JP2001067714A

JP2001067714A - 光ピックアップ装置

Info

Publication number: JP2001067714A
Application number: JP23981499A
Authority: JP
Inventors: Osamu Nakano; 治中野
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1999-08-26
Filing date: 1999-08-26
Publication date: 2001-03-16

Abstract

(57)【要約】【課題】温度変化によってレーザ光の波長が変動して
も、光軸チルトが生じないようにレーザ光をビーム整形
でき、したがって安定した再生性能を得ることができる
と共に、ピンホールの製作および位置調整も容易にでき
る光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ１からのレーザ光をビーム
スプリッタ３および対物レンズ６を経て、深さ方向に複
数の記録層７を有する情報記録媒体８に照射し、その反
射光を対物レンズ６、ビームスプリッタ３およびピンホ
ール９を経て光検出器１０で受光して、情報記録媒体８
の所望の記録層７に記録されている情報を再生するよう
にした光ピックアップ装置において、半導体レーザ１と
ビームスプリッタ３との間の光路中にビーム拡がり角変
換素子２を配置して、半導体レーザ１からの断面楕円形
のレーザ光を断面ほぼ円形のレーザ光にビーム整形す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、深さ方向に複数
の記録層を有する情報記録媒体から情報を再生する光ピ
ックアップ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種の光ピックアップ装置として、例
えば特開平８−１８５６４０号公報に記載されているも
のがある。この光ピックアップ装置では、半導体レーザ
からのレーザ光をコリメータレンズで平行光束とした
後、ビームスプリッタで反射させて対物レンズにより多
層光ディスクに照射し、その反射光を対物レンズを経て
ビームスプリッタを透過させた後、絞りレンズおよびピ
ンホールを経て光検出器で受光して、所望の記録層に記
録された情報を再生するようにしている。

【０００３】また、本出願人も、例えば特許第２６２４
２５５号において、半導体レーザからのレーザ光をコリ
メータレンズで平行光束とした後、ビーム整形プリズム
でレーザ光のビーム形状を断面楕円形から断面円形にビ
ーム整形し、このビーム整形されたレーザ光をビームス
プリッタおよび対物レンズを経て多層記録媒体に照射
し、その反射光を対物レンズを経てビームスプリッタで
往路から分離した後、集光レンズおよびピンホールを経
て光検出器で受光して、所望の記録層に記録された情報
を再生するようにしたものを提案している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
従来の光ピックアップ装置では、半導体レーザからのレ
ーザ光をビーム整形していないために、多層光ディスク
で反射されてピンホールに入射する光束の断面形状も楕
円となる。このため、ピンホールも楕円形状に形成しな
ければならず、その製作が困難になると共に、ピンホー
ルの位置調整に方向性が必要となって、組み立てが面倒
になると言う問題がある。

【０００５】これに対し、後者の光ピックアップ装置で
は、半導体レーザからのレーザ光をコリメータレンズで
平行光束としてから、ビーム整形プリズムでレーザ光の
ビーム形状を断面円形にビーム整形しているので上記の
ような問題は生じない。ところが、本発明者による検討
によると、この光ピックアップ装置には、以下に説明す
るような改良すべき点があることが判明した。

【０００６】すなわち、ビーム整形プリズムでレーザ光
のビーム形状を整形する場合には、断面楕円形状の平行
光のレーザ光をビーム整形プリズムの入射面に斜めに入
射させて屈折透過させることになるため、周囲温度の変
化によって半導体レーザから出射されるレーザ光の波長
が変動すると、ビーム整形プリズムでの屈折角が変化し
て出射光軸が傾くことになる。

【０００７】例えば、半導体レーザとして発振波長が６
８０ｎｍで、０．２ｎｍ／℃の波長変動特性を有するも
のを用い、この半導体レーザからのレーザ光を、ＢＫ７
よりなるビーム整形プリズムでビーム整形倍率２．５倍
程度でビーム整形する場合には、周囲温度が例えば３０
℃変化すると、レーザ光の波長は６ｎｍ変化して、ビー
ム整形プリズムの出射光軸が約２０秒傾くことになる。
このように、かかる光ピックアップ装置では、温度変化
によって記録媒体に対するレーザ光の光軸チルトが生じ
易いため、安定した再生性能が得られ難い。

