回転に応じて即ち、記録された情報に応じ
て常光線及び異常光線に分離される。常光線は、既に説
明したように検出器２４の検出領域２４ａ。

２４ｂ、２４ｃ、２４ｄに入射され、異常光線は、検出
器２４の検出領域２４ｅに入射される。両光線の差を得
るために、加算器５０からの加算信号が検出領域２４ｅ
からの信号が比較器６２に入力される。従って、比較器
６２からは、再生信号が差信号として発生される。

上述した焦点ぼけ検出方法に於いては、下記のような理
由からも常光線を用いて焦点ぼけが検出されることが好
ましい。第５図に示すような検出ａ２４では、合焦時に
生じるビームスポットの短軸方向（Ｘ方向）に於けるス
ポットサイズが焦点検出感度に大きム影響を与えている
。従って、第１図に示される光学系では、Ｘ方向に於け
る収差が小さいことが好ましい。光学的異方性媒体を通
過する異常光線は、通過する方向によって屈折率が変化
し、その値の変化は、屈折率楕円体を横切る方向による
変化に対応していることが知られている。従って、異常
光線を用いて焦点ぼけを検出する場合には、異常光線に
収差が与えられ、焦点ぼけ検出の誤検出の原因となる。

これに対して、常光線では、光学的異方性媒体内でその
屈折率が常に一定であることから収差が与えられること
がなく、正確に焦点ぼけを検出することができる。

同様の理由からトラックキング検出も常光線を用いて検
出することが好ましい。即ち、検出器２４上の光ビーム
スポットの長袖方向（Ｙ方向）のビームスポットサイズ
が小さい場合、収差が大き過ぎると光路の途中で光線が
クロスしてしまい、いわゆるブシュプル法によってトラ
ッキングガイドを検出することができなくなってしまう
。ブシュプル法によるトラックずれ検出では、情報記憶
媒体１２から反射され、対物レンズ１８を通過下光ビー
ムの光強度パターン即ち、トラッキングガイドからの回
折パターンの強度変化を２つの光検領域で検出している
。通常、検出レンズを用いてスポットサイズを縮小して
小さな光検出器２４上に光ビームを投影するようにして
いるが、異常光線に大きな収差が生じ対物レンズ１８を
通過した光線が光路途中でクロスして検出器２４の反対
側の検出領域に入射されると、光検出８２４上でのパタ
ーンの強度分布が対物レンズ１８を通過した直後の光強
度分布とは異なり、トラックずれ検出信号の特性に劣化
が生じてしまう。従って、光検出器２４上の光パターン
の長袖方向（Ｙ方向）でのビームスポットサイズが小さ
く、光学的異方性媒体中を通過する異常光線の進行方向
による屈折率変化の影響で光検出器２４上でパターンの
強度分布が対物レンズ１８を通過した直後とは大きく異
なる場合には常光線のみを用いて焦点検出およびトラッ
クずれ検出を行なうことが好ましい。

第１図に示された光検出素子１４に於いては、光学的異
方性媒体及び光学的等方性媒体で作られたプリズム４．
６が用いられているが、プリズム４．６のいずれをも光
学的異方性媒体で作ることは、好ましくない。即ち、プ
リズム４．６のいずれをも光学的異方性媒体で作り、そ
の光学軸が互い直交するように配置する場合には、異常
光線と常光線に対して大きな分離角を与えることができ
るが、光学的異方性媒体で作られたプリズム内で分離さ
れた常光線及び異常光線が更に他の光学的異方性媒体で
作られた光学素子に進入されると、その光学素子の配置
により常光線が異常光線として働き、検出すべき光線に
上述したように収差が与えられ、焦点ぼけ検出の誤検出
の原因となるからである。

光検出器上の光パターンの長袖方向（Ｙ方向）でのスポ
ットサイズが大きく、異常光線の検出器２４上でのパタ
ーンの強度分布が対物レンズ１８を通過した直後に比べ
てそれほど変化していない場合には、常光線を用いて焦
点ぼけが検出され、異常光線を用いてトラックずれを検
出しても良い。

このような実施例では、第６図に示すように、異常光線
を検出する領域が２つに分離され、この検出領域２４ｅ
−１及び２４ｅ−２が夫々トラックずれ信号を発生する
比較器４８にプリアンプを介して接続されるとともに加
算器７０に接続されている。検出領域２４ｍ、２４ｃが
直接互いに接続され、プリアンプを介して比較器４０に
接続され、また、検出領域２４ｂ、２４ｄが同様に互い
に直接に接続され、プリアンプを介して比較器４０に接
続されている。第９図に示される回路は、第５図に示さ
れた回路と同様の動作で焦点ぼけ信号、トラックずれ信
号、情報再生信号及びプリフォーマット信号が発生され
るためその説明は省略する。

