JP3443839B2 - 光磁気ディスク装置及び誘電体光路部材 - Google Patents

光磁気ディスク装置及び誘電体光路部材

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JP3443839B2 JP06452092A JP6452092A JP3443839B2 JP 3443839 B2 JP3443839 B2 JP 3443839B2 JP 06452092 A JP06452092 A JP 06452092A JP 6452092 A JP6452092 A JP 6452092A JP 3443839 B2 JP3443839 B2 JP 3443839B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光によって情報を記録、
または再生する光磁気ディスク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、光を利用して情報の記録や再生を
行う技術はめざましい進歩を遂げている。あらかじめ記
録媒体に記憶されている音声や文字、画像データを読み
だす再生専用の光学装置、いわゆるコンパクトディス
ク、CD−ROM、レーザディスクと呼ばれているもの
で、これらの基本的な技術、市場とも成熟期にある。ま
た、コンピュータの2次記憶装置リライタブルファイリ
ング装置などに、ますますその利用範囲を広げている書
き換え可能な光磁気ディスク装置や相変化型ディスク装
置などの書き換え型ディスク装置などが、現在、技術的
確立、市場の形成、シェア獲得などを目ざし本格的な立
ち上がり時期を迎えつつある。これらの技術的発展を支
えているものは市場ニーズもあるが半導体レーザ技術、
光学技術、媒体技術、信号処理技術などの多くの周辺技
術の発展の寄与するところが大きいといえる。今後ます
ます技術の発展、市場規模の拡大にともなって、光磁気
ディスク装置はデータ記憶装置としてその地位を築いて
いくものと思われる。
【0003】以下に従来の光磁気ディスク装置につい
て、図面を参照しながら説明する。図7に示すように従
来の光磁気ディスク装置の光学系は、光源の半導体レー
ザ1から射出する光束がコリメータレンズ2によって平
行光束に変換され、さらに反射ミラー3によって反射さ
れ、ビームスプリッタ4においてP偏光の一部が透過し
P偏光の残りおよびS偏光成分は反射する。この透過光
は反射ミラー5を介して対物レンズ6に入射し、対物レ
ンズ6の集光作用によって記録面7に結像し、光磁気信
号の記録、再生などに利用される。
【0004】つぎに、光磁気ディスク装置の記録と再生
およびサーボ方式について説明する。まず記録方法であ
るが、初期化された磁化方向の揃った垂直磁気記録媒体
面7に対して反対方向にバイアス磁界をかけその上から
ビームを集光させ磁気材料のキューリー点といわれる温
度以上に加熱し、抗磁力を低下させ磁化方向を反転させ
ることにより記録を行う。また記録信号の再生は結像さ
れたスポットによって記録面にあらかじめ記録されてい
る磁気記録信号部分を走査する。記録面7からの記録信
号を含む戻り光は再び対物レンズ6に導かれ、反射ミラ
ー5で反射され、ビームスプリッタ4によって光路変更
されたのち、λ/2板8を透過し光の偏光方向が回転
し、偏光ビームスプリッタ9によってP偏光成分とS偏
光成分に分離される。P偏光成分(あるいはS偏光成
分)は光検出器10、S偏光成分(あるいはP偏光成
分)は光検出器11によりそれぞれ光量検知され、その
差を電気的に変換しあるしきいちで1または0に2値化
することによって記録信号の再生が行われる。
【0005】また、偏光ビームスプリッタ9によってP
偏光成分とS偏光成分に分離された2つの光はレーザー
ビームの焦点位置と記録面の位置とのずれを補正するた
めのフォーカシングと、記録面上のスポットの位置とト
ラック中心とのずれを補正するトラッキングなどのエラ
ー信号検出にも用いられる。つまり、そのひとつは集光
レンズ12によって集光作用を受け、シリンドリカルレ
ンズ13を透過することによって非点収差が与えられ、
記録面7の焦点ずれで生ずる光ビームの形状の変化を4
分割センサ10で捉えることによって誤差信号成分を
得、この信号を対物レンズアクチュエータへフィードバ
ックすることによりフォーカシングのサーボを行う。他
方は、集光レンズ14で集光された光において記録面の
ピットや案内溝で回折された±1次回折光のトラック中
央からのずれによる0次光との干渉光量のバランスを2
分割センサ11の左右で捉えることによって、トラック
方向の位置決め制御を行う。