【０００８】一方、CONFOCAL MICROSCOPY(Wilson,T).19
90.ACADEMIC PRESS INC.には、このような共焦点光ピッ
クアップ装置において、ピンホール半径をｒ、使用波長
をλ、集光レンズの開口数をＮＡとすると、使用波長λ
と開口数ＮＡとで規格化されるピンホール径（エアリー
像の半径）Ｖｐは、下記（１）式で表されることが記載
されている。

【０００９】

【数１】Ｖｐ＝２π・ｒ／（λ／ＮＡ）・・・（１）

【００１０】そして、Ｖｐによる焦点深度方向のセクシ
ョニング効果は、Ｖｐ＝２までは理想状態を維持する
が、Ｖｐ＞２．５になるとセクショニング効果が急激に
低下することが開示されている。

【００１１】ここで、上記(１)に基づいて、λ＝０．６
８μｍ、ＮＡ＝０．０９１７、Ｖｐ＝２．５とした場合
の実際のピンホール半径ｒを求めると、ｒ≒３．０μｍ
となる。また、この場合のピンホールに対するスポット
の動きの許容値を１０％とすると０．３μｍとなり、こ
のスポットの動きを光軸の傾き角度に換算すると、集光
レンズの焦点距離が１８ｍｍの場合で、約３．４秒の許
容値となる。このため、ピンホールの位置決めに高精度
を要し、調整が難しくなる。

【００１２】また、このようにピンホールに対する光軸
の傾き角の許容値が非常に小さいため、多少の温度変化
によるレーザ光の波長変動によって生じるビーム整形プ
リズムでの光軸の傾きにより、ピンホールに対する光軸
の傾き角が許容値から外れ、所望の記録層の再生ができ
なくなるおそれがある。このようなビーム整形プリズム
での光軸チルトは、レーザ光の波長変動に限らず、ビー
ム整形プリズム自体の経時変化によっても生じる。

【００１３】この発明は、かかる点に鑑みてなされたも
ので、温度変化によってレーザ光の波長が変動しても、
光軸チルトが生じないようにレーザ光をビーム整形で
き、したがって安定した再生性能を得ることができると
共に、ピンホールの製作および位置調整も容易にできる
光ピックアップ装置を提供することを目的とするもので
ある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する請求
項１に係る発明は、半導体レーザからのレーザ光をビー
ムスプリッタおよび対物レンズを経て、深さ方向に複数
の記録層を有する情報記録媒体に照射し、その反射光を
前記対物レンズ、前記ビームスプリッタおよびピンホー
ルを経て光検出器で受光して、前記情報記録媒体の所望
の記録層に記録されている情報を再生するようにした光
ピックアップ装置において、前記半導体レーザと前記ビ
ームスプリッタとの間の光路中にビーム拡がり角変換素
子を配置して、前記半導体レーザからの断面楕円形のレ
ーザ光を断面ほぼ円形のレーザ光にビーム整形するよう
構成したことを特徴とするものである。

【００１５】請求項１に係る発明によると、半導体レー
ザからのレーザ光は、往路においてビーム拡がり角変換
素子により断面ほぼ円形にビーム整形されてから、往復
光路を分離するビームスプリッタに入射することになる
ので、復路においてビームスプリッタを経てピンホール
に入射する情報記録媒体からの戻り光も断面ほぼ円形と
なる。したがって、ピンホールもほぼ円形に形成すれば
よいので容易に製作することが可能になると共に、ピン
ホールの位置調整に方向性がなくなるので、組み立ても
容易になる。また、レーザ光はビーム拡がり角変換素子
でビーム整形されるので、温度変化により波長変動が生
じても、整形後のレーザ光に光軸チルトは生じない。し
たがって、安定した再生性能を得ることが可能となる。

【００１６】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
光ピックアップ装置において、前記ビームスプリッタと
前記ピンホールとの間の光路中に凹レンズを配置したこ
とを特徴とするものである。

【００１７】かかる構成によると、凹レンズによって往
路における焦点距離を長くできるので、ピンホール径を
大きくでき、したがってピンホールの製作および位置調
整をより容易に行うことが可能となる。

【００１８】請求項３に係る発明は、請求項１または２
に記載の光ピックアップ装置において、前記半導体レー
ザとは異なる波長のサーボ用レーザ光を放射するサーボ
用半導体レーザと、該サーボ用半導体レーザから放射さ
れたサーボ用レーザ光を前記対物レンズにより前記情報
記録媒体に照射するように、該サーボ用レーザ光と前記
半導体レーザからのレーザ光とを前記対物レンズに入射
させる光路合成手段と、前記サーボ用レーザ光の前記情
報記録媒体での反射光を受光するサーボ用光検出器とを
有することを特徴とするものである。

