JPH08171747A - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
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- JPH08171747A JPH08171747A JP6315349A JP31534994A JPH08171747A JP H08171747 A JPH08171747 A JP H08171747A JP 6315349 A JP6315349 A JP 6315349A JP 31534994 A JP31534994 A JP 31534994A JP H08171747 A JPH08171747 A JP H08171747A
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- JP
- Japan
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- light
- optical
- pickup device
- optical pickup
- beam splitter
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10541—Heads for reproducing
- G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
- G11B7/124—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ピックアップ装置において、小型軽量化を
図る。 【構成】 コリメータレンズ６と半導体レーザ素子１と
の間の光路上にプリズム１４と平板ガラス１３とを貼り
合わせた構成のビームスプリッタ５が配置されている。
光磁気ディスクからの戻り光は、ビームスプリッタ５に
よりサーボエラー信号検出光９と光磁気信号検出光１０
とに分離され、サーボエラー信号検出光９はホログラム
４で回折されてフォトダイオード１１に導かれ、光磁気
信号検出光１０はホログラム４を通過せずに光導波路素
子１２に導かれる。
図る。 【構成】 コリメータレンズ６と半導体レーザ素子１と
の間の光路上にプリズム１４と平板ガラス１３とを貼り
合わせた構成のビームスプリッタ５が配置されている。
光磁気ディスクからの戻り光は、ビームスプリッタ５に
よりサーボエラー信号検出光９と光磁気信号検出光１０
とに分離され、サーボエラー信号検出光９はホログラム
４で回折されてフォトダイオード１１に導かれ、光磁気
信号検出光１０はホログラム４を通過せずに光導波路素
子１２に導かれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスクなどの
記録媒体の記録再生を行う光学的記録再生装置において
使用される光ピックアップ装置に関するものである。
記録媒体の記録再生を行う光学的記録再生装置において
使用される光ピックアップ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】上述した光磁気ディスク用の光ピックア
ップ装置として、従来、図９に示す構成のものが知られ
ている。この光ピックアップ装置は光源として、例えば
半導体レーザ素子３１を備え、半導体レーザ素子３１か
ら出射された光は、ホログラム３２、コリメータレンズ
３３および偏光ビームスプリッタ３４を透過し、ミラー
３５で方向を変えられ、対物レンズ３６によって光磁気
ディスク３７上に集光される。
ップ装置として、従来、図９に示す構成のものが知られ
ている。この光ピックアップ装置は光源として、例えば
半導体レーザ素子３１を備え、半導体レーザ素子３１か
ら出射された光は、ホログラム３２、コリメータレンズ
３３および偏光ビームスプリッタ３４を透過し、ミラー
３５で方向を変えられ、対物レンズ３６によって光磁気
ディスク３７上に集光される。
【０００３】光磁気ディスク３７で反射された光は、対
物レンズ３６とミラー３５を通って偏光ビームスプリッ
タ３４に入射する。偏光ビームスプリッタ３４に入射し
た光は、サーボエラー信号検出光と光磁気信号検出光と
に２分割される。サーボエラー信号検出光は、偏光ビー
ムスプリッタ３４を透過してコリメータレンズ３３によ
って集光されてホログラム３２に入射し、ここで回折さ
れ、サーボエラー信号検出器３８に導かれる。一方、光
磁気信号検出光は、ミラー３９、ウォラストンプリズム
４０およびスポットレンズ４１を通り、光磁気信号検出
器４２へと導かれる。
物レンズ３６とミラー３５を通って偏光ビームスプリッ
タ３４に入射する。偏光ビームスプリッタ３４に入射し
た光は、サーボエラー信号検出光と光磁気信号検出光と
に２分割される。サーボエラー信号検出光は、偏光ビー
ムスプリッタ３４を透過してコリメータレンズ３３によ
って集光されてホログラム３２に入射し、ここで回折さ
れ、サーボエラー信号検出器３８に導かれる。一方、光
磁気信号検出光は、ミラー３９、ウォラストンプリズム
４０およびスポットレンズ４１を通り、光磁気信号検出
器４２へと導かれる。
【０００４】この光ピックアップ装置において、半導体
レーザ素子３１とフォトダイオードからなる信号検出器
３８とは共通のステム上にマウントされ、一つのパッケ
ージ内に収められ、パッケージの上面にホログラム素子
３２が接着固定されている。このように半導体レーザ３
１、信号検出器３８およびホログラム素子３２は一体化
されており、耐環境性能の向上が図られている。
レーザ素子３１とフォトダイオードからなる信号検出器
３８とは共通のステム上にマウントされ、一つのパッケ
ージ内に収められ、パッケージの上面にホログラム素子
３２が接着固定されている。このように半導体レーザ３
１、信号検出器３８およびホログラム素子３２は一体化
されており、耐環境性能の向上が図られている。
【０００５】更に、光導波路素子を用いた光磁気ディス
ク用光ピックアップ装置が知られている。この光ピック
アップ装置を図１０に基づいて説明する。半導体レーザ
素子５１から出射された光は、ホログラム５２およびコ
リメータレンズ５３を透過し、ハーフミラー板と全反射
ミラーとから成る複合ミラー５４で方向を変えられ、対
物レンズ５５によって光磁気ディスク５６上に集光され
る。
