JPH0746439B2 - 光ヘツド装置 - Google Patents
光ヘツド装置Info
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- JPH0746439B2 JPH0746439B2 JP60073591A JP7359185A JPH0746439B2 JP H0746439 B2 JPH0746439 B2 JP H0746439B2 JP 60073591 A JP60073591 A JP 60073591A JP 7359185 A JP7359185 A JP 7359185A JP H0746439 B2 JPH0746439 B2 JP H0746439B2
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- Japan
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- light
- photodetector
- optical head
- light source
- head device
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報担体の情報記録面に光を照射し、情報の
検出又は記録を行なう光ヘッド装置に関する。
検出又は記録を行なう光ヘッド装置に関する。
従来、上記のような光ヘッド装置においては、フォーカ
スエラーおよびトラッキングエラーを検出するために、
情報記録担体で反射された光束が光検出器に導かれる光
路中に特殊な形をしたプリズムや、特殊な非球面レンズ
であるシリンドリカルレンズあるいはトーリックレンズ
等を配置するのが普通であった。
スエラーおよびトラッキングエラーを検出するために、
情報記録担体で反射された光束が光検出器に導かれる光
路中に特殊な形をしたプリズムや、特殊な非球面レンズ
であるシリンドリカルレンズあるいはトーリックレンズ
等を配置するのが普通であった。
このような特殊な光学部品は、光ヘッド装置を製造する
際に高価格化の原因となり、また、各光学部品が個別に
存在する形態なので配置調整が複雑になるという欠点を
有していた。これらの欠点を補うために、光検出器に光
束を導く光路中に回折格子を設けた光ヘッド装置が種々
提案されている。例えば、シリンドリカルレンズを回折
格子素子に置き換えた例としては、特開昭53-100808
号、特開昭54-43005号、特開昭54-61503号、特開昭54-1
34605号等がある。これらの光ヘッド装置においては、
シリンドリカルレンズ、あるいはトーリックレンズを平
板型の回折格子で置き換えているため、安価な光ヘッド
装置が構成可能なこと、他の部品と接着しているので位
置調整が安易なこと等の長所を有している。
際に高価格化の原因となり、また、各光学部品が個別に
存在する形態なので配置調整が複雑になるという欠点を
有していた。これらの欠点を補うために、光検出器に光
束を導く光路中に回折格子を設けた光ヘッド装置が種々
提案されている。例えば、シリンドリカルレンズを回折
格子素子に置き換えた例としては、特開昭53-100808
号、特開昭54-43005号、特開昭54-61503号、特開昭54-1
34605号等がある。これらの光ヘッド装置においては、
シリンドリカルレンズ、あるいはトーリックレンズを平
板型の回折格子で置き換えているため、安価な光ヘッド
装置が構成可能なこと、他の部品と接着しているので位
置調整が安易なこと等の長所を有している。
しかし、このような回折格子素子を半導体レーザ光源と
組合せたときには重大な問題点が発生する。それは、半
導体レーザ光源がヘリウム・ネオンレーザ等の気体レー
ザーと比較して波長の安定性が低いために、使用時の環
境温度の変化、駆動電流の変動によって光源の波長が変
化し、上記光ヘッド装置の場合、正しいオートフォーカ
ス動作等ができなくなることである。
組合せたときには重大な問題点が発生する。それは、半
導体レーザ光源がヘリウム・ネオンレーザ等の気体レー
ザーと比較して波長の安定性が低いために、使用時の環
境温度の変化、駆動電流の変動によって光源の波長が変
化し、上記光ヘッド装置の場合、正しいオートフォーカ
ス動作等ができなくなることである。
たとえば一例として、λ=830nmの波長の半導体レーザ
は、1℃の温度上昇に対して約0.3nmの波長シフトを生
じ、この結果20℃の温度上昇では6nmもの波長変動を生
じる。通常の非点収差方式のフォーカスエラー検出にお
いて、シリンドリカルレンズとしてホログラムレンズを
用いているときに、波長が830nmから836nmに変化する
と、光の回折方向の変化により合焦位置のドリフトを生
じ、特別な補正無しでは正しいオートフォーカス動作が
行なわれなくなってしまう。
は、1℃の温度上昇に対して約0.3nmの波長シフトを生
