JPH0950643A - 光再生装置 - Google Patents

光再生装置

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JPH0950643A
JPH0950643A JP8038737A JP3873796A JPH0950643A JP H0950643 A JPH0950643 A JP H0950643A JP 8038737 A JP8038737 A JP 8038737A JP 3873796 A JP3873796 A JP 3873796A JP H0950643 A JPH0950643 A JP H0950643A
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objective lens
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秀一 市浦
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建夫 外山
Katsutoshi Hibino
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板の厚さが異なる光ディスクD,d の各信号
記録面7a,70aに各々レーザスポットを集光可能な光ピッ
クアップ搭載の再生装置を提供する。 【構成】 レーザ光を対物レンズ6 に導く光学手段を光
ディスクD,d の基板7,70の厚さに応じて切り換え、この
切換後の光学手段と対物レンズ6 との協働によって、光
ディスクD の信号記録面7a、又は、光ディスクd の信号
記録面70a に各々に最適なスポット径のレーザスポット
を集光させる。上記切換は、例えば、第1半導体レーザ
1 と第2半導体レーザ10を備え、第1半導体レーザ1 の
光路に補正レンズ2 を設け、第1半導体レーザ1 の駆動
時には、補正レンズ2 と対物レンズ6 と光ディスクD の
基板7 との協働で実効的な開口数を0.45にし、ま
た、第2半導体レーザ10の駆動時には、対物レンズ6 と
光ディスクd の基板70との協働で実効的な開口数を0.
6にすることによって実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の厚さが厚い光デ
ィスクと薄い光ディスクの両者を再生できる再生装置に
関する。基板の厚さが厚い光ディスクとは、例えば、
1.2mm程度の厚さの光ディスクであり、薄い光ディ
スクとは、例えば、0.6mm程度の厚さの光ディスク
である。また、基板の厚さとは、本明細書では、基板表
面と信号記録面の距離をいうものと定義する。したがっ
て、基板表面と信号記録面の距離が0.6mm程度の光
ディスクを背中合わせに2枚貼り合わせて、全体の厚さ
を1.2mm程度とした光ディスクも、本明細書では、
基板の厚さが0.6mm程度の光ディスクと言う。
【0002】
【従来の技術】コンパクトディスク(CD)は、基板の
厚さが1.2mm程度で、トラックピッチが1.6μm
の光ディスクである。本明細書では、CDと同等の記録
密度を標準密度と言う。近年、光ディスクの記録密度を
高めることが望まれるようになっており、近い将来に
は、標準密度の光ディスクであるCDと、高密度の光デ
ィスクが併存することが予想される。このため、標準密
度のCDと高密度の光ディスクの何れをも再生できる再
生装置が望まれている。
【0003】高密度の光ディスクを再生する場合には、
信号記録面に集光されるレーザビームのスポット径を
0.9μm程度まで絞る必要がある。そのためには、レ
ーザビームの波長を短くしたり、対物レンズの開口数N
Aを大きくしたりしなければならない。しかし、対物レ
ンズの開口数NAを大きくすると、コマ収差が開口数N
Aの3乗に比例して増大するという事情があるため、レ
ーザビームが光ディスクの基板表面に垂直に入射しない
ときにはコマ収差が大きくなって、再生信号の品質が劣
化するという問題が生ずる。ここで、レーザビームの入
射角を垂直でなくならせる光ディスクの傾斜は、光ディ
スク基板の反り等に起因して発生する。一方、コマ収差
は、光ディスク基板の厚さにも比例するため、光ディス
ク基板の厚さを薄くすることによってコマ収差を減少さ
せ、これにより、光ディスク基板の傾斜に起因するコマ
収差を抑制することが可能である。この事情に基づい
て、光ディスク基板の傾斜に起因するコマ収差を抑制し
つつ対物レンズの開口数NAを大きくしてレーザビーム
のスポット径を0.9μm程度まで絞るために、光ディ
スク基板の厚さを薄くすることが検討されたのである。
【0004】しかるに、光ピックアップの対物レンズ
は、光ディスク基板の厚さとレーザビームの波長を考慮
して設計されている。このため、記録対象又は再生対象
の光ディスクの基板の厚さが、対物レンズの設計に際し
て想定された基板の厚さと異なる場合には波面収差が発
生する。その結果、その光ディスクの信号記録面にレー
ザビームスポットが集光されなくなって、信号の記録及
び再生が不可能になる。例えば、基板の厚さが0.6m
mの光ディスク用に設計された対物レンズを搭載する光
ピックアップを用いた場合には、基板の厚さが1.2m
mの光ディスクの信号記録面にレーザビームスポットを
集光させることはできず、その光ディスクに信号を記録
したり、または、その光ディスクの記録信号を再生した
りすることはできない。即ち、基板の厚さの異なる2種
類の光ディスクに対しては、各々に適した対物レンズを
搭載する光ピックアップを用意する必要がある。
【0005】図5は、外周部を適宜に遮蔽することによ
り実効的な開口数NAを変化させる対物レンズを用い、
波長780nmのレーザビームを、基板の厚さが1.2
mmの光ディスクに照射した場合に、該光ディスクの信
号記録面に集光されるレーザビームのスポット径(図
中、黒丸印)の測定値と、波面収差(図中、白丸印)の
計算値を示す。この対物レンズは、レーザビームの波長
が635nmで、光ディスク基板の厚さが0.6mmの
場合に対応するように設計されたものであり、本来の開
口数NAは、0.6である。図5から判るように、この
場合には、レーザビームのスポット径を1.5μmまで
絞ることはできない。つまり、CDのような標準密度の
光ディスクの再生に際して要求されるスポット径である
1.5μmまで、スポット径を絞ることはできない。換
言すれば、高密度で薄い基板の光ディスク用に設計され
た対物レンズを用いた場合には、レーザビームの波長と
対物レンズの開口数NAを、標準密度で厚い基板のCD
に適するように切り換えたとしても、該CDを再生でき
ないことが判る。
【0006】標準密度で厚い基板のCDと、高密度で薄
い基板の光ディスクの両者を再生可能な再生装置は、2
種類の光ピックアップを搭載して光ディスクに応じて切
り換えるように制御することで実現可能である。しか
し、そうすると、コスト高となるばかりでなく、光ピッ
クアップを切り換えるための構成が必要になるため、機
構が複雑化するとともに装置が大型化するという問題が
ある。このため、単一の光ピックアップによって、上述
の2種類の光ディスクの各信号記録面に、各々に適した
スポット径のレーザビームを集光させ得るようにするこ
とが望まれる。
【0007】このことに関連して、下記のような先行技
術がある。特開平5−303766号公報には、光ディ
スク基板の厚さに応じて、表面が非球面でパワーの無い
光学素子を平行光束中に挿入させ、又は、平行光束中か
ら退避させることにより、焦点距離を変えることなく、
基板の厚さの相違によって発生する収差を補正する光ピ
ックアップが開示されている。このようにすることで、
この光ピックアップでは、基板の厚さの異なる各光ディ
スクの記録面に各々ビームスポットを集光させている。
特開平6−215406号公報には、内周部と外周部と
でレーザビームの結像点が異なるように設計した対物レ
ンズを用いることにより、基板の厚さの異なる2種類の
光ディスクの各信号記録面に、各々ビームスポットを集
光させることができる光ピックアップが開示されてい
る。特開平6−259804号公報には、基板が厚い標
準密度のCDの再生用の半導体レーザと、基板が薄い高
密度の光ディスクの記録及び再生用の半導体レーザを備
え、光ディスクに応じて選択された半導体レーザの出力
光を、共通の光学系を通して信号記録面に集光させる装
置が開示されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】特開平5−30376
6号公報の装置では、収差補正用の光学素子を光路中に
進退させる機構を光学系に設ける必要があるため、機構
が複雑化して安定性にも問題が生じ、装置も大型化す
る。また、パワーのない光学素子で開口数を低下させる
には遮光が必須となるが、そうすると、光量の減衰を来
す。特開平6−215406号公報の装置では、所望の
特性の対物レンズを製造することが困難である。また、
レーザパワーの一部のみを記録/再生に利用して残りの
パワーを捨てることになるため、高パワーの半導体レー
ザが必要になるという問題がある。また、エネルギーの
無駄も大きい。特開平6−259804号公報の装置で
は、一方のレーザの波長と基板厚に合わせて、対物レン
ズを設計しているため、他方のレーザに対しては基板厚
が共通な場合でも球面収差が発生する。また、基板厚が
異なる場合は、さらにコマ収差が拡大して、レーザを所
定の基板上に集光照射することはできない。
【0009】本発明の目的は、標準密度で厚い基板の光
ディスク(CD等)と、高密度で薄い基板の光ディスク
(SD等)の両者を、単一の光ピックアップを用いて再
生できる再生装置を提供することである。また、本発明
の目的は、上述のレンズホルダを上述の光路に確実に進
退させることのできる機構を提供することである。ま
た、本発明の目的は、上述の2種類の光ディスクを単一
の光ピックアップを用いて再生できる再生装置を、光学
系に機械的な可動部分を設けないで実現することであ
る。また、本発明の目的は、光ピックアップに用いられ
る半導体レーザのレーザビームの利用効率を上げること
である。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、光ディスクに
レーザ光を照射して反射レーザ光を光検出器へ導く光学
手段を有する光再生装置であって、光ディスクの基板表
面と信号記録面との距離の異なる複数種類の光ディスク
に各々適合するように前記光学手段を調整する手段を備
え、調整後の光学手段と共通の対物レンズとの協働によ
って当該光ディスクの信号記録面にレーザビームスポッ
トを集光させる光再生装置である。
【0011】例えば、前記距離が1.15mm〜1.2
5mm等の標準距離の光ディスクと0.55mm〜0.