ク用光ピックアップ装置が知られている。この光ピック
アップ装置を図１０に基づいて説明する。半導体レーザ
素子５１から出射された光は、ホログラム５２およびコ
リメータレンズ５３を透過し、ハーフミラー板と全反射
ミラーとから成る複合ミラー５４で方向を変えられ、対
物レンズ５５によって光磁気ディスク５６上に集光され
る。
【０００６】光磁気ディスク５６で反射された光は、対
物レンズ５５を通って複合ミラー５４に入射し、サーボ
エラー信号検出光と光磁気信号検出光とに二分割され
る。サーボエラー信号検出光は、コリメータレンズ５３
を通ってホログラム５２に入射、回折され、フォトダイ
オード５７に導かれる。一方の光磁気信号検出光は、コ
リメータレンズ５３を通ってホログラム５２を通過せず
に光導波路素子５８のカプラ部分に導かれる。光導波路
素子５８では偏光分離、信号検出が行われる。
物レンズ５５を通って複合ミラー５４に入射し、サーボ
エラー信号検出光と光磁気信号検出光とに二分割され
る。サーボエラー信号検出光は、コリメータレンズ５３
を通ってホログラム５２に入射、回折され、フォトダイ
オード５７に導かれる。一方の光磁気信号検出光は、コ
リメータレンズ５３を通ってホログラム５２を通過せず
に光導波路素子５８のカプラ部分に導かれる。光導波路
素子５８では偏光分離、信号検出が行われる。
【０００７】一般に光導波路素子へレーザ光を結合させ
るためには、入射角および入射位置を厳密に制御する必
要があり、そのため波長変動によって回折角が変化する
ホログラムの回折光を光導波路素子に結合させるのは極
めて困難である。この光ピックアップ装置では光磁気信
号検出光をホログラム５２を通過させずに光導波路素子
５８に結合させることで、波長変動の影響を抑え、ウォ
ラストンプリズムを省略し、小型軽量化を図っている。
るためには、入射角および入射位置を厳密に制御する必
要があり、そのため波長変動によって回折角が変化する
ホログラムの回折光を光導波路素子に結合させるのは極
めて困難である。この光ピックアップ装置では光磁気信
号検出光をホログラム５２を通過させずに光導波路素子
５８に結合させることで、波長変動の影響を抑え、ウォ
ラストンプリズムを省略し、小型軽量化を図っている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図９に示し
た、バルク材料のみで構成された従来例では、光磁気信
号を検出するために、水晶プリズムを貼り合わせて作っ
た高価なウォラストンプリズムを用いており、低価格
化、小型軽量化の妨げとなっていた。
た、バルク材料のみで構成された従来例では、光磁気信
号を検出するために、水晶プリズムを貼り合わせて作っ
た高価なウォラストンプリズムを用いており、低価格
化、小型軽量化の妨げとなっていた。
【０００９】一方、図１０に示した、光導波路素子を利
用した従来例では、ウォラストンプリズムを省略できる
ので小型軽量化が可能である。また、光源と、サーボエ
ラー信号検出用フォトダイオードと、光磁気信号検出用
フォトダイオードとを同じパッケージ内に配置すること
で更に小型軽量化が可能となる。しかし、複合ミラー５
４を全反射ミラーとハーフミラー板とを貼り合わせた構
成とすると、ハーフミラー面と全反射ミラー面の２つの
面で反射された各光が対物レンズ５５を通じて光磁気デ
ィスク５６上に集光されることになり、信号品質を劣化
させることになる。これを避けるためには、複合ミラー
５４と対物レンズ５５との間をある程度離すか、または
複合ミラー５４を厚くする必要があり、光ピックアップ
装置を現実的には薄くできなかった。また、このハーフ
ミラー板が平板であると、その両面で反射された光が同
じ点に集光されるため、ハーフミラー板の断面はくさび
型形状にする必要がある。更に、反射光の一方は光導波
路素子５８に導かなければならないが、光導波路素子５
８へ安定して光を結合させようとすると、入射角および
入射位置を厳密に制御する必要があり、ハーフミラー板
の両面の傾き角は通常の加工精度よりも厳しい精度が要
求される。
用した従来例では、ウォラストンプリズムを省略できる
ので小型軽量化が可能である。また、光源と、サーボエ
ラー信号検出用フォトダイオードと、光磁気信号検出用
フォトダイオードとを同じパッケージ内に配置すること
で更に小型軽量化が可能となる。しかし、複合ミラー５
４を全反射ミラーとハーフミラー板とを貼り合わせた構
成とすると、ハーフミラー面と全反射ミラー面の２つの
面で反射された各光が対物レンズ５５を通じて光磁気デ
ィスク５６上に集光されることになり、信号品質を劣化
させることになる。これを避けるためには、複合ミラー
５４と対物レンズ５５との間をある程度離すか、または
複合ミラー５４を厚くする必要があり、光ピックアップ
装置を現実的には薄くできなかった。また、このハーフ
ミラー板が平板であると、その両面で反射された光が同
じ点に集光されるため、ハーフミラー板の断面はくさび
型形状にする必要がある。更に、反射光の一方は光導波
路素子５８に導かなければならないが、光導波路素子５
８へ安定して光を結合させようとすると、入射角および
入射位置を厳密に制御する必要があり、ハーフミラー板
の両面の傾き角は通常の加工精度よりも厳しい精度が要
求される。
【００１０】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、小型軽量化が容易な光ピ
ックアップ装置を提供することを目的としている。
決すべくなされたものであり、小型軽量化が容易な光ピ
ックアップ装置を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の光ピックアップ
装置は、光源と、該光源からの光を平行光に変換するコ
リメータレンズと、該コリメータレンズを経た平行光を
記録担体に集光させる対物レンズと、記録担体からの戻
り光を２分割するビームスプリッタとを備え、２分割さ
れた一方の戻り光を回折素子により回折して光検出素子
に導いてサーボエラー信号を検出し、他方の戻り光を該
回折素子を通過させずに光導波路素子に導いて光磁気信
号を検出する光ピックアップ装置において、該コリメー
タレンズと該回折素子との間の光路上にビームスプリッ
タが配置され、そのことにより上記目的が達成される。
装置は、光源と、該光源からの光を平行光に変換するコ
リメータレンズと、該コリメータレンズを経た平行光を
