JP3855370B2 - 光ピックアップ - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は光ピックアップに関し、特にシリコン基板上に光導波路を形成しその両端にレーザダイオード、フォトダイオード等の光学部品を貼り合わせて小型化した光ピックアップに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、マルチメディアの普及に伴い、文字情報からイメージ情報まで各種の情報を大量に、且つ高速に処理する必要が生じ、従来の磁気記録媒体に比べて記憶容量が大きいと共にコンパクトな光ディスクの需要が急速に拡大している。
図2は光ディスク装置に用いられる光ピックアップの一構成例を示す模式図であって、光ピックアップ20は、レーザ光を発生するレーザダイオード21と、該レーザダイオード21から出射される光束を透過及び図中下方へ反射してレーザダイオード21の出力をモニタするフォトダイオード28に供給する一方光ディスク26から戻ってきた光束を透過及び図面上方へ反射してフォトダイオード27に供給するビームスプリッタ22と、該ビームスプリッタ22を透過した光束の光路を図中上方の光ディスク側へ反射すると共に戻り光束を図中左方のビームスプリッタ22の方へ反射するミラー23と、該ミラー23で反射された光束を分離する回折格子24と、回折格子24を透過した光束を光ディスク26上に集光すると共に光ディスク26から戻ってきた光束を前記回折格子24に導くレンズ25によって構成される。
【0003】
光ディスク26に記録されている情報を読みとる方法は周知のように、レーザダイオード21から出射した光束はビームスプリッタ22に入射し、透過してミラー23方向へ進む光束と、反射してフォトダイオード28方向へ進む光束とに分離される。フォトダイオード28はレーザダイオード21の出力をモニタするためのものであり、入射した光量を検出して図示しない制御部が、これに基づいてレーザダイオード21の出力を制御する。
一方、ビームスプリッタ22を透過してミラー23の方向へ進んだ光束は、ミラー23により反射されて光路を曲げ、回折格子24に入射する。該回折格子24により光束が主光束(0次光)と2つの副光束(±1次光)等の回折光に分離される。このうち、±1次光は光ディスクのトラッキングエラーの検出に用いられる。
【0004】
回折格子24により分離された前記主光束(0次光)はレンズ25によって集光されて光ディスク26上に焦点を結び光ディスク26上で反射する。光ディスク26上で反射した光束は、ディジタルの情報信号として記録されたピットの有無によって明暗の光強度変化が生ずる。該反射光束はレンズ25及び回折格子24を透過し、ミラー23により前記ビームスプリッタ22方向に反射される。ビームスプリッタ22に入射した光束は透過する光束と反射してフォトダイオード27に進む光束に分離される。フォトダイオード27は光ディスクからの反射光束に含まれる情報を検出するためのものであり、光束の光強度変化に応じた電気信号が生成され、これを図示しない制御部で処理することにより光ディスク26に記録されている情報を読みとることが出来る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来の光ピックアップにおいては光学部品点数が多く、これら個別部品を所定の位置に配置して光ピックアップを構成すると、外形寸法が大きくなることや、軽量化が難しいという問題があった。例えば、レーザダイオードはそれ自身発光する際に発熱するので、それを放熱するための放熱板を兼ねた金属ケース内に納めるのが一般的であり、これが小型化の妨げの一つになっていた。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであって、光ピックアップを軽量化し、小型化した光ピックアップを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係る光ピックアップの請求項1記載の発明は、表面に主光導波路と該主光導波路の途中に埋設した光フィルタにより分岐した副光導波路とを形成したシリコン基板を該シリコン基板より面積の大きいシリコン基台上に配置すると共に、前記光導波路の一端に配置したレーザ光源と、該レーザ光源に近接配置したレーザ光源モニタ用の受光素子と、前記光導波路の他端に配置したミラーと、トラッキングエラー検出用の受光素子と、前記副光導波路の入出力端に配置した光検出器とを前記シリコン基台上に接着固定したことを特徴とする光ピックアップである。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下本発明を図面に示した実施の形態に基づいて詳細に説明する。
