JPH04102239A - 光学ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光学ピックアップ装置に関するものであり、
特に、半導体レーザからの光ビームを光学式ディスクプ
レーヤなどの記録媒体に入射させ、記録媒体からの反射
ビームを光検出器に導・（二とにより、情報の記録再生
を行う光学ピックアップ装置に関するものである。

［従来の技術］ 半導体レーザからの光ビームを記録媒体に入射させ、記
録媒体からの反射ヒームを光検出器に導いて記録媒体に
記録された情報の読み取りを行う光学ピックアップ装置
の一例として、特開昭６３−３０６５４８号公報に記載
されたものかある。

第１θ図は、この公報に記載された光学ピックアップ装
置の構成を示す図である。第１０図から明らかな通り、
半導体基板２Ｉ内に第１及び第２の光検出器２３．２４
を形成すると共に、半導体基板２１の表面に、錫半田に
よる半田付けによって半導体レーザ素子２２を取り付け
、半導体基板２１の表面を、半導体レーザ素子２２を取
り付けている部分を除いて５ｉ０２保護膜２５．２６に
よって覆う。更に、基板２１上に、第１及び第２の光検
出部２２．２３を覆うように、接着剤２７を介してプリ
ズム２８か固定されている。プリズム２８の半導体レー
ザ２２に対向する面２８ａは、半導体基板１の表面に対
して傾斜しており、この傾斜面２８　ａには先手透過反
射膜か形成されている。半導体レーザ素子２２の端面２
２ａから発せられたレーザ光は傾斜面２２　ａにて記録
媒体３０側へ反射され、対物レンズ２９を介して記録媒
体３０へ入射する。記録媒体３０にて反射された反射光
は対物レンズ２９を介して傾斜面２８ａに入射し、傾斜
面２８ａを透過して、プリズム内へ入る。この透過した
光ビームのほぼ１／２か第１の光検出器２３に入射し、
残りのほぼ１／２の光ビームは、第１の光検出器２３て
反射して、プリズム２８内を通過して、プリズム２８の
上側表面２８ｂて反射する。この反射光はプリズム２８
内を更に通過して第２の光検出器２４に到達する。

第１及び第２の光検出器２３．２４それぞれから記録媒
体３０からの反射レーザビームの検出出力信号を得て、
この信号に基づいて、情報読み取り信号、トラッキング
エラー信号、フォーカスエラー信号等が形成される。

第１Ｏ図から明らかな通り、この従来の装置は、半導体
レーザ２２から発せられた光ビームか、傾斜面２８　ａ
で反射され、記録媒体３０上の記録トラックで収束され
て、ジャストフォーカス状態にあるとき、傾斜面２８ａ
を透過する反射光ビームは、プリズム２８内に形成され
る第１の光検出器２２から第３の光検出器２３に至る光
路上のほぼ中間位置、すなわちプリズム２８の上側表面
２８ｂて集束する構造となっている。

［発明か解決しようとする課題］ 上述した従来の光学ピックアップの構造においては、半
導体基板２１に設けた２つの光検出器２３．２４を位相
共役となるように配置する必要かあるため、半導体レー
ザ２２のレーザ発光面２２ａとプリズム２８の傾斜面２
８ａ（半透過反射膜面）との距離を、光学光路長である
半透過反射膜面２８ａから第１の光検出器２３まての光
路長と第１の光検出器２３からプリズム２８の上側表面
２８ｂまての光路長どの和に等しいものとする必要かあ
る。したかって、これらの光路長によって、半導体レー
ザ４とプリズム７との位置関係か決まり、第１光検出器
２と半導体レーザ４との間に、光学光路長に応じた距離
を設ける必要かあるため、装置をコンパクトにするに当
たり制約があった。

また、半導体レーザ２２は、半導体基板２１上に錫半田
３１で接合するようにしているため、位置決めか難しい
上に、半導体レーザ２２には端面発光型のレーザ素子を
使用しており、レーザ光は傾斜面２８ａに向けて入射す
る構造であるため、発光点のバラツキに合わせて位置決
めを行わないと光学的オフセットか生じてしまう。