65mm等の短距離の光ディスクに各々適合するように
前記調整を行う手段を備えた装置である。例えば、前記
距離が1.15mm〜1.25mm等の標準距離の光デ
ィスクがセットされている場合にはレーザダイオードと
前記対物レンズとの間の光路に補正レンズを介挿し、前
記距離が0.55mm〜0.65mm等の短距離の光デ
ィスクがセットされている場合にはレーザダイオードと
前記対物レンズとの間の光路から補正レンズを離脱させ
る装置である。例えば、前記対物レンズは、屈折率no
が1.4〜1.8、前方側表面の曲率半径r1 が1.5
mm〜3.0mm、後方側表面の曲率半径r2 が5.0
mm〜7.0mmの範囲にあり、前記補正レンズは、屈
折率nc が1.5〜2.0、前方側表面の曲率半径r3
が6.0mm〜32mm、後方側表面の曲率半径r4 が
4.5mm〜95mmの範囲にある、装置である。ま
た、補正レンズの片面または両面が非球面である、装置
である。さらに、前記補正レンズの介挿位置は、前記対
物レンズの前方側4.0mm〜7.0mmの位置であ
る、又は前記対物レンズの前方側14mm〜22mmの
位置である、装置である。
【0012】例えば、前記調整手段は、前記補正レンズ
を保持する補正レンズホルダを前記光路に垂直な面内で
回動させることで前記介挿を行う装置である。例えば、
前記調整手段は、前記補正レンズを保持する補正レンズ
ホルダを前記光路に垂直な面内で進退させることで前記
介挿を行う装置である。例えば、前記調整手段は、板バ
ネで構成された補正レンズホルダをバネ力で変位させる
ことで該補正レンズホルダに保持された補正レンズを前
記光路に介挿させる装置である。
【0013】また、本発明は、光ディスクにレーザ光を
照射するとともに反射レーザ光を光検出器へ導く光学手
段を備えた光再生装置であって、補正レンズを搭載する
補正レンズホルダと、対物レンズを含む前記光学手段を
搭載するとともに移動機構によりディスク半径方向に移
動可能に設けられたピックアップベースと、前記補正レ
ンズを前記ピックアップベースに対してディスク半径方
向に相対変位可能で且つ該相対変位の両端で安定するよ
うに保持する保持機構と、前記ピックアップベースがデ
ィスク半径方向へ移動される際に前記補正レンズホルダ
を移動終端手前の所定位置で指令に応じて係止すること
により前記相対変位を生ぜしめる係止機構と、前記ピッ
クアップベースの移動機構と前記係止機構とを協働さ
せ、基板表面と信号記録面との距離が0.55mm〜
0.65mm等の短距離の光ディスクがセットされた場
合には前記補正レンズを前記光学手段の光路から離脱し
た状態に設定し、前記距離が1.15mm〜1.25m
m等の標準距離の光ディスクがセットされた場合には前
記補正レンズを前記光学手段の光路に介挿した状態に設
定する制御手段と、を有する光再生装置である。
【0014】また、本発明は、光ディスクの信号記録面
にレーザビームスポットを集光させるとともに該信号記
録面で反射されるレーザビームを光検出器へ導く光学手
段を備えた光再生装置であって、第1半導体レーザと、
第2半導体レーザと、光ディスクの信号記録面に合焦さ
せるレーザビームを対物レンズに入射する入射光路に第
1半導体レーザの出力ビームを導く第1光学系と、前記
入射光路に第2半導体レーザの出力ビームを導く第2光
学系と、第1光学系又は第2光学系の何れか一方の光路
に介挿されて対物レンズ及び光ディスク基板と光学的に
協働して当該光ディスクの信号記録面にレーザビームス
ポットを集光させる屈折力のある光学素子とを設ける点
にある。
【0015】また、本発明は、上記発明に於て、前記第
1半導体レーザの出力ビーム波長を第2半導体レーザの
出力ビーム波長より長くすることを更なる特徴とする。
また、本発明は、上記発明に於て、前記第1半導体レー
ザの出力ビーム波長と第2半導体レーザの出力ビーム波
長を略等しくすることを更なる特徴とする。また、本発
明は、上記発明に於て、前記第1半導体レーザの出力ビ
ーム波長を665〜800nmとし、前記第2半導体レ
ーザの出力ビーム波長を620〜695nmとし、前記
光学素子を第1光学系に介挿した補正レンズとすること
を更なる特徴とする。また、本発明は、上記発明に於
て、前記第1半導体レーザの出力ビーム波長を765〜
795nmとし、前記第2半導体レーザの出力ビーム波
長を620〜650nmとすることを更なる特徴とす
る。また、本発明は、上記発明に於て、前記第1半導体
レーザの出力ビーム波長を765〜795mとし、前記
第2半導体レーザの出力ビーム波長を635〜665n
mとすることを更なる特徴とする。また、本発明は、上
記発明に於て、前記第1半導体レーザの出力ビーム波長
と前記第2半導体レーザの出力ビーム波長を635〜6
65nmすることを更なる特徴とする。また、本発明
は、上記発明に於て、前記第1半導体レーザの出力ビー
ム波長と前記第2半導体レーザの出力ビーム波長を62
0〜650nmとすることを更なる特徴とする。
【0016】また、本発明は、上記発明に於て、基板の
厚さが1.15mm〜1.25mm等の標準距離の光デ
ィスクがセットされると第1半導体レーザをレーザビー
ム出力用に選択し、基板の厚さが0.55mm〜0.6
5mm等の短距離の光ディスクがセットされると第2半
導体レーザをレーザビーム出力用に選択する手段を付加
することを更なる特徴とする。
【0017】また、本発明は、上記発明に於て、ポリカ
ーボネート製で基板の厚さが略1.2mmの光ディスク
がセットされたとき、補正レンズと対物レンズと当該光
ディスク基板の協働による実効的な対物レンズの開口数
が0.25〜0.45であり、ポリカーボネート製で基
板の厚さが0.55〜0.65mmの光ディスクがセッ
トされたとき、対物レンズと当該光ディスク基板の協働
による実効的な対物レンズの開口数が0.55〜0.6
5することを更なる特徴とする。
【0018】また、本発明の更なる特徴は、単一の半導
体レーザの出力ビームを反射手段にて選択的に光路変更
するように構成し、この変更される光路中に対物レンズ
と光ディスク基板に協働してレーザビームスポットを集
光させるパワーのある光学素子を設ける点にある。
【0019】また、本発明は、上記発明に於て、前記半
導体レーザの出力ビーム波長を635〜665nmとす
ることを更なる特徴とする。また、本発明は、上記発明
に於て、前記半導体レーザの出力ビーム波長を620〜
650nmとすることを更なる特徴とする。
【0020】また、本発明では、ポリカーボネート製で
基板の厚さが1.15〜1.25mmの高密度光ディス
クがセットされたとき、補正レンズと対物レンズと当該
光ディスク基板の協働による実効的な対物レンズの開口
数が0.50〜0.54であり、ポリカーボネート製で
基板の厚さが0.55〜0.65mmの光ディスクがセ
ットされたとき、対物レンズと当該光ディスク基板の協
働による実効的な対物レンズの開口数が0.55〜0.
