JPS58175146A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS58175146A JPS58175146A JP57055427A JP5542782A JPS58175146A JP S58175146 A JPS58175146 A JP S58175146A JP 57055427 A JP57055427 A JP 57055427A JP 5542782 A JP5542782 A JP 5542782A JP S58175146 A JPS58175146 A JP S58175146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- laser
- noise
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ピツクアップ装置の％ＣＣ二連導体レーザ関
するものである。
するものである。
光ディスク等の信号再生に用いる光ピックアップに於い
ては、半導体レーザ等から射出されたし一ザ光を光学レ
ンズ等でディスク信号面に微少スポットに絞り込み、デ
ィスク信号によシ変調された反射光を光検出器で電気信
号に変換し情報を再生している。
ては、半導体レーザ等から射出されたし一ザ光を光学レ
ンズ等でディスク信号面に微少スポットに絞り込み、デ
ィスク信号によシ変調された反射光を光検出器で電気信
号に変換し情報を再生している。
第１図は従来の半導体レーザを光学式読取装置に用いた
構成図を示す。
構成図を示す。
半導体レーザ１の光束はカップリングレンズ２で平行光
束にされ、偏光プリズム３・％波長板４を通り対物レン
ズ５によりディスク６の信号面に絞シ込まれディスクに
記録された情報を読み取る。
束にされ、偏光プリズム３・％波長板４を通り対物レン
ズ５によりディスク６の信号面に絞シ込まれディスクに
記録された情報を読み取る。
ディスクの信号面で反射された反射光は対物レンズ５．
Ｖ４波長板４を通り偏光プリズム３で直角方向に反射さ
れ光検出器７で電気信号に変換される。
Ｖ４波長板４を通り偏光プリズム３で直角方向に反射さ
れ光検出器７で電気信号に変換される。
この糧の光学系に於いては偏光プリズム３とＡ波長板４
を用いるため、原理的に半導体レーザから射出したレー
ザ光は、半導体レーザに反射光として帰還されることは
ない。しかし実際の部品精度や組立精度及びディスク材
質の光学的異方性（複屈折）等によシ微少ではあるが、
半導体レーザ１に帰還し、この帰還光量を零にすること
は不可能である、この場合、特に屈折率ガイド構造等、
＊モードがシングルモードの半導体レーザでは、この微
少な帰還光量によって縦モードが変化し、光出力が変動
する現象が起きてｂた。
を用いるため、原理的に半導体レーザから射出したレー
ザ光は、半導体レーザに反射光として帰還されることは
ない。しかし実際の部品精度や組立精度及びディスク材
質の光学的異方性（複屈折）等によシ微少ではあるが、
半導体レーザ１に帰還し、この帰還光量を零にすること
は不可能である、この場合、特に屈折率ガイド構造等、
＊モードがシングルモードの半導体レーザでは、この微
少な帰還光量によって縦モードが変化し、光出力が変動
する現象が起きてｂた。
光ディスクの再生等の場合、この光出力変動がノイズと
なシ、ディスクより良好な信号を検出することが困難と
なっていたため、早急にノイズの少なｈ半導体レーザが
必要となって込た。
なシ、ディスクより良好な信号を検出することが困難と
なっていたため、早急にノイズの少なｈ半導体レーザが
必要となって込た。
本発明の目的は、以上述べた光出力変動ノイズの欠点を
低減する半導体レーザを提供することにある。
低減する半導体レーザを提供することにある。
従来シングルモードレーザでは、帰還光によるノイズを
低減するため極力半導体レーザに光が帰還しないように
していた （参考文献 日経メカニカル １２／１ 、
１９８１ 等）。
低減するため極力半導体レーザに光が帰還しないように
していた （参考文献 日経メカニカル １２／１ 、
１９８１ 等）。
出願人が第１図の光学系に於すてｈろいろな半導体レー
ザを用い、この帰還ノイズのレベルｌ）遠景の関係を詳
しく測定した結果、ある帰還量の時にノイズが大きくな
るか、ある量以上を帰還した方がかえってノイズレベル
が低下する事実を発第２図にシングルモードレーザの反
射帰還光量とノイズレベルの関係を示す。これｕｃｓｐ
型レーザを用−て、開口数ＮＡ ＝ ０．１５でカップ
リングした例である。ここで、半導体レーザの射出光量
のすべてを光学系が用＾ているのではな−、これは、半
導体レーザの発光パターンが非等方の端内であることと
、対物レンズの開口での光強度分布が一様である方が小
さなスポットを形成できるためである。よって、レーザ