記録担体に集光させる対物レンズと、記録担体からの戻
り光を２分割するビームスプリッタとを備え、２分割さ
れた一方の戻り光を回折素子により回折して光検出素子
に導いてサーボエラー信号を検出し、他方の戻り光を該
回折素子を通過させずに光導波路素子に導いて光磁気信
号を検出する光ピックアップ装置において、該コリメー
タレンズと該回折素子との間の光路上にビームスプリッ
タが配置され、そのことにより上記目的が達成される。
【００１２】本発明の光ピックアップ装置において、前
記ビームスプリッタが、プリズムと平板ガラスとから構
成されており、該プリズムと該平板ガラスとの境界面に
部分反射ミラーが形成され、該平板ガラスの該境界面と
は反対側の面に全反射ミラーが形成された構成とするこ
とができる。
記ビームスプリッタが、プリズムと平板ガラスとから構
成されており、該プリズムと該平板ガラスとの境界面に
部分反射ミラーが形成され、該平板ガラスの該境界面と
は反対側の面に全反射ミラーが形成された構成とするこ
とができる。
【００１３】本発明の光ピックアップ装置において、前
記ビームスプリッタが、プリズムと平板ガラスとから構
成されており、該プリズムと該平板ガラスとの境界面に
偏光特性を有する多層膜ミラーが形成され、該平板ガラ
スの該境界面とは反対側の面に全反射ミラーが形成され
ていて、カー回転角増倍作用を有する構成とすることが
できる。
記ビームスプリッタが、プリズムと平板ガラスとから構
成されており、該プリズムと該平板ガラスとの境界面に
偏光特性を有する多層膜ミラーが形成され、該平板ガラ
スの該境界面とは反対側の面に全反射ミラーが形成され
ていて、カー回転角増倍作用を有する構成とすることが
できる。
【００１４】本発明の光ピックアップ装置において、前
記光源からの出射光と記録担体からの戻り光とが、前記
ビームスプリッタの平板ガラスの全反射ミラー面におい
て重ならないよう、該平板ガラスが厚くなっており、該
光源からの出射光が照射される、全反射ミラー面上の領
域に反射防止膜が設けられた構成とすることができる。
記光源からの出射光と記録担体からの戻り光とが、前記
ビームスプリッタの平板ガラスの全反射ミラー面におい
て重ならないよう、該平板ガラスが厚くなっており、該
光源からの出射光が照射される、全反射ミラー面上の領
域に反射防止膜が設けられた構成とすることができる。
【００１５】本発明の光ピックアップ装置において、前
記光源からの出射光と記録担体からの戻り光とが、前記
ビームスプリッタの平板ガラスの全反射ミラー面におい
て重ならないよう、該平板ガラスが厚くなっており、該
光源からの出射光が照射される、全反射ミラー面上の領
域に光吸収膜が設けられた構成とすることができる。本
発明の光ピックアップ装置において、前記ビームスプリ
ッタと前記光源との間の光路上に開口絞りが設けられた
構成とすることができる。
記光源からの出射光と記録担体からの戻り光とが、前記
ビームスプリッタの平板ガラスの全反射ミラー面におい
て重ならないよう、該平板ガラスが厚くなっており、該
光源からの出射光が照射される、全反射ミラー面上の領
域に光吸収膜が設けられた構成とすることができる。本
発明の光ピックアップ装置において、前記ビームスプリ
ッタと前記光源との間の光路上に開口絞りが設けられた
構成とすることができる。
【００１６】本発明の光ピックアップ装置において、前
記光導波路素子が、マイクロレンズ、プリズムおよび偏
光分離部を、光の進行する順に配した構成とすることが
できる。
記光導波路素子が、マイクロレンズ、プリズムおよび偏
光分離部を、光の進行する順に配した構成とすることが
できる。
【００１７】本発明の光ピックアップ装置において、前
記光導波路素子の偏光分離部が、二つの異なる構造の光
導波路の境界を、厚みをテーパ状に変化させたテーパ状
結合部とし、導波光がこの境界を通過するとき各偏光の
屈折角が異なる効果を利用して偏光分離を行う構成とす
ることができる。
記光導波路素子の偏光分離部が、二つの異なる構造の光
導波路の境界を、厚みをテーパ状に変化させたテーパ状
結合部とし、導波光がこの境界を通過するとき各偏光の
屈折角が異なる効果を利用して偏光分離を行う構成とす
ることができる。
【００１８】本発明の光ピックアップ装置において、前
記光導波路素子における前記テーパ状結合部が２以上形
成され、この状態の結合部を導波光が通過するようにな
し、各偏光の分離角を拡大し、光導波路長を短くする構
成とすることができる。
記光導波路素子における前記テーパ状結合部が２以上形
成され、この状態の結合部を導波光が通過するようにな
し、各偏光の分離角を拡大し、光導波路長を短くする構
成とすることができる。
【００１９】本発明の光ピックアップ装置において、前
記プリズム上に前記マイクロレンズが一体形成された構
成とすることができる。
記プリズム上に前記マイクロレンズが一体形成された構
成とすることができる。
【００２０】
【作用】本発明の光ピックアップ装置においては、対物
レンズとコリメータレンズとの間にビームスプリッタを
配置するのではなく、コリメータレンズと回折素子との
間にビームスプリッタを配置し、戻り光の一部を回折素
子を通過させず光源と同一パッケージ内の光導波路素子
上に導き、光磁気信号を検出するよう構成したものであ
る。
レンズとコリメータレンズとの間にビームスプリッタを
配置するのではなく、コリメータレンズと回折素子との
間にビームスプリッタを配置し、戻り光の一部を回折素
子を通過させず光源と同一パッケージ内の光導波路素子
上に導き、光磁気信号を検出するよう構成したものであ
る。
【００２１】この構成とすれば、高価で大きなウォラス
トンプリズムの代わりに、小型で生産性に優れている光
導波路素子を用いることになり、光ピックアップ装置の
小型軽量化が図れる。また対物レンズと立ち上げミラー
とを離したり、複合ミラーのハーフミラー板を厚くする
必要がなくなるため、光ピックアップ装置をより薄くで
きる。
トンプリズムの代わりに、小型で生産性に優れている光
導波路素子を用いることになり、光ピックアップ装置の
小型軽量化が図れる。また対物レンズと立ち上げミラー
とを離したり、複合ミラーのハーフミラー板を厚くする
必要がなくなるため、光ピックアップ装置をより薄くで
きる。
【００２２】ビームスプリッタは、平板ミラーと三角プ
リズムとを貼り合わせることで構成でき、高い加工精度