更に、記録媒体３０の記録トラックにレーザ光ビームか
ジャスト・フォーカス状態て入射したとき、プリズム２
８内に形成される第１の光検出器２３から第２の光検出
器２４に至る光路上における中間位置、すなわち、プリ
ズム２８の上側表面２８ｂに集束点を有する構造である
ため、プリズム２８の上側表面２８ｂに埃等が付着する
と、二の埃等により散乱光か発生し、２つの光検出器の
出力に差か生じることとなり、ツーカスオフセットか発
生し易いという欠点かあった。したがって、組み立て時
に、埃等が付着しないように細心の注意を払う必要があ
る。

本発明は、このような従来の光学ピックアップ装置の欠
点を改良し、小型化できるとともに、光学ピックアップ
装置を構成する各素子の位置決めか容易であり、更に情
報検出精度かプリズム表面に付着した埃等に影響される
ことのない光学ピックアップ装置を提供しようとするも
のである。

［課題を解決するための手段及び作用］上記課題を解決
するために、本発明の光学ピックアップ装置は、レーザ
光源から出射されたレーザ光をプリズムと対物レンズと
を介して記録媒体に照射し、この記録媒体で反射された
反射光を前記対物レンズ及び前記プリズムを介して前記
光検出器で受光するように構成した光学ピックアップ装
置において、前記レーザ光源を面発光レーザとし、この
面発光レーザと前記光検出器とを共通基板の表面内に配
置し、二の共通基板の表面上に前記プリズムを配置し、
前記面発光レーザのレーザ発光面及び前記光検出器の受
光面がそれぞれ前記プリズムの平面と対向するように前
記プリズムを配置したことを特徴とするものである。

上述した通り、本発明では、半導体レーザとして面発光
レーザを使用して、基板面から垂直にレーザ光を出射す
るように構成し、該面発光し−サと光検出器とを同一基
板の表面内に配置して、この面発光レーザのレーザ出射
面と光検出器の受光面とがそれぞれプリズムの平面と対
向するように構成している。二のように、面発光レーザ
を基板表面内に配置して、レーザ発光面の上にプリズム
を載置するようにしているため、半導体レーザと光検出
器との距離を近付けることか可能てあり、従って、装置
全体を小型化することかできる。また、レーザ光はプリ
ズムの平面に垂直に入射するため、レーザ素子の発光点
のバラツキによって光学的オフセットか生じることかな
い。半導体レーザ素子は、基板表面内に配置しているた
め、その位置決めか容易になる。更に、記録媒体で反射
された反射光は、光検出器に入射するまでの中間位置で
は集束しないため、プリズム表面についた埃等の影響で
光学的オフセットか生じる二とかない。

［実施例］ 第１図（ａ）は、本発明の光学ピックアップ装置の第１
実施例の構成を示す図である。

シリコン基板１の表面内に垂直共振型面発光し−サ２及
び光検出器３を配置し、二の垂直共振型面発光し−サ２
のレーザビーム出射面と光検出器３の受光面とにマイク
ロプリズム４の平面か対向するようにマイクロプリズム
４をシリコン基板ｌ上に載置する。

マイクロプリズム４は平行四辺形の第１の光学部材４ａ
と三角形の第２の光学部材４ｂとから構成されており、
面発光レーザ２の上方に第１の光学部材４ａを位置させ
、光検出器３の上方に第２の光学部材４ｂを位置させる
。第１の光学部材４ａの傾斜面４Ｃには反射プリズム面
か形成されており、第１の光学部材４ａと第２の光学部
材４ｂとの接合面４ｄには、誘電体多層膜４ｄか形成さ
れている。マイクロプリズム４の上方には対物レンズ５
及び情報記録媒体６を配置する。

垂直共振型面発光レーザ２から出射した円形ビームは、
マイクロプリズム４の下端面に垂直に入射し、反射プリ
ズム面４Ｃて反射されて、誘電体多層膜面４ｄに入射す
る。更に、誘電体多層膜面４ｄで対物レンズ５側に反射
されてプリズム４から出射し、対物レンズ５に入射する
。対物レンズ５を通過して記録媒体６上で集束する。記
録媒体６上に入射し、ここで反射した光ビームは再び対
物レンズ５を通過して、マイクロプリズム４の誘電体多
層膜面４ｄに入射する。反射ビームは誘電体多層膜面４
ｄを透過して、光検出器３に入射し、光検出器３て光電
変換され、記録媒体６上に記録された情報に応じた制画
信号及び情報信号か検出される。