の発光パターンにより異なるが発光光量のうち１０〜３
０％程度が光学系を通る場合が普通である。以下帰還量
はこの光学系を通る光量を１００ｑ６としである。
ザを用い、この帰還ノイズのレベルｌ）遠景の関係を詳
しく測定した結果、ある帰還量の時にノイズが大きくな
るか、ある量以上を帰還した方がかえってノイズレベル
が低下する事実を発第２図にシングルモードレーザの反
射帰還光量とノイズレベルの関係を示す。これｕｃｓｐ
型レーザを用−て、開口数ＮＡ ＝ ０．１５でカップ
リングした例である。ここで、半導体レーザの射出光量
のすべてを光学系が用＾ているのではな−、これは、半
導体レーザの発光パターンが非等方の端内であることと
、対物レンズの開口での光強度分布が一様である方が小
さなスポットを形成できるためである。よって、レーザ
の発光パターンにより異なるが発光光量のうち１０〜３
０％程度が光学系を通る場合が普通である。以下帰還量
はこの光学系を通る光量を１００ｑ６としである。
この第２図かられかるように、半導体レーザテップに約
１０’１以上帰還させると急激にノイズが少なくなる事
実がわかった。又２０％程度以上レーザに帰還してやれ
ばほぼノイズは低減され支障がないレベルになる。
１０’１以上帰還させると急激にノイズが少なくなる事
実がわかった。又２０％程度以上レーザに帰還してやれ
ばほぼノイズは低減され支障がないレベルになる。
これは、ある程度以上帰還されるとシングルモードレー
ザがマルチライクになるなどコヒーレンスの低下のため
と考えられる。
ザがマルチライクになるなどコヒーレンスの低下のため
と考えられる。
ここで９１図の半導体レーザ１とカップリングレンズ２
の部分を拡大して示すと第３図の如くになっており、半
導体レーザ１のベース１１の中央に固定の発光テップ１
３からでる光束は、ベース１１に固定で発光チップ１３
を取囲むキャップ１２の上面に固定のカバーガラス１４
からでた光束の内、実際ディスクからの信号読出しに用
いる光束１５はカップリングレンズ２の開口数ＮＡによ
って決まる広がシ角θ（θ＝ ５ｉｎ−’ ＮＡ ）の
部分であり、それ以外の光束１６は未使用である。
の部分を拡大して示すと第３図の如くになっており、半
導体レーザ１のベース１１の中央に固定の発光テップ１
３からでる光束は、ベース１１に固定で発光チップ１３
を取囲むキャップ１２の上面に固定のカバーガラス１４
からでた光束の内、実際ディスクからの信号読出しに用
いる光束１５はカップリングレンズ２の開口数ＮＡによ
って決まる広がシ角θ（θ＝ ５ｉｎ−’ ＮＡ ）の
部分であり、それ以外の光束１６は未使用である。
本発明はこの未使用光束１６を利用して半導体レーザ１
に帰還せんとするもので、第４図はその実施例である。
に帰還せんとするもので、第４図はその実施例である。
第４図において第５図と同一個所には同一符号を以って
示してあシ、カッく一ガラス１＝ｌ、ｕ発光チップ１５
側に光帰還材１７が固定されて込る。この光帰還材１７
はディスクの信号続出しに用する光束１５（０部分）を
くりぬいた部分１８と、未使用光１６を反射させる反射
面１９とを具えている。この結果、カップリングレンズ
の開口数をＮＡ ＝ ０．１５ とし走場合、レーザ射
出光量の５０チ以上の安定した光帰還が可能となり、さ
らに実際便用する光束に損失が々ｈ念め光利用効率の良
い、ノイズの少ない半導体レーザを得た。
示してあシ、カッく一ガラス１＝ｌ、ｕ発光チップ１５
側に光帰還材１７が固定されて込る。この光帰還材１７
はディスクの信号続出しに用する光束１５（０部分）を
くりぬいた部分１８と、未使用光１６を反射させる反射
面１９とを具えている。この結果、カップリングレンズ
の開口数をＮＡ ＝ ０．１５ とし走場合、レーザ射
出光量の５０チ以上の安定した光帰還が可能となり、さ
らに実際便用する光束に損失が々ｈ念め光利用効率の良
い、ノイズの少ない半導体レーザを得た。
以上述べ走ように末完ＦＩＡは、半導体レーザの光を半
導体レーザ内１ｍ設けた光帰還材により一部戻してやる
ことによシ、レーザの縦モード変化に伴なう光出力変動
ノイズを低減し、かつ光利用効率の優れた光帰還材構造
とした半導体レーザ素子が提供でき、これによって光デ
ィスクの良好な信号再生も可能である。
導体レーザ内１ｍ設けた光帰還材により一部戻してやる
ことによシ、レーザの縦モード変化に伴なう光出力変動
ノイズを低減し、かつ光利用効率の優れた光帰還材構造
とした半導体レーザ素子が提供でき、これによって光デ
ィスクの良好な信号再生も可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は光ピツクアップ装置の基本構成図、第２図は半
導体レーザの帰還光量とノイズの関係を示す特性図、第
３図は従来の半導体レーザの構成図、第４図は本発明の
実施例の半導体レーザの構成図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・カップリングレンズ。 １１・・・ベース、１２・・・キャップ、１３・・・発
光チップ、１４・・・カバーガラス、１５・・・信号読
出しこ使用する光束、１６・・・未使用光束、１７・・
・光帰還材。 １８・・・反射面。 才 ／ 図 し−プ゛波一つ婦ｌ」ｋ（％）
導体レーザの帰還光量とノイズの関係を示す特性図、第
３図は従来の半導体レーザの構成図、第４図は本発明の
実施例の半導体レーザの構成図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・カップリングレンズ。 １１・・・ベース、１２・・・キャップ、１３・・・発
光チップ、１４・・・カバーガラス、１５・・・信号読
出しこ使用する光束、１６・・・未使用光束、１７・・
・光帰還材。 １８・・・反射面。 才 ／ 図 し−プ゛波一つ婦ｌ」ｋ（％）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 半導体レーザのケース内にレーザ発光点へ所定光
量の光を戻す光帰還材を設けたことを特徴とする半導体
レーザ。 ２、 前記光帰還材は、前記半導体レーザからの射出光
の内、開口数ＮＡ＝０．１のレンズでカップリングした
時、そのカップリング後の光量の１０％と等値以上の光
量をレーザ発光点に帰還する特＃４Ｆ請求の範囲第１項
記載の半導体レーザ。 五 前記光帰還材は前記半導体レーザからの射出光の内
カツプリングレンズに進光しない光束をレーザ発光点へ
戻す特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055427A JPS58175146A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055427A JPS58175146A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58175146A true JPS58175146A (ja) | 1983-10-14 |
Family
ID=12998276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57055427A Pending JPS58175146A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58175146A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58194150A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-12 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| WO1988008191A1 (en) * | 1987-04-15 | 1988-10-20 | Sony Corporation | Laser reproduction apparatus |
| JP2008129315A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Seiko Epson Corp | 光源装置、画像表示装置 |
-
1982
- 1982-04-05 JP JP57055427A patent/JPS58175146A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58194150A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-12 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH047017B2 (ja) * | 1982-05-06 | 1992-02-07 | Sharp Kk | |
| WO1988008191A1 (en) * | 1987-04-15 | 1988-10-20 | Sony Corporation | Laser reproduction apparatus |
| US5070496A (en) * | 1987-04-15 | 1991-12-03 | Sony Corporation | Laser reproducing apparatus |
| JP2008129315A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Seiko Epson Corp | 光源装置、画像表示装置 |
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