JP3083834B2 - 光学ピックアップ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光学ピックアップ装置に関するものであ
り、特に、半導体レーザからの光ビームを光学式ディス
クプレーヤなどの記録媒体に入射させ、記録媒体からの
反射ビームを光検出器に導くことにより、情報の記録再
生を行う光学ピックアップ装置に関するものである。

［従来の技術］ 半導体レーザからの光ビームを記録媒体に入射させ、
記録媒体からの反射ビームを光検出器に導いて記録媒体
に記録された情報の読み取りを行う光学ピックアップ装
置の一例として、特開昭63−306548号公報に記載された
ものがある。

第10図は、この公報に記載された光学ピックアップ装
置の構成を示す図である。第10図から明らかな通り、半
導体基板21内に第１及び第２の光検出器23、24を形成す
ると共に、半導体基板21の表面に、錫半田による半田付
けによって半導体レーザ22を取り付け、半導体基板21の
表面を、半導体レーザ22を取り付けている部分を除いて
SiO2保護膜25,26によって覆う。更に、基板21上に、第
１及び第２の光検出部22、23を覆うように、接着剤27を
介してプリズム28が固定されている。プリズム28の半導
体レーザ22に対向する面28aは、半導体基板21の表面に
対して傾斜しており、この傾斜面28aには光半透過反射
膜が形成されている。半導体レーザ22の端面22aから発
せられたレーザ光は傾斜面28aにて記録媒体30側へ反射
され、対物レンズ29を介して記録媒体30へ入射する。記
録媒体30にて反射された反射光は対物レンズ29を介して
傾斜面28aに入射し、傾斜面28aを透過して、プリズム内
へ入る。この透過した光ビームのほぼ1/2が第１の光検
出器23に入射し、残りのほぼ1/2の光ビームは、第１の
光検出器23で反射して、プリズム28内を通過して、プリ
ズム28の上側表面28bで反射する。この反射光はプリズ
ム28内を更に通過して第２の光検出器24に到達する。第
１及び第２の光検出器23、24それぞれから記録媒体30か
らの反射レーザビームの検出出力信号を得て、この信号
に基づいて、情報読み取り信号、トラッキングエラー信
号、フォーカスエラー信号等が形成される。

第10図から明らかな通り、この従来の装置は、半導体
レーザ22から発せられた光ビームが、傾斜面28aで反射
され、記録媒体30上の記録トラックで収束されて、ジャ
ストフォーカス状態にあるとき、傾斜面28aを透過する
反射光ビームは、プリズム28内に形成される第１の光検
出器23から第２の光検出器24に至る光路上のほぼ中間位
置、すなわちプリズム28の上側表面28bで集束する構造
となっている。

［発明が解決しようとする課題］ 上述した従来の光学ピックアップの構造においては、
半導体基板21に設けた２つの光検出器23、24を位相共役
となるように配置する必要があるため、半導体レーザ22
のレーザ発光面22aとプリズム28の傾斜面28a（半透過反
射膜面）との距離を、光学光路長である半透過反射膜面
28aから第１の光検出器23までの光路長と第１の光検出
器23からプリズム28の上側表面28bまでの光路長との和
に等しいものとする必要がある。したがって、これらの
光路長によって、半導体レーザ22とプリズム28との位置
関係が決まり、第１の光検出器23と半導体レーザ22との
間に、光学光路長に応じた距離を設ける必要があるた
め、装置をコンパクトにするに当たり制約があった。

また、半導体レーザ22は、半導体基板21上に錫半田31
で接合するようにしているため、位置決めが難しい上
に、半導体レーザ22には端面発光型のレーザ素子を使用
しており、レーザ光は傾斜面28aに向けて入射する構造
であるため、発光点のバラツキに合わせて位置決めを行
わないと光学的オフセットが生じてしまう。

更に、記録媒体30の記録トラックにレーザ光ビームが
ジャスト・フォーカス状態で入射したとき、プリズム28
内に形成される第１の光検出器23から第２の光検出器24
に至る光路上における中間位置、すなわち、プリズム28
の上側表面28bに集束点を有する構造であるため、プリ
ズム28の上側表面28bに埃等が付着すると、この埃等に
より散乱光が発生し、２つの光検出器の出力に差が生じ
ることとなり、フォーカスオフセットが発生し易いとい
う欠点があった。したがって、組み立て時に、埃等が付
着しないように細心の注意を払う必要がある。