が要求されるくさび型形状のハーフミラー板を用いた複
合ミラーよりも、安価で容易に作製できる。
リズムとを貼り合わせることで構成でき、高い加工精度
が要求されるくさび型形状のハーフミラー板を用いた複
合ミラーよりも、安価で容易に作製できる。
【００２３】また、ビームスプリッタに偏光特性をもた
せると、カー回転角増倍効果により信号品質を向上させ
ることができる。また、平板ミラーを厚くし、ミラーの
一部に反射防止膜、光散乱膜を設けることにより、光源
から出射され平板ミラー面で反射された光がコリメータ
レンズに入射し、ディスク面に集光して迷光となること
を防ぐことができるので、信号品質を劣化させることな
く、コリメータレンズと対物レンズとの間隔を縮めるこ
とができ、光ピックアップ装置の一層の小型軽量化が実
現できる。
せると、カー回転角増倍効果により信号品質を向上させ
ることができる。また、平板ミラーを厚くし、ミラーの
一部に反射防止膜、光散乱膜を設けることにより、光源
から出射され平板ミラー面で反射された光がコリメータ
レンズに入射し、ディスク面に集光して迷光となること
を防ぐことができるので、信号品質を劣化させることな
く、コリメータレンズと対物レンズとの間隔を縮めるこ
とができ、光ピックアップ装置の一層の小型軽量化が実
現できる。
【００２４】また、光源とビームスプリッタとの間の光
路上に開口絞りを入れると、開き角の大きい光源でもそ
の開き角を制限できるため、より信号品質を劣化させる
ことなく光ピックアップ装置の小型化ができる。
路上に開口絞りを入れると、開き角の大きい光源でもそ
の開き角を制限できるため、より信号品質を劣化させる
ことなく光ピックアップ装置の小型化ができる。
【００２５】また、光磁気信号検出のための偏光分離
は、マイクロレンズ、プリズム、光導波路型偏光分離部
で構成した小型光導波路素子で行う。光導波路への結合
はプリズム結合にて行うため、半導体レーザ素子を光源
に用いるにあたって問題となる波長変動の影響は受けに
くい。
は、マイクロレンズ、プリズム、光導波路型偏光分離部
で構成した小型光導波路素子で行う。光導波路への結合
はプリズム結合にて行うため、半導体レーザ素子を光源
に用いるにあたって問題となる波長変動の影響は受けに
くい。
【００２６】二つの異なる構造の光導波路の境界を厚み
がテーパ状に変化するテーパ状結合部として形成する。
これにより、二つの異なる構造の光導波路の境界を導波
光が斜めに横切るように通過したとき、偏光方向によっ
て光導波路の屈折率が異なるため、各偏光は異なる屈折
角で屈折する。よって、消光比の高い偏光分離ができ
る。さらに、このような境界を２以上設けておき、導波
光を通過させることにより、各偏光の屈折角の差をより
大きくでき、光導波路長をより短くすることができる。
さらに、プリズムの上面にマイクロレンズを一体化する
ことで、光導波路素子をより小型化できる。
がテーパ状に変化するテーパ状結合部として形成する。
これにより、二つの異なる構造の光導波路の境界を導波
光が斜めに横切るように通過したとき、偏光方向によっ
て光導波路の屈折率が異なるため、各偏光は異なる屈折
角で屈折する。よって、消光比の高い偏光分離ができ
る。さらに、このような境界を２以上設けておき、導波
光を通過させることにより、各偏光の屈折角の差をより
大きくでき、光導波路長をより短くすることができる。
さらに、プリズムの上面にマイクロレンズを一体化する
ことで、光導波路素子をより小型化できる。
【００２７】
【実施例】以下に本発明の実施例を具体的に説明する。
【００２８】図１は、本実施例の光ピックアップ装置を
示す正面図である。この光ピックアップ装置は、以下の
ように構成されている。光源としての半導体レーザ素子
１から出射された光２は、グレーティング３およびホロ
グラム４を透過し、平板ガラス１３とプリズム１４とを
貼り合わせて作製したビームスプリッタ５に入射され
る。その入射光は、平板ガラス１３とプリズム１４との
境界面にあるミラーで反射されて光路を変えられ、コリ
メータレンズ６を透過し、立ち上げミラー７で反射さ
れ、対物レンズ８によって記録担体としての光磁気ディ
スク（図示せず）の上に集光される。
示す正面図である。この光ピックアップ装置は、以下の
ように構成されている。光源としての半導体レーザ素子
１から出射された光２は、グレーティング３およびホロ
グラム４を透過し、平板ガラス１３とプリズム１４とを
貼り合わせて作製したビームスプリッタ５に入射され
る。その入射光は、平板ガラス１３とプリズム１４との
境界面にあるミラーで反射されて光路を変えられ、コリ
メータレンズ６を透過し、立ち上げミラー７で反射さ
れ、対物レンズ８によって記録担体としての光磁気ディ
スク（図示せず）の上に集光される。
【００２９】上記光磁気ディスクで反射された光は、対
物レンズ８、立ち上げミラー７およびコリメータレンズ
６を通って、ビームスプリッタ５に入射し、ここでサー
ボエラー信号検出光９と光磁気信号検出光１０とに２分
割される。サーボエラー信号検出光９は、ビームスプリ
ッタ５からホログラム４に入射し、ここで回折され、フ
ォトダイオード１１に導かれてサーボエラー信号として
検出される。一方、光磁気信号検出光１０は、ビームス
プリッタ５を構成する平板ガラス裏面のミラー面で反射
され、ホログラム４を通過せず、光導波路素子１２のカ
プラ部分に導かれる。このカプラ部分で光導波路に結合
した光は、光導波路内で偏光分離され、光検出器に導か
れて光磁気信号として検出される。
物レンズ８、立ち上げミラー７およびコリメータレンズ
６を通って、ビームスプリッタ５に入射し、ここでサー
ボエラー信号検出光９と光磁気信号検出光１０とに２分
割される。サーボエラー信号検出光９は、ビームスプリ
ッタ５からホログラム４に入射し、ここで回折され、フ
ォトダイオード１１に導かれてサーボエラー信号として
検出される。一方、光磁気信号検出光１０は、ビームス
プリッタ５を構成する平板ガラス裏面のミラー面で反射
され、ホログラム４を通過せず、光導波路素子１２のカ
プラ部分に導かれる。このカプラ部分で光導波路に結合
した光は、光導波路内で偏光分離され、光検出器に導か
れて光磁気信号として検出される。
【００３０】次に、ビームスプリッタ５について図２に
基づき詳しく説明する。ビームスプリッタ５は、平板ガ
ラス１３とプリズム１４とを接着して構成されており、
