JPH0973656A - 光ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、部品点数が少なく小型に構成でき
しかも光学系の調整も簡略な光ヘッドを提供する。 【解決手段】 半導体レーザ１と、プリズム２と、プリ
ズム２に形成した偏光膜と、半導体レーザ１からの出射
光を、光磁気記録媒体１０にスポット光として照射する
対物レンズ８と、この対物レンズ８と前記プリズム２と
の間に設けたホログラム７と、戻り光のうち、ホログラ
ム７で回折する±１次回折光を受光する第１、第２の光
検出器３Ａ、３Ｂと、前記ホログラム７を０次光で透過
する戻り光のうち、前記偏光膜を透過し前記プリズム２
を屈折透過してこのプリズム２から出射する常光及び異
常光の屈折により生じる非点収差の集線位置近傍に配置
した第３の光検出器５とを有し、前記プリズム２の第１
の面と同方向又は平行に配置され、前記ホログラム７で
回折する±１次回折光を前記第１、第２の光検出器５
Ａ、５Ｂに導く反射面を設けたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ヘッドに関し、
より詳しくは、光磁気記録媒体に対する情報の記録再生
を行う光ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、光磁気記録媒体に記録された情
報の再生を行う光ヘッドにおいては、光源である半導体
レーザからの読み取り光を対物レンズを経て光磁気記録
媒体にスポット光として照射し、この光磁気記録媒体で
反射した戻り光を偏光方向が互いに直交する二つの光束
に分離して、これらの光束の強度変化から光磁気信号を
検出するとともに、この光磁気信号を正確に検出するた
めに光磁気記録媒体からの戻り光に基づいて対物レンズ
の光磁気記録媒体に対する相対的な位置ずれを示すフォ
ーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号を検出す
ることが必要となる。

【０００３】このような光ヘッドとして、本願出願人
は、先に図１７に示すような構造のものを提案している
（特願平６−０５３８２３号）。

【０００４】図１７に示す光ヘッドは、金属又は半導体
からなる台１００上に搭載した光源である半導体レーザ
１０１からの出射光を、Ｓ偏光成分の反射率が５０％以
上、Ｐ偏光成分の反射率が８０％以上の偏光膜１０３を
設けたプリズム１０２の第１面１０２ａにＳ偏光で入射
させ、偏光膜１０３によりその５０％以上をホログラム
１０５に向けて反射するようにしている。

【０００５】前記ホログラム１０５には、入射光の７０
％以上を０次光として透過させ、残りの一部が±１次回
折光として光軸方向に互いに逆方向の像点移動が与えら
れるように、わずかな曲率を持ったホログラムパターン
１０５ａが形成されており、このホログラムパターン１
０５ａに入射した半導体レーザ１０１からの出射光は７
０％以上を０次光として透過し、また０次光が対物レン
ズ１０４により光磁気記録媒体１０８にスポット光とし
て照射されることになる。

【０００６】また、光磁気記録媒体１０８で反射した戻
り光は、再び対物レンズ１０４で集光され、前記ホログ
ラム１０５のホログラムパターン１０５ａに入射してそ
の７０％以上が０次光で透過し、残りの一部が±１次回
折光となる。

【０００７】これら±１次回折光は、わずかな曲率を持
ったホログラムパターン１０５ａにより光軸方向に互い
に逆方向の像点移動が与えられ、それぞれプリズム１０
２の側方に配置した第１の光検出器１０６Ａを形成する
受光領域１０６ａ乃至１０６ｃ及び第２の光検出器１０
６Ｂを形成する受光領域１０６ｄ乃至１０６ｆに入射す
る。

【０００８】従って、フォーカスエラー信号をＦＥＳ、
トラッキングエラー信号をＴＥＳとし、受光領域１０６
ａ乃至１０６ｃ及び受光領域１０６ｄ乃至１０６ｆの各
々の出力信号をＩａ乃至Ｉｃ、Ｉｄ乃至Ｉｆとすると
き、フォーカスエラー信号ＦＥＳは、ビームサイズ法を
用いてＦＥＳ＝（Ｉａ＋Ｉｅ＋Ｉｃ）−（Ｉｄ＋Ｉｂ＋
Ｉｆ）で得ることができ、また、トラッキングエラー信
号ＴＥＳは、プッシュプル法を用いてＴＥＳ＝（Ｉａ＋
Ｉｆ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ）で得ることができる。

【０００９】また、前記ホログラム１０５を０次光で透
過する光磁気記録媒体１０８からの戻り光は、再び偏光
膜１０３に入射する。ここで、光磁気記録媒体１０８に
は、情報が磁化の方向変化の状態で記録されているの
で、光磁気記録媒体１０８からの戻り光の偏光方向は磁
化の方向に対応して反対方向にわずかに回転したものと
なる。

【００１０】従って、再び偏光膜１０３に入射する光磁
気記録媒体１０８からの戻り光は、偏光膜１０３の作用
でＳ偏光成分の５０％未満がプリズム１０２の第１の面
１０２ａを屈折透過し、Ｐ偏光成分の８０％以上がプリ
ズム１０２の第１の面１０２ａを屈折透過して、一軸性
複屈折結晶の作用により常光と異常光とに分離され、プ
リズム１０２の第２の面１０２ｂから出射する。

【００１１】プリズム１０２の第２の面１０２ｂから出
射する常光と異常光は、このプリズム１０２の第１の面
１０２ａを屈折透過することで、非点収差及びコマ収差
が生じ、非点収差により常光及び異常光が焦線状に結像
する位置近傍に配置された第３の光検出器１０７の受光
領域１０７ａ、１０７ｂにそれぞれ入射する。

【００１２】ここで、プリズム１０２を構成する一軸性
複屈折結晶の光学軸１０２ｃを、光磁気記録媒体１０８
からの戻り光の光軸に対して垂直な面内でＳ偏光に対し
ては４５度傾けて配置するようにすれば、前記戻り光の
偏光方向は光学軸１０２ｃに対して角度が変化し、常光
及び異常光の強度が変化することになる。