本発明は、このような従来の光学ピックアップ装置の
欠点を改良し、小型化できるとともに、光学ピックアッ
プ装置を構成する各素子の位置決めが容易であり、更に
情報検出精度がプリズム表面に付着した埃等に影響され
ることのない光学ピックアップ装置を提供しようとする
ものである。

［課題を解決するための手段及び作用］ 上記課題を解決するために、本発明の光学ピックアッ
プ装置は、レーザ光源から出射されたレーザ光をプリズ
ムと対物レンズとを介して記録媒体に照射し、この記録
媒体で反射された反射光を前記対物レンズ及び前記プリ
ズムを介して光検出器で受光するように構成した光学ピ
ックアップ装置において、前記レーザ光源を面発光レー
ザとし、この面発光レーザと前記光検出器とを共通基板
の表面内に配置し、この共通基板の表面上に前記プリズ
ムを配置し、前記面発光レーザのレーザ発光面及び前記
光検出器の受光面がそれぞれ前記プリズムの平面と対向
するように前記プリズムを配置したことを特徴とするも
のである。

上述した通り、本発明では、半導体レーザとして面発
光レーザを使用して、基板面から垂直にレーザ光を出射
するように構成し、該面発光レーザと光検出器とを同一
基板の表面内に配置して、この面発光レーザのレーザ出
射面と光検出器の受光面とがそれぞれプリズムの平面と
対向するように構成している。このように、面発光レー
ザを基板表面内に配置して、レーザ発光面の上にプリズ
ムを載置するようにしているため、半導体レーザと光検
出器との距離を近付けることが可能であり、従って、装
置全体を小型化することができる。また、レーザ光はプ
リズムの平面に垂直に入射するため、レーザ素子の発光
点のバラツキによって光学的オフセットが生じることが
ない。半導体レーザは、基板表面内に配置しているた
め、その位置決めが容易になる。更に、記録媒体で反射
された反射光は、光検出器に入射するまでの中間位置で
は集束しないため、プリズム表面についた埃等の影響で
光学的オフセットが生じることがない。

［実施例］ 第１図（ａ）は、本発明の光学ピックアップ装置の第
１実施例の構成を示す図である。

シリコン基板１の表面内に垂直共振型面発光レーザ２
及び光検出器３を配置し、この垂直共振型面発光レーザ
２のレーザビーム出射面と光検出器３の受光面とにマイ
クロプリズム４の平面が対向するようにマイクロプリズ
ム４をシリコン基板１上に載置する。

マイクロプリズム４は平行四辺形の第１の光学部材4a
と三角形の第２の光学部材4bとから構成されており、面
発光レーザ２の上方に第１の光学部材4aを位置させ、光
検出器３の上方に第２の光学部材4bを位置させる。第１
の光学部材4aの傾斜面4cには反射プリズム面が形成され
ており、第１の光学部材4aと第２の光学部材4bとの接合
面4dには、誘電体多層膜4dが形成されている。マイクロ
プリズム４の上方には対物レンズ５及び情報記録媒体６
を配置する。

垂直共振型面発光レーザ２から出射した円形ビーム
は、マイクロプリズム４の下端面に垂直に入射し、反射
プリズム面4cで反射されて、誘電体多層膜面4dに入射す
る。更に、誘電体多層膜面4dで対物レンズ５側に反射さ
れてプリズム４から出射し、対物レンズ５に入射する。
対物レンズ５を通過して記録媒体６上で集束する。記録
媒体６上に入射し、ここで反射した光ビームは再び対物
レンズ５を通過して、マイクロプリズム４の誘電体多層
膜面4dに入射する。反射ビームは誘電体多層膜面4dを透
過して、光検出器３に入射し、光検出器３で光電変換さ
れ、記録媒体６上に記録された情報に応じた制御信号及
び情報信号が検出される。