平板ガラス１３のｂ面は全反射ミラー、平板ガラス１３
とプリズム１４との境界面（ａ面）は部分反射ミラーま
たは偏光ミラーとなっており、偏光特性を有する構成で
ある。これらのミラーは誘電体多層膜や金属膜から成っ
ている。特に、ａ面に多層膜ミラーを形成した場合は、
後述するカー回転角を増倍する作用を生じさせることが
可能となる。
基づき詳しく説明する。ビームスプリッタ５は、平板ガ
ラス１３とプリズム１４とを接着して構成されており、
平板ガラス１３のｂ面は全反射ミラー、平板ガラス１３
とプリズム１４との境界面（ａ面）は部分反射ミラーま
たは偏光ミラーとなっており、偏光特性を有する構成で
ある。これらのミラーは誘電体多層膜や金属膜から成っ
ている。特に、ａ面に多層膜ミラーを形成した場合は、
後述するカー回転角を増倍する作用を生じさせることが
可能となる。
【００３１】したがって、半導体レーザ素子１から出射
された光２は、ａ面で反射されて対物レンズ８や光磁気
ディスクへと進み、再び同じ光路を通り、ａ面に戻って
くる。この光は、ａ面で一部が反射されてサーボエラー
信号検出光９となり、回折素子であるホログラム４によ
り光検出器であるフォトダイオード１１に導かれる。一
方、ａ面を透過した光１０は、ｂ面で全反射され、再び
ａ面を通過して光導波路素子１２に導かれる。
された光２は、ａ面で反射されて対物レンズ８や光磁気
ディスクへと進み、再び同じ光路を通り、ａ面に戻って
くる。この光は、ａ面で一部が反射されてサーボエラー
信号検出光９となり、回折素子であるホログラム４によ
り光検出器であるフォトダイオード１１に導かれる。一
方、ａ面を透過した光１０は、ｂ面で全反射され、再び
ａ面を通過して光導波路素子１２に導かれる。
【００３２】光導波路素子１２に導かれた光１０は、ホ
ログラム４を通過しないため、この構成では回折光の発
生による光量低下が生じない。また、光導波路素子１２
への入射光に回折光を用いた場合には、波長変動により
生じるスポット位置および入射角の変動が光導波路結合
効率の低下を招くが、この構成ではその問題が生じない
ため安定して光磁気信号が得られる。
ログラム４を通過しないため、この構成では回折光の発
生による光量低下が生じない。また、光導波路素子１２
への入射光に回折光を用いた場合には、波長変動により
生じるスポット位置および入射角の変動が光導波路結合
効率の低下を招くが、この構成ではその問題が生じない
ため安定して光磁気信号が得られる。
【００３３】ところで、本実施例の光ピックアップ装置
では、図２に示すように、光源からの出射光であって、
ａ面を透過してｂ面で反射された光１５が、コリメータ
レンズ６、対物レンズ８を通過して光磁気ディスク上に
集光され、その反射光が光検出器で検出されるため、信
号品質を劣化させるという問題を引き起こす。これを避
けるためには、コリメータレンズ６と対物レンズ８との
間隔を十分に引き離し、ｂ面の反射光１５が対物レンズ
８に入射しないようにする必要がある。これは光ピック
アップの大型化につながるため望ましくない。
では、図２に示すように、光源からの出射光であって、
ａ面を透過してｂ面で反射された光１５が、コリメータ
レンズ６、対物レンズ８を通過して光磁気ディスク上に
集光され、その反射光が光検出器で検出されるため、信
号品質を劣化させるという問題を引き起こす。これを避
けるためには、コリメータレンズ６と対物レンズ８との
間隔を十分に引き離し、ｂ面の反射光１５が対物レンズ
８に入射しないようにする必要がある。これは光ピック
アップの大型化につながるため望ましくない。
【００３４】例えば、平板ガラス１３の厚さを１ｍｍ、
コリメータレンズ６のＮＡを０．１７、焦点距離を１
０．７ｍｍとした場合、コリメータレンズ６と対物レン
ズ８は１７ｍｍ離さなければならない。
コリメータレンズ６のＮＡを０．１７、焦点距離を１
０．７ｍｍとした場合、コリメータレンズ６と対物レン
ズ８は１７ｍｍ離さなければならない。
【００３５】しかし、図３および図４に示すように、ビ
ームスプリッタ５の平板ガラス１３を十分に厚くすれ
ば、ｂ面において、光源から出射してａ面を透過した光
が照射される領域と、ディスクから反射されてａ面を透
過した光が照射される領域とを分離できる。これら２つ
の領域のうち、光源からの出射光が照射される領域に、
光散乱膜１６または反射防止膜１７を設ければ、ｂ面で
の反射光による迷光が除去できるため、コリメータレン
ズ６と対物レンズ８とを離す必要がなくなり、信号品質
を劣化させることなく、光ピックアップ装置の小型化が
実現される。
ームスプリッタ５の平板ガラス１３を十分に厚くすれ
ば、ｂ面において、光源から出射してａ面を透過した光
が照射される領域と、ディスクから反射されてａ面を透
過した光が照射される領域とを分離できる。これら２つ
の領域のうち、光源からの出射光が照射される領域に、
光散乱膜１６または反射防止膜１７を設ければ、ｂ面で
の反射光による迷光が除去できるため、コリメータレン
ズ６と対物レンズ８とを離す必要がなくなり、信号品質
を劣化させることなく、光ピックアップ装置の小型化が
実現される。
【００３６】また、ビームスプリッタ５に偏光特性をも
たせると、カー回転角を増倍させる作用が生じるため、
信号品質を向上させることができる。そのカー回転角増
倍率Ｂは、Ａ面のＰ偏光の反射率をｐ、Ｓ偏光の反射率
をｓとすると、Ｂ＝（１−ｐ）／（１−ｓ）となる。代
表的な値として、Ｐ偏光の反射率を０％、Ｓ偏光の反射
率を７０％とすると、カー回転角増倍率Ｂは３．３３
倍、Ｓ偏光の利用率は９％となる。
たせると、カー回転角を増倍させる作用が生じるため、
信号品質を向上させることができる。そのカー回転角増
倍率Ｂは、Ａ面のＰ偏光の反射率をｐ、Ｓ偏光の反射率
をｓとすると、Ｂ＝（１−ｐ）／（１−ｓ）となる。代
表的な値として、Ｐ偏光の反射率を０％、Ｓ偏光の反射
率を７０％とすると、カー回転角増倍率Ｂは３．３３
倍、Ｓ偏光の利用率は９％となる。
【００３７】この場合、半導体レーザ素子１からの出射
光２はＳ偏光でなければならない。しかし、通常の半導
体レーザ素子１ではファーフィールドパターンが楕円形
状であり、楕円形状の短辺方向に電界成分をもつため、
ビームスプリッタ５の入射側において大きくビームが広
がることになる。この結果、ビームスプリッタ５のｂ面
において、光源からの出射光と光磁気ディスクからの戻