【0006】さらに、別のサーボ方式としてスポットサ
イズ法と呼ばれるフォーカスエラー検出法について図
8,図9を用いて説明する。集光レンズ15によって集
光された光は、光束に対して45度に傾けられた偏光ビ
ームスプリッタ16によってS偏光成分は反射し、P偏
光成分は透過する。透過したP偏光成分は偏光ビームス
プリッタの後部に置かれた反射ミラー17によって反射
される。それぞれの反射光は垂直に置かれた多分割セン
サ18上に集光される。多分割センサ18は細長い長方
形のエリアをもち、それぞれ長辺方向を接触させて並ん
だ左右3つずつのフォトダイオードS1〜S3、および
S4〜S6、により形成されている。このセンサ群によ
り再生信号の検出、フォーカシング、トラッキングのエ
ラー検出を行う。S1〜S6の出力をそれぞれP1〜P
6とする。再生信号はP偏光成分を検出するS1,S
2,S3の出力の和とS偏光成分を検出するS4,S
5,S6の出力の和の差動信号(P1+P2+P3)−
(P4+P5+P6)により得られる。また、この多分
割センサ18は結像スポットが記録面に合焦な位置にあ
る場合に左右の検出器上の光のスポットのサイズが同じ
になる位置に置かれている。したがって、記録面が焦点
ずれの場合に左右で捉える光のスポットのサイズが異な
ってくる。すなわち、S1,S3,S5の出力の和とS
2,S4,S6の出力の和の差動信号(P1+P3+P
5)−(P2+P4+P6)をとることによって、デフ
ォーカスに伴うセンサ上での集光スポットの大きさを比
較することができ、この差動信号によってフォーカスエ
ラー信号とすることができる。トラッキングエラー信号
については、記録面のピットや案内溝で回折された±1
次光のトラック中央からのずれによる光量のバランスを
エリアS1,S3の出力の和とエリアS4,S6の出力
の和の差動信号(P1+P3)−(P4+P6)でと
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、このような光磁気ディスク装置を小型化、
軽量化しようとする場合、集光レンズ、エラー検出系、
再生信号検出系などを含めたいわゆる検出光学系の構成
も小型化、簡素化する必要があり、従来の構成では光学
部品点数が多く検出光学系が大きなものとなる。前述の
フォーカスエラー検出をスポットサイズ法にした場合に
はより光学部品点数を少なくでき有利ではあるが、まだ
充分に小型、軽量化されたとは言えないという問題点を
有していた。
【0008】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、検出光学系をより小型、簡素化した光磁気ディスク
装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の光磁気ディスク装置は、光源としての半導体
レーザと、光源からの射出光を45度の直線偏光に変換
する偏光手段と、偏光手段により変換された光束を光磁
気媒体の記録面へ集光する対物レンズと、平行平板に形
成された誘電体光路部材とを有し、誘電体光路部材の光
源側に位置する第1の面は偏光手段により変換された光
束の一部を反射し一部を透過する光分離面を形成し、誘
電体光路部材の第1の面に平行な第2の面は、偏光手段
により変換された光束の一部が光分離面を透過して入射
するモニタ光検出器と、記録面で反射した戻り光が光分
離面を透過して入射する偏光膜が施された第1の光検出
器と、偏光膜で反射した戻り光が第1の面で再び反射し
て入射する第2の光検出器とを形成したことを特徴とす
る光磁気ディスク装置である。
【0010】
【作用】本発明は上記構成において、半導体レーザと二
枚の平行な反射面をもつ誘電体と検出器とを接触させ一
体化することで、小型、簡素化した光磁気ディスク装置
の検出光学系とすることとなる。
【0011】
【実施例】
(実施例1)以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
【0012】図1に示すように本実施例の光磁気ディス
ク装置は、光源としての半導体レーザ19、その半導体
レーザ19の近傍に設けた偏光膜20、誘電体中に光路
を形成するように配置された誘電体光路部材の光源側の
面に形成された光分離面21、コリメータレンズ22、
はね上げミラー23、対物レンズ24、記録媒体として
の光磁気ディスク26と、光分離面21に平行に構成さ
れた他の面である反射面28とその反射面28上に取り
つけられた光検出器29,31、およびモニタフォトダ
イオード32などで構成されている。
【0013】以上の構成要素よりなる光磁気ディスク装
置について、図1および図2を用いて以下その各構成要