65であることを特徴とする。
【0021】また、本発明は、半導体レーザから出力さ
れるレーザ光を光ディスク基板の信号記録面に集光させ
る光学手段を備えるとともに、該信号記録面で反射され
るレーザ光を光検出器へ導いて検出する手段を備えた光
再生装置であって、前記光学手段が、対物レンズ及び光
ディスク基板と光学的に協働して当該光ディスク基板の
信号記録面にレーザビームスポットを集光させるパワー
の有る光学素子を光路中に有する第1の光路と、前記光
学素子の無い第2の光路を有し、さらに、前記第1の光
路と前記第2の光路を選択する選択手段を有する光再生
装置である。
【0022】また、本発明は、上記構成に於いて、前記
選択手段が前記第1の光路と前記第2の光路の両端の分
岐位置に各々設けられ、給電オン時には入射光を反射
し、給電オフ時には入射光を透過する液晶パネル板であ
ることを更なる特徴とする。また、本発明は、上記半導
体レーザの出力ビーム波長は635〜665nmである
ことを更なる特徴とする。また、本発明は、上記半導体
レーザの出力ビーム波長は620〜650nmであるこ
とを更なる特徴とする。
【0023】
【実施例】
第1実施例.図1は第1実施例の光ピックアップの光学
系の主要部を示す模式図である。図中、細一点鎖線は第
1半導体レーザ1 から出力されるレーザ光であり、細破
線は第2半導体レーザ10から出力されるレーザ光であ
る。また、図1では、光ディスクD と光ディスクd とい
う2種類の光ディスクが、同じ位置に重ねて描かれてい
る。光ディスクD は、厚さ約1.2mmの光ディスク基
板7 の背面に、信号記録面7aが形成された標準密度の光
ディスクである。光ディスクd は、厚さ約0.6mmの
光ディスク基板70の背面に信号記録面70a が形成された
2枚の光ディスクを背中合わせに貼り合わせて成る高密
度の光ディスクである。なお、信号記録面70a は図中1
本の線によって描かれているが、実際には、貼り合わせ
た2枚の光ディスクの各々に形成されている。
【0024】第1半導体レーザ1 からは、波長780
(±15)nmのレーザ光が出力される。つまり、厚さ
約1.2mmで標準密度の光ディスクD の再生に適した
レーザ光が出力される。また、第2半導体レーザ10から
は、波長635(±15)nmのレーザ光が出力され
る。つまり、厚さ約0.6mmで高密度の光ディスクd
の再生に適したレーザ光が出力される。
【0025】第1半導体レーザ1 から出力されたレーザ
光は、カップリングレンズ(補正レンズ)2 で平行ビー
ム又は発散ビームにされ、偏光ビームスプリッタ3 、偏
光ビームスプリッタ4 、(1/4)λ板5 、対物レンズ
6 、厚さ約1.2mmのポリカーボネート製のディスク
基板7 を通って、光ディスクD の信号記録面7aに集光さ
れる。この場合のレーザビームスポット径は、約1.5
(±0.1)μmである。即ち、標準密度の光ディスク
D の再生に適したスポット径である。また、信号記録面
7aで反射されたレーザ光は、厚さ約1.2mmのディス
ク基板7 を通った後、対物レンズ6 を通ることにより平
行ビームにされ、さらに(1/4)λ板5 を通り、偏光
ビームスプリッタ4 にて反射され、集光レンズ8 によっ
て受光センサ9 の信号検出部に合焦される。
【0026】前記補正レンズ2 は、第1半導体レーザ1
から出力されるレーザ光を平行ビーム又は発散ビームに
するように機能する。また、前記補正レンズ2 は、対物
レンズ6 及び光ディスクD の基板7 と光学的に共同して
機能して、対物レンズ6 の実効的な開口数NAを約0.
45にする。0.45とは、厚さ約1.2mmで標準密
度の光ディスクD の再生に適した開口数である。このよ
うに、前記補正レンズ2 は、レーザ光を集光したり又は
拡散方向に変更したりするレンズとしての光学的なパワ
ーを有しており、且つ、波長780(±15)nmのレ
ーザ光の波面収差を補正する機能を果たしているが、遮
光機能は無い。図6に、カップリングレンズ2 の例を示
す。
【0027】第2半導体レーザ10から出力されたレーザ
光は、コリメータレンズ11により平行ビームにされ、偏
光ビームスプリッタ3 で反射された後、偏光ビームスプ
リッタ4 、(1/4)λ板5 、対物レンズ6 、厚さ約
0.6mmのポリカーボネート製のディスク基板70を通
り、光ディスクd の信号記録面70a に集光される。この
場合のレーザビームスポット径は約0.91(±0.
1)μmである。即ち、高密度の光ディスクd に適した
スポット径である。また、信号記録面70a で反射された
レーザ光は、厚さ約0.6mmのディスク基板70を通
り、対物レンズ6 を通ることにより平行ビームにされ、
さらに(1/4)λ板5 を通り、偏光ビームスプリッタ
4 にて反射された後、集光レンズ8 によって受光センサ
9 の信号検出部に合焦される。
【0028】対物レンズ6 と光ディスクd の厚さ約0.