【００１３】従って、このような強度変化を前記第３の
光検出器１０７の受光領域１０７ａ、１０７ｂで検出す
ることにより、光磁気記録媒体１０８に記録された情報
に対応する光磁気信号を得ることができる。いま、第３
の光検出器１０７の受光領域１０７ａ、１０７ｂの各々
の出力信号をＪａ、Ｊｂ、光磁気信号をＳとすれば、光
磁気信号Ｓは、Ｓ＝Ｊａ−Ｊｂにより求めることができ
る。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上述した図１７に示す
光ヘッドによれば、一軸性複屈折結晶からなるプリズム
１０２の第１の面１０２ａを屈折透過する常光及び異常
光の非点収差の焦線位置近傍に第３の光検出器１０７を
配置することにより、常光及び異常光を確実に分離して
受光できる。

【００１５】但し、上述した光ヘッドの場合、半導体レ
ーザ１０１からの出射光の反射点１０２ｄと、前記第１
の光検出器１０６Ａ、第２の光検出器１０６Ｂを結ぶ線
１０６ｇとが数ミクロンメートルの精度で合致していな
いと、フォーカスエラー信号ＦＥＳ、トラッキングエラ
ー信号ＴＥＳにオフセットが生じてしまうため、前記プ
リズム１０２と第１の光検出器１０６Ａ、第２の光検出
器１０６Ｂとの相対位置を高精度に調整する作業が必要
になるという課題が残る。

【００１６】また、前記半導体レーザ１０１と、この半
導体レーザ１０１からの出射光の反射点１０２ｄとの距
離を大きくしたとき、第１の光検出器１０６Ａ、第２の
光検出器１０６Ｂと、前記反射点１０２ｄとの距離も大
きくする必要があり、基板１０９の面積が大きくなって
光ヘッド全体が大きくなってしまうという課題が残る。

【００１７】さらに、前記第３の光検出器１０７をプリ
ズム１０２による常光及び異常光の焦線位置の近傍に簡
略に配置するためには、光磁気記録媒体１０８からの戻
り光の反射点１０２ｄから第３の光検出器１０７までの
距離を大きくとることが必要であり、このため、第１の
光検出器１０６Ａ、第２の光検出器１０６Ｂと第３の光
検出器１０７とを同一平面に配置することは難しく図１
８、図１９（図１８の要部断面図）に示すように、第１
の光検出器１０６Ａ及び第２の光検出器１０６Ｂと、第
３の光検出器１０７とを各々独立した半導体基板１１
６、１１７とに形成して積み重ねる構造を採用せざるを
得ない。この結果、第３の光検出器１０７を形成する半
導体基板１１７によって、必要以上に重くて大きな厚さ
の光ヘッドになってしまうという課題も残る。

【００１８】そこで、本発明は、上述した従来の光ヘッ
ドが包含する課題を解消し、小型に構成できしかも光学
系の調整も簡略な光ヘッドを提供するものである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体レーザと、この半導体レーザからの出射光を反射
する第１の面を有する一軸性複屈折結晶からなるプリズ
ムと、このプリズムの第１の面に形成した偏光膜と、こ
の偏光膜で反射する前記半導体レーザからの出射光を、
光磁気記録媒体にスポット光として照射する集光手段
と、この集光手段と前記プリズムとの間に設けたホログ
ラムと、前記光磁気記録媒体で反射し前記集光手段を経
てホログラムに入射する戻り光のうち、このホログラム
で回折する＋１次回折光及び又は−１次回折光を受光す
る第１、第２の光検出器と、前記ホログラムを０次光で
透過する戻り光のうち、前記偏光膜を透過し前記プリズ
ムを屈折透過してこのプリズムの第２の面から出射する
常光及び異常光の屈折により生じる非点収差の焦線位置
近傍に配置した第３の光検出器とを有し、前記第１、第
２の光検出器の出力に基づいて前記集光手段の前記光磁
気記録媒体に対する相対的位置ずれを示すエラー信号を
検出するとともに、前記第３の光検出器の出力に基づい
て前記光磁気記録媒体に記録されている光磁気信号を検
出する光ヘッドにおいて、前記プリズムの第１の面と同
方向又は平行に配置され、前記ホログラムで回折する＋
１次回折光及び又は−１次回折光を前記半導体レーザを
配設する基板上の前記第１、第２の光検出器に導く反射
面を設けたことを特徴とするものである。

【００２０】請求項２記載の発明は、請求項１記載の光
ヘッドにおける前記プリズムの第１の面又は平行に配置
された面を、前記ホログラムで回折する＋１次回折光及
び又は−１次回折光を前記第１、第２の光検出器に向け
て反射する配置とするとともに、前記第１、第２の光検
出器を形成する半導体基板として所定の面方位を有する
単結晶シリコン基板又は面方位が異なる複数の単結晶シ
リコン基板を張り合わせた基板を用い、この基板に異方
性エッチングにより前記プリズムの位置決め用の当て付
け部及び半導体レーザの出射光を前記プリズムの第１の
面に導く反射面を設けたことを特徴とするものである。

【００２１】請求項３記載の発明は、請求項１記載の光
ヘッドにおける前記第１、第２の光検出器は、所定の面
方位を有する単結晶シリコン基板上に形成されるととも
に、この単結晶シリコン基板に異方性エッチングにより
前記プリズムの位置決め用の当て付け部及び半導体レー
ザの出射光を前記プリズムの第１の面に導く反射面を設
けたことを特徴とするものである。

【００２２】請求項４記載の発明は、請求項１記載の光
ヘッドにおける前記第１、第２の光検出器は、所定の面
方位を有する単結晶シリコン基板上に形成されるととも
に、この単結晶シリコン基板に異方性エッチングにより
前記プリズムの第１の面又は前記反射面の位置決め用の
当て付け部を設けたことを特徴とするものである。

【００２３】請求項５記載の発明は、請求項１記載の光
ヘッドにおける前記第１、第２の光検出器は、面方位が
異なる複数の単結晶シリコン基板を張り合わせた基板上
に形成され、この基板に異方性エッチングにより前記半
導体レーザの出射光を前記プリズムの第１の面に導く反
射面と前記半導体レーザの出射光の出射面の位置決め基
準となる位置決め部とを設けたことを特徴とするもので
ある。

【００２４】請求項１記載の発明において、半導体レー
ザからの出射光は、プリズムの第１の面に設けた偏光膜
で反射した後、前記ホログラム及び集光手段を経て光磁
気記録媒体にスポット光として照射される。また、光磁
気記録媒体からの戻り光は、集光手段を経て前記ホログ
ラムに入射し、ここで回折する＋１次回折光及び又は−
１次回折光は前記プリズムの第１の面に設けた偏光膜で
反射し第１、第２の光検出器により受光されて、これら
第１、第２の光検出器の出力により前記集光手段の前記
光磁気記録媒体に対する相対的位置ずれを示すエラー信
号が検出される。