素の関係と動作を説明する。
【0014】まず、半導体レーザ19から射出したレー
ザ光束は、偏光膜20を透過し光軸に対して45゜傾い
た直線偏光に変換され、さらに偏光に影響されることな
く光を透過、反射する無偏光膜が施されてある光分離面
21によって一部が反射される。この反射光はコリメー
タレンズ22で平行光に変換されたのち、はね上げミラ
ー23および対物レンズ24よりなる移動光学系25に
伝播される。対物レンズ24により光束は光磁気ディス
ク26よりなる記録面に集光され、この記録面に対して
情報の記録または再生信号の読みだし、さらにフォーカ
ス、トラッキングサーボ情報のピックアップを行う。記
録面で反射し対物レンズ24、はね上げミラー23を通
過した移動光学系25からの戻り光は再びコリメータレ
ンズ22に入射し集光作用を受ける。コリメータレンズ
22によって集光された光の一部が光分離面21を透過
し、再生信号およびサーボ信号の検出系に導かれる。移
動光学系25はシャフト27で支持されつつすべての記
録面がアクセスできるように記録面の半径方向へリニア
モータで駆動される。
【0015】つぎに、検出光学系について図2を用いて
詳しく説明する。光磁気ディスク26の記録面から戻っ
てきた光は集光作用を受けつつ光分離面21に対して平
行に構成された反射面28上の3分割フォトダイオード
の光検出器29が取りつけられたエリアに到達する。反
射面28におけるこのエリア上にはP偏光成分を透過し
てS偏光成分を反射するような偏光膜が施されており、
P偏光成分は透過してS7〜S9のセンサ群に達して、
S偏光成分は反射される。反射したS偏光成分はさらに
光分離面21に施された全反射面30で全反射されたの
ち再び反射面28に到達し3分割フォトダイオードの光
検出器31上のエリアS10〜S12に至る。
【0016】再生信号の検出、エラー検出については前
述のスポットサイズ法の場合とほぼ同様に行う。フォト
ダイオードS7〜S12の出力をそれぞれS7〜S12
とすると、光磁気信号の再生は戻り光のP偏光成分を検
出するS7,S8,S9の出力の和とS偏光成分を検出
するS10,S11,S12の出力の和の差動信号、す
なわち(P7+P8+P9)−(P10+P11+P1
2)により得られる。また、結像スポットが記録面に合
焦な位置にある場合にはコリメータレンズ22によって
集光される光は光分離面21に施された全反射面30に
結像されるように調整されており、センサ群S7〜S9
およびS10〜S12上の光のスポットのサイズは同じ
となる。したがって、記録面が焦点ずれの場合にはセン
サ群S7〜S9とS10〜S12で捉える光のスポット
のサイズが異なってくるから、フォーカスエラー信号は
S7,S9,S11の出力の和とS8,S10,S12
の出力の和の差動信号(P7+P9+P11)−(P8
+P10+P12)により得られる。トラッキングエラ
ー信号は、1ビームプッシュプル法によりエリアS7,
S9の出力の和とエリアS10,S12の出力の和の差
動信号(P7+P9)−(P10+P12)で与えられ
る。
【0017】また、半導体レーザ19から発したレーザ
のうち他の一部は、前述の光分離面21を透過して誘
電体光路部材中を進み、反射面28上に取りつけられた
モニタフォトダイオード32に入射してレーザ光の出力
がモニターされる。
【0018】なお、本実施例では、誘電体光路部材と光
検出器からなる検出光学系がすべて誘電体部品で構成さ
れているために、光路の屈曲がなく、光学部品の組立、
調整などが比較的容易に行えることを特徴としている。
さらに、モニタフォトダイオード32は半導体レーザ1
9から発して対物レンズ24へ向かうレーザ光の一部を
モニターする構成であるから、半導体レーザ19が射出
するレーザ光の出力を正確にモニターすることができ
る。
【0019】(実施例2)以下本発明の第2の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。
【0020】図3に示すように第2の実施例の光磁気デ
ィスク装置は、半導体レーザ19と光分離面21の間に
新しく三角プリズム33設けたことを特徴としている。
図3において、三角プリズム33の一辺を構成する面に
半導体レーザ19と偏光膜20とを配置しておき、三角
プリズム33の斜辺を構成する面を誘電体光路部材の光
分離面21に配置する。以下、誘電体光路部材の構成と
光検出器の配置は前述の第1の実施例と同様である。
【0021】以上のように構成された光磁気ディスク装
置について、図3を用いて以下その動作を説明する。
【0022】まず、記録面からの戻り光は三角プリズム