じ、この結果20℃の温度上昇では6nmもの波長変動を生
じる。通常の非点収差方式のフォーカスエラー検出にお
いて、シリンドリカルレンズとしてホログラムレンズを
用いているときに、波長が830nmから836nmに変化する
と、光の回折方向の変化により合焦位置のドリフトを生
じ、特別な補正無しでは正しいオートフォーカス動作が
行なわれなくなってしまう。
またこのような光ヘッド装置に用いられている回折格子
が高次回析光にブレーズされている格子であるときに、
前述したような波長変動が生じた場合には、回折光が10
0%特定の次数に集中することはできず、隣接するいく
つかの次数のエネルギーが分配されてしまう。このよう
な回折格子を光ヘッドに用いた場合、光検出器が特定の
次数光だけを検出するように作られている場合には、検
出量の低下を生じてしまう。また、特定の回折次数光の
回折効率が光源の波長に敏感な場合には、検出光量が光
源の波長変動の影響を強く受けてしまう問題点もある。
が高次回析光にブレーズされている格子であるときに、
前述したような波長変動が生じた場合には、回折光が10
0%特定の次数に集中することはできず、隣接するいく
つかの次数のエネルギーが分配されてしまう。このよう
な回折格子を光ヘッドに用いた場合、光検出器が特定の
次数光だけを検出するように作られている場合には、検
出量の低下を生じてしまう。また、特定の回折次数光の
回折効率が光源の波長に敏感な場合には、検出光量が光
源の波長変動の影響を強く受けてしまう問題点もある。
本発明の上記のような光源の波長変動の影響を受けない
光ヘッド装置を提供することを目的とする。
光ヘッド装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとし
て、 光源と、該光源から発した光束を情報記録面上に集光す
る集光手段と、前記光源から前記情報記録面に入射する
入射光束の光路に配され、前記情報記録面で反射した光
束を前記入射光束から分離する分離手段と、該分離手段
によって分離された光束を受光する光検出器とを有する
光ヘッド装置において、 前記分離手段は回折格子を有しており、前記光検出器の
光検知面は前記光源の波長変動により前記回折格子の回
折光が移動する方向にほぼ沿った分割線によって複数の
領域に分割されていることを特徴とする光ヘッド装置、 を提供される。
て、 光源と、該光源から発した光束を情報記録面上に集光す
る集光手段と、前記光源から前記情報記録面に入射する
入射光束の光路に配され、前記情報記録面で反射した光
束を前記入射光束から分離する分離手段と、該分離手段
によって分離された光束を受光する光検出器とを有する
光ヘッド装置において、 前記分離手段は回折格子を有しており、前記光検出器の
光検知面は前記光源の波長変動により前記回折格子の回
折光が移動する方向にほぼ沿った分割線によって複数の
領域に分割されていることを特徴とする光ヘッド装置、 を提供される。
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第1図は、本発明による光ヘッド装置の一実施例の概略
的構成図である。
的構成図である。
同図において半導体レーザ1から出射したP偏光はコリ
メータレンズ2により平行光束となり、平行平板4,6及
び体積型回折格子5とから構成される光分割器3に入射
する。この光分割器3を透過した直線偏光(P偏光)
は、対物レンズ7によって基板8上の情報記録面9に径
1μm前後のスポットに集光される。磁気的に情報が記
録された記録面9において、情報に応じて偏光面が回転
(力−回転)された反射光10は光分割器3に再び入射
し、体積型回折格子5によって、波長と回折格子5のピ
ッチにより定まる所定の回折角で回析される。この回折
光11は平行平板4或いは6の表面で全反射を繰り返しな
がら導波され、光分割器3の端面に設けられた4分割光
検出器13に入射する。光検出器13の直前には検光子12が
設けられていて、光磁気信号を光量変化に変換する。
メータレンズ2により平行光束となり、平行平板4,6及
び体積型回折格子5とから構成される光分割器3に入射
する。この光分割器3を透過した直線偏光(P偏光)
は、対物レンズ7によって基板8上の情報記録面9に径
1μm前後のスポットに集光される。磁気的に情報が記
録された記録面9において、情報に応じて偏光面が回転
(力−回転)された反射光10は光分割器3に再び入射
し、体積型回折格子5によって、波長と回折格子5のピ
ッチにより定まる所定の回折角で回析される。この回折
光11は平行平板4或いは6の表面で全反射を繰り返しな
がら導波され、光分割器3の端面に設けられた4分割光
検出器13に入射する。光検出器13の直前には検光子12が
設けられていて、光磁気信号を光量変化に変換する。
第1図に示した光分割器3を半導体レーザ1側から見た
図を第2図に示す。本実施例の体積型回折格子5は、格
子が円錐形に形成されており、回折光11を集束せしめる