り光とを分離できなくなる。この場合には、図５に示す
ように、半導体レーザ素子１とビームスプリッタ５との
間に、開口絞り１８を設け、ビームスプリッタ５への入
射光の開き角を制限することで、上記の問題を解決する
ことができる。
光２はＳ偏光でなければならない。しかし、通常の半導
体レーザ素子１ではファーフィールドパターンが楕円形
状であり、楕円形状の短辺方向に電界成分をもつため、
ビームスプリッタ５の入射側において大きくビームが広
がることになる。この結果、ビームスプリッタ５のｂ面
において、光源からの出射光と光磁気ディスクからの戻
り光とを分離できなくなる。この場合には、図５に示す
ように、半導体レーザ素子１とビームスプリッタ５との
間に、開口絞り１８を設け、ビームスプリッタ５への入
射光の開き角を制限することで、上記の問題を解決する
ことができる。
【００３８】次に、光磁気信号検出系について図６、図
７に基づき説明する。ビームスプリッタ５のｂ面で反射
された光磁気信号検出光１０は、ホログラム４を通過せ
ず、パッケージ１９（図１参照）内に導かれ、一旦集束
したのち発散光となり（図６参照）、プリズム２１に導
かれる。プリズム２１上に設けられたマイクロレンズ２
２により、その発散光は平行光に変換され、ある決まっ
た入射角で光導波路２３に結合する。光カプラから光導
波路２３に導かれた光は、偏光分離素子により各偏光成
分に分離され、フォトダイオード２４で光磁気信号が検
出される。前記偏光分離素子については、例えば各偏光
の屈折率差を利用するモードスプリッタ（特開平６−８
２６４４号）が使用される。また、パッケージ１９内に
光源、光検出器および光導波路素子などを収めると、小
型軽量化はもちろんのこと、生産性や耐環境性を向上で
きる。
７に基づき説明する。ビームスプリッタ５のｂ面で反射
された光磁気信号検出光１０は、ホログラム４を通過せ
ず、パッケージ１９（図１参照）内に導かれ、一旦集束
したのち発散光となり（図６参照）、プリズム２１に導
かれる。プリズム２１上に設けられたマイクロレンズ２
２により、その発散光は平行光に変換され、ある決まっ
た入射角で光導波路２３に結合する。光カプラから光導
波路２３に導かれた光は、偏光分離素子により各偏光成
分に分離され、フォトダイオード２４で光磁気信号が検
出される。前記偏光分離素子については、例えば各偏光
の屈折率差を利用するモードスプリッタ（特開平６−８
２６４４号）が使用される。また、パッケージ１９内に
光源、光検出器および光導波路素子などを収めると、小
型軽量化はもちろんのこと、生産性や耐環境性を向上で
きる。
【００３９】次に、上記光導波路２３の作製例を説明す
る。先ず、Ｓｉ基板２５を熱酸化して厚さ約２μｍのＳ
ｉＯ2からなるバッファ層２６を生成し、その後、図７
に示す偏光分離部（領域Ｄ）には、図６に示すように、
高屈折率ガラス、例えばＴａ2Ｏ5からなる高屈折率層２
９を形成する。さらに、その上に導波層としてガラス膜
（コーニング＃７０５９）２７を成膜し、続いてＳｉＯ
2膜２８をプリズム結合におけるギャップ層として成膜
する。
る。先ず、Ｓｉ基板２５を熱酸化して厚さ約２μｍのＳ
ｉＯ2からなるバッファ層２６を生成し、その後、図７
に示す偏光分離部（領域Ｄ）には、図６に示すように、
高屈折率ガラス、例えばＴａ2Ｏ5からなる高屈折率層２
９を形成する。さらに、その上に導波層としてガラス膜
（コーニング＃７０５９）２７を成膜し、続いてＳｉＯ
2膜２８をプリズム結合におけるギャップ層として成膜
する。
【００４０】各層の屈折率および膜厚などの数値例を以
下に示す。
下に示す。
【００４１】レーザ波長：７８０ｎｍ ギャップ層：ｎｇ＝１．４３ ｄ＝２００ｎｍ 導波層 ：ｎｆ＝１．５３ ｄ＝５７０ｎｍ 高屈折率層：ｎｈ＝１．９ ｄ＝１１５ｎｍ バッファ層：ｎｂ＝１．４３ このとき、導波路の各領域Ｃ、Ｄの実効屈折率は以下の
ようになり、各偏光の屈折角に差が生じる。
ようになり、各偏光の屈折角に差が生じる。
【００４２】
【表１】
【００４３】図７に示すように、領域Ｃと領域Ｄとの境
界に対し、４５°で入射して直角二等辺三角形の形状の
偏光分離部（領域Ｄ）を一回通過させると、各偏光の屈
折角の差は３．５°となる。各偏光を各フォトダイオー
ドで検出するためには、フォトダイオード上で光線間の
距離が５０μｍほど必要で、導波路長は約８５０μｍ必
要となる。偏光分離部を２回通過させると、屈折角の差
は７．６°と大きくなり、必要な導波路長も約４００μ
ｍと短くでき、光導波路素子１２をより小さくできる。
界に対し、４５°で入射して直角二等辺三角形の形状の
偏光分離部（領域Ｄ）を一回通過させると、各偏光の屈
折角の差は３．５°となる。各偏光を各フォトダイオー
ドで検出するためには、フォトダイオード上で光線間の
距離が５０μｍほど必要で、導波路長は約８５０μｍ必
要となる。偏光分離部を２回通過させると、屈折角の差
は７．６°と大きくなり、必要な導波路長も約４００μ
ｍと短くでき、光導波路素子１２をより小さくできる。
【００４４】光導波路素子１２は、ＩＣの技術の応用で
作製できるため生産性に極めて富んでおり、また光学系
を１枚の基板上に集積化できるため大幅な小型軽量化が
可能である。
作製できるため生産性に極めて富んでおり、また光学系
を１枚の基板上に集積化できるため大幅な小型軽量化が
可能である。
【００４５】図８は、光導波路素子１２、半導体レーザ
素子１およびサーボエラー信号検出用のフォトダイオー
ド１１の配置例を示す。半導体レーザ素子１からの出射
光の偏光方位はＹ軸に平行である。一方、光磁気信号検
出光はカー効果により偏光面が１〜２°回転している。
しかし、その回転量は微小であるため、光磁気ディスク
に集光される光の偏光方向に対して、±４５°の方位と
なる偏光成分を検出し、その差動信号を検出するのが望
ましい。したがって、図８に示すように、光導波路素子
１２をＸ軸に対して４５°傾けて配置すると、光導波路
素子１２内のＴＥモードおよびＴＭモードは半導体レー
ザ素子からの出射光の偏光方位に対して±４５°の方位
の偏光成分に対応するようになり、Ｓ／Ｎの高い再生信
号が得られる。
素子１およびサーボエラー信号検出用のフォトダイオー
ド１１の配置例を示す。半導体レーザ素子１からの出射
光の偏光方位はＹ軸に平行である。一方、光磁気信号検
出光はカー効果により偏光面が１〜２°回転している。