このような第９図に示す回路構成によれば、第５図に示
された回路に比べて回路を簡素化でき、部品点数を少な
くすることができる。

第１図に示した検出光学素子１４について考察する。検
出光学素子１４においては、情報を再生するために情報
記憶媒体１２からの光ビームを常光線及び異常光線に分
離しているが、この分離は、第１及び第２の境界面１４
Ａ、１４Ｂに於ける媒体の屈折率の差を利用している。

従って、第１及び第２の境界面１４Ａ、１４Ｂの成す角
が大きいほど、確実に光ビームは、常光線と異常光線に
分離することができる。第７図に示すように楔状のプリ
ズム７０を光線が通過した際の入射光線に対する射出光
線の偏角即ち、光線のふれ角δ−は、θ１■θ１°、θ
ｒ−θｒ°の際に最小になることが知られている。従っ
て、第８図に示されるように光軸に直角な面に対する入
射面の傾き角よりも射出面の傾き角を大きくすればする
ほど偏角６厘を大きくすることができる。このことから
第１図に示される光学系に代えて第９図に示されるよう
に光軸に直交する面に対する第２の傾き角が小さくなる
ように第２の境界面１４Ｂが配置され、また、光軸に直
交する面に対する第１の傾き角が第１の傾き角よりも大
きくなるように第２の境界面と同方向に第１の境界面１
４Ａが傾けて配置され、常光線と異常光線の分離角が大
きく定められることがより好ましい。

また、プリズム部材４．６のいずれかを構成する光学的
異方性媒体は、その光学軸（光学的異方性媒体のが有す
る屈折率楕円体の長袖として定義される。）が次のよう
ないずれかの条件を充足するように配置されることが好
ましい。

（１）光学的異方性媒体の光学軸がその光学的異方性媒
体を通過する常光線の進行方向に対して略直角に近い角
度で配置される。この光学軸が配置される方向或は、面
は、具体的には第１図に示される光学系に於いてＸ軸方
向あるいは、Ｙ−Ｚ面内が該当し、光学的異方性媒体中
を通過する常光線の進行方向に対して直角な方向として
として定義され、このような配置によって異常光線の媒
体に対する屈折率ｎｅを最も大きくすることができ、常
光線に対する媒体に対する屈折率ｎｏとの差を最も大き
くすることができる。従って、第１の境界面１４Ａが第
２の境界面対して成す角が比較的小さくとも常光線と異
常光線の分離角を十分に大きくすることができる。この
第１の境界面１４Ａと第２の境界面との成す角を比較的
小さくすることによって検出用光学素子１４の全体の厚
みを薄くすることができ、その結果、合焦時に光検出器
２４上に形成される光ビームパターンに生じるコマ収差
の量を十分に小さくすることができ、このコマ収差によ
って生じる焦点ぼけ特性の劣化を小さくすることができ
る。更に、検出光生家以内の光路長を短く留めることが
可能なことから、光学系全体のを小型化することができ
る。

（２）光学的異方性媒体の光学軸が第１の境界面１４Ａ
若しくは、第２の境界面に対して平行に配置される。光
学的異方性媒体でプリズム部材４．６のいずれかを製造
する際に第１及び第２の境界面１４Ａ、１４Ｂが研磨さ
れるが、光学軸が第１の境界面１４Ａ若しくは、第２の
境界面に対して平行に定めることによって光学的異方性
媒体の加工が容易であり、その製造性が向上され、部品
単体としてのコストを低減させることができる。第２の
境界面１４Ｂに対して光学軸を平行にする方法として光
学軸をＸ軸方向に定める方法と、Ｙ−２面内であってＹ
軸に対して４５度傾けられた方向に定める方法がある。

（３）光学的異方性媒体の光学軸が光透過反射層１０に
入射される光ビームのＳ偏光成分若しくは、Ｐ偏光成分
に対して４５度傾けて配置される。具体的には、この光
学軸がＸ−Ｙ面内において、Ｘ軸若しくはＹ軸に対して
４５度傾いた方向に定められる。半導体レーザ２から発
生されたレーザビームは、その断面形状が略楕円形状を
有し、情報記憶媒体１２上に形成される集光スポットも
また長軸及び短軸を有する楕円形に形成される。一般に
情報記憶媒体１２上での記録密度向上のためにその集光
スポットの長袖方向を情報記憶媒体１２のトラッキング
ガイドの延出方向に対して直角に定めることが要求され
る場合がある。半導体レーザ２では、一般に発生された
レーザビームの偏光面の方向は、活性層の延出方向に平
行であり、従って、情報記憶媒体１２から反射されたレ
ーザビームの偏光面は、光透過反射層１０に入射される
光ビームのＳ偏光成分若しくは、Ｐ偏光成分に対して平
行となる。この情報記憶媒体１２から反射された光ビー
ムを異方性記憶媒体１４においては常光線および異常光
線に分離するためには、光学軸が光透過反射膜１０に対
して４５度傾けて配置されていることが要求される。