レンズ作用を有する。また、4分割光検出器13はは4つ
の受光面が紙面方向に直列に配置されている。この光検
出器13上の光量分布は、第1図における記録面9上のス
ポットの合焦状態に応じて変化する。例えば、対物レン
ズ7の焦点位置が記録面9に一致しているときには、反
射光10は平行光となり、回析光11は第2図の実線のよう
になって、光検出器13に11bに示す形状で入射する。ま
た、対物レンズ7が記録面に近ずきすぎた或いは遠ざか
りすぎた場合には、反射光10は発散光或いは集束光とな
り、回析光11は第2図において夫々一点鎖線或いは点線
のようになって、光検出器13上で夫々11c或いは11aに示
す形状となる。このような光束形状の変化を利用してフ
ォーカスエラー信号を検出する原理を以下に詳しく説明
する。
図を第2図に示す。本実施例の体積型回折格子5は、格
子が円錐形に形成されており、回折光11を集束せしめる
レンズ作用を有する。また、4分割光検出器13はは4つ
の受光面が紙面方向に直列に配置されている。この光検
出器13上の光量分布は、第1図における記録面9上のス
ポットの合焦状態に応じて変化する。例えば、対物レン
ズ7の焦点位置が記録面9に一致しているときには、反
射光10は平行光となり、回析光11は第2図の実線のよう
になって、光検出器13に11bに示す形状で入射する。ま
た、対物レンズ7が記録面に近ずきすぎた或いは遠ざか
りすぎた場合には、反射光10は発散光或いは集束光とな
り、回析光11は第2図において夫々一点鎖線或いは点線
のようになって、光検出器13上で夫々11c或いは11aに示
す形状となる。このような光束形状の変化を利用してフ
ォーカスエラー信号を検出する原理を以下に詳しく説明
する。
第3図(a),(b),(c)は4分割光検出器13を光
の入射側から見た図で(b)は合焦状態、(a),
(c)は焦点外れ状態を示す。ここで、13a,13b,13c,13
dは夫々分割された光検知面を示し、入射光束の形状は
上述のように、11a,11b,11cと変化する。なお、11a′,1
1b′,11c′については後述する。光検知面13a,13b,13c,
13dからの出力を夫々Ia,Ib,Ic,Idとすると、第4図
(a)に示すような電気系で (Ib+Ic)−(Ia+Id) なる演算を行なう事によって、差動増幅器14の出力端子
15は、第4図(b)に示す様なフォーカスエラー信号が
得られる。第4図(b)において横軸は合焦位置を零と
したときの対物レンズと記録面との距離(フォーカス誤
差)を示し、縦軸は信号出力を示す。得られたフォーカ
スエラー信号に従い、不図示のアクチュエータを介して
対物レンズ7或いは光ヘッド全体を入射光の光軸に沿っ
てディスクに対して動かすことにより、オートフォーカ
スが可能となる。
の入射側から見た図で(b)は合焦状態、(a),
(c)は焦点外れ状態を示す。ここで、13a,13b,13c,13
dは夫々分割された光検知面を示し、入射光束の形状は
上述のように、11a,11b,11cと変化する。なお、11a′,1
1b′,11c′については後述する。光検知面13a,13b,13c,
13dからの出力を夫々Ia,Ib,Ic,Idとすると、第4図
(a)に示すような電気系で (Ib+Ic)−(Ia+Id) なる演算を行なう事によって、差動増幅器14の出力端子
15は、第4図(b)に示す様なフォーカスエラー信号が
得られる。第4図(b)において横軸は合焦位置を零と
したときの対物レンズと記録面との距離(フォーカス誤
差)を示し、縦軸は信号出力を示す。得られたフォーカ
スエラー信号に従い、不図示のアクチュエータを介して
対物レンズ7或いは光ヘッド全体を入射光の光軸に沿っ
てディスクに対して動かすことにより、オートフォーカ
スが可能となる。
次に、第1図示の実施例におけるオートトラッキングの
原理を説明する。第5図(a),(b),(c)のよう
に情報記録担体の基板8に溝8aが形成されているとする
と、対物レンズ7により、入射光束はこの溝8aの近傍に
集光される。ここで(b)は、目的の溝8aの上にスポッ
トが生じている状態、(a),(c)は夫々溝に対して
スポットが右または左にずれている状態を示す。この基
板8上の記録面9で反射される光束は溝8aでの回折或い
は散乱によるトラッキング情報を含む。第2図示の4分
割光検出器13で、前記反射光を受けると光検知面13a,13
b,13c,13dで受ける光量は、前述の第5図(a),
(b),(c)の状態に応じて、夫々第6図(a),
(b),(c)のように変化する。従って、第7図
(a)に示すような電気系で、 (Ia+Ib)−(Ic+Id) なる演算を行なう事によって、差動増幅器16の出力端子
17には、第7図(b)に示すようなトラッキングエラー
信号が得られる。第7図(b)において、横軸はトラッ
キング誤差、縦軸は信号出力を示す。得られたトラッキ
ングエラー信号に従って、不図示のトラッキングアクチ