第１図（ｂ）は、光検出器３の受光面を示す図であ
る。受光面はa,b,cに３分割されており、フォーカスエ
ラー信号（S_F）、及び情報信号（S_RF）は、それぞれ以
下の演算を行うことによって得られる。

S_F＝ａ＋ｃ−ｂ S_RF＝ａ＋ｂ＋ｃ 第２図（ａ）は、本発明の光学ピックアップ装置の第
２実施例を示す図である。装置の構造は、マイクロプリ
ズム４の上面の対物レンズ５に対向する位置に1/4波長
板７が設けられている点を除いて第１図に示すピックア
ップ装置と同様である。

面発光レーザ２から出射した直線偏光の光ビームは、
マイクロプリズム４のプリズム面4cで反射した後、誘電
体多層膜4dで全反射し、1/4波長板７を通過して、円偏
光となり、対物レンズ５を介して記録媒体６に集束す
る。記録媒体６で反射された光ビームは、対物レンズ５
を介して1/4波長板７を通過する。この時、円偏光が直
線偏光となるが、偏光方向が90゜変換されるため、この
直線偏光はマイクロプリズム４の誘電体多層膜4dを透過
する。すなわち、誘電体多層膜4dでの戻り光の反射光は
ゼロであり、面発光レーザ２側には戻り光がないため、
本実施例では、面発光レーザ２へ入る戻り光によってノ
イズの影響を受けることがない。

第２図（ｂ）に示す光検出器３の受光面は、第１実施
例のものと同様であり、フォーカスエラー信号、情報信
号の検出も第１実施例と同様に行われる。

第３図は、本発明の光学ピックアップ装置の第３実施
例を示す図である。本実施例では、第１及び第２の実施
例に示した装置と、面発光レーザ２の位置と光検出器３
の位置とが逆になるように構成されている。すなわち、
マイクロプリズム４を構成する第２の光学部材4bの下方
に面発光レーザ２が、第１の光学部材4aの下方に光検出
器３が配置されている。マイクロプリズム４の上面の対
物レンズ５に対向する位置には戻り光に対して凹レンズ
の作用をもつホログラムレンズ８が接合されている。ま
た、マイクロプリズム４の第１の光学部材4aの傾斜面4c
（反射プリズム面）の下半分に平行平面板９を接合し
て、戻り光の上半分を反射プリズム面4cで反射し、下半
分を平行平面板９の反射面9aで反射して、戻り光を２本
のビームに分割し、いわゆるダブルナイフエッジ方式で
エラー信号を検出するようにしている。

垂直共振型面発光レーザ２から出射されたレーザビー
ムは、誘電体多層膜面4dを透過し、更にホログラムレン
ズ８を透過して、対物レンズ５を介して記録媒体６上で
集束する。記録媒体６で反射された光ビームは対物レン
ズ５を介して、ホログラムレンズ８に入射して、ホログ
ラムレンズ８で回折される。この回折光は誘電体多層膜
面4dで第１の光学部材4aの方向に反射され、平行平面板
９にて２本に分割される。反射ビームの上半分はプリズ
ム４の反射面4cで全反射されて、第４図に示す光検出器
３の受光面ｄ、ｅ上に入射し、一方、下半分は、プリズ
ム４の面4cを透過して、平行平面板９の空気と接する面
9aにて全反射されて、光検出器３の受光面ｄ、ｆに入射
する。

なお、ホログラムレンズ８に、ブレーズ特性を有する
回折格子を設けることによって、±１次光を対物レンズ
５の瞳外にもって行くことができ、記録媒体６からの迷
光を除去することができる。