しかし、その回転量は微小であるため、光磁気ディスク
に集光される光の偏光方向に対して、±４５°の方位と
なる偏光成分を検出し、その差動信号を検出するのが望
ましい。したがって、図８に示すように、光導波路素子
１２をＸ軸に対して４５°傾けて配置すると、光導波路
素子１２内のＴＥモードおよびＴＭモードは半導体レー
ザ素子からの出射光の偏光方位に対して±４５°の方位
の偏光成分に対応するようになり、Ｓ／Ｎの高い再生信
号が得られる。
【００４６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明による場合
は、高価で大きなウォラストンプリズムの代わりに、小
型で生産性に優れている光導波路素子を用いることがで
き、光ピックアップ装置の小型軽量化が図れる。また、
対物レンズと立ち上げミラーとを離したり、複合ミラー
のハーフミラー板を厚くする必要がなくなるため、光ピ
ックアップ装置をより薄くできる。
は、高価で大きなウォラストンプリズムの代わりに、小
型で生産性に優れている光導波路素子を用いることがで
き、光ピックアップ装置の小型軽量化が図れる。また、
対物レンズと立ち上げミラーとを離したり、複合ミラー
のハーフミラー板を厚くする必要がなくなるため、光ピ
ックアップ装置をより薄くできる。
【００４７】また、ビームスプリッタを平板ミラーと三
角プリズムとで構成すると、高い加工精度が要求される
くさび型形状のハーフミラー板を用いた複合ミラーより
も、安価で容易に作製できる。また、ビームスプリッタ
に偏光特性をもたせると、カー回転角増倍効果により信
号品質を向上させることができる。また、平板ミラーを
厚くし、ミラーの一部に反射防止膜や光散乱膜を設ける
ことにより、光源から出射され平板ミラー面で反射され
た光がコリメータレンズに入射し、ディスク面に集光し
て迷光となることを防ぐことができるので、信号品質を
劣化させることなく、コリメータレンズと対物レンズの
間隔を縮めることができ、光ピックアップ装置の一層の
小型軽量化が実現できる。このとき、光源とビームスプ
リッタとの間の光路上に開口絞りを入れると、開き角の
大きい光源でもその開き角を制限できるため、より信号
品質を劣化させることなく光ピックアップ装置の小型化
ができる。
角プリズムとで構成すると、高い加工精度が要求される
くさび型形状のハーフミラー板を用いた複合ミラーより
も、安価で容易に作製できる。また、ビームスプリッタ
に偏光特性をもたせると、カー回転角増倍効果により信
号品質を向上させることができる。また、平板ミラーを
厚くし、ミラーの一部に反射防止膜や光散乱膜を設ける
ことにより、光源から出射され平板ミラー面で反射され
た光がコリメータレンズに入射し、ディスク面に集光し
て迷光となることを防ぐことができるので、信号品質を
劣化させることなく、コリメータレンズと対物レンズの
間隔を縮めることができ、光ピックアップ装置の一層の
小型軽量化が実現できる。このとき、光源とビームスプ
リッタとの間の光路上に開口絞りを入れると、開き角の
大きい光源でもその開き角を制限できるため、より信号
品質を劣化させることなく光ピックアップ装置の小型化
ができる。
【００４８】また、光磁気信号検出のための偏光分離
は、マイクロレンズ、プリズム、光導波路型偏光分離部
で構成した小型光導波路素子で行う。光導波路への結合
はプリズム結合にて行うため、半導体レーザを光源に用
いるにあたって問題となる波長変動の影響は受けにく
い。
は、マイクロレンズ、プリズム、光導波路型偏光分離部
で構成した小型光導波路素子で行う。光導波路への結合
はプリズム結合にて行うため、半導体レーザを光源に用
いるにあたって問題となる波長変動の影響は受けにく
い。
【００４９】二つの異なる構造の光導波路の境界を厚み
がテーパ状に変化するテーパ状結合部として形成した場
合、その境界を導波光が斜めに横切るように通過したと
き、偏光方向によって光導波路の屈折率が異なるため、
各偏光は異なる屈折角で屈折し、消光比の高い偏光分離
ができる。さらに、このような境界を２以上形成し、導
波光を通過させることにより、各偏光の屈折角の差を大
きくでき、光導波路長をより短くすることができる。さ
らに、プリズム上面にマイクロレンズを一体化すること
で、光導波路素子をより小型化できる。
がテーパ状に変化するテーパ状結合部として形成した場
合、その境界を導波光が斜めに横切るように通過したと
き、偏光方向によって光導波路の屈折率が異なるため、
各偏光は異なる屈折角で屈折し、消光比の高い偏光分離
ができる。さらに、このような境界を２以上形成し、導
波光を通過させることにより、各偏光の屈折角の差を大
きくでき、光導波路長をより短くすることができる。さ
らに、プリズム上面にマイクロレンズを一体化すること
で、光導波路素子をより小型化できる。
【図１】本実施例の光ピックアップ装置を示す正面図で
ある。
ある。
【図２】図１の光ピックアップ装置におけるビームスプ
リッタの構成を示す正面図である。
リッタの構成を示す正面図である。
【図３】本発明の他の実施例の光ピックアップ装置を示
す正面図である。
す正面図である。
【図４】本発明の更に他の実施例の光ピックアップ装置
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図５】本発明の更に他の実施例の光ピックアップ装置
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図６】図１の光ピックアップ装置における光導波路素
子を示す正面図（一部断面図）である。
子を示す正面図（一部断面図）である。
【図７】図６の光導波路素子を示す平面図である。
【図８】図１の光ピックアップ装置におけるパッケージ
内の配置を示す平面図である。
内の配置を示す平面図である。
【図９】従来の光ピックアップ装置を示す正面図であ
る。
る。
【図１０】従来の他の光ピックアップ装置を示す正面図
である。
である。