【００１９】かかる構成によると、サーボ用レーザ光を
用いてフォーカス制御および／またはトラッキング制御
を行いながら、所望の記録層に記録されている情報を再
生することが可能となる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
による光ピックアップ装置の実施の形態について説明す
る。図１は、この発明の第１実施の形態を示す全体の概
略構成図である。この実施の形態では、半導体レーザ１
から出射される、例えば半値全幅における広がり角が水
平８．５度、垂直２２度の断面楕円形のレーザ光を、半
導体レーザ１側から凸の双曲面および凹面を有する一軸
のレンズ形状からなるビーム拡がり角変換素子（例えば
シリンドリカルレンズ）２により垂直２２度が８．５度
（整形比約２．６倍）となるように断面ほぼ円形の発散
光にビーム整形する。シリンドリカルレンズ２でビーム
整形されたレーザ光は、偏光ビームスプリッタ３にＰ偏
光で入射させて、該偏光ビームスプリッタ３を透過さ
せ、その透過光をコリメータレンズ４で平行光とした
後、１／４波長板５を経て光軸方向に移動可能な対物レ
ンズ６により、深さ方向に複数の記録層７を有する情報
記録媒体８の所望の記録層に収束するように照射する。
なお、この実施の形態では、偏光ビームスプリッタ３を
半導体レーザ１との間の距離がコリメータレンズ４の焦
点距離の１／３以下となるように配置する。

【００２１】ここで、コリメータレンズ４の焦点距離ｆ
_ｃｏをｆ_ｃｏ＝１８ｍｍとすると、１／ｅ^２での瞳半径
ｗは、ｗ＝１８×sin7.225°≒２．２６(ｍｍ)となる。
また、対物レンズ６の焦点距離ｆ_ｏｂおよびＮＡを、そ
れぞれｆ_ｏｂ＝３ｍｍ、ＮＡ＝０．５５とすると、瞳半
径Ａは、Ａ＝ＮＡ×ｆ_ｏｂ＝１．６５(ｍｍ)となるの
で、ビームのＡ／Ｗは、Ａ／Ｗ＝１．６５／２．２６≒
０．７３となる。

【００２２】一方、情報記録媒体８で反射される戻り光
は、往路とは逆の経路をたどって、対物レンズ６、１／
４波長板５およびコリメータレンズ４を経て偏光ビーム
スプリッタ３に入射させる。ここで、偏光ビームスプリ
ッタ３に入射する情報記録媒体８からの戻り光は、１／
４波長板５を往路と復路とで２回透過することからＳ偏
光となるので、偏光ビームスプリッタ３で反射される。
この偏光ビームスプリッタ３で反射される情報記録媒体
８からの戻り光を、ピンホール９を介して例えばＰＩＮ
フォトダイオードよりなる光検出器１０で受光して、情
報記録媒体８の所望の記録層７に記録されている情報を
再生するようにする。

【００２３】なお、ピンホール９は、例えば透明基板１
１上にＣｒ等を被着して形成する。また、コリメータレ
ンズ４の開口数ＮＡ_ｃｏは、コリメータレンズ４と対物
レンズ６との間の光束が平行光で、コリメータレンズ４
の瞳半径と対物レンズ６の瞳半径とが同じであることか
ら、ＮＡ_ｃｏ＝Ａ／ｆ_ｃｏ＝１．６５／１８≒０．０９１６
７となるので、半導体レーザ１から出射されるレーザ光の
波長λを、例えばλ＝６８０ｎｍとするとき、上記(１)
式において例えばＶｐ＝２．５として直径約５．９μｍ
とする。

【００２４】この実施の形態によれば、半導体レーザ１
からのレーザ光をシリンドリカルレンズ２で断面ほぼ円
形にビーム整形するので、レーザ光の波長変動によって
光軸シフトが生じることはない。したがって、安定した
再生性能を得ることができる。また、シリンドリカルレ
ンズ２は、半導体レーザ１と往復光路を分離する偏光ビ
ームスプリッタ３との間に配置されているので、ピンホ
ール９に入射する情報記録媒体８からの戻り光も断面ほ
ぼ円形となる。したがって、ピンホール９もほぼ円形に
形成すればよいので容易に製作することができると共
に、ピンホール９の位置調整に方向性がなくなるので、
組み立ても容易にできる。さらに、偏光ビームスプリッ
タ３を、半導体レーザ１との間の距離がコリメータレン
ズ４の焦点距離の１／３以下となるように配置してお
り、したがって偏光ビームスプリッタ３からピンホール
９までの距離も同様になるので、偏光ビームスプリッタ
３が傾いてときのピンホール９上のスポットシフト量が
軽減できる。