6mmのポリカーボネート製の基板70とが光学的に共同
して機能することにより、対物レンズ6 の実効的な開口
数NAは0.6(±0.02)になる。換言すれば、対
物レンズ6 は、厚さ約0.6mmのポリカーボネート製
の基板70と光学的に共同して機能することにより、その
実効的な開口数NAが0.6になるように設計されてい
る。
【0029】上記構成の光ピックアップを搭載する再生
装置では、厚さ約1.2mmの光ディスクD がセットさ
れた場合には、第1半導体レーザ1 がレーザ光の出力用
に選択される。また、厚さ約0.6mmの光ディスクd
がセットされた場合には、第2半導体レーザ10がレーザ
光の出力用に選択される。これにより、各光ディスクの
記録信号を再生することが可能となる。
【0030】上述の説明では、再生専用タイプの光ディ
スクについて述べているが、追記タイプの光ディスクや
書換可能タイプの光ディスクの場合も、図1に示す構成
を再生専用タイプの場合と同様に適用することができ
る。また、書換可能タイプの光ディスクとしては、光磁
気ディスクばかりでなく、相変化タイプの光ディスクの
場合も、図1に示す構成を同様に適用できる。また、従
来より提供されている追記タイプのCD(CD−R)で
は、波長780nmのレーザビームに対して高反射率が
得られるように膜が設計されているため、図1に示す構
成を備えた再生装置によって良好に再生を行うことがで
きる。
【0031】図1に示す構成の光ピックアップでは、実
際には、(1/4)λ板5 と対物レンズ6 との間に、光
路を90°変えるための反射ミラーが設けられている。
この反射ミラーは、半導体レーザ1 又は半導体レーザ10
から(1/4)λ板5 に到る光学系をディスク面と平行
に配置することを目的としており、これにより、光ピッ
クアップのコンパクト化が達成されている。図1では、
未易くするために、この反射ミラーの図示を省略してい
る。なお、この反射ミラーは、(1/4)λ板と兼用す
るプリズムによって構成することもできる。また、図1
に示す構成の光ピックアップでは、偏光ビームスプリッ
タ3,4 を用いているが、これらに代えてハーフミラーを
用いることもできる。
【0032】また、図1に示す構成の光ピックアップで
は、第1半導体レーザ1 の光路に補正レンズ2 を設け
て、第1半導体レーザ1 からレーザ光を出力した場合の
対物レンズ6 の実効的な開口数NAを約0.45にする
とともに、補正レンズ2 の無い第2半導体レーザ10から
レーザ光を出力した場合の対物レンズ6 の実効的な開口
数NAを0.6(±0.02)にしているが、補正レン
ズを第2半導体レーザ10の光路に設けてもよい。つま
り、図1の補正レンズ2 を無くして、該補正レンズ2 と
は光学的な特性が異なる補正レンズを第2半導体レーザ
10と偏光ビームスプリッタ3 との間に設けることによ
り、図1の光ピックアップと同様の機能を実現してもよ
い。
【0033】次に、図1に示すように、第2半導体レー
ザ10からレーザ光を出力して基板の厚さ約0.6mmの
光ディスクd の信号記録面70a に集光させる場合の実効
的開口数NAが0.6(±0.02)となるように対物
レンズ6 を設計した光ピックアップに於いて、第2半導
体レーザ10として波長635nm又は650nmのレー
ザ光を出力する半導体レーザを選択し、且つ、第1半導
体レーザ1 として波長780nm又は680nm又は6
50nm又は635nmのレーザ光を出力する半導体レ
ーザを選択して、第1半導体レーザ1 からレーザ光を出
力したときに基板の厚さ約1.2mmの光ディスクD の
信号記録面7aに約1.5μmの径のレーザビームスポッ
トを集光させる組合せを、図2に即して説明する。
【0034】前述の第1実施例は、図2の「組合せ2」
に相当する。即ち、第1半導体レーザ1 からは波長78
0nmのレーザ光が出力され、第2半導体レーザ10から
は波長635nmのレーザ光が出力される。第1半導体
レーザ1 からレーザ光が出力される場合の実効的な開口
数NAは0.45である。即ち、対物レンズ6 と補正レ
ンズ2 と厚さ約1.2mmのディスク基板7 とが共同し
て機能する場合の開口数NAは0.45である。また、
第2半導体レーザ10から出力される波長635nmのレ
ーザ光は、基板の厚さ約0.6mmの光ディスクd の信
号記録面70a に約0.91μmのスポット径で集光され
る。
【0035】「組合せ1」は、「組合せ2」に於いて、
第2半導体レーザ10として波長650nmのレーザ光を
出力する半導体レーザを選択した場合である。この場
合、第2半導体レーザ10から出力される波長650nm
のレーザ光は、厚さ約0.6mmのディスク基板70を通
り、約0.93μmのスポット径で信号記録面70a に集
光される。
【0036】「組合せ1」と「組合せ2」の光ピックア
ップによると、書込み可能な光ディスク(CD−R)の
再生も可能である。なんとなれば、CD−Rは、図7に
示すように、レーザ波長が短くなるに従って反射率が低
下して、780nmより短い波長では十分な再生出力を
得られないが、「組合せ1」と「組合せ2」の光ピック
アップでは、第1半導体レーザ1 として、波長780n
mのレーザ光を出力する半導体レーザを用いているため
である。
【0037】「組合せ3」と「組合せ4」では、第1半
導体レーザ1 からは波長680nmのレーザ光が出力さ
れ、この場合の実効的開口数NAは0.4である。「組
合せ3」では、第2半導体レーザ10からは波長650n
mのレーザ光が出力され、このレーザ光は、厚さ約0.
6mmのディスク基板70を通り、信号記録面70a に約
0.93μmのスポット径で集光される。「組合せ4」
では、第2半導体レーザ10からは波長635nmのレー
ザ光が出力され、このレーザ光は、厚さ約0.6mmの
ディスク基板70を通り、信号記録面70a に約0.91μ
mのスポット径で集光される。
【0038】「組合せ1」〜「組合せ4」のように、第
1半導体レーザ1 から出力されるレーザ光の波長とし
て、680nm〜800nmの範囲を選択すると、標準
密度で基板の厚さが1.2mm程度の光ディスクを再生
し易くなる。
【0039】「組合せ5」と「組合せ6」では、第1半
導体レーザ1 からは波長650nmのレーザ光が出力さ
れ、この場合の実効的開口数NAは0.37である。
「組合せ5」では、第2半導体レーザ10から波長650
nmのレーザ光が出力されて、信号記録面70a に約0.
93μmのスポット径で集光される。「組合せ6」で
は、第2半導体レーザ10から波長635nmのレーザ光
が出力されて、信号記録面70a に約0.91μmのスポ
ット径で集光される。
【0040】「組合せ7」では、第1半導体レーザ1 か
らは波長635nmのレーザ光が出力され、この場合の
実効的開口数NAは0.36である。また、第2半導体
レーザ10からも波長635nmのレーザ光が出力され、
このレーザ光は、信号記録面70a に約0.91μmのス
ポット径で集光される。
【0041】「組合せ1」〜「組合せ7」のように、第
2半導体レーザ1 から出力されるレーザ光の波長とし
て、630nm〜680nmの範囲を選択すると、高密
度で基板の厚さが0.6mm程度の光ディスクを再生し
易くなる。上述の各組合せに於いて、開口数NAの許容
誤差は各々「±0.02」、スポット径の許容誤差は各
々「±0.1μm」、レーザ波長の許容誤差は各々「±
15nm」とする。
【0042】第2実施例.図2から判るように、「組合
せ5」の場合、第1半導体レーザ1 と第2半導体レーザ
10から出力される各レーザ光の波長は650nmであ
る。また、「組合せ7」では、各レーザ光の波長は、と
もに635nmである。このように、第1半導体レーザ
1 と第2半導体レーザ10とが同一波長のレーザ光を出力
する組合せでは、半導体レーザを共用することができ
る。
【0043】図3は、半導体レーザを共用した第2実施
例の光ピックアップの光学系の主要部を模式的に示す。
図3に於いて、図1と共通の構成については図1と同じ
符号を付し、その説明は省略もしくは簡略化する。
【0044】図3の構成では、図1の第2半導体レーザ
10とコリメータレンズ11と偏光ビームスプリッタ3 が設
けられていない。また、補正レンズ2 の前後には、光路
を切り換えるための選択的反射板13と選択的反射板12が
設けられている。さらに、選択的反射板13と選択的反射
板12に対応して、反射板14とコリメータレンズ11と反射
板15とが設けられており、補正レンズ2 を通らない光路
が形成されている。
【0045】反射板13,12 は、例えば、液晶パネルによ
り構成されるもので、電源を供給された場合には、入射
するレーザ光を反射する。これにより、半導体レーザ1
から出力されたレーザ光は、選択的反射板13、反射板1
4、コリメータレンズ11、反射板15、選択的反射板12の
光路を経て、偏光ビームスプリッタ4 に到る。また、反
射板13,12 は、電源をオフされた場合には、入射するレ
ーザ光を透過する。これにより、半導体レーザ1 から出
力されたレーザ光は、選択的反射板13、補正レンズ2 、
選択的反射板12の光路を経て、偏光ビームスプリッタ4
に到る。
【0046】つまり、補正レンズ2 を通る光路と通らな
い光路が形成されており、且つ、選択的反射板13,12 へ
の電源のオン/オフにより、何れかの光路を選択可能と
されている。このため、第1実施例の「組合せ5」と
「組合せ7」を、単一の半導体レーザを用いて実現可能
である。換言すれば、標準密度で基板が厚い光ディスク
D と、高密度で基板が薄い光ディスクd を、再生可能で
ある。また、半導体レーザが1個で足りるため、コスト
が安価となる。
【0047】図3に示す構成の光ピックアップに適用さ
れる例を、「組合せ8」及び「組合せ9」として図4に
示す。即ち、半導体レーザ1 として波長650nmのレ
ーザ光を出力する半導体レーザを用いた場合と、半導体
レーザ1 として波長635nmのレーザ光を出力する半
導体レーザを用いた場合を示す。なお、これら以外の波
長のレーザ光を用いてもよい。
【0048】第1実施例と第2実施例の拡張.第1実施
例及び第2実施例で述べた各組合わせは、基板の厚さが
1.2mmで標準密度の光ディスクと、基板の厚さが
0.6mmで高密度の光ディスクを再生する再生装置に
搭載される光ピックアップであるが、この標準密度の光
ディスクに代えて、又は、この標準密度の光ディスクを
含めて、基板の厚さが約1.2mmの高密度の光ディス
クをも再生できるようにすることもできる。
【0049】そのためには、前述の「組合せ5〜組合せ
9」のように、レーザ光の波長として650nm又は6
35nmを選択し、対物レンズと厚さ0.6mmの基板
が共同で機能する場合の開口数NAが0.6となるよう
に対物レンズ6 を設計し、さらに、対物レンズと厚さ
1.2mmの基板と補正レンズ2 が共同で機能する場合
の開口数NAが0.52になるように補正レンズ2 を設
計すればよい。そのようにすることで、基板の厚さ1.