（１）及び（２）の条件から媒体の光学軸は、第２の境
界面１４Ｂに入射される光ビームのＳ偏光方向に平行に
即ち、第１図の光学系では、Ｘ軸に平行に定められ、或
は、（３）の条件を充足することが好ましい。

第１図及び第９図に示された実施例においては、光学軸
は、Ｘ軸に平行に定められているが、この場合には、光
透過反射層１０に入射される光ビームのＳ偏光成分の方
向（Ｘ軸方向）が光学的異方性媒体に対する異常光線の
電気変位Ｄ８の方向に一致し、Ｐ成分の方向（Ｙ軸方向
）及び常光線の電気変位Ｄｏが同一のＹ−２平面内に定
められる。

合焦時に光検出器２４によって常光線及び異常光線が同
一強度として検出されるためには、レーザビームの偏光
面がＸ軸或は、Ｙ軸に対して傾けられて半導体レーザ２
からレーザビームが発生されることが要求される。ここ
で、半導体レーザ２から発生され、光透過反射層１０に
到達する前における光ビームのＳ成分（磁場の振幅成分
）及びＰ成分（電場の振幅成分）を夫々Ｉｓｅ　　及び
Ｉｐｅ　と定義し、光透過反射面１０におけるＳ偏光及
びＰ偏光の反射係数（振幅反射率）及び透過係数（振幅
透過率）を夫々Ｒｓ、Ｒｐ、Ｔｓ、Ｔｐとし、情報記憶
媒体１２の光反射率ｒ　とし、対物レンズ１８を往復通
過する際の光ビームの光強度減少率を１とし、光反射透
過層１０において反射透過時に生じるＳ偏光及びＰ偏光
成分間の位相ずれ量をδとすると、情報記憶媒体１２の
記録層が磁化されていない場合或は、記録層として非磁
性膜が用いられた場合において情報記憶媒体１２から反
射されて対物レンズ１８、光透過反射層１０及びマスク
層８を通過してプリズム４．６の光学的異方性媒体に導
かれた光ビームの常光線及び異常光線の振幅Ｉ　Ｏ，Ｉ
　Ｅは、下記式で表わされる。

ＩＥ−ｍＴｓ　　・１＊ｒ＊Ｒｓ　　−Ｉｓ　　ｍｅ”
″“）ＩＯ−Ｔｐ−１−Ｒｐ−１ｐ−ｅ）ｌｌＩ５従っ
て、常光線及び異常光線の光強度　ＩＩ　Ｅｌ”。

１ｌ−ｏｌ”Ｇよ　、下記式で表わされる。

ＩＩ　Ｅｌ’　−Ｔｓ”　＊　１’　　ｏ　ｒ２ｅ　Ｒ
ｓ’・Ｉ　ｓ’１ｘｏｌ”−ｒｐ’　　ｔ′Ｌ−Ｒｐ’
＃Ｉｐ”上述したように光磁気磁気効果を利用し、常光
線及び異常光線の光強度の差を再生信号として発生ずる
差動検出法に於いては、光強度　ＩＥ、１６が　ＩＥ−
Ｉ″０の条件を充足することによって最もＣ／Ｎ比を良
くすることができる。また、実験的には、ＩＩ　Ｅ１／
　　ＩＩ　０１　　の比がｌ／２から２．０の範囲では
、この差動検出法で比較的良好なＣ／Ｎ比を得ることが
できることが確認されている。更に、実験的には、ＩＩ
　Ｅｌン　ＩＩδ１１　　の比がｌ／４から４．０の範
囲であっても、この差動検出法によって信号検出が可能
であることが確認されている。従って、　比　ＩＩ　Ｅ
ｌ’／　　ＩＩδ１−　　Ｔｓ’Ｒｓ’Ｉ　ＳＬ／Ｔｒ
ＩＲ♂ｌ？として下記不等式が成立する。

１／４　ε　ＴｓＲｓ　Ｉ　ｓ／ＴｐＲｐ　Ｉｐ　　仁
４、０　・　・　・　・　・　・　（１）好ましくは、
下記不等式が成立する。

１／２　こ　ＴｓＲｓ　Ｉ　ｓ／ＴｐＲｐ　Ｉ　Ｉ）　
　土２．０◆・・◆・・（２） このような条件を充足するように光反射透過層１０の光
学的特性及び半導体レーザ２から発生されるレーザビー
ムの偏光面の方向が適切に選定される。即ち、（１）及
び（２）式を充足するように情報記憶媒体１２から反射
され、光学的異方性媒体で作られたいずれかのプリズム
部材４．８に進入されるレーザビームの偏光面ＩＲと常
光線の電気変位Ｉｏの方向が成す角θが第１０図に示す
ように下記不等式を充足することを意味している。