第１図（ｂ）は、光検出器３の受光面を示す図である。

受光面はａ、　　ｂ、　　ｃに３分割されており、フォ
ーカスエラー信号（ＳＦ）、及び情報信号（ＳＲＦ）は
、それぞれ以下の演算を行う二とによって得られる。

５Ｆ＝ａ十ｃ−ｂ Ｓ　ＲＰ＝　ａ　十ｂ　十ｃ 第２図（ａ）は、本発明の光学ピックアップ装置の第２
実施例を示す図である。装置の構造は、マイクロプリズ
ム４の上面の対物レンズ５に対向する位置に１／４波長
板７か設けられている点を除いて第１図に示すピックア
ップ装置と同様である。

面発光レーザ２から出射した直線偏光の光ビームは、マ
イクロプリズム４のプリズム面４Ｃて反射した後、誘電
体多層膜４ｄて全反射し、１／４波長板７を通過して、
円偏光となり、対物レンズ５を介して記録媒体６に集束
する。記録媒体６て反射された光ビームは、対物レンズ
５を介して１／４波長板７を通過する。この時、円偏光
か直線偏光となるか、偏光方向か９０°変換されるため
、この直線偏光はマイクロプリズム４の誘電体多層膜４
ｄを透過する。すなわち、誘電体多層膜４ｄての戻り光
の反射光はセロであり、面発光し−サ２側には戻り光か
ないため、本実施例では、面発光レーザ２へ入る戻り光
によってノイズの影響を受けることかない。

第２図（ｂ）に示す光検出器３の受光面は、第１実施例
のものと同様であり、フォーカスエラー信号、情報信号
の検出も第１実施例と同様に行われる。

第３図は、本発明の光学ピックアップ装置の第３実施例
を示す図である。本実施例では、第１及び第２の実施例
に示した装置と、面発光レーザ２の位置と光検出器３の
位置とが逆になるように構成されている。すなわち、マ
イクロプリズム４を構成する第２の光学部材４ｂの下方
に面発光し−ザ２か、第１の光学部材４ａの下方に光検
出器３か配置されている。マイクロプリズム４の上面の
対物レンズ５に対向する位置には戻り光に対して凹レン
ズの作用をもつホログラムレンズ８が接合されている。

また、マイクロプリズム４の第１の光学部材４ａの傾斜
面４ｃ（反射プリズム面）の下半分に平行平面板９を接
合して、戻り光の上半分を反射プリズム面４ｃて反射し
、下半分を平行平面板９の反射面９ａて反射して、戻り
光を２本のビームに分割し、いわゆるダブルナイフェツ
ジ方式てエラー信号を検出するようにしている。

垂直共振型面発光レーザ２から出射されたレーザビーム
は、誘電体多層膜面４ｄを透過し、更にホログラムレン
ズ８を透過して、対物レンズ５を介して記録媒体６上で
集束する。記録媒体６で反射された光ビームは対物レン
ズ５を介して、ホログラムレンズ８に入射して、ホログ
ラムレンズ８て回折される。この回折光は誘電体多層膜
面４ｄて第１の光学部材４ａの方向に反射され、平行平
面板９にて２本に分割される。反射ビームの上半分はプ
リズム４の反射面４Ｃで全反射されて、第４図に示す光
検出器３の受光面ｄ、ｅ上に入射し、一方、下半分は、
プリズム４の面４Ｃを透過して、平行平面板９の空気と
接する面９ａにて全反射されて、光検出器３の受光面ｄ
、ｆに入射する。

なお、ホログラムレンズ８に、ブレーズ特性を有する回
折格子を儲けることによって、±１次光を対物レンズ５
の瞳外にもって行くことかでき、記録媒体６からの迷光
を除去することができる。

第４図は、光検出器３の受光面ｄ、　　ｅ、　　ｆを示
す図である。第４図（ａ）は、対物レンズ５の焦点位置
に記録媒体６か位置している合焦状態における受光面上
のビームスポットの状態を示す。フォーカスエラー信号
ＳＰは Ｓｒ　＝ｄ　　（ｅ　＋　ｆ　）　＝０となる。また、
第４図（ｂ）は、記録媒体６が対物レンズ５の焦点位置
から対物レンズ側に近付いた状態における受光面上のビ
ームスポットの状態を示す。この状態では、ビームスポ
ットは、受光面において、合焦時（第４図（ａ））に比
へてより遠い位置で集束するため、スポットの大小関係
か合焦時と逆になり、フォーカスエラー信号ＳＦは ＳＦ　＝ｄ　　　（ｅ＋ｆ）　　＞０ となる。第４図（Ｃ）は、記録媒体６か対物レンズ５の
焦点位置から離れた状態における光検出器２の受光面上
の光ビームスポットの状態を示す。