2mmの高密度の光ディスクの信号記録面に、約1.2
μmのスポット径でレーザビームを集光させることがで
きる。即ち、厚さの異なる2種類の高密度ディスクと、
さらに、場合によっては、標準密度の光ディスクをも再
生できる。本発明は、かかる構成も含む。
【0050】補正レンズ.次に、図1と図3で用いられ
る補正レンズ2 を、図14と図15に即して説明する。
なお、図14と図15では、補正レンズは「c」という
符号で示されている。また、光ディスクは「b」という
符号で示され、対物レンズは「a」という符号で示され
ている。
【0051】対物レンズaは、屈折率no が約1.4
9、前方側の表面の概ねの曲率半径r1が1.99mm
で、後方側の表面の概ねの曲率半径r2が5.32mm
である非球面レンズである。対物レンズaは、平行光が
入射する場合に於いて、光ディスクbの基板の厚さが
0.6mmのとき、波面収差rmsは0λである。
【0052】(a)第1の例(図14・低屈折率).光
ディスクbとして、基板の厚さが1.2mmの光ディス
クがセットされる場合には、対物レンズaから5.5m
m前方側(レーザ光源側)の位置に、屈折率nc が約
1.51で、前方側の表面の概ねの曲率半径r3が6.
37mm、後方側の表面の概ねの曲率半径r4が4.7
8mmの非球面の補正レンズcが設けられる。これによ
り、この場合の波面収差rmsは0.004λとなる。
即ち、基板の厚さが0.6mmの光ディスク用に設計さ
れた対物レンズaの前方に補正レンズcを設けることに
より、基板の厚さが1.2mmの光ディスクに適したレ
ーザビームスポットを得ることができる。
【0053】第1の例の補正レンズcが光軸に対して約
2°傾くと、図11に実線で示すように、光ディスクb
の基板の厚さが1.2mmのときの波面収差rmsは
0.023λとなる。また、この補正レンズcが光軸と
垂直な面内方向で0.3mmシフトすると、図10に実
線で示すように、光ディスクbの基板の厚さが1.2m
mのときの波面収差rmsは0.033λとなる。ま
た、この補正レンズcが光軸に対して約2°傾き、且
つ、光軸と垂直な面内方向で0.3mmシフトした場合
は、光ディスクbの基板の厚さが1.2mmのときの波
面収差rmsは0.039λとなる。
【0054】したがって、再生装置に於いて、例えば、
トラッキング制御が行われる場合のように、補正レンズ
cが固定されており、対物レンズaが±0.3mm変位
する場合でも、基板の厚さが1.2mmの光ディスク
を、第1の例の補正レンズcを用いることにより、不具
合無く再生できることが判る。
【0055】(b)第2の例(不図示・低屈折率).光
ディスクbとして、基板の厚さが1.2mmの光ディス
クがセットされる場合には、対物レンズaから18mm
前方側の位置に、屈折率nc が約1.51で、前方側の
表面(凹面)の概ねの曲率半径r3が4.0mm、後方
側の表面(凹面)の概ねの曲率半径r4が3.0mmの
非球面の補正レンズcが設けられる。これにより、この
場合の波面収差rmsは0.018λとなる。即ち、基
板の厚さが0.6mmの光ディスク用に設計された対物
レンズaの前方に補正レンズcを設けることにより、基
板の厚さが1.2mmの光ディスクに使用可能なレーザ
ビームスポットを得ることができる。
【0056】第2の例の補正レンズcが光軸に対して約
2°傾くと、光ディスクbの基板の厚さが1.2mmの
ときの波面収差rmsは0.045λとなる。また、こ
の補正レンズcが光軸と垂直な面内方向で0.3mmシ
フトすると、光ディスクbの基板の厚さが1.2mmの
ときの波面収差rmsは0.031λとなる。さらに、
この補正レンズcが光軸に対して約2°傾き、且つ、光
軸と垂直な面内方向で0.3mmシフトした場合は、光
ディスクbの基板の厚さが1.2mmのときの波面収差
rmsは0.028λとなる。
【0057】したがって、再生装置に於いて、例えば、
トラッキング制御が行われる場合のように、補正レンズ
cが固定されており、対物レンズaが±0.3mm変位
する場合でも、基板の厚さが1.2mmの光ディスク
を、第1の例の補正レンズcを用いることにより、不具
合無く再生できることが判る。
【0058】(c)第3の例(図15・高屈折率).光
ディスクbとして、基板の厚さが1.2mmの光ディス
クがセットされる場合には、対物レンズaから5.5m
m前方側(レーザ光源側)の位置に、屈折率nc が約
2.0で、前方側の表面の概ねの曲率半径r3が32m
m、後方側の表面の概ねの曲率半径r4が91.9mm
の非球面の補正レンズcが設けられる。これにより、こ
の場合の波面収差rmsは0.006λとなる。即ち、
基板の厚さが0.6mmの光ディスク用に設計された対
物レンズaの前方に補正レンズcを設けることにより、
基板の厚さが1.2mmの光ディスクに適したレーザビ
ームスポットを得ることができる。
【0059】第3の例の補正レンズcが光軸に対して約
2°傾くと、図11に破線で示すように、光ディスクb
の基板の厚さが1.2mmのときの波面収差rmsは
0.023λとなる。また、この補正レンズcが光軸と
垂直な面内方向で0.3mmシフトすると、図10に破
線で示すように、光ディスクbの基板の厚さが1.2m
mのときの波面収差rmsは0.033λとなる。ま
た、この補正レンズcが光軸に対して約2°傾き、且
つ、光軸と垂直な面内方向で0.3mmシフトした場合
は、光ディスクbの基板の厚さが1.2mmのときの波
面収差rmsは0.021λとなる。
【0060】したがって、再生装置に於いて、例えば、
トラッキング制御が行われる場合のように、補正レンズ
cが固定されており、対物レンズaが±0.3mm変位
する場合でも、基板の厚さが1.2mmの光ディスク
を、第1の例の補正レンズcを用いることにより、不具
合無く再生できることが判る。
【0061】(d)第4の例(不図示・高屈折率).光
ディスクbとして、基板の厚さが1.2mmの光ディス
クがセットされる場合には、対物レンズaから18mm
前方側の位置に、屈折率nc が約2.0で、前方側の表
面(凹面)の概ねの曲率半径r3が33.5mm、後方
側の表面(凹面)の概ねの曲率半径r4が45mmの非
球面の補正レンズcが設けられる。これにより、この場
合の波面収差rmsは0.001λとなる。即ち、基板
の厚さが0.6mmの光ディスク用に設計された対物レ
ンズaの前方に補正レンズcを設けることにより、基板
の厚さが1.2mmの光ディスクに適したレーザビーム
スポットを得ることができる。
【0062】第4の例の補正レンズcが光軸に対して約
2°傾くと、光ディスクbの基板の厚さが1.2mmの
ときの波面収差rmsは0.019λとなる。また、こ
の補正レンズcが光軸と垂直な面内方向で0.3mmシ
フトすると、光ディスクbの基板の厚さが1.2mmの
ときの波面収差rmsは0.007λとなる。さらに、
この補正レンズcが光軸に対して約2°傾き、且つ、光
軸と垂直な面内方向で0.3mmシフトした場合は、光
ディスクbの基板の厚さが1.2mmのときの波面収差
rmsは0.015λとなる。
【0063】したがって、再生装置に於いて、例えば、
トラッキング制御が行われる場合のように、補正レンズ
cが固定されており、対物レンズaが±0.3mm変位
する場合でも、基板の厚さが1.2mmの光ディスク
を、第1の例の補正レンズcを用いることにより、不具
合無く再生できることが判る。
【0064】以上の4つの例から判るように、補正レン
ズcが非球面で低屈折率(例1と例2では屈折率1.5
1)のレンズであっても、非球面で高屈折率(例3と例
4では屈折率2.0)のレンズであっても、基板の厚さ
が0.6mmの光ディスク用に設計された対物レンズa
の前方に上述の如く補正レンズcを設けることによっ
て、基板の厚さが1.2mmの光ディスクに記録されて
いる信号を良好に再生したり、又は、信号を良好に記録
することができる。
【0065】対物レンズaの屈折率no が1.4〜1.