ｔ　　ａ　　ｎ−’ＥＴ４　　　＜　　　　θ　　　＜
　　ｔ　　ａ　　ｎＷ若しくは、 ｊ　　ａｎ’１７７Ｔ　　　＜　　　　０　　　　＜　
　ｔ　　ａｎ’ｆｆ差動検出法に於いては、情報記憶媒
体１２上で常光線及び異常光線に対する光強度変化ΔＩ
Ｉ’ｃ）Ｉ２Δ　ｌ　Ｉ　Ｅｌ’がほぼ等しいことが好
ましい。ここで、（１）及び（２〉式に於いて、ＴＳ　
ＴＰ及びＲ８ＲＰが成立し、しかも、ｌ５ｚＩＰに設定
すれば、　ΔＩＩイｃΔＩＩＥＩ’が成立される。光強
度変化Δｌｌ６１１、Δ　ＩＩＥｌをほぼ等しくする場
合に於いて、ＴＳとＴＰとの値が大きく異なる場合、或
は、Ｒ８とＲＰとの値が大きく異なる場合には、ＩＳと
ＩＰの値をＴＳＳＴＰ或は、Ｒ８，ＲＰの値に関係して
大きく異ならせることが必要になるが、ＩｓとＩＰの値
を異なるように光学系を設計する場合には、半導体レー
ザ２の調整が僅かに狂うと、レーザービームの偏光面が
回転され、ＩＳ及びＩＰの値が設定値から外れ、上述し
た条件を充足できない虞がある。これに対して、光透過
反射層１０がＴ　Ｓ、Ｔ　Ｐ及びＲＳ、ＲＰを充足し、
しかも、ｌ５ＩＰに設定される場合には、半導体レーザ
２の調整が僅かに狂ってレーザービームの偏光面が回転
されても、再生信号の劣化を僅かに留めることができる
。

以上のように光反射透過層１０として無偏光ビームスプ
リット層が用いられ、半導体レーザ２からの光ビームの
偏光面を常光線及び異常光線が検出された際に両者が等
しくなるように定めることによって再生回路の安定化を
図ることができしかも光学系の組み立て調整時の許容度
を大きく設定することができる。

第１図或は、第８図に示された光学系に於いては、光透
過反射層１０として無偏光ビームスプリット層が用いら
れているが、半導体レーザ２から発生されたレーザビー
ム或は、半導体レーザ２から発生され、偏光−子（図示
せず）を通過した直後のレーザビームの偏光面は、゛光
学系の光軸の周りで第１図或は、第８図に示された光透
過反射層１０の入射面の傾き方向に対して４５度回転さ
れ、光学的異方性媒体内において常光線の電気変位Ｄｏ
１若しくは、異常光線の電気変位Ｄｅの方向に対して４
５度傾けられることとなる。既に説明した条件としての
光透過反射層１０をＴ　ＳｒＴ　Ｐ及びＲ８ｒＲＰが充
足されるように設計することは、可能であるが、厳密に
ＴＳ−ＴＰ及びＲ８−ＲＰが充足されるように設計する
ことは、困難である。

第１図及び第９図に示される光学系に於いては、第１及
び第２のプリズム４．６の一方が光学的異方性媒体で作
られ、その他方が光学的当方媒体で作られているが、こ
れは次のような理由に基づいている。光学的異方性媒体
で作られている楔状プリズム中を通過した平行光ビーム
が集光レンズで集光されて光検出器に入射される場合に
は、光学的異方性媒体で作られた楔プリズムのみで常光
線と異常光線とを確実に分離することができる。然なが
ら、単に集束性光ビーム、場合によっては、発散性光ビ
ームが光学的異方性媒体で作られた楔プリズムのみを通
過して光検出器に入射される場合には、光検出器上で常
光線及び異常光線が形成する各々のビームスポットが長
くなりすぎ、互いに重なり合ってしまう虞がある。互い
にビームスポットが重なり合わないように光学的等方媒
体で作られたプリズムが配置されている。この光学的等
方媒体で作られたプリズムによって適切な大きさでビー
ムスポットが短く形成され、そのビームスポットが検出
器上で確実に分離され、その一方のビームスポットを検
出することによって確実に焦点ぼけが検出される。一般
に光路上に傾けて配置された平行平板に光ビームが、入
射される場合においては、入射光ビームと射出光ビーム
とは、平行な関係を維持している。従って、第１図或は
、第８図に示された検出素子１４の第１の境界面１４Ａ
及び第２の検出素子１４Ｂが平行に配置されている場合
には、合焦時に於ける光検出器２４上には、比較的小さ
なビームスポットが形成される。