【００２５】図２は、この発明の第２実施の形態を示す
全体の概略構成図である。この実施の形態では、半導体
レーザ１から出射される断面楕円形のレーザ光を、第１
実施の形態と同様にビーム拡がり角変換素子としてのシ
リンドリカルレンズ２で断面ほぼ円形にビーム整形す
る。シリンドリカルレンズ２でビーム整形されたレーザ
光は、偏光ビームスプリッタ３にＳ偏光で入射させて、
該偏光ビームスプリッタ３で反射させ、その反射光を第
1実施の形態と同様にコリメータレンズ４で平行光とし
た後、１／４波長板５を経て光軸方向に移動可能な対物
レンズ６により、深さ方向に複数の記録層７を有する情
報記録媒体８の所望の記録層に収束するように照射す
る。

【００２６】一方、情報記録媒体８で反射される戻り光
は、往路とは逆の経路をたどって、対物レンズ６、１／
４波長板５およびコリメータレンズ４を経て偏光ビーム
スプリッタ３に入射させる。ここで、偏光ビームスプリ
ッタ３に入射する情報記録媒体８からの戻り光は、１／
４波長板５を往路と復路とで２回透過することからＰ偏
光となるので、偏光ビームスプリッタ３を透過する。こ
の偏光ビームスプリッタ３を透過する情報記録媒体８か
らの戻り光は、凹レンズ１５を経てピンホール９に集光
させ、このピンホール９を透過する戻り光を光検出器１
０で受光して、情報記録媒体８の所望の記録層７に記録
されている情報を再生するようにする。

【００２７】なお、この実施の形態では、ピンホール９
を光検出器１０上に直接形成すると共に、光検出器１０
は位置調整を容易に行い得るようにするために、図３に
平面図を示すように、例えば線幅５μｍの直交する分割
線で４分割した受光領域１０ａ〜１０ｄをもって構成す
る。

【００２８】この実施の形態によれば、第１実施の形態
と同様の効果が得られる他、特に偏光ビームスプリッタ
３とピンホール９との間の戻り光の光路に凹レンズ１５
を配置したので、コリメータレンズ４と凹レンズ１５と
による望遠レンズ系によって、その焦点距離を例えば８
０ｍｍと長くでき、これによりピンホール９の直径を、
Ｖｐ＝３で３１μｍと大きくすることができる。また、
ピンホール９を光検出器１０上に直接形成しているの
で、ピンホール９の中心と、４分割受光領域１０ａ〜１
０ｄの中心すなわち直交する分割線の交点との位置合わ
せをマスク技術により１μｍ以下に抑えることができ
る。したがって、この場合、入射するスポットの中心と
ピンホール９の中心との位置ずれを、ピンホール９の半
径１５．５μｍに対して１０％以内に設定するには、ピ
ンホール９を光検出器１０と一体に１．５５μｍまで調
整できればよいことになる。

【００２９】ここで、例えば図４に示すように、光検出
器１０の位置調整方向（両矢印で示す）と直交する分割
線で分割された両側２個ずつの受光領域１０ａ，１０ｄ
および１０ｂ，１０ｃの和と差との比をとると、その出
力は、入射するスポットの中心と分割線との位置ずれに
応じて図５に示すように変化する。図５から明らかなよ
うに、上記分割線の両側での光量差は、１μｍの位置ず
れでほぼ１０％、２μｍの位置ずれでほぼ２０％となる
ので、ピンホール９および光検出器１０をスポットの中
心に対して１．５５μｍの範囲内に容易に位置調整する
ことができ、また固定後のずれを見越して、位置ずれを
１μｍ以内にする場合でも容易に調整することができ
る。図４に両矢印で示す方向と直交する方向に対する位
置調整についても、その位置調整方向と直交する分割線
で分割された両側２個ずつの受光領域１０ａ，１０ｂお
よび１０ｃ，１０ｄの和と差との比をとることにより、
同様に行うことができる。なお、このような位置調整
は、光検出器１０上にピンホール９の半径以上の直径を
有するスポットが形成できれば、同様に行うことができ
る。さらに、この実施の形態では、望遠レンズ系を構成
するコリメータレンズ４と凹レンズ１５とを直線状に配
置したので、それらの光軸ずれが発生しにくくなり、所
望の収差を安定に確保することができる。