【００２５】また、０次光は、前記偏光膜を透過し、さ
らにプリズムを屈折透過して、非点収差を有する常光と
異常光とに分離され、プリズム２の第２の面から出射し
て非点収差の焦線位置の近傍に配置された第３の光検出
器に入射し、この第３の光検出器の出力に基づいて光磁
気信号が検出される。

【００２６】そして、請求項１記載の光ヘッドにおいて
は、半導体レーザからの出射光、ホログラムで回折する
＋１次回折光及び又は−１次回折光をともに前記プリズ
ムの第１の面で反射させ、かつ、略同一の光路を通過さ
せるようにしているので、前記プリズムと第１、第２の
光検出器との相対的位置が高精度に調整されていなくて
もフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号か
らなるエラー信号のオフセットが生じにくい。また、光
磁気記録媒体からの戻り光のうち、＋１次回折光及び又
は−１次回折光を、前記プリズムの第１の面と同方向又
は平行に配置した反射面により第１、第２の光検出器に
導くようにしているので、半導体レーザの出射面からプ
リズムにおける反射点までの距離と、プリズムの反射点
から第１、第２の光検出器との距離とを略等しくでき
る。この結果、半導体レーザと第１、第２の光検出器と
を狭い領域に配置でき、部品点数が少ない構造で、小型
化が図れ、しかも光学系の調整も簡略となる。

【００２７】請求項２記載の光ヘッドにおいては、前記
第１、第２の光検出器を形成する半導体基板として所定
の面方位を有する単結晶シリコン基板又は面方位が異な
る複数の単結晶シリコン基板を張り合わせた基板を用
い、この基板に異方性エッチングによりプリズムの位置
決め用の当て付け部及び半導体レーザの出射光を前記プ
リズムの第１の面に導く反射面を設けたので、半導体製
造技術のみで半導体レーザ、反射面、プリズム、第１、
第２の光検出器を高精度に位置決めできる構造を実現で
き、これにより、これらの位置調整が不要となる。

【００２８】請求項３記載の光ヘッドにおいては、請求
項１記載の光ヘッドにおける前記第１、第２の光検出器
は、所定の面方位を有する単結晶シリコン基板に形成さ
れ、この単結晶シリコン基板に異方性エッチングにより
前記プリズムの位置決め用の当て付け部及び半導体レー
ザの出射光を前記プリズムの第１の面に導く反射面を設
けたので、半導体製造技術のみで半導体レーザ、反射
面、第１、第２の光検出器を高精度に位置決めできる構
造を実現でき、これにより、これらの位置調整が不要と
なる。

【００２９】請求項４記載の光ヘッドにおいては、請求
項１記載の光ヘッドにおける前記第１、第２の光検出器
は、所定の面方位を有する単結晶シリコン基板上に形成
されるとともに、この単結晶シリコン基板に異方性エッ
チングにより前記プリズムの第１の面又は前記反射面の
位置決め用の当て付け部を設けたので、請求項３記載の
光ヘッドの場合と同様、半導体レーザ、プリズムの第１
の面又は反射面、第１、第２の光検出器を高精度に位置
決めできる構造を実現でき、これにより、これらの位置
調整が不要となる。

【００３０】請求項５記載の光ヘッドにおいては、請求
項１記載の光ヘッドにおける前記第１、第２の光検出器
は、面方位が異なる複数の単結晶シリコン基板を張り合
わせた基板上に形成され、この基板に異方性エッチング
により前記半導体レーザの出射光を前記プリズムの第１
の面に導く反射面と前記半導体レーザの出射光の出射面
の位置決め基準となる位置決め部とを設けたので、請求
項３、４記載の光ヘッドの場合と同様、半導体レーザ、
プリズムの第１の面又は反射面、第１、第２の光検出器
を高精度に位置決めできる構造を実現でき、これによ
り、これらの位置調整が不要となる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。

【００３２】（実施の形態１）図１、図２は、本発明の
実施の形態１の光ヘッドを示すものであり、この光ヘッ
ドは、光源である半導体レーザ１と、一軸性複屈折結晶
であるニオブ酸リチウムからなるプリズム２と、略直方
体状に形成され、上面に前記半導体レーザ１を載置する
切り欠き部４ｂを備えるとともに、一方の壁面に第１の
光検出器３Ａ、第２の光検出器３Ｂを半導体レーザ１に
対して対称配置に形成した半導体基板４（プリズム２と
は例えば接着剤による接合、共晶半田による接合又はオ
プティカルコンタクトによる接合等の手段で接合固定さ
れている。）と、前記プリズム２の下側に配置されると
ともに、プリズム２側となる上面に第３の光検出器５を
形成した半導体基板６（プリズム２とは例えば接着剤に
よる接合、共晶半田による接合又はオプティカルコンタ
クトによる接合等の手段で接合固定されている。）と、
前記プリズム２の上方に配置したホログラムパターン７
ａを有するホログラム７と、このホログラム７のさらに
上方に配置した集光手段である対物レンズ８とを有して
いる。

【００３３】前記半導体レーザ１は、前記半導体基板４
の切り欠き部４ｂを形成する水平面４ａ上で、半導体基
板４の切り欠き部４ｂの端面に位置合わせして配置さ
れ、前記プリズム２における前記半導体基板４に対して
例えば４５度の鋭角を呈する傾斜状に形成された第１の
面２ａに向けてレーザ光を水平方向に出射するようにな
っている。

【００３４】前記プリズム２には、上述した第１の面２
ａに対してＳ偏光成分の反射率が５０％以上、Ｐ偏光成
分の透過率が８０％以上の光学特性を有する偏光膜９を
形成し、前記半導体レーザ１からのレーザ光を前記偏光
膜９により略直角に反射し、前記ホログラム７に入射さ
せるようになっている。