ュエータを駆動し、対物レンズ7を光軸に垂直に移動さ
せる等の方法で、オートトラッキングが可能となる。
尚、ここで基板8に予め案内トラックとしての溝が形成
されている場合を説明したが、このような溝がない場合
でも記録面9の情報が記録されている部分(記録トラッ
ク)と、その他の部分とでは、前述の磁気光学効果によ
って検光子12を透過する光量が異なり、記録トラックと
スポットとの位置関係に応じて光検出器13上の光量分布
にアンバランスが生じる。従って、このような場合で
も、第7図(a)のように、4分割光検出器13の各々の
光検知面の出力を演算することにより同様にトラッキン
グエラー信号を得られる。
原理を説明する。第5図(a),(b),(c)のよう
に情報記録担体の基板8に溝8aが形成されているとする
と、対物レンズ7により、入射光束はこの溝8aの近傍に
集光される。ここで(b)は、目的の溝8aの上にスポッ
トが生じている状態、(a),(c)は夫々溝に対して
スポットが右または左にずれている状態を示す。この基
板8上の記録面9で反射される光束は溝8aでの回折或い
は散乱によるトラッキング情報を含む。第2図示の4分
割光検出器13で、前記反射光を受けると光検知面13a,13
b,13c,13dで受ける光量は、前述の第5図(a),
(b),(c)の状態に応じて、夫々第6図(a),
(b),(c)のように変化する。従って、第7図
(a)に示すような電気系で、 (Ia+Ib)−(Ic+Id) なる演算を行なう事によって、差動増幅器16の出力端子
17には、第7図(b)に示すようなトラッキングエラー
信号が得られる。第7図(b)において、横軸はトラッ
キング誤差、縦軸は信号出力を示す。得られたトラッキ
ングエラー信号に従って、不図示のトラッキングアクチ
ュエータを駆動し、対物レンズ7を光軸に垂直に移動さ
せる等の方法で、オートトラッキングが可能となる。
尚、ここで基板8に予め案内トラックとしての溝が形成
されている場合を説明したが、このような溝がない場合
でも記録面9の情報が記録されている部分(記録トラッ
ク)と、その他の部分とでは、前述の磁気光学効果によ
って検光子12を透過する光量が異なり、記録トラックと
スポットとの位置関係に応じて光検出器13上の光量分布
にアンバランスが生じる。従って、このような場合で
も、第7図(a)のように、4分割光検出器13の各々の
光検知面の出力を演算することにより同様にトラッキン
グエラー信号を得られる。
また第2図に示した実施例においては、回折格子5から
の回折光は集束光となって回折されているが、このよう
にレンズ作用を生ずる回折格子は例えば円錐形に作製す
る事によって実現できる。
の回折光は集束光となって回折されているが、このよう
にレンズ作用を生ずる回折格子は例えば円錐形に作製す
る事によって実現できる。
次に本発明の内容となる光源の波長変動の影響を受けな
くする方法について記述する。
くする方法について記述する。
第1図の光ヘッド装置において半導体レーザ光源1の波
長に変動が生じたと仮定する。この波長変動により、回
折光11の進行方向はわずかに変動するが第1図において
はこの変化の方向は紙面内の方向である。第2図および
第3図に示し光量分布のうち、11a′,11b′,11c′は光
源波長が変動したときに生じる光量分布である。この波
長変動により生じる方向の変化は回折格子により回折さ
れる方向なので第3図においてはそれぞれ11a′,11b′,
11c′は11a,11b,11cの光量分布の上下に変動することに
なる。ここで第3図に示すように、光検出器13の各光検
知面13a,13b,13c,13dをこの波長変動で光束の移動する
方向に相対的に大きな寸法で作り、また、各光検知面の
分割線をこの方向に平行させることにより、光源の波長
変動が生じても、各光検出部の出力はほとんど影響を受
けず、正しいオートフォーカスおよびオートトラッキン
グを行うことができる。
長に変動が生じたと仮定する。この波長変動により、回
折光11の進行方向はわずかに変動するが第1図において
はこの変化の方向は紙面内の方向である。第2図および
第3図に示し光量分布のうち、11a′,11b′,11c′は光
源波長が変動したときに生じる光量分布である。この波
長変動により生じる方向の変化は回折格子により回折さ
れる方向なので第3図においてはそれぞれ11a′,11b′,
11c′は11a,11b,11cの光量分布の上下に変動することに
なる。ここで第3図に示すように、光検出器13の各光検
知面13a,13b,13c,13dをこの波長変動で光束の移動する
方向に相対的に大きな寸法で作り、また、各光検知面の
分割線をこの方向に平行させることにより、光源の波長
変動が生じても、各光検出部の出力はほとんど影響を受
けず、正しいオートフォーカスおよびオートトラッキン
グを行うことができる。
もし本発明のような工夫がなく第8図(a)に示すよう