第４図は、光検出器３の受光面d,e,fを示す図であ
る。第４図（ａ）は、対物レンズ５の焦点位置に記録媒
体６が位置している合焦状態における受光面上のビーム
スポットの状態を示す。フォーカスエラー信号S_Fは、 S_F＝ｄ−（ｅ＋ｆ）＝０ となる。また、第４図（ｂ）は、記録媒体６が対物レン
ズ５の焦点位置から対物レンズ側に近付いた状態におけ
る受光面上のビームスポットの状態を示す。この状態で
は、ビームスポットは、受光面において、合焦時（第４
図（ａ））に比べてより遠い位置で集束するため、スポ
ットの大小関係が合焦時と逆になり、フォーカスエラー
信号S_Fは、 S_F＝ｄ−（ｅ＋ｆ）＞０ となる。第４図（ｃ）は、記録媒体６が対物レンズ５の
焦点位置から離れた状態における光検出器２の受光面上
の光ビームスポットの状態を示す。スポットは、光検出
器２の受光面において、合焦時に比べてより近い位置で
集束するため、受光素子de上にできるスポットは合焦時
のスポットと形状が反転し、受光素子df上にできるスポ
ットは形状が同じでより大きなものとなる。フォーカス
エラー信号S_Fは、 S_F＝ｄ−（ｅ＋ｆ）＜０ となる。

この実施例のような構成にすると、温度変化等によっ
てスポットの光軸ずれが発生した場合でも、光検出器２
に入射する２つのスポットは同じ方向に移動することに
なるので、各スポットに生じるオフセットを相殺するこ
とができ、焦点状態を常に正確に、安定した状態で検出
することができる。

第５図は、本発明の光学ピックアップ装置の第４実施
例を示す図である。本実施例では、面発光レーザ２と光
検出器３との位置関係は第３実施例と同様である。マイ
クロプリズム４の上面の対物レンズ５に対向する位置に
は、戻り光にフーコープリズム効果が働くように回折格
子が設けられたホログラムレンズ10が接合されている。
したがって、戻り光はこのホログラムレンズ10にて分離
され、誘電体多層面4d、及び反射プリズム面4cにて反射
されて、位置のずれた２本のビームとなって光検出器３
の受光面に入射する。光検出器３の受光面上では、記録
媒体６が対物レンズ５に対して合焦状態にあるとき、そ
れぞれの光ビームの集束点が受光面の前後に位置するよ
うになる。

第６図は、第５図に示す光学ピックアップ装置の光検
出器３の受光面上に形成されたスポットの形状を示す図
である。スポット形状の変化は、第４図に示すものと同
じであり、第６図（ａ）は、対物レンズ５の焦点位置に
記録媒体６が位置する合焦状態にあるときの、スポット
形状であり、フォーカスエラー信号S_Fは、 S_F＝ｄ−（ｅ＋ｆ）＝０ となる。第６図（ｂ）は、記録媒体６が対物レンズ５の
焦点位置から対物レンズ側に近付いたときのスポット形
状であり、フォーカスエラー信号S_Fは、 S_F＝ｄ−（ｅ＋ｆ）＞０ となる。第６図（ｃ）は、記録媒体６が対物レンズ５の
焦点位置から遠ざかったときのスポット形状を示してお
り、フォーカスエラー信号S_Fは、 S_F＝ｄ−（ｅ＋ｆ）＜０ となる。

第７図は、本発明の光学ピックアップ装置の第５実施
例を示す図である。本実施例においては、フォーカスエ
ラー検出用の第１の光検出器12と、トラッキングエラー
検出用の第２の光検出器13とが半導体基板１の表面内に
配置されており、マイクロプリズム４は３個の光学部材
から構成されているものを使用している。すなわち、マ
イクロプリズム４の第１の光学部材4aの傾斜面4cに、更
に第３の光学部材4eを接合しており、この接合面4cはビ
ームスプリッタとして作用する。第１の光学部材4aの平
面を第２の光検出器13の受光面に対向させ、第２の光学
部材4bの平面を面発光レーザ２の出射面に対向させ、第
３の光学部材4eの平面を第１の光検出器12の受光面に対
向させるように、マイクロプリズム４を配置している。
プリズム４の上面の対物レンズ５に対向する位置には、
上述の第３実施例と同様に、戻り光に対して凹レンズの
作用をもつホログラムレンズ11を接合し、一方、第３の
光学部材の傾斜面4fは、反射プリズム面とするととも
に、上述の第３実施例と同様に、下半分に平行平面板14
を取り付けて、記録媒体からの戻り光の上半分は第３の
光学部材の傾斜面4fの上半分で全反射させて、第１の光
検出器12の受光面deに入射させ、戻り光の下半分は、平
行平面板の傾斜面14aで反射させて、第１の光検出器12
の受光面dfに入射させるように構成する。