これに対して、常光線及び異常光線の向きを変えてそれ
らの間の間隔を広げる為に第１および第２の境界面の成
す角を大きくすると、両光線によって形成されるビーム
スポットが長く形成され、互いに重なり合う虞がある。

このことから、第１の境界面１４Ａに対して光射出面１
４Ｃが成す角に比べて第２の境界面が成す角が大きく設
定され、光入射面としての第１の境界面１４Ａと光射出
面１４Ｃとがほぼ平行に近付くように配置されるととも
に第１の境界面１４Ａと第２の境界面１４Ｂとが分離光
学系を構成するに十分な角が両者の面に与えられ、確実
に光ビームを常光線及び異常光線に分離するとともに両
光線によって形成されるビームスポットが小さく形成す
るようにしている。

第１図および第２図に示される光学系においては、第１
のプリズム４が光学的異方性媒体で作られ、第２のプリ
ズム６が光学的等方性媒体で作られていることを想定し
ているが、明らかなように第１のプリズム４が光学的等
方性媒体で作られ、第２のプリズム６が光学的異方性媒
体で作られても良い。更に、第１図及び第２図に示され
る光学系に於いては、一対のプリズムを組み合わせた例
について示されているが、検出光学素子１４は、一対の
プリズムに限らず、光学的異方性媒体及び光学的等方性
媒体で作られた複数のプリズムが組み合わされた積層構
造であっても良い。プリズム４．６は、互いに接着材、
例えば、紫外線硬化型接着剤よってその面が接合されて
固定されても良く、或は、その面が互いに接触されるの
みでその周辺が接着剤或は、ねじ等の機械的部材で固定
されても良い。

第１図および１９図に示された検出光学素子１４は、光
検出器１６は、シリコンチップがパッケイジ内に配置さ
れたＰＩＮ構造のものが採用され、これがプリズム部材
４の側面に固定されているが、これに限らず第１１図に
示されるように光検出器１６がプリズム部材４の側面か
らプリズム部材６の面に亙って設けられても良い。尚、
第１１図において符号７２は、検出光学素子１４によっ
て常光線に与えられる虞があるコマ収差を補正するコマ
補正板を示している。このように検出器１６が配置され
る場合には、この検出器１６は、膜構造に形成されるこ
とが好ましい。即ち、形成すべき面上に下地としてネサ
膜等の透明導電層膜が形成され、この上にアモルファス
シリコンによってＰ−Ｎ接合構造が形成されて光検出器
が形成されている。また、この構造としてＴｅ−Ｃｄｓ
　ｓ或は銅フタロシニン等の有機光導電膜等から成る光
導体膜がネサ膜等の透明導電膜とＡＩ或は、Ｃｕ等の導
電膜で挟持された積層構造に形成されても良い。光検出
器１６は、その構造に拘らず、反射特性を有し、入射し
た光ビームの一部がこの検出器１６で反射され、この反
射光ビームが半導体レーザ２或は、光検出器２４に入射
され、半導体レーザ２の動作が不安定になったり、或は
、光検出器２４から発生される信号にノイズが混入され
る虞がある。このように光検出器１６からの反射光ビー
ムが光検出器２４或は、半導体レーザ２に向けられこと
を抑制するために光検出器１６が設けられるプリズム４
．６の面は、乱反射面即ち、粗面に形成されることか好
ましく、光検出器１６からの反射ビームの光路を半導体
レーザ２から光検出器１６に向かうレーザビームの光路
とは、異ならせるとともに情報記憶媒体１２から光検出
器２４に向かう光路即ち、検出光学素子１４内の常光線
および異常光線の光路とは異なるように光学系が構成さ
れることが好ましい。例えば、検出器１６の面が対物レ
ンズ１８及び検出光学素子１４を通る光軸に略平行に配
置することによって光検出器１６から反射された反射光
ビームは、半導体レーザ２から光検出器１６に向かうレ
ーザビーム及び検出光学素子１４内の常光線及び異常光
線とは異なる方向に向けられることとなる。

検出光学素子１４のマスク層８は、遮光領域から反射さ
れた光線が迷光として情報記憶媒体上に不必要な集光ス
ポットを形成することを防止するために光吸収部材で作
られた遮光領域を有することが好ましい。この遮光領域
が僅かに反射特性を有し、この領域に入射された入射光
を僅かに反射する場合に於いても、反射光線の光強度は
、入射光線の光強度の１／１０以下に留められるべきで
ある。従って、この遮光領域は、光反射率が１０％以下
の光吸収部材で作られることが要求される。