8の範囲で、対物レンズaの表面の概ねの曲率半径が、
r1=1.5mm〜3.0mmの範囲、且つ、r2=
5.0mm〜7.0mmの範囲のとき、基板の厚さが
0.6mmの光ディスクに対して上記と同等の性能を有
することが確認された。また、補正レンズcの屈折率n
c が約1.5〜2.0の範囲で、補正レンズcの表面の
概ねの曲率半径が、r3=4.0mm〜34mmの範
囲、且つ、r4=3.0mm〜95mmの範囲のとき、
基板の厚さが1.2mmの光ディスクに対して上記と同
等の性能を有することが確認された。
【0066】また、補正レンズcを、対物レンズaの前
方側の4.0mm〜7.0mmの範囲の位置、又は、対
物レンズaの前方側の14mm〜22mmの範囲の位置
に配置した場合でも、基板の厚さが1.2mmの光ディ
スクに対して上記と同等の性能を有することが、図12
に示すように確認された。
【0067】上記補正レンズcを備えた光ピックアップ
の光学系の一例を図16に示す。図16に於いて、基板
の厚さが1.2mmの光ディスクbを再生する場合に
は、補正レンズcが図示の位置に進入される。これによ
り、半導体レーザLDから出力されたレーザ光は、回折格
子DGでトラッキング用のサイドビームを生成され、ビー
ムスプリッタBSを経た後、補正レンズcと対物レンズa
とにより、光ディスクbの基板表面から1.2mmの深
さの信号記録面に集光される。
【0068】また、上記信号記録面で反射されたレーザ
光は、光ディスクbの1.2mmの厚さの基板、対物レ
ンズa、補正レンズcを経て平行光にされた後、コリメ
ータレンズCLにより収束され、ビームスプリッタBSで反
射されて、受光素子PSに合焦されて検出される。
【0069】また、図16に於いて、基板の厚さが0.
6mmの光ディスクb を再生する場合には、補正レンズ
cが図示の位置から退避される。これにより、半導体レ
ーザLDから出力されたレーザ光は、回折格子DGでトラッ
キング用のサイドビームを生成され、ビームスプリッタ
BSを経た後、対物レンズaにより、光ディスクbの基板
表面から0.6mmの深さの信号記録面に集光される。
また、上記信号記録面で反射されたレーザ光は、光ディ
スクbの0.6mmの厚さの基板、対物レンズaを経て
平行光にされた後、コリメータレンズCLにより収束さ
れ、ビームスプリッタBSで反射されて、受光素子PSに合
焦されて検出される。
【0070】補正レンズの進退機構.次に、図16に示
す補正レンズcを、同図に示す位置に進入させ、又は、
退避させる機構を、図8と図9を参照して説明する。
【0071】図に於いて、ベース160 には2本のガイド
レール161,161 がディスクbの半径方向に平行に固定さ
れており、この2本のガイドレール161,161 により、ピ
ックアップベース100 が摺動可能に支持されている。ピ
ックアップベース100 内には、通常の光ピックアップに
搭載されている各種の光学部材、光検出器、アクチュエ
ータ等が搭載されている。但し、対物レンズ106 と補正
レンズ102 とは、この機構では、図示の如くピックアッ
プベース100 の外部(上部)に在る。
【0072】また、上記ベース160 には、ソレノイド15
1 が固定されており、このソレノイド151 の作用棒151a
の端部には係止部材152 が連結されている。係止部材15
2 はベース160 の上に設けられており、且つ、長孔152a
の長さ分だけ変位可能とされている。長孔152aは、前記
ガイドレール161,161 と平行な方向に延びるように係止
部材152 の両端寄りに各々設けられている。係止部材15
2 には、不図示のバネによってソレノイド151 から遠ざ
かる方向に付勢力が付与されている。また、この係止部
材152 の両端部には、各々ディスクbの内方向へ突出す
るようにして係止部152b,152c が設けられている。この
係止部152b,152c は、下記補正レンズホルダ120 の被係
止部120aを係止するための突出部である。
【0073】対物レンズ106 を支持する対物レンズホル
ダ110 と上記ピックアップベース100 との間には、補正
レンズ102 を支持する補正レンズホルダ120 が、光軸L
と直交するように設けられている。この補正レンズホル
ダ120 には、係止部152b,152c に対応する被係止部120a
が、ディスクbのトラック接線方向に平行で外方向へ突
出するように設けられている。また、この補正レンズホ
ルダ120 の両端寄りの位置には、各々孔120b,120c が設
けられている。これらの孔120b,120c は、各々ガイドレ
ール161,161 と平行な方向に延び、且つ、両端に凹み部
を有する。各孔120b,120c には、ピックアップベース10
0 の上面から突設されたピン100b,100cが各々挿通され
ている。上述の如く各孔120b,120c の両端部には各々凹
み部が設けられているため、各孔120b,120c に挿通され
た各ピン100b,100c は、各々何れかの端部の凹み部に嵌
まり込むことにより、その位置に安定的に係止される。
【0074】かかる構成の機構の動作を説明する。ソレ
ノイド151 がオフされている状態では、係止部材152 は
不図示のバネの付勢力で、図8(a)のように、ディス
クbの外周(図8で右)寄りの位置に在る。この状態
で、ピックアップベース100 がディスクbの最内周に向
けて移動されると、ピックアップベース100 が最内周位
置に到る手前の所定位置で、補正レンズホルダ120 の被
係止部120aが係止部材152 の内側の係止部152cにより係
止され、補正レンズホルダ120 の移動は該位置で停止さ
れる。一方、ピックアップベース100 はディスクbの最
内周位置まで移動される。即ち、補正レンズホルダ120
が、ピックアップベース100 に対して、相対的にディス
クbの外周寄りへ変位する。このため、それまで補正レ
ンズホルダ120 の孔120b,120c 内で図8(b)の如くデ
ィスクbの外周寄りの凹み部に在ったピン100b,100c
が、各々孔120b,120c 内でディスクbの内周側へ相対移
動して、図8(a)の如く孔120b,120c のディスク外周
寄りの凹み部に嵌まり込む。
【0075】このように、補正レンズホルダ120 がピッ
クアップベース100 に対してディスクbの外周寄りへ相
対変位する結果、補正レンズホルダ120 に支持されてい
る補正レンズ102 は、図8(b)の位置(補正レンズ10
2 が光軸L に介挿されている位置)から、図8(a)の
位置(補正レンズ102 が光軸L から離脱した位置)へ移
動する。図16の構成の場合であれば、基板の厚さが
1.2mmの光ディスク用の位置から、基板の厚さが
0.6mmの光ディスク用の位置へ移動する。
【0076】ソレノイド151 がオンされると、係止部材
152 は電磁力により吸引されて図8(b)の位置(ディ
スクbの内周寄りの位置)へ移動される。この状態で、
ピックアップベース100 がディスクbの外内周に向けて
移動されると、ピックアップベース100 が最外周位置に
到る手前の所定位置で、補正レンズホルダ120 の被係止
部120aが係止部材152 の外側の係止部152bにより係止さ
れ、補正レンズホルダ120 の移動は該位置で停止され
る。一方、ピックアップベース100 はディスクbの最外
周位置まで移動される。即ち、補正レンズホルダ120 が
ピックアップベース100 に対して相対的にディスクbの
内周寄りへ変位する。このため、それまで補正レンズホ
ルダ120 の各孔120b,120c 内で図8(a)の如くディス
クbの内周寄りの凹み部に在ったピン100b,100c が、各
々孔120b,120c 内でディスクbの外周側へ相対移動し
て、図8の(b)の如く孔120b,120c のディスク内周寄
りの凹み部に嵌まり込む。