垂直共振型面発光レーザ２から出射したレーザビーム
は、誘電体多層膜4d（第１のビームスプリッタ）を透過
して、更にホログラム11を透過し、対物レンズ５を介し
て記録媒体６上に集束する。記録媒体６からの反射光
は、対物レンズ５を介してホログラムレンズ11で回折さ
れた後、第１のビームスプリッタとして作用する誘電体
多層膜4dにて反射され、更に、第２のビームスプリッ
タ、すなわち、第２の光学部材と第３の光学部材との接
合面4cで、２本の光ビームに分離される。前記接合面4c
で反射された一方の光ビームは、トラッキングエラー信
号を検出すべく第２の光検出器13で受光され、前記接合
面4cを透過した他方の光ビームは、上述した通り、平行
平面板14の作用で更に２分され、第１の光検出器12で受
光される。

第８図は、上記第５実施例の面発光レーザ２、第２の
光検出器13及び第１の光検出器12の受光面を示す図であ
る。第２の光検出器13は２個の受光素子で構成された２
分割形式の光検出器であり、プッシュプル方式でトラッ
キングエラー信号を検出する。一方、第１の光検出器12
は３個の受光素子で構成された３分割形式の光検出器で
あり、第３の実施例と同様にダブルナイフエッジ方式で
フォーカスエラー信号を検出するものである。第８図か
ら明らかなように、第２の光検出器13では受光素子ｇ、
ｈのそれぞれの出力の差を取って、トラッキングエラー
信号を検出しており、第１の光検出器では、受光素子d,
e,fの出力より、ｄ−（ｅ＋ｆ）を演算してフォーカス
エラー信号を検出する。また、各受光素子ｄ〜ｈの出力
の総和から情報信号を得ている。

第９図（ａ）は、本発明の光学ピックアップ装置の第
６実施例を示す図である。上述した第１〜第５実施例に
おいては、有限光学系を構成したものであるが、本実施
例では、無限光学系を構成した光学ピックアップ装置の
例である。本発明の光学ピックアップ装置に無限光学系
を形成する方法として、マイクロプリズムの一端面に凹
面鏡あるいは反射型ホログラムを形成することが考えら
れるが、この場合以下のような問題がある。面発光レー
ザとマイクロプリズムの一端面に形成したコリメータレ
ンズとの距離を短くするために開口数の大きいコリメー
タレンズを使用すると、収差が大きくなってしまう。収
差が大きくなると、記録、または再生時の半導体レーザ
の出力によって波長変動が生じ、焦点距離が変化するた
め、平行光が集束光または発散光となって、記録媒体上
で焦点位置が移動して、光学的オフセットが発生する。
この問題を解決するためには、色収差を無くすレンズ構
成とする必要があり、材質の異なる複数のレンズを組み
合わせる必要があり、あるレンズはアッベ数が80程度で
光学屈折率2.2程度の材質で作る必要がある。

しかしながら、現状では、このようなレンズは存在し
ないため、本実施例では、マイクロプリズムの一端面に
非球面レンズを形成して、色収差を小さくするようにし
ている。この非球面レンズは、半導体レーザとこの非球
面レンズとの距離を短くするため、開口数をある程度大
きくして、材質はアッベ数の大きいものを使用して色収
差の発生を押さえるようにしている。