【００３５】第１の光検出器３Ａ、第２の光検出器３Ｂ
は、図３に示すように、それぞれ前記ホログラム７にお
けるホログラムパターン７ａによる＋１次回折光、−１
次回折光を分離して受光する３分割の受光領域３ａ、３
ｂ、３ｃ及び受光領域３ｄ、３ｅ、３ｆを具備してい
る。受光領域３ａ、３ｂ、３ｃを分割する分割線は光磁
気記録媒体１０の記録トラックと平行な方向になるよう
に設定している。同様に受光領域３ｄ、３ｅ、３ｆを分
割する分割線も光磁気記録媒体１０の記録トラックと平
行な方向になるように設定している。

【００３６】第３の光検出器５は、後述するようなプリ
ズム２による常光と異常光とを分離して受光するために
２つの受光領域５ａ、５ｂを有するとともに、半導体基
板６の上面において前記プリズム２による常光及び異常
光の屈折により発生する非点収差の焦線位置近傍となる
位置に形成している。

【００３７】前記ホログラム７におけるホログラムパタ
ーン７ａは、入射光の７０％以上を０次光として透過さ
せるとともに、僅かな曲率を持つように形成され、この
ホログラムパターン７ａを透過するレーザ光の光束を前
記対物レンズ８により収束して、この対物レンズ８の上
方に配置される光磁気記録媒体１０の記録面に対してス
ポット光として照射するようになっている。

【００３８】そして、光磁気記録媒体１０の記録面で反
射する戻り光は、入射時と反対の光路で対物レンズ８を
経てホログラム７におけるホログラムパターン７ａに入
射し、ここで回折して±１次回折光に分離し、さらに、
前記プリズム２の第１の面２ａに設けた偏光膜９に入射
して各々水平方向に反射させ前記半導体基板４の一方の
壁面に形成した第１の光検出器３Ａ、第２の光検出器３
Ｂに各々入射して、前記受光領域３ａ、３ｂ、３ｃ及び
受光領域３ｄ、３ｅ、３ｆにより各々受光されるように
なっている。

【００３９】また、光磁気記録媒体１０の記録面で反射
する戻り光のうち０次光は偏光膜９を経て前記プリズム
２に入射し、さらにこのプリズム２を屈折透過して常光
と異常光とに分離され、これら常光と異常光とを前記プ
リズム２の第２の面２ｂから出射させて第３の光検出器
５の２つの受光領域５ａ、５ｂにより分離して受光され
るようになっている。尚、プリズム２を構成するニオブ
酸リチウムからなる一軸性複屈折結晶の光学軸の方向
は、戻り光の光軸に垂直な面内でＳ偏光成分に対して４
５度傾いた方向に設定している。

【００４０】次に、実施の形態１の光ヘッドの動作を説
明する。

【００４１】実施の形態１の光ヘッドにおける半導体レ
ーザ１からの出射光を、前記偏光膜９を形成したプリズ
ム２の第１の面２ａにＳ偏光で入射させる。Ｓ偏光で入
射させると、偏光膜９は予めＳ偏光成分の反射率が５０
％以上、Ｐ偏光成分の透過率が８０％以上に設定されて
いるので、Ｓ偏光成分の５０％以上が反射して前記ホロ
グラム７のホログラムパターン７ａに入射する。そし
て、ホログラムパターン７ａに入射した半導体レーザ１
からの出射光は７０％以上が０次光として透過し、その
０次光が対物レンズ８により光磁気記録媒体１０にスポ
ット光として照射する。

【００４２】光磁気記録媒体１０からのスポット光照射
に基づく戻り光は、再び対物レンズ８により集光され、
さらに、前記ホログラム７のホログラムパターン７ａに
入射してその７０％以上が０次光で透過し、残りの一部
が±１次回折光となる。このような±１次回折光は、わ
ずかな曲率をもったホログラムパターン７ａの作用によ
り光軸方向に互いに逆方向の像点移動が与えられ、偏光
膜９を形成したプリズム２の第１の面２ａで反射してそ
れぞれ第１、第２の光検出器３Ａ、３Ｂの受光領域３
ａ、３ｂ、３ｃ及び受光領域３ｄ、３ｅ、３ｆに入射す
る。

【００４３】従って、フォーカスエラー信号をＦＥＳ、
トラッキングエラー信号をＴＥＳとし、受光領域３ａ乃
至３ｃ及び受光領域３ｄ乃至３ｆの各々の出力信号をＩ
ａ乃至Ｉｃ、Ｉｄ乃至Ｉｆとするとき、フォーカスエラ
ー信号ＦＥＳは、ビームサイズ法を用いてＦＥＳ＝（Ｉ
ａ＋Ｉｅ＋Ｉｃ）−（Ｉｄ＋Ｉｂ＋Ｉｆ）で得ることが
でき、また、トラッキングエラー信号ＴＥＳは、プッシ
ュプル法を用いてＴＥＳ＝（Ｉａ＋Ｉｆ）−（Ｉｃ＋Ｉ
ｄ）で得ることができる。

【００４４】また、前記ホログラム７を０次光で透過す
る光磁気記録媒体１０からの戻り光は、再び前記偏光膜
９に入射する。ここで、前記光磁気記録媒体１０には、
上方が磁化の変化として記録されているので、光磁気記
録媒体１０からの戻り光の偏光方向は磁化の方向に応じ
て反対方向にわずかに回転したものとなる。

【００４５】従って、再び前記偏光膜９に入射する光磁
気記録媒体１０からの戻り光は、Ｐ偏光成分を含むもの
となる。このような光磁気記録媒体１０からの戻り光
は、偏光膜９の作用でＳ偏光成分の５０％未満とＰ偏光
の８０％未満がプリズム２の第１の面２ａを屈折透過
し、一軸性複屈折結晶からなるプリズム２の作用で常光
と異常光とに分離され、プリズム２の第２の面２ｂから
半導体基板６上に設けた第３の光検出器５に入射する。

【００４６】この場合に、第３の光検出器５に入射する
常光と異常光とには、プリズム２の第１の面２ａを屈折
透過する際に生じる非点収差及びコマ収差が含まれるこ
とになり、このような非点収差により常光及び異常光が
焦線状に結像する位置の近傍に配置された第３の光検出
器５における受光領域５ａ、５ｂに常光、異常光が分離
して入射することになる。