【００３０】図６は、この発明の第３実施の形態を示す
全体の概略構成図である。図６において、情報記録媒体
２１は、グルーブを有する反射面２２と、そのグルーブ
を有する面上に設けられたフォトポリマ、フォトリフラ
クティブ結晶、フォトクロミック材料等の媒質２３と、
反射面２２の他方の面上に設けられた保護層２４とを有
しており、媒質２３中の異なる深さ位置に、それぞれ屈
折率や光吸収率を変化させて情報が記録された複数の記
録層２５が形成されている。この実施の形態では、かか
る情報記録媒体２１に、その媒質２３側から記録情報を
読み取る情報読み取り用レーザ光３０と、フォーカス制
御およびトラッキング制御を行うためのサーボ用レーザ
光４０とを照射して、所望の記録層に記録されている情
報を読み取る。なお、情報読み取り用レーザ光３０の波
長は、サーボ用レーザ光４０の波長よりも短くする。

【００３１】情報読み取り用レーザ光３０は、半導体レ
ーザ３１から出射させる。この半導体レーザ３１から発
散して出射される断面楕円形のレーザ光は、第１実施の
形態と同様に、半導体レーザ３１側から凸の双曲面およ
び凹面を有する一軸のレンズ形状からなるビーム拡がり
角変換素子（例えばシリンドリカルレンズ）３２で断面
ほぼ円形にビーム整形して偏光ビームスプリッタ３３に
Ｐ偏光で入射させ、該偏光ビームスプリッタ３３を透過
するレーザ光をコリメータレンズ３４で平行光に変換し
た後、１／４波長板３５を経てダイクロイックプリズム
３６に入射させて、該ダイクロイックプリズム３６で反
射させ、このダイクロイックプリズム３６で反射された
レーザ光を対物レンズ３７により情報記録媒体２１の所
望の記録層２５の情報トラック上に集光させる。対物レ
ンズ３７は、図示しない二軸アクチュエータにより情報
記録媒体２１に対してフォーカス方向およびトラッキン
グ方向に駆動可能に構成する。

【００３２】また、情報記録媒体２１で反射される情報
読み取り用レーザ光３０は、往路とは逆の経路をたどっ
て、対物レンズ３７、ダイクロイックプリズム３６、１
／４波長板３５およびコリメータレンズ３４を経て偏光
ビームスプリッタ３３に入射させる。ここで、偏光ビー
ムスプリッタ３３に入射する情報記録媒体２１からの反
射光は、往路と復路とで１／４波長板３５を透過するの
でＳ偏光となり、偏光ビームスプリッタ３３で反射され
る。この偏光ビームスプリッタ３３で反射されるレーザ
光は、透明基板３８ａ上にＣｒ等を被着して形成しピン
ホール３８ｂを介して例えばＰＩＮフォトダイオードよ
りなる光検出器３９で受光して、その出力に基づいて情
報記録媒体２１の所望の記録層２５に記録されている情
報を再生する。

【００３３】一方、サーボ用レーザ光４０は、光源ユニ
ット４１から出射させる。この光源ユニット４１には、
半導体レーザ４２、光検出器４３およびホログラム４４
を設け、半導体レーザ４２からホログラム４４を経て、
情報読み取り用レーザ光３０とは異なる波長のサーボ用
レーザ光４０を出射させる。この光源ユニット４１から
のサーボ用レーザ光４０は、コリメータレンズ４５で平
行光にした後、ダイクロイックプリズム３６を透過させ
て対物レンズ３７により情報記録媒体２１の反射面２２
上に集光させる。コリメータレンズ４５は、図示しない
一軸アクチュエータによりフォーカス方向に駆動可能に
構成する。