第９図（ａ）に示すように、シリコン基板１の表面内
に、面発光レーザ２、第１の光検出器12、第２の光検出
器13、及び第３の光検出器15が順次配置されている。面
発光レーザ２の上方には、第１プリズム16を設ける。第
１プリズム16の下面、すなわち面発光レーザ２のレーザ
出射面に対向する面には、凹部16aを形成して凹レンズ
の機能を持たせ、傾斜面16bは反射プリズム面16bとす
る。更に、反射プリズム面16bで反射した光ビームの出
射面16cには非球面レンズを形成する。第１及び第２の
光検出器12、13の上方には３つの光学部材で構成された
第２のプリズム17を設け、第１の光学部材17aの端面を
第１の光検出器12の受光面に対向させ、第２の光学部材
17bの端面を第２の光検出器13の受光面に対向させる。
第３の光学部材17cは、第２の光学部材17bの傾斜面に接
合し、第１のプリズム16との間に位置させるようにす
る。第２のプリズム17の第１の光学部材17aと第２の光
学部材17bとの接合面には偏光ビームスプリッタ17dが形
成されており、第２の光学部材17bと第３の光学部材17c
との接合面の一部には金属全反射面17eが設けられてい
る。更に、第２のプリズム17の上面の対物レンズ５に対
向する位置には偏光性回折ホログラム18が接合されてお
り、対物レンズ５の上方には光磁気記録媒体19を配置す
る。

面発光レーザ２から出射された円形状のＰ偏光をもつ
直線偏光ビームは、第１のプリズム16の凹部16aを経
て、反射プリズム面16bで反射されて、非球面レンズ16c
に入射し、ここで平行光となって第２プリズム17の第３
の光学部材17cに入射する。光学部材17cに入射した光ビ
ームは、第１の光学部材17aを経て偏光ビームスプリッ
タ17dに入射する。偏光ビームスプリッタ17dでは、Ｐ偏
光の50％が第２の光学部材17b側へ透過され、残りの50
％のＰ偏光と全Ｓ偏光が対物レンズ５側へ反射される。
偏光ビームスプリッタ17dを透過した50％のＰ偏光は、
第２プリズム17の第２の光学部材17bの端面17fで屈折さ
れ、第３の光検出器15で受光される。第３の光検出器15
は、その出力によって面発光レーザ２の出力を制御する
ように構成されている。一方、偏光ビームスプリッタ17
dで反射された光ビームは、偏光性回折ホログラム18及
び対物レンズ５を経て、光磁気記録媒体19上に集束す
る。光磁気記録媒体19上で反射された光ビームは、垂直
方向に磁化された部分によってカー回転成分をもってい
る。戻り光は対物レンズ５を介して、偏光性回折ホログ
ラム18に入射する。偏光回折ホログラム18は、Ｐ偏光成
分はそのまま透過し、Ｓ偏光成分は回折させて、集光ビ
ームとなるように回折格子が形成されている。偏光回折
ホログラム18を透過したＰ偏光は、偏光ビームスプリッ
タ17dを透過して、第２の光検出器13で受光される。一
方、偏光回折ホログラム18で回折されたＳ偏光成分は、
偏光ビームスプリッタ17dで反射されて、金属全反射面1
7eに入射し、ここで更に反射されて第１の光検出器12で
受光される。

本実施例では、第２のプリズム17の第２の光学部材17
bと第３の光学部材17cとの間に金属全反射面17eを設け
ているため、この部分で、面発光レーザ２からの光ビー
ムはリング状となり、対物レンズから出射するビームは
超解像光学系となる。

第９図（ｂ），（ｃ）は、それぞれ、第１の光検出器
12の受光面、第２の光検出器の受光面を示す断面図であ
る。第９図から明らかな通り、第１の光検出器12の受光
面はi,j,kに３分割されており、フォーカスエラー信号S
_Fは、（ｊ＋ｋ−ｉ）を演算して検出する。また、第２
の光検出器13の受光面はl,mに２分割されており、トラ
ッキングエラー信号S_Tを（ｌ−ｍ）を演算して検出す
る。情報信号S_RFの検出は、（ｉ＋ｊ＋ｋ）−（ｌ＋
ｍ）を演算して行う。

上述した実施例では、面発光レーザとして、1990年、
オプトロニクス（OPTRONICS）、No.6に記載された垂直
共振型面発光レーザを使用したものである。しかしなが
ら、本発明は、上述の実施例に限定されるものではな
く、面発光レーザとしては、基板面と垂直にレーザ光を
出射するレーザであれば良く、前述したオプトロニクス
（OPTRONICS）1990年、No.6に記載されている、水平共
振器型の面発光レーザや、曲がり共振器型の面発光レー
ザを使用して本発明を実現することもできる。