【００４７】ここで、プリズム２を構成する一軸性複屈
折結晶の光学軸を、光磁気記録媒体１０からの戻り光の
光軸に垂直な面内で、Ｓ偏光成分に対して４５度傾けく
ように設定しているので、戻り光の偏光方向は前記光学
軸に対して角度が変化し、常光及び異常光の強度に変化
が生じる。従って、このような常光及び異常光の強度の
変化を受光領域５ａ、５ｂにより検出することで光磁気
記録媒体１０に記録された情報に応じた光磁気信号を得
ることができる。

【００４８】即ち、第３の光検出器５の受光領域５ａ、
５ｂのそれぞれの出力信号をＪａ、Ｊｂ、光磁気信号を
Ｓとすれば、Ｓ＝Ｊａ−Ｊｂの演算により光磁気信号Ｓ
を求めることができる。

【００４９】本実施の形態１の光ヘッドによれば、光磁
気記録媒体１０からの戻り光のうち、前記ホログラム７
のホログラムパターン７ａを透過した±１次回折光を、
前記偏光膜９を形成したプリズム２の第１の面２ａで反
射するようにしているので、前記半導体レーザ１と、こ
の半導体レーザ１からの出射光のプリズム２の第１の面
２ａにおける反射点２ｃとの距離を大きくした場合にお
いて、その距離に応じて第１の光検出器３Ａ、第２の光
検出器３Ｂも一緒に同じ方向に移動するので、第１の光
検出器３Ａ、第２の光検出器３Ｂと前記反射点２ｃとの
距離を大きくとることができる。

【００５０】この結果、前記半導体レーザ１を、第１の
光検出器３Ａ、第２の光検出器３Ｂを設けている半導体
基板４上に直接搭載することが可能となり、第１の光検
出器３Ａ、第２の光検出器３Ｂが互いに長手方向に離れ
て半導体基板４の表面積が大きくなることは無く小形の
光ヘッドとなる。

【００５１】尚、実施の形態１においては、プリズム２
の第１の面２ａに偏光膜９を形成しているが、この第１
の面２ａの±１次回折光を反射する領域に全反射膜を形
成し、０次光が透過する領域には偏光膜を形成するよう
にすれば、±１次回折光を効率良く第１の光検出器３
Ａ、第２の光検出器３Ｂに導くことができる。

【００５２】（実施の形態２）次に、本発明の実施の形
態２について図４、図５を参照して説明する。

【００５３】本発明の実施の形態２においては、実施の
形態１におけるプリズム２に替えて図４、図５に示すよ
うなプリズム２０Ａ、２０Ｂを用いることが特徴であ
り、この他の構造は実施の形態１の光ヘッドの場合と同
様である。

【００５４】前記プリズム２０Ａは、その上面形状が中
央部が両側より窪んだ凹状に形成され３分割で平行の反
射面２０ａ、２０ｂ、２０ｃとするとともに、反射面２
０ａ、２０ｂ、２０ｃに各々偏光膜２１ａ、反射膜２１
ｂ、２１ｃを設けている。

【００５５】偏光膜２１ａは、Ｓ偏光成分の反射率が５
０％以上、Ｐ偏光成分の透過率が８０％以上の光学特性
を有している。また、反射膜２１ｂ、２１ｃの反射率は
５０％以上に設定している。

【００５６】前記プリズム２０Ｂは、その上面形状が中
央部が両側より突出した凸状に形成され３分割で平行の
前記プリズム２０Ａの場合と同様な反射面２０ａ、２０
ｂ、２０ｃとするとともに、反射面２０ａ、２０ｂ、２
０ｃに各々前記プリズム２０Ａの場合と同様な偏光膜２
１ａ、反射膜２１ｂ、２１ｃを設けている。

【００５７】本実施の形態２において、光ヘッドにおけ
る半導体レーザ１からの出射光は、前記プリズム２０Ａ
又は２０Ｂの偏光膜２１ａを形成した反射面２０ａで反
射し、前記ホログラム７のホログラムパターン７ａに入
射する。また、光磁気記録媒体１０からのスポット光照
射に基づく戻り光は、再び対物レンズ８により集光さ
れ、さらに、前記ホログラム７のホログラムパターン７
ａに入射してその７０％以上が０次光で透過し、残りの
一部が±１次回折光となる。

【００５８】このような±１次回折光は、わずかな曲率
をもったホログラムパターン７ａの作用により光軸方向
に互いに逆方向の像点移動が与えられ、反射膜２１ｂ、
２１ｃを設けたプリズム２０Ａ又は２０Ｂの反射膜２０
ｂ、２０ｃで反射された後、それぞれ第１、第２の光検
出器３Ａ、３Ｂの受光領域３ａ、３ｂ、３ｃ及び受光領
域３ｄ、３ｅ、３ｆに入射する。これ以降の動作につい
ては実施の形態１の場合と同様である。

【００５９】実施の形態２の光ヘッドによれば、光磁気
記録媒体１０からの戻り光のうち、前記ホログラム７の
ホログラムパターン７ａを透過した±１次回折光を、プ
リズム２０Ａ又は２０Ｂの反射面２０ａと平行配置の反
射面２０ｂ、２０ｃにより反射するようにしているの
で、前記ホログラム７から半導体レーザ１間での距離
と、前記ホログラム７から第１、第２の光検出器３Ａ、
３Ｂまでの距離とを必ずしも等距離にする必要がなく、
これによりホログラム７のホログラムパターン７ａの設
計、製作上の自由度を増加させることができる。

【００６０】尚、実施の形態２においては、プリズム２
０Ａ又は２０Ｂの反射面２０ａと平行配置の反射面２０
ｂ、２０ｃとを一体構造としているが、実施の形態１で
示したプリズム２に対して、その表面に偏光膜や全反射
膜を施した平行ガラス板等を貼り付けた構造とすること
も可能である。

【００６１】（実施の形態３）次に、本発明の実施の形
態３について図６、図７を参照して説明する。

【００６２】図６、図７に示す実施の形態３の光ヘッド
は、基本的な構造は図１乃至図３に示す実施の形態１の
光ヘッドの場合と同様であるが、前記半導体基板４の替
りに金属又は半導体基板からなる台５２を用いるととも
に、この台５２のプリズム２側の壁面５２ｂに第１の光
検出器３Ａ、第２の光検出器３Ｂを設けた単結晶シリコ
ン基板５１を添設したことが特徴である。