１、３１、５１ 半導体レーザ素子 ４、３２、５２ ホログラム ５、３４、５４ ビームスプリッタ ６、３３、５３ コリメータレンズ ７、３５ 立ち上げミラー ８、３６、５５ 対物レンズ １１、３８、５７ フォトダイオード（光検出器） １２、５８ 光導波路素子 １３ 平板ガラス １４ プリズム １６ 光散乱膜 １７ 反射防止膜 １８ 開口絞り ２１ プリズム ２２ マイクロレンズ ２４ フォトダイオード ２５ Ｓｉ基板 ２６ バッファ層 ２７ ガラス膜（導波層） ２８ ＳｉＯ2膜（ギャップ層） ２９ 高屈折率層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 圭男 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 倉田 幸夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 光源と、該光源からの光を平行光に変換
するコリメータレンズと、該コリメータレンズを経た平
行光を記録担体に集光させる対物レンズと、記録担体か
らの戻り光を２分割するビームスプリッタとを備え、２
分割された一方の戻り光を回折素子により回折して光検
出素子に導いてサーボエラー信号を検出し、他方の戻り
光を該回折素子を通過させずに光導波路素子に導いて光
磁気信号を検出する光ピックアップ装置において、 該コリメータレンズと該回折素子との間の光路上にビー
ムスプリッタが配置されている光ピックアップ装置。 - 【請求項２】 前記ビームスプリッタが、プリズムと平
板ガラスとから構成されており、該プリズムと該平板ガ
ラスとの境界面に部分反射ミラーが形成され、該平板ガ
ラスの該境界面とは反対側の面に全反射ミラーが形成さ
れている請求項１記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項３】 前記ビームスプリッタが、プリズムと平
板ガラスとから構成されており、該プリズムと該平板ガ
ラスとの境界面に偏光特性を有する多層膜ミラーが形成
され、該平板ガラスの該境界面とは反対側の面に全反射
ミラーが形成されていて、カー回転角増倍作用を有する
構成となっている請求項１記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項４】 前記光源からの出射光と記録担体からの
戻り光とが、前記ビームスプリッタの平板ガラスの全反
射ミラー面において重ならないよう、該平板ガラスが厚
くなっており、該光源からの出射光が照射される、全反
射ミラー面上の領域に反射防止膜が設けられている請求
項２または３記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項５】 前記光源からの出射光と記録担体からの
戻り光とが、前記ビームスプリッタの平板ガラスの全反
射ミラー面において重ならないよう、該平板ガラスが厚
くなっており、該光源からの出射光が照射される、全反
射ミラー面上の領域に光吸収膜が設けられている請求項
２または３記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項６】 前記ビームスプリッタと前記光源との間
の光路上に開口絞りが設けられている請求項４または５
記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項７】 前記光導波路素子が、マイクロレンズ、
プリズムおよび偏光分離部を、光の進行する順に配した
構成となっている請求項１乃至６のいずれか１つに記載
の光ピックアップ装置。 - 【請求項８】 前記光導波路素子の偏光分離部が、二つ
の異なる構造の光導波路の境界を、厚みをテーパ状に変
化させたテーパ状結合部とし、導波光がこの境界を通過
するとき各偏光の屈折角が異なる効果を利用して偏光分
離を行う構成となっている請求項７記載の光ピックアッ
プ装置。 - 【請求項９】 前記光導波路素子において、前記テーパ
状結合部が２以上形成され、この状態の結合部を導波光
が通過するようになし、各偏光の分離角を拡大し、光導
波路長を短くする構成となっている請求項８記載の光ピ
ックアップ装置。 - 【請求項１０】 前記プリズム上に前記マイクロレンズ
が一体形成されている請求項７、８または９記載の光ピ
ックアップ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6315349A JP3029541B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 光ピックアップ装置 |
| US08/465,886 US5726962A (en) | 1994-12-19 | 1995-06-06 | Compact optical pickup device with beam splitter |
| DE69511516T DE69511516T2 (de) | 1994-12-19 | 1995-06-14 | Optisches Wiedergabegerät |
| EP95109248A EP0718833B1 (en) | 1994-12-19 | 1995-06-14 | Optical pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6315349A JP3029541B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 光ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08171747A true JPH08171747A (ja) | 1996-07-02 |
| JP3029541B2 JP3029541B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=18064348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6315349A Expired - Fee Related JP3029541B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5726962A (ja) |
| EP (1) | EP0718833B1 (ja) |
| JP (1) | JP3029541B2 (ja) |
| DE (1) | DE69511516T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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