【0077】このように、補正レンズホルダ120 がピッ
クアップベース100 に対してディスクbの内周寄りへ相
対変位する結果、補正レンズホルダ120 に支持されてい
る補正レンズ102 は、図8(a)の位置(補正レンズ10
2 が光軸L から離脱している位置)から、図8(b)の
位置(補正レンズ102 が光軸L に介挿された位置)へ移
動する。例えば、前述の第1の実施例でいえば、0.6
mm厚の光ディスク用の位置から、1.2mm厚の光デ
ィスク用の位置へ移動する。
【0078】このように、図8と図9に示す例では、補
正レンズcを光路内に進入/退避させるための主要機構
を、ピックアップベース100 ではなく、ベース160 側に
設けている。即ち、ソレノイド151 と係止部材152 をベ
ース160 側に設けている。このため、ピックアップベー
ス100 の搭載量を減らすことができる。つまり、ピック
アップベース100 側には、補正レンズホルダ120 を搭載
すれば足りる。このため、補正レンズcの進退のための
機構を簡易化できる。また、ピックアップベース100 の
移動機構も軽量化できる。
【0079】次に、図8と図9とは異なる機構を、図1
3を参照して説明する。図13の各例では、補正レンズ
を、符号「202 」によって示す。
【0080】図13(a)では、支点211 を中心に回動
される補正レンズホルダ221 が用いられている。この補
正レンズホルダ221 を回動させるための駆動力は、モー
タとベルトのリンク機構ばかりでなく、図13(b)の
ように、電磁石212 を用いた機構で実現することもでき
る。
【0081】また、図13(c)では、ピックアップベ
ース200 に対して補正レンズホルダ222 を摺動可能に構
成することで、補正レンズ202 を光路に進入させ、又
は、退避させるための機構を実現している。この補正レ
ンズホルダ222 を摺動させるための駆動力は、モータや
ベルトのリンク機構ばかりでなく、図13(d)のよう
に、電磁石213 を用いた機構で実現してもよい。なお、
補正レンズホルダ222 の摺動範囲は、補正レンズホルダ
222 の長孔222aと、該長孔222aに挿通されているピック
アップベース200 側のピン200aとによって規制されてい
る。
【0082】また、図13(e)では、板バネ223 によ
って補正レンズ202 を保持して、この板バネ223 により
補正レンズ202 を平行移動可能に構成することで、該補
正レンズ202 を光路に進入させ、又は、退避させるため
の機構を実現している。なお、板バネ223 は、光ピック
アップのアクチュエータの駆動に使用されているものと
同じ構造である。
【0083】
【発明の効果】本発明によると、基板の厚さの異なる光
ディスクの各信号記録面に各々ビームスポットを十分に
集光でき、レーザパワーの利用効率も良い。また、2個
の半導体レーザの何れかを出力用に選択するか、共通の
半導体レーザの光路を選択的に変更することで上記の機
能を果たせるため、光学系内に可動部分を設ける必要が
無く、安定性も優れている。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例の光ピックアップの光学系を示す模
式図。
【図2】第1実施例の組み合わせ例を示す図。
【図3】第2実施例の光ピックアップの光学系を示す模
式図。
【図4】第2実施例の組み合わせ例を示す図。
【図5】高密度再生用ピックアップの実効開口数に対す
るスポット径と波面収差特性を示す図。
【図6】カップリングレンズの形状説明図。
【図7】CD−Rの反射率の特性図。
【図8】補正レンズホルダをピックアップベースに対し
て相対変位させることで補正レンズを光路に進入/退避
させる機構の上面図で、(a)は介挿状態、(b)は離
脱状態を示す。
【図9】補正レンズホルダをピックアップベースに対し
て相対変位させることで補正レンズを光路に進入/退避
させる機構の分解斜視図。
【図10】補正レンズの光軸垂直方向の取付位置誤差と
波面収差の関係を示す特性図。
【図11】補正レンズの傾きと波面収差の関係を示す特
性図。
【図12】補正レンズの光軸方向の取付位置誤差と波面
収差の関係を示す特性図。
【図13】補正レンズを光路に介挿/離脱させる機構の
概念例を示す説明図。
【図14】補正レンズ、対物レンズ、ディスク厚の設計
例を示す説明図。
【図15】補正レンズ、対物レンズ、ディスク厚の設計
例を示す説明図。
【図16】補正レンズを光路に対して着脱する第3実施
例の光ピックアップの光学系を示す模式図。
【符号の説明】
2 補正レンズ c 補正レンズ 102 補正レンズ 6 対物レンズ a 対物レンズ 106 対物レンズ 100 ピックアップベース 151 ソレノイド 152 係止板 161 ガイドレール 160 ベース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平7−157033 (32)優先日 平7(1995)5月30日 (33)優先権主張国 日本(JP) (72)発明者 外山 建夫 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 日比野 克俊 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光ディスクにレーザ光を照射するととも
    に光ディスクで反射されたレーザ光を光検出器へ導く光
    学手段を有する光再生装置であって、 光ディスクの基板表面と信号記録面との距離の異なる複
    数種類の光ディスクに各々適合するように前記光学手段
    を調整する手段を備え、 調整後の光学手段と共通の対物レンズとの協働によって
    当該光ディスクの信号記録面にレーザビームスポットを
    集光させる光再生装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に於いて、 前記調整手段は、前記距離が標準距離の光ディスクと前
    記距離が短距離の光ディスクに各々適合するように前記
    調整を行う、光再生装置。
  3. 【請求項3】 請求項2に於いて、 前記標準距離は1.15mm〜1.25mmであり、前
    記短距離は0.55mm〜0.65mmである、 光再生装置。
  4. 【請求項4】 請求項2に於いて、 前記調整手段は、前記距離が標準距離の光ディスクの場
    合にはレーザダイオードと前記対物レンズとの間の光路
    に補正レンズを介挿し、前記距離が短距離の光ディスク
    の場合には上記補正レンズを上記光路から除去すること
    により前記調整を行う、光再生装置。
  5. 【請求項5】 請求項4に於いて、 前記標準距離は1.15mm〜1.25mmであり、前
    記短距離は0.55mm〜0.65mmである、 光再生装置。
  6. 【請求項6】 請求項4、請求項5に於いて、 前記対物レンズは、屈折率no が1.4〜1.8、前方
    側表面の曲率半径r1が1.5mm〜3.0mm、後方
    側表面の曲率半径r2 が5.0mm〜7.0mmの範囲
    にあり、 前記補正レンズは、屈折率nc が1.5〜2.0、前方
    側表面の曲率半径r3が4.0mm〜34mm、後方側
    表面の曲率半径r4 が3.0mm〜95mmの範囲にあ
    る、 光再生装置。
  7. 【請求項7】 請求項6に於いて、 前記補正レンズの介挿位置は、前記対物レンズの前方側
    4.0mm〜7.0mmの位置である、光再生装置。
  8. 【請求項8】 請求項6に於いて、 前記補正レンズの介挿位置は、前記対物レンズの前方側
    14mm〜22mmの位置である、光再生装置。
  9. 【請求項9】 請求項6に於いて、 前記補正レンズの片面または両面が非球面であることを
    特徴とする、 光再生装置。