スポットは、光検出器２の受光面において、合焦時に比
へてより近い位置で集束するため、受光素子ｄｅ上にで
きるスポットは合焦時のスポットと形状か反転し、受光
素子ｄｆ上にできるスポットは形状か同じでより大きな
ものとなる。フォーカスエラー信号ＳＦは ＳＦ　＝ｄ　　（ｅ十ｆ）　＜Ｑ となる。

この実施例のような構成にすると、温度変化等によって
スポットの光軸ずれが発生した場合でも、光検出器２に
入射する２つのスポットは同じ方向に移動することにな
るので、各スポットに生じるオフセットを相殺する二と
ができ、焦点状態を常に正確に、安定した状態て検出す
ることがてきる。

第５図は、本発明の光学ピックアップ装置の第４実施例
を示す図である。本実施例では、面発光レーザ２と光検
出器３との位置関係は第３実施例と同様である。マイク
ロプリズム４の上面の対物レンズ５に対向する位置には
、戻り光にフーコープリズム効果か働くように回折格子
か設けられたホログラムレンズＩＯか接合されている。

したかって、戻り光はこのホログラムレンズ１０にて分
離され、誘電体多層面４ｄ、及び反射プリズム面４Ｃに
て反射されて、位置のずれた２本のビームとなって光検
出器３の受光面に入射する。光検出器３の受光面上では
、記録媒体６か対物レンズ５に対して合焦状態にあると
き、それぞれの光ビームの集束点か受光面の前後に位置
するようになる。

第６図は、第５図に示す光学ピックアップ装置の光検出
器３の受光面上に形成されたスポットの形状を示す図で
ある。スポット形状の変化は、第４図に示すものと同じ
てあり、第６図（ａ）は、対物レンズ５の焦点位置に記
録媒体６か位置する合焦状態にあるときの、スポット形
状であり、フォーカスエラー信号ＳＦは Ｓｐ　＝ｄ　　（ｅ十ｆ）　＝０ となる。第６図（ｂ）は、記録媒体６か対物レンズ５の
焦点位置から対物レンズ側に近付いたときのスポット形
状であり、フォーカスエラー信号ＳＦは ＳＦ　　＝ｄ　　　（ｅ＋ｆ）　　＞Ｑとなる。第６図
（Ｃ）は、記録媒体６か対物レンズ５の焦点位置から遠
ざかったときのスポット形状を示しており、フォーカス
エラー信号Ｓ、はＳＦ　＝ｄ　　（ｅ十ｆ）　＜０ となる。

第７図は、本発明の光学ピックアップ装置の第５実施例
を示す図である。本実施例においては、フォーカスエラ
ー検出用の第１の光検出器１２と、トラッキングエラー
検出用の第２の光検出器１３とか半導体基板１の表面内
に配置されており、マイクロプリズム４は３個の光学部
材から構成されているものを使用している。すなわち、
マイクロプリズム４の第１の光学部材４ａの傾斜面４ｃ
に、更に第３の光学部材４ｅを接合しており、この接合
面４ｃはビームスプリッタとして作用する。第１の光学
部材４ａの平面を第２の光検出器１３の受光面に対向さ
せ、第２の光学部材４ｂの平面を面発光レーザ２の出射
面に対向させ、第３の光学部材４ｅの平面を第１の光検
出器１２の受光面に対向させるように、マイクロプリズ
ム４を配置している。プリズム４の上面の対物レンズ５
に対向する位置には、上述の第４実施例と同様に、戻り
光に対して凹レンズとして作用するホログラムレンズ１
１を接合し、一方、第３の光学部材の傾斜面４ｆは、反
射プリズム面とするとともに、上述の第３実施例と同様
に、下半分に平行平面板１４を取り付けて、記録媒体か
らの戻り光の上半分は第３の光学部材の傾斜面４ｆの上
半分で全反射させて、第１の光検出器１２の受光面ｄｅ
に入射させ、戻り光の下半分は、平行平面板の傾斜面１
４ａで反射させて、第１の光検出器１２の受光面ｄｆに
入射させるように構成する。