また、この遮光領域が光吸収部材で作られる場合に於い
て、この光吸収部材が僅かに光を透過する性質を有する
際には、この光吸収部材の光透過率は、２０％以下であ
ることが好ましい。これは、光吸収部材を透過した光線
が検出器２４で検出されて焦点ぼけ検出感度が劣化され
るが、この検出感度の劣化は、８０％程までは許容され
るからである。このマスク層８は、例えば、リフトオフ
方で作られる。即ち、第１の境界面１４Ａ上にフォトレ
ジスト層が形成され、この上にマスクパターンが配置さ
れ、露光現像してネガパターンが形成される。このネガ
パターンの上に光吸収層が形成された後、溶剤によりフ
ォトレジスト層が除去されて所望のマスク層８が形成さ
れる。このような構造のマスク層８では、光遮蔽領域以
外の領域が光透過領域に規定され、この領域は、直接節
１の境界面１４Ａが露出され、この露出された光透過領
域上に光反射透過層即ち、無偏光スプリット層１０が形
成される。

第１図及び第９図に示された光学系においては、光学的
異方性媒体として水晶或は、ルチル等の材料で作られる
ものとして説明したが、これら水晶或はルチル等の材料
は、色分散を有し、正のアツベ数を有し、通過する光線
の波長が短くなるとその光線の受ける屈折率が増加する
性質を有することから、光学的異方性媒体を通過したレ
ーザビームは、常光線に限らず異常光線であっても波長
が僅かに変化されても、屈折後の光線の進行方向が変化
される。そのために、半導体レーザ２から発生されるレ
ーザビームの出力変化にともない生じる波長変動により
光検出器２４上で光パターンの中心が移動し、焦点ぼけ
及びトラックずれ検出に対して悪影響を及ぼしてしまう
虞がある。この発明によれば、光学的異方性媒体及び光
学的等方性媒体が接合された構造を有する検出用光学素
子１４においては、上述したように常光線と異常光線と
の分離角を大きく設定するとともに光検出器１４上で長
手方向のスポットサイズを小さくして２つのスポットサ
イズを小さくして２つのスポット間の重なりを防ぐとと
もにレーザービームの波長の変動路に光学的異方性媒体
を通過したレーザビームの進行方向の偏光方向と光学的
等方媒体を通過したレーザの偏光方向が互いに逆になる
ように構成し、レーザービームの波長変動に対して光学
検出用光学素子１４を通過したの後のレーザビームの進
行方向変化を相殺するようにしている。ルチル或は、水
晶と同じく一般の光学ガラスも正のアツベ数（波長が短
くなると屈折率が高くなる。）を有するので、光学的異
方性媒体と光学ガラス等からなる光学的等方性媒体の横
方向を反対にすることによって上述した相殺効果を得る
ことができる。即ち、第１図において、光学的異方性媒
体両側の第１の境界面１４Ａと第２の境界面１４Ｂのな
す楔角と、光学的等方媒体両側の第２の境界面１４Ｂと
第３の境界面１４Ｃの作る楔角の方向を反対にするする
ことによって達成される。光学的異方性媒体として水晶
を選定した場合には、水晶の色分散は、比較的小さいこ
とから、アツベ数の大きな光学ガラスであるＢＫ７系或
は、ＢＫ系、ＰＫ系、ＦＫ系のものが光学性等方性媒体
の材料として適していると考えられる。これに対して、
ルチルは、屈折率が大きく、また、波長変化による屈折
率変動も大きいのでアツベ数が少なく、且つ屈折率の大
きなＬａ５Ｆ系の光学ガラスが光学的等方性媒体の材料
として最適であり、その他としてＳＦ系、ＬｃＦ系、Ｂ
ａ５Ｆ系が適していると考えられる。

上述した実施例では、光反射透過層５０として無偏光ビ
ームスプリッタ層が用いられ、光学的異方性媒体の光学
軸は、第１の境界面１４Ａに対してＳ偏光方向（第１図
に示されるＸ方向）に定められ、半導体レーザ２から発
生されたレーザビームの偏光面は、Ｘ軸及びＺ軸に対し
て夫々４５度傾けるように光学系が配置されている。半
導体レーザから発生されたレーザビームは、一般に楕円
形状のビーム断面を有し、その偏光面は、通常、その楕
円の短軸に平行に定められる。第１図に示される光学系
においては、マスク層８の２つの直交する境界線は、そ
れぞれＸ軸及びＹ軸に平行に定められているため、情報
記憶媒体１２から反射された対物レンズを通過した後の
光ビームの断面は、楕円状強度分布を有し、その長袖は
、マスク層の２つの境界線に対して４５度傾けられてい
る。

この発明の実施例においては、第１２図に示すようにこ
の楕円状強度分布の長軸りは、マスク層８の光透過領域
を横切るように配置されている。これにより、長袖方向
りを光吸収領域を横切るように配置した場合に比してマ
スク層８を通過する光ビームの光強度が増加し、再生信
号のＣ／Ｎ比を向上させることができる。