図1(a)は本発明に係わる光ピックアップの一実施例の構成を示す模式的平面図であり、同図(b)はそのA−A断面図、同図(c)はB−Bにおける断面図である。シリコン(Si)基台1上の図中左端にモニタ−用フォトダイオード2とレーザダイオード3とを近接して配置し、該レーザダイオード3の図中右側にシリコン基板1’上に沿って形成した光導波路4を密着して配設する。該光導波路4の途中に該導波路4に対しほぼ45度の角度で横切るように光フィルタ5を埋設する。そして、図1(b)に示すように、前記光導波路4の図中右端に光フィルタ5を透過した光束が図中上方に反射されるように、シリコン材料をエッチング加工したミラー6を配置する。該ミラー6の図中上端に回折格子7の一端を接着固定し、さらに回折格子7にレンズ8を接着固定する。該レンズ8の図中上方に光ディスク9を配置する。
更に、前記光フィルタ5より光導波路4にほぼ直角に光導波路4’が分岐されその先端にフォトダイオード10が接着固定されている。
【0008】
ここで光ピックアップの動作を説明すると、レーザダイオード3からの出射光の一部の光束はフォトダイオード2に至ってその光量が検出され、フォトダイオードの出力に基づいて図示しない制御部が前記レーザダイオード3の出力が一定となるように制御する。また、一部の光束は光導波路4と光結合し、該導波路4を進み光導波路4の途中に埋設された光フィルタ5(ハーフミラー)に入射する際に、約50%の光束は反射され、約50%の光束は透過する。前記透過光束は光導波路4を進み、シリコンで製作したミラー6に入射してその光路を90度曲げられ、回折格子7に入射し主光束(0次光)と2つの副光束(±1次光)の回折光に分離される。このうち、主光束(0次光)は信号処理に用い、副光束(±1次光)は光ディスクのトラッキングエラーの検出に用いる。
【0009】
前記回折格子7を出射した主及び副光束はレンズ8により集光されて、光ディスク9上に焦点を結ぶ。この時、光ディスク9上にデジタル情報として記録したピットの有無によって、反射光束には明暗の光強度変化が生ずることになる。即ち、光ディスク9上にピットが存在すると焦点が合わず暗になり、ピットがないと焦点を結ぶため明となって、記録した情報は反射光束の明暗の光強度に変換される。
反射光束のうち主光束は、レンズ8、回折格子7を透過し、ミラー6により光路を90度曲げられて、シリコン基板1’に形成した光導波路4と光結合して該導波路4を進み、光フィルタ5によって透過光束と反射光束とに分離され、後者の反射光束は光フィルタ5から分岐した光導波路4’を進み、該導波路4’の先端に固定したフォトダイオード10により光束の明暗の光強度変化に応じた電気信号が生成され、これを処理することにより光ディスク9に記録されている情報を読みとることが出来る。
一方、光ディスク9から反射された副光束(±1次光)は、レンズ8の両側に設けられたフォトダイオード11、11により光ディスクのトラッキングエラーの検出に用いられる。
【0010】
以上説明したようにレーザダイオード、フォトダイオード、ミラー、レンズ等の光学部品をシリコン基台1上に搭載し、光の伝搬にSiO2の光導波路を用いることで、軽量で小型化した光ピックアップを実現できる。
例えば、シリコン基台1上にレーザダイオード3の素子を密着することにより、該レーザダイオード3の発熱はシリコン基台1がヒ−トシンクの役目も果たすため、従来のように放熱を兼ねた金属ケースを必要としないため小型化することができる。
尚、以上本発明を光ディスクのピットを読みとるタイプの光ピックアップを例に説明したが、本発明はこれのみに限定されるものではなく、例えば光磁気ディスクの読み書き用の光ピックアップに適用してもよい。
【0011】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したように構成したので、本発明に係る光ピックアップは、レーザダイオード、フォトダイオード、光フィルタ、ミラー、回折格子及びレンズ等の光部品をシリコン基台上に搭載し、光の伝搬路にシリコン基板上に形成したSiO2の光導波路を用いて一体化したので、軽量で且つ、小型化した光ピックアップを実現でき、光装置の小型化、軽量化には極めて優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る光ピックアップの実施の一形態例を示す図で、(a)は光ピックアップの平面図、(b)は(a)のA−Aにおける断面図、(c)は(a)のB−Bにおける断面図である。
【図2】従来の光ピックアップの構成を示す図である。
【符号の説明】
1・・シリコン基台
1’・・シリコン基板
2・・フォトダイオード(モニタ−用)
3・・レーザダイオード
4、4’・・光導波路
5・・光フィルタ
6・・ミラー
7・・回折格子
8・・レンズ
9・・光ディスク
10・・フォトダイオード(受光素子)

Claims (1)

  1. 表面に主光導波路と該主光導波路の途中に埋設した光フィルタにより分岐した副光導波路とを形成したシリコン基板を該シリコン基板より面積の大きいシリコン基台上に配置すると共に、前記光導波路の一端に配置したレーザ光源と、該レーザ光源に近接配置したレーザ光源モニタ用の受光素子と、前記光導波路の他端に配置したミラーと、トラッキングエラー検出用の受光素子と、前記副光導波路の入出力端に配置した光検出器とを前記シリコン基台上に接着固定したことを特徴とする光ピックアップ。
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