【００６３】前記単結晶シリコン基板５１は、面方位
（１，０，０）を表面にして第１の光検出器３Ａ、第２
の光検出器３Ｂを形成するとともに、異方性エッチング
により上部に凹形状の切り欠き部の角５１ａを、底部に
前記プリズム２の第１面２ａに当て付けて位置決めする
ための当て付き部５１ｂを形成している。そして、単結
晶シリコン基板５１の切り欠き部の角５１ａを前記台５
２の上面５２ａに揃えた状態で台５２の壁面５２ｂに添
設している。そして、台５２の上面５２ａにおいて半導
体レーザ１の出射面が単結晶シリコン基板５１の切り欠
き部の角５１ａに位置するように配置している。この他
の構造は実施の形態１の光ヘッドの場合と同様である。

【００６４】実施の形態３の光ヘッドによれば、出射面
が単結晶シリコン基板５１の切り欠き部の角５１ａに揃
えられた半導体レーザ１からの出射光は、単結晶シリコ
ン基板５１の当て付き部５１ｂに当て付けて位置決めし
たプリズム２の第１の面２ａで反射し、前記ホログラム
７のホログラムパターン７ａに入射する。

【００６５】また、光磁気記録媒体１０からのスポット
光照射に基づく戻り光は、再び対物レンズ８により集光
され、さらに、前記ホログラム７のホログラムパターン
７ａに入射してその７０％以上が０次光で透過し、残り
の一部が±１次回折光となる。

【００６６】このような±１次回折光は、わずかな曲率
をもったホログラムパターン７ａの作用により光軸方向
に互いに逆方向の像点移動が与えられ、前記当て付け部
５１ｂにより位置決めされているプリズム２の第１の面
２ａで反射された後、それぞれ第１、第２の光検出器３
Ａ、３Ｂの受光領域３ａ、３ｂ、３ｃ及び受光領域３
ｄ、３ｅ、３ｆに入射する。これ以降の動作については
実施の形態１の場合と同様である。

【００６７】実施の形態３の光ヘッドによれば、単結晶
シリコン基板５１に対して、第１、第２の光検出器３
Ａ、３Ｂと、前記プリズム２の第１の面２ａを位置決め
する当て付き部５１ｂとを半導体製造技術により高精度
に形成できるため、プリズム２と第１、第２の光検出器
３Ａ、３Ｂとの相対的な位置調整が不要になるという利
点がある。

【００６８】（実施の形態４）次に、本発明の実施の形
態４について図８、図９を参照して説明する。

【００６９】図８、図９に示す実施の形態４の光ヘッド
は、実施の形態３の光ヘッドにおける前記単結晶シリコ
ン基板５１に替えて、異方性エッチングにより形成した
切り欠き部の角６１ａ、６１ｂの形状が前記切り欠き部
の角５１ａの形状と異なる単結晶シリコン基板６１を用
いることが特徴である。この他の構造は実施の形態１の
光ヘッドの場合と同様である。

【００７０】即ち、実施の形態４の光ヘッドにおける単
結晶シリコン基板６１には、図８、図９に示すように、
この単結晶シリコン基板６１の上部中央に異方性エッチ
ングにより形成した段違い状態の切り欠き部の角６１
ａ、６１ｂを設けている。切り欠き部の角６１ａは単結
晶シリコン基板６１の上部中央において両側の一対の切
り欠き部の角６１ｂよりも若干低く形成され、この切り
欠き部の角６１ａを台５２の上面５２ａに揃え、かつ、
台５２の上面５２ａにおいて半導体レーザ１の出射面が
単結晶シリコン基板６１の切り欠き部の角６１ａに位置
するように配置している。この他の基本的な構造は実施
の形態１の光ヘッドの場合と同様であり、また、前記単
結晶シリコン基板６１には図示してないが実施の形態１
の光ヘッドの場合と同様な第１、第２の光検出器、プリ
ズム２を位置決めするための当て付け部（図６に示す当
て付き部５１ｂと同位置）が形成されている。

【００７１】実施の形態４の光ヘッドによれば、単結晶
シリコン基板６１の異方性エッチングにより形成した切
り欠き部の角６１ａと台５２の上面５２ａとを揃え、半
導体レーザ１の出射面が角５１ａに位置するように配置
されており、さらに、プリズム２が単結晶シリコン基板
６１の当て付き部に当て付けて位置決めされている。そ
して、半導体レーザ１からの出射光は、単結晶シリコン
基板６１の当て付き部に当て付けて位置決めしたプリズ
ム２の第１の面２ａで反射し、前記ホログラム７のホロ
グラムパターン７ａに入射する。

【００７２】また、光磁気記録媒体１０からのスポット
光照射に基づく戻り光は、再び対物レンズ８により集光
され、さらに、前記ホログラム７のホログラムパターン
７ａに入射してその７０％以上が０次光で透過し、残り
の一部が±１次回折光となる。

【００７３】このような±１次回折光は、わずかな曲率
をもったホログラムパターン７ａの作用により光軸方向
に互いに逆方向の像点移動が与えられ、前記当て付け部
５１ｂにより位置決めされているプリズム２の第１の面
２ａで反射された後、それぞれ第１、第２の光検出器３
Ａ、３Ｂの受光領域３ａ、３ｂ、３ｃ及び受光領域３
ｄ、３ｅ、３ｆに入射する。これ以降の動作については
実施の形態１の場合と同様である。

【００７４】実施の形態４の光ヘッドによれば、単結晶
シリコン基板６１に対して、第１、第２の光検出器と、
前記プリズム２の第１の面２ａを位置決めする当て付き
部とを半導体製造技術により高精度に形成できるため、
単結晶シリコン基板６１の厚み誤差の範囲内で半導体レ
ーザ１の光軸方向の位置決めが可能となる。このため、
単結晶シリコン基板６１の厚みを所望の誤差の範囲内で
作製することにより、プリズム２と第１、第２の光検出
器との相対的な位置調整が不要になるとともに半導体レ
ーザ１の光軸方向の調整も不要になるという利点があ
る。