垂直共振型面発光レーザ２から出射したレーザビームは
、誘電体多層膜４ｄ（第１のビームスプリッタ）を透過
して、更にホログラム８を透過し、対物レンズ５を介し
て記録媒体６上に集束する。

記録媒体６からの反射光は、対物レンズ５を介してホロ
グラムレンズ８で回折された後、第１のビームスプリッ
タとして作用する誘電体多層膜４ｄにて反射され、更に
、第２のビームスプリッタ、すなわち、第２の光学部材
と第３の光学部材との接合面４ｃで、２本の光ビームに
分離される。前記接合面４ｃで反射された一方の光ビー
ムは、トラッキングエラー信号を検出すべ（第２の光検
出器１３て受光され、前記接合面４ｃを透過した他方の
光ビームは、上述した通り、平行平面板１４の作用で更
に２分され、第１の光検出器１２で受光される。

第８図は、上記第５実施例の面発光レーザ２、第２の光
検出器１３及び第１の光検出器１２の受光面を示す図で
ある。第２の光検出器１３は２個の受光素子で構成され
た２分割形式の光検出器であり、プッシュプル方式でト
ラッキングエラー信号を検出する。一方、第１の光検出
器１２は３個の受光素子で構成された３分割形式の光検
出器であり、第３の実施例と同様にダブルナイフェツジ
方式でフォーカスエラー信号を検出するものである。第
８図から明らかなように、第２の光検出器ｌ３ては受光
素子ｇＳｈのそれぞれの出力の差を取って、トラッキン
グエラー信号を検出しており、第１の光検出器では、受
光素子ｄ、　　ｅ、　　ｆの出力より、ｄ−（ｅ＋ｆ）
を演算してフォーカスエラー信号を検出する。また、各
受光素子ｄ−ｈの出力の総和から情報信号を得ている。

第９図（ａ）は、本発明の光学ピックアップ装置の第６
実施例を示す図である。上述した第１〜第５実施例にお
いては、有限光学系を構成したものであるか、本実施例
では、無限光学系を構成した光学ピックアップ装置の例
である。本発明の光学ピックアップ装置に無限光学系を
形成する方法として、マイクロプリズムの一端面に凹面
鏡あるいは反射型ホログラムを形成することか考えられ
るか、この場合以下のような問題かある。面発光レーザ
とマイクロプリズムの一端面に形成したコリメータレン
ズとの距離を短くするために開口数の大きいコリメータ
レンズを使用すると、収差か大きくなってしまう。収差
か大きくなると、記録、または再生時の半導体レーザの
出力によって波長変動か生じ、焦点距離か変化するため
、平行光か集束光または発散光となって、記録媒体上で
焦点位置か移動して、光学的オフセットか発生する。

この問題を解決するためには、色収差を無（すレンズ構
成とする必要かあり、材質の異なる複数のレンズを組み
合わせる必要かあり、あるレンズはアツベ数か８０程度
で光学屈折率２．２程度の材質で作る必要かある。

しかしながら、現状では、二のようなレンズは存在しな
いため、本実施例では、マイクロプリズムの一端面に非
球面レンズを形成して、色収差を小さくするようにして
いる。この非球面レンズは、半導体レーザとこの非球面
レンズとの距離を短くするため、開口数をある程度大き
くして、材質はアツベ数の大きいものを使用して色収差
の発生を押さえるようにしている。

第９図（ａ）に示すように、シリコン基板ｌの表面内に
、面発光レーザ２、第１の光検出器１２、第２の光検出
器１３、及び第３の光検出器１５か順次配置されている
。面発光し−ザ２の上方には、第１プリズム１６を設け
る。第１プリズム１６の下面、すなわち面発光レーザ２
のレーザ出射面に対向する面には、凹部１６ａを形成し
て凹レンズの機能を持たせ、傾斜面１６ｂは反射プリズ
ム面１６ｂとする。更に、反射プリズム面１６ｂで反射
した光ビームの出射面１６ｃには非球面レンズを形成す
る。第１及び第２の光検出器１２．１３の上方には３つ
の光学部材で構成された第２のプリズム１７を設け、第
１の光学部材１７ａの端面を第１の光検出器１２の受光
面に対向させ、第２の光学部材１７ｂの端面を第２の光
検出器Ｉ３の受光面に対向させる。第３の光学部材１７
ｃは、第２の光学部材１７ｂの傾斜面に接合し、第１の
プリズム１６との間に位置させるようにする。第２のプ
リズム１７の第１の光学部材１７ａと第２の光学部材１
７ｂとの接合面には偏光ビームスプリッタ１７ｄか形成
されており、第２の光学部材１７ｂと第３の光学部材１
７ｃとの接合面の一部には金属全反射面１７ｅか設けら
れている。更に、第２のプリズム１７の上面の対物レン
ズ５に対向する位置には偏光性回折ホログラム１８か接
合されており、対物レンズ５の上方には光磁気記録媒体
１９を配置する。