従来の、ストライプ型のレーザは、＋電極がレーザ構
造の下面全面に形成されており、このようなストライプ
型のレーザを光学ピックアップ装置に応用する場合、前
述した特開昭63−306548号公報に記載されているよう
に、半導体基板上に錫半田領域を設けて、半田付けでレ
ーザを基板上に固定するようにする必要があった。これ
に対して、本発明の実施例では、オプトロニクス（OPTR
ONICS）に記載されているような垂直共振型面発光レー
ザを使用しており、ここでは、＋電極はリング電極とし
て形成されているため、シリコン基板を切り欠いて、切
り欠き部にリング状の錫半田領域を設けて、面発光レー
ザを前記切り欠き部のエッジに突き当ててレーザの位置
決めを行うようにしている。マイナス電極については、
電極部とマイクロプリズムの端面との間に間隙を設ける
ように構成する。従って、シリコン基板の面発光レーザ
埋め込み部分は、面発光レーザの厚みよりやや厚めにエ
ッチングするようにする。

［発明の効果］ 本発明の光学ピックアップ装置においては、共通基板
の表面内に、面発光レーザと光検出器とを配置してお
り、これらの上にマイクロプリズムを載置する構造を有
しているため、面発光レーザと光検出器との間の距離を
短く形成し、共通基板の小型化を図ることができ、ひい
ては光学ピックアップ装置全体をコンパクトに形成する
ことができる。

また、記録媒体からの戻り光がプリズム面で集束する
ことがないように構成されているため、光検出器で検出
する信号が、プリズム面に付着した埃等によって影響を
受けることがない。更に、面発光レーザが基板表面内に
配置された構造であるため、レーザ光が、面発光レーザ
の上方に載置したプリズムの端面に垂直に入射すること
となり、面発光レーザの発光点のバラツキの影響が少な
い。また、面発光レーザの取り付けに際して、位置決め
に高精度を必要とせず、組み立てを容易に行うことがで
きる。

上述した実施例においは、垂直共振型面発光レーザを
用いているため、非点隔差がなく、記録媒体上での収差
の影響を受けることがなく、安定した再生信号を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光学ピックアップ装置の第１実施例
を示す図、 第２図は、本発明の光学ピックアップ装置の第２実施例
を示す図、 第３図は、本発明の光学ピックアップ装置の第３実施例
を示す図、 第４図は、第３図に示す実施例の光検出器の受光面上に
形成されたスポット形状を示す図、 第５図は、本発明の光学ピックアップ装置の第４実施例
を示す図、 第６図は、第５図に示す実施例の光検出器の受光面上に
形成されたスポット形状を示す図、 第７図は、本発明の光学ピックアップ装置の第５実施例
を示す図、 第８図は、第７図に示す実施例の光検出器の受光面上に
形成されたスポット形状を示す図、 第９図は、本発明の光学ピックアップ装置の第６実施例
を示す図、 第10図は、従来の光学ピックアップ装置を示す図であ
る。 １……シリコン基板、２……面発光レーザ ３……光検出器、４……マイクロプリズム ５……対物レンズ、6,19……記録媒体 ７……1/4波長板 8,10,11……ホログラムレンズ 9,14……平行平面板 12……第１光検出器、13……第２光検出器 15……第３光検出器 16……第１プリズム、17……第２プリズム 18……偏光回折ホログラム

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−46242（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−79539（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−196880（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−27045（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−292634（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−197045（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−263350（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−237230（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−76138（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】レーザ光源から出射されたレーザ光をプリ
   ズムと対物レンズとを介して記録媒体に照射し、この記
   録媒体で反射された反射光を前記対物レンズ及び前記プ
   リズムを介して光検出器で受光するように構成した光学
   ピックアップ装置において、前記レーザ光源を面発光レ
   ーザとし、この面発光レーザと前記光検出器とを共通基
   板の表面内に配置し、この共通基板の表面上に前記プリ
   ズムを配置し、前記面発光レーザのレーザ発光面及び前
   記光検出器の受光面がそれぞれ前記プリズムの平面と対
   向するように前記プリズムを配置したことを特徴とする
   光学ピックアップ装置。