  10. 【請求項10】 請求項4〜請求項9の何れかに於い
    て、 前記調整手段は、前記補正レンズを保持する補正レンズ
    ホルダを前記光路に垂直な面内で回動させることで前記
    介挿を行う、光再生装置。
  11. 【請求項11】 請求項4〜請求項9の何れかに於い
    て、 前記調整手段は、前記補正レンズを保持する補正レンズ
    ホルダを前記光路に垂直な面内で進退させることで前記
    介挿を行う、光再生装置。
  12. 【請求項12】 請求項4〜請求項9の何れかに於い
    て、 前記調整手段は、板バネで構成された補正レンズホルダ
    をバネ力で変位させることで該補正レンズホルダに保持
    された補正レンズを前記光路に介挿させる、光再生装
    置。
  13. 【請求項13】 光ディスクにレーザ光を照射するとと
    もに光ディスクで反射されたレーザ光を光検出器へ導く
    光学手段を備えた光再生装置であって、 補正レンズを搭載する補正レンズホルダと、 対物レンズを含む前記光学手段を搭載するとともに移動
    機構によりディスク半径方向に移動可能に設けられたピ
    ックアップベースと、 前記補正レンズを前記ピックアップベースに対してディ
    スク半径方向に相対変位可能で且つ該相対変位の両端で
    安定するように保持する保持機構と、 前記ピックアップベースがディスク半径方向へ移動され
    る際に前記補正レンズホルダを移動終端手前の所定位置
    で指令に応じて係止することにより前記相対変位を生ぜ
    しめる係止機構と、 前記ピックアップベースの移動機構と前記係止機構とを
    協働させ、基板表面と信号記録面との距離が短距離の光
    ディスクがセットされた場合には前記補正レンズを前記
    光学手段の光路から離脱した状態に設定し、前記距離が
    標準距離の光ディスクがセットされた場合には前記補正
    レンズを前記光学手段の光路に介挿した状態に設定する
    制御手段と、 を有する光再生装置。
  14. 【請求項14】 請求項13に於いて、 前記標準距離は1.15mm〜1.25mmであり、前
    記短距離は0.55mm〜0.65mmである、 光再生装置。
  15. 【請求項15】 光ディスク基板の信号記録面にレーザ
    ビームスポットを集光させるとともに該信号記録面で反
    射されるレーザビームを光検出器へ導く光学手段を備え
    た光再生装置であって、 第1半導体レーザと、 第2半導体レーザと、 光ディスクの信号記録面に集光させるレーザビームを対
    物レンズに入射する入射光路に前記第1半導体レーザの
    出力ビームを導く第1光学系と、 前記入射光路に前記第2半導体レーザの出力ビームを導
    く第2光学系と、 前記第1光学系又は前記第2光学系の何れか一方の光路
    に介挿されて前記対物レンズ及び光ディスク基板と光学
    的に協働して当該光ディスク基板の信号記録面にレーザ
    ビームスポットを集光させる屈折力のある光学素子と、 を有する光再生装置。
  16. 【請求項16】 請求項15に於いて、 前記第1半導体レーザの出力ビーム波長は前記第2半導
    体レーザの出力ビーム波長より長いことを特徴とする光
    再生装置。
  17. 【請求項17】 請求項15に於いて、 前記第1半導体レーザの出力ビーム波長と前記第2半導
    体レーザの出力ビーム波長は略等しいことを特徴とする
    光再生装置。
  18. 【請求項18】 請求項15に於いて、 前記第1半導体レーザの出力ビーム波長は665〜80
    0nmであり、 前記第2半導体レーザの出力ビーム波長は620〜69
    5nmであり、 前記光学素子は前記第1光学系に介挿された補正レンズ
    である、 光再生装置。
  19. 【請求項19】 請求項18に於いて、 前記第1半導体レーザの出力ビーム波長は765〜79
    5nmであり、 前記第2半導体レーザの出力ビーム波長は620〜65
    0nmである、 光再生装置。
  20. 【請求項20】 請求項18に於いて、 前記第1半導体レーザの出力ビーム波長は765〜79
    5nmであり、 前記第2半導体レーザの出力ビーム波長は635〜66
    5nmである、 光再生装置。
  21. 【請求項21】 請求項17に於いて、 前記第1半導体レーザの出力ビーム波長と前記第2半導
    体レーザの出力ビーム波長は略650nmである、 光再生装置。
  22. 【請求項22】 請求項17に於いて、 前記第1半導体レーザの出力ビーム波長と前記第2半導
    体レーザの出力ビーム波長は略635nmである、 光再生装置。
  23. 【請求項23】 請求項15に於いて、 基板の厚さが標準厚の光ディスクがセットされると前記
    第1半導体レーザをレーザビーム出力用に選択し、基板
    の厚さが薄型の光ディスクがセットされると前記第2半
    導体レーザをレーザビーム出力用に選択する手段、 を有する光再生装置。
  24. 【請求項24】 請求項23に於いて、 前記標準厚は1.15mm〜1.25mmであり、前記
    薄型は0.55mm〜0.65mmである、 光再生装置。
  25. 【請求項25】 請求項15に於いて、 ポリカーボネート製で基板の厚さが略1.2mmの光デ
    ィスク基板がセットされたとき、補正レンズと対物レン
    ズと当該光ディスク基板の協働による実効的な対物レン
    ズの開口数が0.25〜0.45であり、 ポリカーボネート製で基板の厚さが略0.6mmの光デ
    ィスク基板がセットされたとき、対物レンズと当該光デ
    ィスク基板の協働による実効的な対物レンズの開口数が
    0.55〜0.65である、 光再生装置。
  26. 【請求項26】 請求項15に於いて、 ポリカーボネート製で基板の厚さが略1.2mmの高密
    度光ディスク基板がセットされたとき、補正レンズと対
    物レンズと当該光ディスク基板の協働による実効的な対
    物レンズの開口数が0.50〜0.54であり、 ポリカーボネート製で基板の厚さが略0.6mmの光デ
    ィスク基板がセットされたとき、対物レンズと当該光デ
    ィスク基板の協働による実効的な対物レンズの開口数が
    0.55〜0.65である、 光再生装置。
  27. 【請求項27】 半導体レーザから出力されるレーザ光
    を光ディスク基板の信号記録面に集光させる光学手段を
    備えるとともに、該信号記録面で反射されるレーザ光を
    光検出器へ導いて検出する手段を備えた光再生装置であ
    って、 前記光学手段は、 対物レンズ及び光ディスク基板と光学的に協働して当該
    光ディスク基板の信号記録面にレーザビームスポットを
    集光させるパワーの有る光学素子を光路中に有する第1
    の光路と、 前記光学素子の無い第2の光路を有し、さらに、 前記第1の光路と前記第2の光路を選択する選択手段、 を有する光再生装置。
  28. 【請求項28】 請求項27に於いて、 前記選択手段は、前記第1の光路と前記第2の光路の両
    端の分岐位置に各々設けられ、給電オン時には入射光を
    反射し、給電オフ時には入射光を透過する液晶パネル板
    である、 光再生装置。
  29. 【請求項29】 請求項27、又は請求項28に於い
    て、 前記半導体レーザの出力ビーム波長は635〜665n
    mである、 光再生装置。
  30. 【請求項30】 請求項27、又は請求項28に於い
    て、 前記半導体レーザの出力ビーム波長は620〜650n
    mである、 光再生装置。
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