に光束の移動する方向に相対的に寸法が大きくない場
合、又は第8図(b)のように光束の移動方向に各光検
知面13a,13b,13c,13dの分割線が平行になっていない場
合は、光検出器13の全体の受光光量の減少や各光検知面
13a,13b,13c,13dの出力が光源の波長変動によって変化
してしまう不都合が生じる。
に光束の移動する方向に相対的に寸法が大きくない場
合、又は第8図(b)のように光束の移動方向に各光検
知面13a,13b,13c,13dの分割線が平行になっていない場
合は、光検出器13の全体の受光光量の減少や各光検知面
13a,13b,13c,13dの出力が光源の波長変動によって変化
してしまう不都合が生じる。
第9図は、本発明の第2実施例を示した図である。第1
図図示の実施例と同様に、回折格子5により回折された
光束11は検光子12を通って光検出器13に入射する。い
ま、半導体レーザー1の発振波長が長くなったとき、回
折光11の生じる角度はこの波長変化に比例して大きくな
り、この結果、回折光11′は光分割器3に近い場所に光
スポットを生じることになる。
図図示の実施例と同様に、回折格子5により回折された
光束11は検光子12を通って光検出器13に入射する。い
ま、半導体レーザー1の発振波長が長くなったとき、回
折光11の生じる角度はこの波長変化に比例して大きくな
り、この結果、回折光11′は光分割器3に近い場所に光
スポットを生じることになる。
第10図は、光検出器13の分割法と、光スポットの関係を
あらわした図である。光スポット11が光スポット11′と
変化しても、光検出器13の分割線は、光源波長変動によ
り回折光の移動する方向に設定されているため、AFの作
動点ドリフトを生じることが無い。
あらわした図である。光スポット11が光スポット11′と
変化しても、光検出器13の分割線は、光源波長変動によ
り回折光の移動する方向に設定されているため、AFの作
動点ドリフトを生じることが無い。
次に本発明に用いる回折構造体を製造するための型作成
の1例を示す。
の1例を示す。
型作成においては第11図に示すように型材18を回転し、
ダイヤモンド等のカッター19を紙面に垂直方向へ移動さ
せながら型を作成する。カッター19の刃先の頂角は、角
α,βによって定まり、上記例では〜65°の角度を持た
せる。型材18はリン青銅、真鍮Ni等の金属でも良いし、
ロウ盤やプラスチック材等の高分子系の材質でもかまわ
ない。但し、金属型材の場合は直接スタンパーとして使
用可能であり電鋳等でスタンパーを作成する工程が必要
ないと云う利点がある。第11図で示した方法で切削され
るとレリーフ構造は第12図(B)に示した如く、同心円
状のレリーフ構造が得られる。第12図(A)は(B)図
の一部を拡大した図でα35°,β80°、ピッチ〜20
μmである。
ダイヤモンド等のカッター19を紙面に垂直方向へ移動さ
せながら型を作成する。カッター19の刃先の頂角は、角
α,βによって定まり、上記例では〜65°の角度を持た
せる。型材18はリン青銅、真鍮Ni等の金属でも良いし、
ロウ盤やプラスチック材等の高分子系の材質でもかまわ
ない。但し、金属型材の場合は直接スタンパーとして使
用可能であり電鋳等でスタンパーを作成する工程が必要
ないと云う利点がある。第11図で示した方法で切削され
るとレリーフ構造は第12図(B)に示した如く、同心円
状のレリーフ構造が得られる。第12図(A)は(B)図
の一部を拡大した図でα35°,β80°、ピッチ〜20
μmである。
次に、第13図に示す如く、アクリルの如きプラスチック
材20にコンプレッション転写を行なう。この時、型18、
アクリル材20を適当な温度で圧力をかける事により金型
18のレリーフ構造を忠実にアクリル材20に転写する事が
可能である。
材20にコンプレッション転写を行なう。この時、型18、
アクリル材20を適当な温度で圧力をかける事により金型
18のレリーフ構造を忠実にアクリル材20に転写する事が
可能である。
転写したアクリル材のレリーフ構造部に第14図に示す如
く、例えば蒸着等で反射層21を設ける。反射層21は多層
構造でも単層構造でもかまわない。また、MgF2,TiO2,Zr
O2,SiO2,等の誘電膜でもAu,Ag,Al,Cu等の金属膜でもか
まわない。
く、例えば蒸着等で反射層21を設ける。反射層21は多層
構造でも単層構造でもかまわない。また、MgF2,TiO2,Zr
O2,SiO2,等の誘電膜でもAu,Ag,Al,Cu等の金属膜でもか
まわない。
次に第15図に示す如く、アクリル材20の屈折率に近い物
質22でレリーフ部を埋める。この時、カバー材23を設け
る事により、表面を光学的に滑らかにする事ができる。
その為に物質22に接着作用を持っている事が好ましく、
例えばアクリル系の紫外線硬化型接着材が有利である。
またカバー材23はアクリル材20と同一のものでも、他の
物質(例えばガラス)でもかまわない。