【００３４】また、情報記録媒体２１で反射されるサー
ボ用レーザ光４０は、往路とは逆の経路をたどって、対
物レンズ３７、ダイクロイックプリズム３６およびコリ
メータレンズ４５を経て光源ユニット４１のホログラム
４４に入射させて回折させ、公知のビームサイズ法やフ
ーコー法等によりフォーカスエラー信号を検出し、プッ
シュプル法、位相差法、３ビーム法等によりトラッキン
グエラー信号を検出する。対物レンズ３７およびコリメ
ータレンズ４５は、読み取るべき所望の記録層２５の位
置に応じてフォーカス方向に駆動し、さらに対物レンズ
３７は上記フォーカスエラー信号およびトラッキングエ
ラー信号に基づいてフォーカス方向およびトラッキング
方向に駆動して、情報読み取り用レーザ光３０が所望の
記録層２５に集光し、かつサーボ用レーザ光４０が反射
面２２上に集光して所望の情報トラックを追従するよう
に制御する。

【００３５】このように、この実施の形態によれば、サ
ーボ用レーザ光４０を用いてフォーカス制御および／ま
たはトラッキング制御を行いながら、情報読み取り用レ
ーザ光３０により情報記録媒体２１の所望の記録層２５
に記録されている情報を再生することができる。

【００３６】なお、上述した各実施の形態では、光ピッ
クアップ装置を無限光学系としたが、この発明は有限光
学系の場合にも有効に適用することができる。

【００３７】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体レーザからのレーザ光を、ビーム拡がり角変換素子で
断面ほぼ円形にビーム整形した後、ビームスプリッタお
よび対物レンズを経て、深さ方向に複数の記録層を有す
る情報記録媒体に照射し、その情報記録媒体からの戻り
光を対物レンズ、ビームスプリッタおよびピンホールを
経て光検出器で受光して、情報記録媒体の所望の記録層
に記録されている情報を再生するようにしたので、ピン
ホールに入射する情報記録媒体からの戻り光を断面ほぼ
円形とすることができる。したがって、ピンホールをほ
ぼ円形に形成すればよいので容易に製作することができ
ると共に、組み立ても容易になる。また、レーザ光はビ
ーム拡がり角変換素子でビーム整形され、温度変化によ
り波長変動が生じても、整形後のレーザ光に光軸チルト
は生じないので、安定した再生性能を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施の形態を示す全体の概略
構成図である。

【図２】同じく、第２実施の形態を示す全体の概略構
成図である。

【図３】図２に示す光検出器の平面図である。

【図４】第２実施の形態における光検出器の位置調整
を行うための信号処理回路を示す図である。

【図５】図４に示す信号処理回路の出力を示す図であ
る。

【図６】この発明の第３実施の形態を示す全体の概略
構成図である。

【符号の説明】

１半導体レーザ２ビーム拡がり角変換素子（シリンドリカルレンズ）３偏光ビームスプリッタ４コリメータレンズ５１／４波長板６対物レンズ７記録層８情報記録媒体９ピンホール１０光検出器１１透明基板１５凹レンズ３０情報読み取り用レーザ光３１半導体レーザ３２ビーム拡がり角変換素子（シリンドリカルレン
ズ）３３偏光ビームスプリッタ３４コリメータレンズ３５１／４波長板３６ダイクロイックプリズム３７対物レンズ３８ａ透明基板３８ｂピンホール３９光検出器４０サーボ用レーザ光４１光源ユニット４２半導体レーザ４３光検出器４４ホログラム４５コリメータレンズ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザからのレーザ光をビームス
プリッタおよび対物レンズを経て、深さ方向に複数の記
録層を有する情報記録媒体に照射し、その反射光を前記
対物レンズ、前記ビームスプリッタおよびピンホールを
経て光検出器で受光して、前記情報記録媒体の所望の記
録層に記録されている情報を再生するようにした光ピッ
クアップ装置において、前記半導体レーザと前記ビームスプリッタとの間の光路
中にビーム拡がり角変換素子を配置して、前記半導体レ
ーザからの断面楕円形のレーザ光を断面ほぼ円形のレー
ザ光にビーム整形するよう構成したことを特徴とする光
ピックアップ装置。
【請求項２】前記ビームスプリッタと前記ピンホール
との間の光路中に凹レンズを配置したことを特徴とする
請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】前記半導体レーザとは異なる波長のサー
ボ用レーザ光を放射するサーボ用半導体レーザと、該サーボ用半導体レーザから放射されたサーボ用レーザ
光を前記対物レンズにより前記情報記録媒体に照射する
ように、該サーボ用レーザ光と前記半導体レーザからの
レーザ光とを前記対物レンズに入射させる光路合成手段
と、前記サーボ用レーザ光の前記情報記録媒体での反射光を
受光するサーボ用光検出器とを有することを特徴とする
請求項１または２に記載の光ピックアップ装置。