更に上述した実施例においては、光反射透過層として無
偏光ビームスプリッタ層が用いられているが、この発明
の他の実施例としてこの光反射透過層が偏光特性を有し
、光磁気型の検出信号のＣ／Ｎ比を向上させる光学系に
しても良い。この他の実施例に於ける光反射透過層の偏
光特性としてＳ偏光の反射率を８０％以上（望ましくは
、１゜０％）、透過率を２０％以下（望ましくは、略０
％）とし、Ｐ偏光の反射率を５０％から９０％、また、
透過率を５０％から１０％とし、半導体レーザ素子から
発生された直後のレーザビームの偏光方向を２軸方向に
合わせている。他の方法として、Ｐ偏光の反射率を８０
％以上（望ましくは、１００％）、透過率を２０％以下
（望ましくは、略Ｏ％）でＳ偏光の反射率を５０％から
９０％、透過率を５０％から１０％として半導体レーザ
２からの発生直後のレーザ光の偏光方向をＸ軸方向に合
わせる方法がある。いずれの実施例においてはも、ｚＩ
ｄ１力向からみてＸ−Ｙ免状に投影した時の光学的異方
性媒体の光学軸の方向は、Ｘ軸およびＹ軸に対して４５
度傾けられる。即ち、上述した光学的異方性媒体の光学
軸の定め方は、（１）及び（２）の条件を満たし、光学
軸の方向は、第１の境界面に平行で且つＺ軸の方向から
みてＸ−Ｙ面上に投影した時の方向がＸ軸及びＹ軸に対
して４５度傾けられている。

この発明は、第１図および第９図に示される焦点ぼけ検
出系に限らず、従来、既知の焦点ぼけ検出光学系に適用
されてもよい。第１１図は、焦点ぼけ検出光学系として
非点収差法を採用した実施例が示されている。この実施
例においては、２つの光学的異方性媒体４．６を重ね合
わせ非点収差を発生させるとともに信号検出用にレーザ
ビームが常光線と異常光線とに２分割されている。この
光学系においては、非点収差とともにコマ収差も同時に
発生されるが、このコマ収差は、コマ収差補正用の傾斜
平行平板３７を光ビームが通過することによって除去さ
れる。合焦時には、第１３図に示すようなパターンが光
検出器２４上に形成される。この光検出器２４は、互い
に直交する区分線により区分された検出領域２４ａ、２
４ｂ、２４ｃ、２４ｄを有し、情報記憶媒体上のトラッ
キングガイドの像４２は、検出器２４上に一方の区分線
に沿ったＴで示される方向に形成される。この光検出器
２４においては、既に知られるように検出領域２４ａ、
２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ、２４ｅからの出力を夫々Ａ、
Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅとすると、焦点検比信号は、は、（Ａｒ
ｃ）−（ＢＡＤ）から、トラックずれ検出信号は、（Ａ
＋Ｄ）−（Ｂ４Ｃ）から、更に光磁気効果を利用した再
生信号は、（＾十Ｂ十〇＋Ｄ）−Ｅで与えられる。

更にまた、焦点ぼけ検出方法としてナイフェツジ法を採
用した実施例が第１４図に示されている。

この実施例においては、第１図に示された実施例とは叉
なり、第１の境界面と第３の境界面とが略平行に形成さ
れている。これにより、合焦時には、光検出器２４上に
幅が小さな光パターンが形成され、ナイフェツジ法によ
る焦点ぼけ検出感度が向上される。マスク層８は、光学
的等方媒体で作られたプリズム部材４と光学的異方性媒
体で作られたプリズム部材６との間の第２の境界面内に
形成され、これにより、検出用光学素子１４の製造性を
より向上させることができる。マスク層は、第１５図に
示すように光透過領域８Ａと光吸収領域８Ｂからなり、
合焦時において光検出器２４の検出領域２４ａ、２４ｂ
、２４　ｃ、２４ｄ上には、第１６図に示す形状を有す
る光パターンが形成される。光検出器２４の検出領域か
らの出力信号を夫々Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅとすると、焦点
検出信号は、（＾十Ｂ）−（Ｃ＋Ｄ）から、トラックず
れ検出信号は、（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ４Ｃ）及び光磁気効果
を利用した信号検出に関しては、（＾十Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）−
Ｅから得られる。

上述した光学系においては、光磁気効果を用いた信号検
出用にレーザ光を分割する方法として検出用光学素子１
４内に光ビームを通過させていが、第１７図、第１８図
及び第１９図に示されるように反射系の光学素子であっ
ても良い。即ち、光学的異方性媒体で作られたプリズム
部材６の一方の端面でレーザビームが全反射される。プ
リズム部材６が模型形状に形成されていることから、反
射面に対向する面に配置された光学的等方性媒体で作ら
れたプリズム４に接合している端面でレーザビームの入
射及び射出時の屈折を利用して常光線と異常光線に分離
される。