【００７５】（実施の形態５）次に、本発明の実施の形
態５について図１０乃至図１２を参照して説明する。

【００７６】図１０、図１１に示す実施の形態４の光ヘ
ッドは、基本的な構造は図１乃至図３に示す実施の形態
１の光ヘッドの場合と同様であるが、前記半導体基板４
の替りに、面方位（１，０，０）を基準にして約１０度
オフセットした面を表面にして第１の光検出器３Ａ、第
２の光検出器３Ｂを形成するとともに、異方性エッチン
グによりプリズム２側の接合面（表面）側に垂直配置で
下部に例えば４５度傾斜した反射面７１ａを有する上部
切り欠き部７１ｂを形成し、さらに異方性エッチングに
より上部切り欠き部７１ｂの下側に断面台形状の凸部７
１ｅを形成した単結晶シリコン基板７１を用いたことが
特徴である。

【００７７】前記単結晶シリコン基板７１の上部切り欠
き部７１ｂにおける垂直面７１ｆの下側の角７１ｃと前
記反射面７１ａとは、若干の間隔を有するように設定さ
れ、垂直面７１ｆに接合し出射面を前記角７１ｃに揃え
て配置した半導体レーザ１からの出射光を前記反射面７
１ａにより略水平方向に反射してプリズム２に入射する
ようになっている。また、前記断面台形状の凸部７１ｅ
の下側の隅部は当て付け部７１ｄとして機能し、プリズ
ム２の第１の面２ａが当て付けられてこのプリズム２が
位置決めさせるようになっている。この他の構造は実施
の形態１の光ヘッドの場合と同様である。

【００７８】実施の形態５の光ヘッドによれば、前記単
結晶シリコン基板７１に、半導体製造技術のみで前記反
射面７１ａと、プリズム２用の当て付け部７１ｄと、半
導体レーザ１の位置決め基準となる角７１ｃと、第１の
光検出器３Ａ、第２の光検出器３Ｂとを一体的かつ高精
度に形成することができ、しかも、半導体レーザ１を第
１の光検出器３Ａ、第２の光検出器３Ｂを形成した前記
単結晶シリコン基板７１上に直接搭載できる。この結
果、前記プリズム２と第１の光検出器３Ａ、第２の光検
出器３Ｂとの相対位置を調整する必要がないとともに、
部品点数をより削減できるという利点もある。

【００７９】（実施の形態６）次に、本発明の実施の形
態６について図１３乃至図１６を参照して説明する。

【００８０】図１３、図１４に示す実施の形態６の光ヘ
ッドは、基本的な構造は図１０乃至図１１に示す実施の
形態５の光ヘッドの場合と同様であるが、前記単結晶シ
リコン基板７１に替えて、図１６に示すように、面方位
（１，０，０）を基準に約１０度オフセットした面を表
面にした単結晶シリコン基板８１と、面方位（１，１，
０）を表面にした単結晶シリコン基板８２とを張り合わ
せてなる基板８３を用いたことが特徴である。

【００８１】前記単結晶シリコン基板８１には、図１５
に示すように、下側に例えば４５度傾斜を持った反射面
８１ａを有する上部切り欠き部８１ｃが異方性エッチン
グにより形成され、さらにその表面に図１４に示すよう
に第１の光検出器３Ａ、第２の光検出器３Ｂが形成され
ている。また、前記単結晶シリコン基板８１の下端部に
は図１３に示すように前記プリズム２の第１の面２ａに
当て付ける当て付け部８１ｂがやはり異方性エッチング
により形成されている。

【００８２】また、前記単結晶シリコン基板８２には、
図１５に拡大して示すように、切り欠き部８２ｂが異方
性エッチングにより形成され、この切り欠き部８２ｂの
下端縁を画する部分を面方位（１，１，１）からなる位
置決め部８２ａとし、この位置決め部８２ａと前記反射
面８１ａの上端縁とを揃えて、前記切り欠き部８２ｂを
形成する垂直面８２ｃに対し、半導体レーザ１を位置決
め部８２ａにより位置決めし、かつ、出射面を垂直下方
に向けて取り付けている。この他の構造は、実施の形態
４の光ヘッドと同様である。

【００８３】実施の形態６の光ヘッドによれば、単結晶
シリコン基板８２の異方性エッチングにより形成した切
り欠き部８２ｂの下端部に形成した位置決め部８２ａに
より位置決めされた半導体レーザ１からの出射光は、単
結晶シリコン基板８１の当て付き部８１ｂに当て付けて
位置決めしたプリズム２の第１の面２ａで反射し、前記
ホログラム７のホログラムパターン７ａに入射する。

【００８４】また、光磁気記録媒体１０からのスポット
光照射に基づく戻り光は、再び対物レンズ８により集光
され、さらに、前記ホログラム７のホログラムパターン
７ａに入射してその７０％以上が０次光で透過し、残り
の一部が±１次回折光となる。

【００８５】このような±１次回折光は、わずかな曲率
をもったホログラムパターン７ａの作用により光軸方向
に互いに逆方向の像点移動が与えられ、前記当て付け部
８１ｂにより位置決めされているプリズム２の第１の面
２ａで反射された後、それぞれ第１、第２の光検出器３
Ａ、３Ｂの受光領域３ａ、３ｂ、３ｃ及び受光領域３
ｄ、３ｅ、３ｆに入射する。これ以降の動作については
実施の形態５の場合と同様である。

【００８６】実施の形態６の光ヘッドによれば、前記面
方位（１，０，０）を基準に約１０度オフセットした面
を表面にした単結晶シリコン基板８１と、面方位（１，
１，０）を表面にした単結晶シリコン基板８２とを張り
合わせてなる基板８３を用いており、単結晶シリコン基
板８１に対して、前記反射面８１ａ、切り欠き部８１
ｃ、当て付け部８１ｂ、第１、第２の光検出器３Ａ、３
Ｂを半導体製造技術のみで一体的にかつ高精度に形成す
ることができる。同様に、単結晶シリコン基板８２に対
して、位置決め部８２ａ及び切り欠き部８２ｂを半導体
製造技術のみで一体的にかつ高精度に形成することがで
きる。

【００８７】さらに、半導体レーザ１を上述したような
構造の基板８３に対して直接搭載できる。この結果、前
記プリズム２と第１の光検出器３Ａ、第２の光検出器３
Ｂとの相対位置を調整する必要がないとともに、半導体
レーザ１の光軸方向の調整も不要となる。また、前記単
結晶シリコン基板８１と単結晶シリコン基板８２とをエ
ッチングストップ層となる酸化膜や窒化膜等を形成しな
い接合方法で予め張り合わせて基板８３を作製した後に
異方性エッチングを施すことにより、煩雑なエッチング
マスク形成工程や位置合わせ接合工程が不要となる。

【００８８】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、プリズム
と第１、第２の光検出器との相対的位置が高精度に調整
されていなくてもエラー信号のオフセットが生じにく、
半導体レーザと第１、第２の光検出器とを狭い領域に配
置でき、小型化が図れ、しかも光学系の調整も簡略な光
ヘッドを提供することができる。

【００８９】請求項２乃至５記載の各発明によれば、半
導体製造技術のみで半導体レーザ、反射面、プリズム、
第１、第２の光検出器等の光学要素を高精度に位置決め
できる構造を実現でき、これらの位置調整が不要な光ヘ
ッドを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１の光ヘッド及び光磁気記
録媒体の配置を示す斜視図である。

【図２】実施の形態１の光ヘッドの断面図である。

【図３】実施の形態１の光ヘッドの正面図である。

【図４】実施の形態２におけるプリズムを示す斜視図で
ある。

【図５】実施の形態２におけるプリズムの他例を示す斜
視図である。

【図６】実施の形態３の光ヘッドの断面図である。

【図７】実施の形態３の光ヘッドの正面図である。

【図８】実施の形態４の光ヘッドにおける単結晶シリコ
ン基板を示す部分断面図である。

【図９】実施の形態４の光ヘッドにおける単結晶シリコ
ン基板を示す部分正面図である。

【図１０】実施の形態５の光ヘッドの断面図である。

【図１１】実施の形態５の光ヘッドの正面図である。

【図１２】実施の形態５の光ヘッドにおける単結晶シリ
コン基板を示す部分拡大断面図である。

【図１３】実施の形態６の光ヘッドの断面図である。

【図１４】実施の形態６の光ヘッドの断面図である。

【図１５】実施の形態６の光ヘッドにおける基板を示す
部分拡大断面図である。

【図１６】実施の形態６の光ヘッドにおける基板を構成
する２枚の単結晶シリコン基板の面方位の説明図であ
る。

【図１７】従来の光ヘッド及び光磁気記録媒体の配置を
示す斜視図である。

【図１８】従来の光ヘッド及び光磁気記録媒体の配置を
示す斜視図である。

【図１９】従来の光ヘッドの拡大断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体レーザ ２ プリズム ３Ａ 第１の光検出器 ３Ｂ 第２の光検出器 ４ 半導体基板 ５ 第３の光検出器 ６ 半導体基板 ７ ホログラム ７ａ ホログラムパターン ８ 対物レンズ ９ 偏光膜 １０ 光磁気記録媒体 ２０ プリズム ２０ａ 反射面 ２０ｂ 反射面 ２０ｃ 反射面 ２１ａ 偏光膜 ２１ｂ 反射膜ｈ ２１ｃ 反射膜 ５１ 単結晶シリコン基板 ６１ 単結晶シリコン基板 ７１ 単結晶シリコン基板 ８１ 単結晶シリコン基板 ８２ 単結晶シリコン基板 ８３ 基板

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザと、この半導体レーザから
   の出射光を反射する第１の面を有する一軸性複屈折結晶
   からなるプリズムと、このプリズムの第１の面に形成し
   た偏光膜と、この偏光膜で反射する前記半導体レーザか
   らの出射光を、光磁気記録媒体にスポット光として照射
   する集光手段と、この集光手段と前記プリズムとの間に
   設けたホログラムと、前記光磁気記録媒体で反射し前記
   集光手段を経てホログラムに入射する戻り光のうち、こ
   のホログラムで回折する＋１次回折光及び又は−１次回
   折光を受光する第１、第２の光検出器と、前記ホログラ
   ムを０次光で透過する戻り光のうち、前記偏光膜を透過
   し前記プリズムを屈折透過してこのプリズムの第２の面
   から出射する常光及び異常光の屈折により生じる非点収
   差の焦線位置近傍に配置した第３の光検出器とを有し、 前記第１、第２の光検出器の出力に基づいて前記集光手
   段の前記光磁気記録媒体に対する相対的位置ずれを示す
   エラー信号を検出するとともに、前記第３の光検出器の
   出力に基づいて前記光磁気記録媒体に記録されている光
   磁気信号を検出する光ヘッドにおいて、 前記プリズムの第１の面と同方向又は平行に配置され、
   前記ホログラムで回折する＋１次回折光及び又は−１次
   回折光を前記第１、第２の光検出器に導く反射面を設け
   たこと、 を特徴とする光ヘッド。
2. 【請求項２】 前記プリズムの第１の面又は平行に配置
   された面を、前記ホログラムで回折する＋１次回折光及
   び又は−１次回折光を前記第１、第２の光検出器に向け
   て反射する配置とするとともに、前記第１、第２の光検
   出器を形成する半導体基板として所定の面方位を有する
   単結晶シリコン基板又は面方位が異なる複数の単結晶シ
   リコン基板を張り合わせた基板を用い、この基板に異方
   性エッチングにより前記プリズムの位置決め用の当て付
   け部及び半導体レーザの出射光を前記プリズムの第１の
   面に導く反射面を設けたことを特徴とする請求項１記載
   の光ヘッド。
3. 【請求項３】 前記第１、第２の光検出器は、所定の面
   方位を有する単結晶シリコン基板上に形成されるととも
   に、この単結晶シリコン基板上に異方性エッチングによ
   り前記プリズムの位置決め用の当て付け部及び半導体レ
   ーザの出射光を前記プリズムの第１の面に導く反射面を
   設けたことを特徴とする請求項１記載の光ヘッド。
4. 【請求項４】 前記第１、第２の光検出器は、所定の面
   方位を有する単結晶シリコン基板上に形成されるととも
   に、この単結晶シリコン基板に異方性エッチングにより
   前記プリズムの第１の面又は前記反射面の位置決め用の
   当て付け部を設けたことを特徴とする請求項１記載の光
   ヘッド。
5. 【請求項５】 前記第１、第２の光検出器は、面方位が
   異なる複数の単結晶シリコン基板を張り合わせた基板上
   に形成され、この基板に異方性エッチングにより前記半
   導体レーザの出射光を前記プリズムの第１の面に導く反
   射面と前記半導体レーザの出射光の出射面の位置決め基
   準となる位置決め部とを設けたことを特徴とする請求項
   １記載の光ヘッド。