33を介して第1の実施例と同様に光分離面21を透過
して反射面28に達し、その一部が反射面28を透過
し、一部が反射面28で反射したのちさらに光分離面2
1で反射し再び反射面28に戻る。この構成で、第1の
実施例と同様な作用によって記録面の情報再生、サーボ
信号の検出を行う。
【0023】(実施例3)以下本発明の第3の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。
【0024】図4に示すように、記録面からの戻り光は
第2の実施例と同様に三角プリズム33を介して光分離
面21を透過して反射面28に達し、その一部が反射面
28を透過し多分割センサの光検出器29に入射し、一
部が反射面28を反射したのちさらに光分離面21の偏
光膜30aが施されているエリアに到達する。偏光膜3
0aによってS偏光成分は反射して再び反射面28に達
し光検出器31に至る。一方、S偏光成分は透過してフ
ォトダイオード34が設置されたエリアに到達する。光
検出器31とフォトダイオード34からの光出力は差動
信号として取りだされ検出される。本実施例は第1,第
2の実施例において光分離面21上に構成した全反射面
30を偏光膜30aに置換したことを特徴としている。
【0025】(実施例4) 以下本発明の第4の実施例について図面を参照しながら
説明する。図5において、誘電体光路部材の面のうち光
検出器側は単に反射面35を構成し、反射面35の所定
の領域に全反射面30が形成されている。反射面35に
対して所定の空間だけ離れた位置に別の誘電体に形成さ
れた反射面28とその反射面28上に取りつけられた光
検出器29、31、およびモニタフォトダイオード32
などが配置されている。
【0026】図5に示すように、記録面からの戻り光は
前実施例と同様に光分離面21を透過して別の反射面3
5を透過したのち反射面28に到達する。その光束の一
部が反射面28を透過し光検出器29に入射する。光束
の他の一部が反射面28で反射したのちさらに別の反射
面35に形成された全反射面30で全反射し再び反射面
28に戻り光検出器31に入射する。前実施例では光分
離面21と反射面28との間の誘電体光路部材内で光の
伝播が行われていたのに対して、本実施例では誘電体
路部材表面の反射を利用し空気中での伝播になってい
る。このため反射面35,28相互の微細な位置決め調
整などができ、検出器29,31の取りつけも容易であ
る。
【0027】なお、図6は第1の実施例の光磁気ディス
ク装置の検出光学系が有限系の光学系による光磁気ディ
スク装置にも適用できることを示したものである。
【0028】ただし、本実施例では光磁気方式の光ディ
スク装置について説明したが、再生専用光ディスク装
置、追記型光ディスク装置などにも適用でき、光磁気方
式に限定されるものではない。
【0029】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
によれば、光磁気ディスク装置における記録面からの戻
り光の分離と再生信号およびサーボ信号の検出を、平行
に配置された二枚の反射面を有する誘電体光路部材とそ
の少なくとも一枚の反射面に配置した光検出器によって
行うことができ、全体として小型でまとまりのある検出
光学系が構成でき、小型簡素化した光磁気ディスク装置
を供給することによって、機器組み込み性の向上、コス
トなどに優れた光磁気ディスク装置を実現できるもので
ある。さらに、半導体レーザ19から発して対物レンズ
24へ向かうレーザ光の一部をモニタフォトダイオード
32によってモニターする構成であるから、半導体レー
ザ19が射出するレーザ光の出力を正確にモニターする
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の光磁気ディスク装置の
光学系の構成図
【図2】同実施例の検出光学系の構成図
【図3】本発明の第2の実施例の検出光学系の構成図
【図4】本発明の第3の実施例の検出光学系の構成図
【図5】本発明の第4の実施例の検出光学系の構成図
【図6】本発明の第5の実施例の検出光学系の構成図
【図7】従来の光磁気ディスク装置の光学系の構成図
【図8】従来のスポットサイズ法を用いたフォーカスエ
ラー検出系の構成図
【図9】従来のスポットサイズ法を用いたフォーカスエ
ラー検出系の部分図
【符号の説明】
19 半導体レーザ 20,30a 偏光膜 21 光分離面 24 対物レンズ 26 光磁気ディスク 28 反射面 29,31 光検出器 30 全反射面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 11/105 G11B 7/135

