JPH04155627A - 光ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、光ディスクに対して情報を記録あるいは再生
するための光ピックアップに関する。

［従来の技術］ 従来、光ディスクに対して情報を記録あるいは再生する
ための光ピックアップにおいては、電気通信学会技術研
究報告ＯＱ　Ｅ　８５−７２（１９８５年９月）第３９
頁から第４６頁に記載のように、ビームスブリットを設
けて光ピックアップからディスクへ投射する光と、ディ
スクから反射して光ピックアップへ戻ってくる光とを分
離している。第合図は、従来の光ピックアップの一例を
示す（特開昭６２−２６６７４２号公報）。

図中の１は、基板である。この基板１上には、バッファ
層２を介して導波路層３が形成されている。前記基板１
の端部には、前記導波路層３にレーザ光４を照射するレ
ーザダイオード５が配置されている。前記導波路３表面
でレーザダイオード５側には、ホトダイオード６ａ、６
ｂが配置されている。前記導波路３表面でレーザダイオ
ード５からのレーザ光４が照射される側には、ビームス
プリッタ７、フォーカシンググレーティングカブラ（集
光用回折格子、ＦＣＣ）８が配置されている。なお、図
中の９はディスクである。

こうした構成の光ピックアップの動作は、次に述べる通
りである。即ち、レーザダイオード５から発したレーザ
光４は、導波路３を伝搬してビームスプリッタ７を通り
、ＦＧＣ８において回折されて外部のディスク９に集光
される。次に、ディスク９で反射されたレーザ光４はＦ
ＧＣ９に入射し、ビームスプリッタフに至り、その光路
を変更されてホトダイオード６ｇ、６ｂに至る。

［発明が解決しようとする課題〕 ところで、従来の光ピックアップにおいては、レーザ光
の光源として一般に半導体レーザが用いられる。しかし
、半導体レーザは温度変化等により出力光に変動が生じ
やすく、出力光が変動すると光情報処理装置が誤動作す
る可能性がある。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、半導体レー
ザの出力光の強度を安定化させ、これにより光情報処理
装置を正確に動作できる光ピックアップを提供すること
を目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、基板と、この基板上にクラッド層を介して形
成された光導波路層と、この光導波路層上に形成された
集光用回折格子と、前記光導波路層にレーザ光を照射す
る光源とを具備し、前記レーザ光の大部分を集光用回折
格子を介して外部の光ディスクに向わせ、レーザ光の残
りの一部が前記クラッド層側に向う光ピックアップにお
いて、前記レーザ光の残りの一部か向うクラッド層側の
前記基板表面又はその近傍にモニタを配置し、このモニ
タにより光の強度を検知することを特徴とする光ピック
アップである。

［作用］ 本発明においては、光源からのレーザ光の大部分は第１
集光用回折格子に直接入射し、ディスクに集光される。

同時に、レーザ光の一部はクラッド層を通過してＡＰＣ
用モニタに向かい、その光の強度が検知される。ここで
、光導波路層を伝播する光の強度変動は一部の光の強度
変動としてもあられれるから、この光の強度を検知する
ことにより光導波路層を伝播するレーザ光の強度が間接
的に検知される。この検知された強度信号は、光源の駆
動回路にフィードバックされ、光源から出力するレーザ
光の安定化が図られる。

また、第１集光用回折格子からの出射光は光導波路層の
面上に垂直な方向からレーザ光の進行方向へ少し傾斜し
て出射される。この後、光ディスクによる反射光は第１
集光用回折格子に戻らず、第２集光用回折格子に入射し
、再びレーザ光に変換される。更に、この戻すレーザ光
は、ビームスプリッタにより分割、集光された後、ホト
ダイオードに入射する。ところで、この戻すレーザ光の
進行方向は光源のレーザ光の進行方向と同じとなるので
、光源へ戻ることはなく、従来の光ピックアップのよう
に戻すレーザ光の影響で光源の出力が不安定となること
はない。

［実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照して
説明する。

図中の１１は、基板である。この基板１１の表面で後記
する第１集光用回折格子の下方に対応する位置には、Ａ
ＰＣ用モニタ１２が配置されている。前記基板ｌｌ上に
は、クラッド層１３を介して光導波路層１４が形成され
ている。前記基板１１の端部には、前記光導波路層１４
にレーザ光１５を照射する光源１６が配置されている。