面発光レーザ２から出射された円形状のＰ偏光をもつ直
線偏光ビームは、第１のプリズム１６の凹部１６ａを経
て、反射プリズム面１６ｂて反射されて、非球面レンズ
１６ｃに入射し、ここで平行光となって第２プリズム１
７の第３の光学部材１７ｃに入射する。光学部材１７ｃ
に入射した光ビームは、第１の光学部材１７ａを経て偏
光ビームスプリッタ１７ｄに入射する。偏光ビームスプ
リッタ１７ｄては、Ｐ偏光の５０９６か第２の光学部材
１７ｂ側へ透過され、残りの５０９６のＰ偏光と金Ｓ偏
光か対物レンズ５側へ反射される。偏光ビームスプリッ
タ１７ｄて透過された５０９６のＰ偏光は、第２プリズ
ム１７の第２の光学部材１７ｂの端面１７ｆで屈折され
、第３の光検出器１５て受光される。第３の光検出器１
５は、その出力によって面発光レーザ２の出力を制御す
るように構成されている。一方、偏光ビームスプリッタ
１７ｄて反射された光ビームは、偏光性回折ホログラム
１８及び対物レンズ５を経て、光磁気記録媒体１９上に
集束する。光磁気記録媒体１９上で反射された光ビーム
は、垂直方向に磁化された部分によってカー回転成分を
もっている。戻り光は対物レンズ５を介して、偏光性回
折ホログラム１８に入射する。偏光回折ホログラム１８
は、Ｐ偏光成分はそのまま透過し、Ｓ偏光成分は回折さ
せて、集光ビームとなるように回折格子が形成されてい
る。偏光回折ホログラム１８を透過したＰ偏光は、偏光
ビームスプリッタ面１７ｄを透過して、第２の光検出器
１３て受光される。一方、偏光回折ホログラム１８で回
折されたＳ偏光成分は、偏光ビームスプリッタ面１７ｄ
て反射されて、金属全反射面１７ｅに入射し、ここで更
に反射されて第１の光検出器１２て受光される。

本実施例では、第２のプリズム１７の第２の光学部材１
７ｂと第３の光学部材１７ｃとの間に金属全反射面１７
ｅを設けているため、二の部分て、面発光レーザ２から
の光ビームはリング状となり、対物レンズから出射する
光ビームは超解像光学系となる。

第９図（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、第１の光検出器１
２の受光面、第２の光検出器の受光面を示す断面図であ
る。第９図から明らかな通り、第１の光検出器１２の受
光面はｉ、　　ｊ、　　ｋに３分割されており、フォー
カスエラー信号Ｓ、は、（ｊ＋に−ｉ）を演算して検出
する。また、第２の光検出器１３の受光面は１．　ｍに
２分割されており、トラッキングエラー信号Ｓ、を（１
−ｍ）を演算して検出する。情報信号Ｓ　ＲＦの検出は
、（ｉ＋ｊ＋ｋ）　十（１＋ｍ）を演算して行う。

上述した実施例では、面発光レーザとして、１９９０年
、オプトロニクス（ＯＰＴＲＯＮＩＣ３）、Ｎｏ、６に
記載された垂直共振型面発光レーザを使用したものであ
る。しかしながら、本発明は、上述の実施例に限定され
るものではなく、面発光レーザとしては、基板面と垂直
にレーザ光を出射するレーザであれば良く、前述したオ
ブトロニクス（ＯＰＴＲＯＮＩＣ３）１９９０年、Ｎｏ
、　　６に記載されている、水平共振器型の面発光し−
ザや、曲かり共振器型の面発光レーザを使用して本発明
を実現することもてきる。

従来の、ストライブ型のレーザは、十電極かレーザ構造
の下面全面に形成されており、二のようなストライブ型
のレーザを光学ピックアップ装置に応用する場合、前述
した特開昭６３−３０６５４８号公報に記載されている
ように、半導体基板上に錫半田領域を設けて、半田付け
てレーザを基板上に固定するようにする必要かあった。

これに対して、本発明の実施例では、オプトロニクス（
ＯＰＴＲＯＮＩＣ３）に記載されているような垂直共振
型面発光レーザを使用しており、ここでは、十電極はリ
ング電極として形成されているため、シリコン基板を切
り欠いて、切り欠き部にリング状の錫半田領域を設けて
、面発光レーザを前記切り欠き部のエツジに突き当てて
レーザの位置決めを行うようにしている。マイナス電極
については、電極部とマイクロプリズムの端面との間に
間隙を設けるように構成する。従って、シリコン基板の
面発光レーザ埋め込み部分は、面発光レーザの厚みより
やや厚めにエツチングするようにする。

［発明の効果コ 本発明の光学ピックアップ装置においては、共通基板の
表面内に、面発光レーザと光検出器とを配置しており、
これらの上にマイクロプリズムを載置する構造を有して
いるため、面発光レーザと光検出器との間の距離を短く
形成し、共通基板の小型化を図ることができ、ひいては
光学ピックアップ装置全体をコンパクトに形成すること
ができる。

また、記録媒体からの戻り光がプリズム面で集束するこ
とがないように構成されているため、光検出器で検出す
る信号が、プリズム面に付着した埃等によって影響を受
ける二とがない。　更に、面発光レーザが基板表面内に
配置された構造であるため、レーザ光が、面発光レーザ
の上方に載置したプリズムの端面に垂直に入射すること
となり、面発光レーザの発光点にバラツキによる影響か
少ない。また、面発光レーザの取り付けに際して、位置
決めに高精度を必要とせず、組み立てを容易に行うこと
ができる。

上述した実施例においては、垂直共振型面発光レーザを
用いているため、非点隔差かなく、記録媒体上での収差
の影響を受けることがなく、安定した再生信号を得るこ
とかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光学ピックアップ装置の第１実施例
を示す図、 第２図は、本発明の光学ピックアップ装置の第２実施例
を示す図、 第３図は、本発明の光学ピックアップ装置の第３実施例
を示す図、 第４図は、第３図に示す実施例の光検出器の受光面上に
形成されたスポット形状を示す図、第５図は、本発明の
光学ピックアップ装置の第４実施例を示す図、 第６図は、第５図に示す実施例の光検出器の受光面上に
形成されたスポット形状を示す図、第７図は、本発明の
光学ピックアップ装置の第５実施例を示す図、 第８図は、第７図に示す実施例の光検出器の受光面上に
形成されたスポット形状を示す図、第９図は、本発明の
光学ピックアップ装置の第６実施例を示す図、 第１０図は、従来の光学ピックアップ装置を示す図であ
る。 ■・・・シリコン基板　　　２・・・面発光レーザ３・
・・光検出器　　　　　４・・・マイクロプリズム５・
・・対物レンズ　　　　６，１９・・・記録媒体７・・
・１／４波長板 ８．１０．１１・・・ホログラムレンズ９．１４・・・
平行平面板 １２・・・第１光検出器　　１３・・・第２光検出器１
５・・・第３光検出器 １６・・・第１プリズム　　１７・・・第２プリズム１
８・・・偏光回折ホログラム （ａ） 第１図 第３図 ａ 第２図 第４図 （ａ） 第５図 第６図 第９図 第７図 第８図 手 続

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、レーザ光源から出射されたレーザ光をプリズムと対
   物レンズとを介して記録媒体に照射し、この記録媒体で
   反射された反射光を前記対物レンズ及び前記プリズムを
   介して前記光検出器で受光するように構成した光学ピッ
   クアップ装置において、前記レーザ光源を面発光レーザ
   とし、この面発光レーザと前記光検出器とを共通基板の
   表面内に配置し、この共通基板の表面上に前記プリズム
   を配置し、前記面発光レーザのレーザ発光面及び前記光
   検出器の受光面がそれぞれ前記プリズムの平面と対向す
   るように前記プリズムを配置したことを特徴とする光学
   ピックアップ装置。