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光源としての半導体レーザと、前記光源か
    らの射出光を45度の直線偏光に変換する偏光手段と、
    前記偏光手段により変換された光束を光磁気媒体の記録
    面へ集光する対物レンズと、平行平板に形成された誘電
    体光路部材とを有し、 前記誘電体光路部材の前記光源側に位置する第1の面は
    前記偏光手段により変換された光束の一部を反射し一部
    を透過する光分離面を形成し、 前記誘電体光路部材の前記第1の面に平行な第2の面
    は、前記偏光手段により変換された光束の一部が前記光
    分離面を透過して入射するモニタ光検出器と、記録面で
    反射した戻り光が前記光分離面を透過して入射する偏光
    膜が施された第1の光検出器と、前記偏光膜で反射した
    戻り光が前記第1の面で再び反射して入射する第2の光
    検出器とを形成したことを特徴とする光磁気ディスク装
    置。
  2. 【請求項2】 光源としての半導体レーザと、前記光源か
    らの射出光を45度の直線偏光に変換する偏光手段と、
    三角プリズムと、前記偏光手段により変換された光束を
    光磁気媒体の記録面へ集光する対物レンズと、平行平板
    に形成された誘電体光路部材とを有し、 前記三角プリズムの一辺を構成する面に前記光源と前記
    偏光手段とを配置し、前記三角プリズムの斜辺を構成す
    る面を前記誘電体光路部材に配置する共に、 前記三角プリズムを配置した前記誘電体光路部材の第1
    の面は前記偏光手段により変換された光束の一部を反射
    し一部を透過する光分離面を形成し、 前記誘電体光路部材の前記第1の面に平行な第2の面
    は、前記偏光手段により変換された光束の一部が前記光
    分離面を透過して入射するモニタ光検出器と、記録面で
    反射した戻り光が前記光分離面を透過して入射する偏光
    膜が施された第1の光検出器と、前記偏光膜で反射した
    戻り光が前記第1の面で再び反射して入射する第2の光
    検出器とを形成したことを特徴とする光磁気ディスク装
    置。
  3. 【請求項3】 光源からの射出光を対物レンズへ導くと共
    に光磁気媒体の記録面で反射された戻り光を光検出器へ
    導く平行平板に形成された誘電体光路部材であって、 前記誘電体光路部材の前記光源側に位置する第1の面は
    前記光源からの射出光の一部を反射し一部を透過する光
    分離面を形成し、 前記誘電体光路部材の前記第1の面に平行な第2の面
    は、前記光源からの射出光の一部が前記光分離面を透過
    して入射するモニタ光検出器と、前記戻り光が前記光分
    離面を透過して入射する偏光膜が施された第1の光検出
    器と、前記偏光膜で反射した戻り光が前記第1の面で再
    び反射して入射する第2の光検出器とを形成したことを
    特徴とする誘電体光路部材。
  4. 【請求項4】 光源からの射出光を対物レンズへ導くと共
    に光磁気媒体の記録面で反射された戻り光を光検出器へ
    導く平行平板に形成された誘電体光路部材であって、 三角プリズムを有し、前記三角プリズムの一辺を構成す
    る面に前記光源を配置すると共に前記三角プリズムの斜
    辺を構成する面を前記誘電体光路部材に配置して、 前記三角プリズムを配置した前記誘電体光路部材の第1
    の面は前記光源からの射出光の一部を反射し一部を透過
    する光分離面を形成し、 前記誘電体光路部材の前記第1の面に平行な第2の面
    は、前記光源からの射出光の一部が前記光分離面を透過
    して入射するモニタ光検出器と、前記戻り光が前記光分
    離面を透過して入射する偏光膜が施された第1の光検出
    器と、前記偏光膜で反射した戻り光が前記第1の面で再
    び反射して入射する第2の光検出器とを形成したことを
    特徴とする誘電体光路部材。
  5. 【請求項5】 前記光源は、光を45度の直線偏光に変換
    する偏光手段介して射出することを特徴とする請求項3
    または請求項4に記載の誘電体光路部材。
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JP3029541B2 (ja) * 1994-12-19 2000-04-04 シャープ株式会社 光ピックアップ装置

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