質22でレリーフ部を埋める。この時、カバー材23を設け
る事により、表面を光学的に滑らかにする事ができる。
その為に物質22に接着作用を持っている事が好ましく、
例えばアクリル系の紫外線硬化型接着材が有利である。
またカバー材23はアクリル材20と同一のものでも、他の
物質(例えばガラス)でもかまわない。
以上の経過により本発明の光分割器が作成される。
以上述べてきたように本発明の光ヘッド装置によれば温
度変化などによって光源の波長変動が生じた場合でもド
リフトを生じることなく、信号を検出することが可能と
なった。
度変化などによって光源の波長変動が生じた場合でもド
リフトを生じることなく、信号を検出することが可能と
なった。
第1図は本発明の光ヘッド装置を示す概略構成図であ
り、第2図および第3図は本発明の光ヘッド装置に生じ
る光量分布を示した図である。 第4図はフォーカスエラー検出回路を表した図、第5図
および第6図はトラッキングエラー検出の原理を表した
図であり、第7図はトラッキングエラー検出回路を表し
た図である。 第8図は波動変動の影響を受けてしまう光検出器の光検
知面の例を示す図である。 第9図は本発明の第2実施例を示す概略構成図であり、
第10図は、第2実施例における光検出器の各光検知面の
形状を示した図である。 また、第11図,第12図,第13図,第14図,第15図はそれ
ぞれ本発明の光ヘッド装置に使用する回折格子の製造方
法を示した図である。 1:レーザ光源、2:コリメーターレンズ、3:ビームスプリ
ッター、4,6:平行平板、5:回折格子、7:対物レンズ、8:
基板、9:情報記録担体、10:反射光、11:回折光、12:検
光子、13:光検出器。
り、第2図および第3図は本発明の光ヘッド装置に生じ
る光量分布を示した図である。 第4図はフォーカスエラー検出回路を表した図、第5図
および第6図はトラッキングエラー検出の原理を表した
図であり、第7図はトラッキングエラー検出回路を表し
た図である。 第8図は波動変動の影響を受けてしまう光検出器の光検
知面の例を示す図である。 第9図は本発明の第2実施例を示す概略構成図であり、
第10図は、第2実施例における光検出器の各光検知面の
形状を示した図である。 また、第11図,第12図,第13図,第14図,第15図はそれ
ぞれ本発明の光ヘッド装置に使用する回折格子の製造方
法を示した図である。 1:レーザ光源、2:コリメーターレンズ、3:ビームスプリ
ッター、4,6:平行平板、5:回折格子、7:対物レンズ、8:
基板、9:情報記録担体、10:反射光、11:回折光、12:検
光子、13:光検出器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 尚郷 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 遠藤 清伸 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 星 宏明 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 中村 保夫 埼玉県秩父市大字下影森1248番地 キヤノ ン電子株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−5425(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】光源と、該光源から発した光束を情報記録
面上に集光する集光手段と、前記光源から前記情報記録
面に入射する入射光束の光路に配され、前記情報記録面
で反射した光束を前記入射光束から分離する分離手段
と、該分離手段によって分離された光束を受光する光検
出器とを有する光ヘッド装置において、 前記分離手段は回折格子を有しており、前記光検出器の
光検知面は前記光源の波長変動により前記回折格子の回
折光が移動する方向にほぼ沿った分割線によって複数の
領域に分割されていることを特徴とする光ヘッド装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60073591A JPH0746439B2 (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 光ヘツド装置 |
| US06/748,342 US4733065A (en) | 1984-06-27 | 1985-06-24 | Optical head device with diffraction grating for separating a light beam incident on an optical recording medium from a light beam reflected therefrom |