第２０図から第２４図に示されるように光学的等方媒体
で作られた例えば、ＢＫ−７等からなる光学ガラスで作
られた光路変換プリズム８０を光路の途中に配置し、光
路を曲げることにより光学系全体の高さを低下させるこ
とができる。第２０図及び第２１図に示すようにこの光
路変換プリズム８０を検出用光学素子１４と接合して一
体化することによって光学系をより小型化することがで
きる。第１０図に示される実施例においては、マスク層
８は、光路変換プリズム８０と検出用光学素子１４との
接合部に設けられず、プリズム４および６との間の接合
部に形成されている。また、第２３図及び第２４図に示
される実施例においては、その一方が光路変換プリズム
として働く２つの光学的等方媒体の間に無偏光ビームス
プリッタ層１０が形成されている。この実施例において
は、マスク層８を有さす、シリンドリカルレンズ７８を
用いた非点収差法により焦点ぼけが検出される。

上述した光学系においては、光源としての半導体レーザ
２、対物レンズ１８、光検出器２４、及び検出用光学索
子１４が分離されて配置されているが、第１９図及びｍ
２４図に示すように集光手段１８および半導体レーザ２
が近接して配置され、一体適に構成され、光学系の小型
化が図られてもよい。第２５図は、半導体レーザ２およ
び集光手段１８を一体化した組み立て図を示し、その分
解斜視図が第２６図に示されている。半導体レーザ２の
支持手段、集光手段１８の支持手段、及び半導体レーザ
２のヒートシンクが熱伝導性の良い金属部材、例えば、
鉄系、アルミ系、または、熱膨張の低いアンバーから成
る支持部材９４で形成され、酸化或は、吸湿によって半
導体レーザ２の劣化を防止するためにハーメチックシー
ル用ガラス９６．９８によって覆われている。光反射透
過層１０から反射されたレーザビームが集光手段の光軸
に一致するように半導体レーザ２のチップをマウントす
る面９１は、滑らかに形成されている。

組み立て順序は、始めに半導体レーザチップ２が面にマ
ウントされ、支持部材９４の両側にハーメチックシール
用ガラス板９６．９８が乗せられてハーメチックシール
され、最後に支持部材９４に集光部材、即ち、対物レン
ズ１８が接着される。

このような構造によりより装置を小型化することができ
る。

［発明の効果〕 この発明によれば、光学系が小型化及び簡素化され、装
置自体を小型化することができる光磁気効果を利用した
情報再生装置が提供される。

即ち、この発明によれば、（１）光学部品点数が減少さ
れ、生産性及びコストを低減させることができる。（２
）光学系全体が小型化され、系軽量となり、高速でアク
セスを実現することができる。

（３）光学的異方性を有する媒体と光学的に等方な媒体
を接合して光学的異方性媒体の一方の境界面の傾きを大
きく設定し、光学異方性媒体および光学的等方性媒体間
の境界面の傾きを小さく設定して検出用光学素子を構成
することにより、常光線と異常光線との分離角を大きく
することができ、光検出器上のスポットサイズを小さく
でき、さらには、光学的異方性媒体によって色収差を軽
減することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例に係る光磁気効果を利用
した情報再生装置の光学系を概略的に示し、第２図は、
第１図に示された検出用光学素子を示す斜視図、第３Ａ
図及び第３Ｂ図は、第１図に示された検出光学素子中の
光線軌跡を示す平面図及び側面図、第４Ａ図、第４Ｂ図
及び第４Ｃ図は、夫々合焦状態及び非合焦状態における
第１図に示された検出器の検出面上に生じる光ビームス
ポットパターンを示す平面図、第５図および第６図は、
第１図に示された信号処理回路の回路例を示すブロック
図、第７図および第８図は、第２図に示された検出用光
学素子のプリズムの機能を説明する説明図、第９図は、
この発明の他の実施例に係る光磁気効果を利用した情報
再生装置の光学系を概略的に示し、第１０図は、第２図
西召された検出用光学素子内における常光線および異常
光線の関係を示すベクトル図、第１１図から第２６図は
、この発明の他の実施例に係る光磁気効果を利用した情
報再生装置の光学系及びその検出器を概略的に示してい
る。 ２・・・半導体レーザ、４．６−・・プリズム部材、８
・・・マスク層、１０・・・光透過反射層、１２・・・
情報記憶媒体、１４．２４・・・検出用光学素子、１６
・・・検出光学素子、１８・・・対物レンズ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）光源と、この光源からの光ビームを反射するとと
   もに情報記憶媒体からの光ビームを透過する無偏光光ビ
   ームスプリット層と、このビームスプリット層を透過さ
   れた光ビームが導入される光学的異方性媒体で作られ、
   光ビームを常光線と異常光線とに分離するプリズム部材
   と、このプリズム部材からの常光線および異常光線を検
   出する手段とから成ることを特徴とする光学ヘッド。