ここで、光源１６には前記モニタ１２からの強度信号が
フィードバックされる駆動回路が内蔵されている。前記
光導波路層１４の表面の一部には、２個の第１・第２集
光用回折格子１７ａ、　１７ｂが離間して設けられてい
る。また、前記光導波路層１４の表面で第２集光用回折
格子１７ｂの後方（図中の右側）には、ビームスプリッ
タ１８゜光検出器としてのホトダイオード１９が設けら
れている。なお、図中の２０は、前記基板主面に対して
平行に配置された光ディスクである。

こうした構成の光ピックアップにおける作用は次に述べ
る通りである。即ち、光源１６からのレーザ光１５の大
部分は第１集光用回折格子１７ａに直接入射し、ディス
ク２０に集光される。同時に、レーザ光１５の一部は光
１５ａとしてクラッド層１３を介してＡＰＣ用モニタ１
２に向かい、その光の強度か検知される。ここで、光導
波路層１４を伝播する光の強度変動は光１２ａの強度変
動としてもあられれるから、光１２Ｈの強度を検知する
ことにより光導波路層１４を伝播するレーザ光１５の強
度か間接的に検知される。この検知された強度信号は、
光源１６の駆動回路にフィードバックされ、光源１６か
ら出力するレーザ光の安定化が図られる。

第１集光用回折格子１７ａからの出射光は光導波路層１
４の面上に垂直な方向からレーザ光の進行方向へ少し傾
斜して出射される。この後、光ディスク２０による反射
光は第１集光用回折格子１７ａに戻らず、第２集光用回
折格子１７ｂに入射し、再びレーザ光に変換される。更
に、この戻すレーザ光は、従来の光ピックアップと同様
にビームスプリッタ１８により分割、集光された後、ホ
トダイオード１９に入射する。ところで、この戻りレー
ザ光の進行方向は光源１６のレーザ光の進行方向と同じ
となるので、光源１６へ戻ることはなく、従来の光ピッ
クアップのように戻すレーザ光の影響で光源１６の出力
が不安定となることはない。

このように、上記実施例によれば、第１集光用回折格子
１７ａの下方に対応する基板１１の表面に、光源１Ｂか
らの一部のレーザ光１５の強度を検知するＡＰＣ用モニ
タ１２が配置が配置されているため、検知された強度信
号を光源１６の駆動回路にフィードバックすることによ
り、光源１６から出力するレーザ光の安定化を図ること
ができる。また、上述したように、光ディスクから第２
集光用回折格子１７ｂに入射した戻りレーザ光の進行方
向は光源１６のレーザ光の進行方向と同じとなるので、
光源１Ｂへ戻ることはなく、従来の光ピックアップのよ
うに戻りレーザ光の影響で光源１６の出力が不安定とな
ることを回避できる。

なお、上記実施例では、ＡＰＣ用モニタを基板表面に設
けた場合について述べたが、これに限定されない。例え
ば、光源から照射されてクラッド層に向う一部のレーザ
光を検知できる位置であればどこでもよく、例えば基板
１１に埋め込んだ位置でもよい。

［発明の効果］ 以上詳述した如く本発明によれば、半導体レーザの出力
光の強度を安定化させ、これにより光情報処理装置を正
確に動作できる高信頼性の光ピックアップを提供できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る光ピックアップの説明
図、第２図は第１図の平面図、第３図は従来の光ピック
アップの斜視図である。 １１・・・基板、１２・・・クラッド層、１２・・・Ａ
ＰＣ用モニタ、１３・・・クラッド層、１４・・・光導
波路層、１５・・・レーザ光、１６・・・光源、１７ａ
、　１７ｂ・・・集光用回折格子、１８・・・ビームス
プリッタ、１９・・・ホトダイオード、２０・・・光デ
ィスク。 出願人代理人　弁理士　坪井　　淳 第３区

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板と、この基板上にクラッド層を介して形成された光
   導波路層と、この光導波路層上に形成された集光用回折
   格子と、前記光導波路層にレーザ光を照射する光源とを
   具備し、前記レーザ光の大部分を集光用回折格子を介し
   て外部の光ディスクに向わせ、レーザ光の残りの一部が
   前記クラッド層側に向う光ピックアップにおいて、前記
   レーザ光の残りの一部が向うクラッド層側の前記基板表
   面又はその近傍にモニタを配置し、このモニタにより光
   の強度を検知することを特徴とする光ピックアップ。