| FR8509716A FR2566953A1 (fr) | 1984-06-27 | 1985-06-26 | Dispositif de tete optique |
| DE19853522849 DE3522849A1 (de) | 1984-06-27 | 1985-06-26 | Optischer kopf |
| NL8501857A NL194898C (nl) | 1984-06-27 | 1985-06-27 | Optische lezer. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60073591A JPH0746439B2 (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 光ヘツド装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8112327A Division JP2594421B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 光ヘッド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61233441A JPS61233441A (ja) | 1986-10-17 |
| JPH0746439B2 true JPH0746439B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=13522708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60073591A Expired - Lifetime JPH0746439B2 (ja) | 1984-06-27 | 1985-04-09 | 光ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746439B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2629781B2 (ja) * | 1988-02-26 | 1997-07-16 | 松下電器産業株式会社 | 光ヘッド装置 |
| JP2728502B2 (ja) * | 1989-06-05 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 光集積回路及び光学装置 |
| JPH09198706A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Fujitsu Ltd | 光ディスク装置用光ピックアップのホログラム光学系 |
Family Cites Families (8)
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|---|---|---|---|---|
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| US4497534A (en) * | 1983-02-28 | 1985-02-05 | International Business Machines Corporation | Holographic optical head |
| JPS59217235A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式情報再生装置 |
| JPS59231736A (ja) * | 1983-06-13 | 1984-12-26 | Hitachi Ltd | フォーカスおよびトラッキング誤差検出装置 |
| JPS605425A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光学情報読取装置 |
| JPS6028044A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Toshiba Corp | 光学式情報読取装置 |
| JPS6055519A (ja) * | 1983-09-05 | 1985-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式情報再生装置 |
| JPH079708B2 (ja) * | 1984-02-17 | 1995-02-01 | 三菱電機株式会社 | 光デイスクヘツドのフオ−カスずれ検出装置 |
-
1985
- 1985-04-09 JP JP60073591A patent/JPH0746439B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61233441A (ja) | 1986-10-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |