JPS63164033A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS63164033A JPS63164033A JP61312018A JP31201886A JPS63164033A JP S63164033 A JPS63164033 A JP S63164033A JP 61312018 A JP61312018 A JP 61312018A JP 31201886 A JP31201886 A JP 31201886A JP S63164033 A JPS63164033 A JP S63164033A
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- JP
- Japan
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- light
- semiconductor laser
- returned
- optical pickup
- optical
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光ディスク等に記憶される情報の書きこみ及び
読み出し消去を行うための光ピックアップ装置に関する
ものである。
読み出し消去を行うための光ピックアップ装置に関する
ものである。
従来の技術
近年、光ピックアップ装置の小型軽量化１作製プロセス
の簡単化のために、光学系を薄膜導波路を用いた集積回
路で実現する光ピックアップが開発されている（例えば
電子通信学会論文誌’ａｓ／５Ｖｏｌ、 Ｊ ６９−Ｃ
Ａ ５ ＰＰ８０３−８１１ ）。
の簡単化のために、光学系を薄膜導波路を用いた集積回
路で実現する光ピックアップが開発されている（例えば
電子通信学会論文誌’ａｓ／５Ｖｏｌ、 Ｊ ６９−Ｃ
Ａ ５ ＰＰ８０３−８１１ ）。
以下に従来の光ピックアップについて説明する。
第２図は従来の集積化した光ピックアップの構成の一例
を示すものである。第２図において１５はシリコン基板
で、基板１６上のバッファ層１６および導波層１７にょ
シスラブ光導波路を構成している。１８は半導体レーザ
ーでバッファ層１６゜導波層１７よりなるスラブ光導波
路と光学的に結合されている。１９は集光グレーティン
グカップラ、２ｏは導波型ビームスプリッタで、いずれ
も１７の導波路層へ形成している。２１は受光素子で、
シリコン基板１６上にスラブ光導波路と光学的に結合す
るように形成している。２２は光ディスク、２３はディ
スクの記録部である。
を示すものである。第２図において１５はシリコン基板
で、基板１６上のバッファ層１６および導波層１７にょ
シスラブ光導波路を構成している。１８は半導体レーザ
ーでバッファ層１６゜導波層１７よりなるスラブ光導波
路と光学的に結合されている。１９は集光グレーティン
グカップラ、２ｏは導波型ビームスプリッタで、いずれ
も１７の導波路層へ形成している。２１は受光素子で、
シリコン基板１６上にスラブ光導波路と光学的に結合す
るように形成している。２２は光ディスク、２３はディ
スクの記録部である。
以上のように構成された光ピックアップについて以下そ
の動作について説明する。まず、半導体レーザー１８か
らのレーザー光は導波層１７を通シ、集光グレーティン
グカップラ１９により光デイスク２２上へ集光される。
の動作について説明する。まず、半導体レーザー１８か
らのレーザー光は導波層１７を通シ、集光グレーティン
グカップラ１９により光デイスク２２上へ集光される。
情報を含んだ光ディスク２２からの反射光は集光グレー
ティングカップラ１９で導波層中へ導びかれ、導波型ビ
ームスプリッタ２ｏにより方向を変えられ受光素子２１
へ入射し、電気信号に変換され情報を得ることができる
。
ティングカップラ１９で導波層中へ導びかれ、導波型ビ
ームスプリッタ２ｏにより方向を変えられ受光素子２１
へ入射し、電気信号に変換され情報を得ることができる
。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記の従来の構成では、集光グレーティン
グカプラの波長収差のため光源の半導体レーザーとして
は縦単一モードのものを使用しなければならない。一方
、縦単一モードの半導体レーザーは、戻り光により雑音
（戻シ光雑音）を発生するという欠点を持っている。従
来の構成では光ディスクからの反射光は導波型ビームス
プリッタにより方向を変えられるが、一部は導波型ビー
ムスプリッタを透過し、戻り光として半導体レーザーへ
入射する。このため、戻り光雑音が発生し、良好な再生
信号を得ることができないという欠点を有していた。
グカプラの波長収差のため光源の半導体レーザーとして
は縦単一モードのものを使用しなければならない。一方
、縦単一モードの半導体レーザーは、戻り光により雑音
（戻シ光雑音）を発生するという欠点を持っている。従
来の構成では光ディスクからの反射光は導波型ビームス
プリッタにより方向を変えられるが、一部は導波型ビー
ムスプリッタを透過し、戻り光として半導体レーザーへ
入射する。このため、戻り光雑音が発生し、良好な再生
信号を得ることができないという欠点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、戻す光ノ
イズの少ない光ピックアップを提供することを目的とす
る。
イズの少ない光ピックアップを提供することを目的とす
る。
問題点を解決するだめの手段
本発明のピックアップ装置は、縦多モード半導体レーザ
ーを用い、これとグレーティングカップラとの間に一つ
のモードを選択する波長選択素子を配置したものである
。
ーを用い、これとグレーティングカップラとの間に一つ
のモードを選択する波長選択素子を配置したものである
。
作用
本発明の光ピックアップ装置は、光源として縦多モード
半導体レーザーを用い、波長選択素子によりその光を単
一波長化し、グレーティングカップラに供給する。
半導体レーザーを用い、波長選択素子によりその光を単
一波長化し、グレーティングカップラに供給する。
この時グレーティングカップラの波長収差は、光を単一
波長化しているため問題とならない。縦多モード半導体
レーザーへの戻シ光としては、選択された単一波長光の
みが寄与するだけなので、戻り光ノイズは発生しにくい
。
波長化しているため問題とならない。縦多モード半導体
レーザーへの戻シ光としては、選択された単一波長光の
みが寄与するだけなので、戻り光ノイズは発生しにくい
。
実施例
以下、本発明の一実施例の光ピックアップ装置を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
第１図は本発明の実施例における光ピックアップの構成
を示すものである。第１図において、１はシリコン基板
、２はバック１層、３は導波層でスラブ光導波路を構成
している。４は縦多モード半導体レーザーで前述のスラ
ブ光導波路と端面直接結合により光学的に結合されてい
る。５は導波型ビームスプリッタ、６は波長選択素子で
反射型グレーティングフィルタを使用している。７は集
光グレーティングカップラである。５，６．７は共に前
述のスラブ導波路上に形成している。８は受光素子で、
シリコン基板１上にスラブ導波路と光学的に結合するよ
うに形成している。
を示すものである。第１図において、１はシリコン基板
、２はバック１層、３は導波層でスラブ光導波路を構成
している。４は縦多モード半導体レーザーで前述のスラ
ブ光導波路と端面直接結合により光学的に結合されてい
る。５は導波型ビームスプリッタ、６は波長選択素子で
反射型グレーティングフィルタを使用している。７は集
光グレーティングカップラである。５，６．７は共に前
述のスラブ導波路上に形成している。８は受光素子で、
シリコン基板１上にスラブ導波路と光学的に結合するよ
うに形成している。
以上のように構成された光ピックアップ装置について、
以下その動作を説明する。
以下その動作を説明する。
まず、縦多モード半導体レーザー４からの出射光１ｏは
端面直接結合により導波路層３へ導入される。さらに光
１ｏは、導波型ビームスプリッタ５を透過し、波長選択
素子６へ入射光１１として入射する。この時、光１１は
光源として縦多モード半導体レーザー４を使用している
ため、複数の波長の光によシ構成されているが、波長選
択素子によシブラッグ反射条件を満足する波長のみが反
射され、平行光１２として出射する。この光１２はさら
に集光グレーティングカノブラ７により導波路層から上
方へ出射、光ディスクｅ上の記録部１ｏへ集光される。
端面直接結合により導波路層３へ導入される。さらに光
１ｏは、導波型ビームスプリッタ５を透過し、波長選択
素子６へ入射光１１として入射する。この時、光１１は
光源として縦多モード半導体レーザー４を使用している
ため、複数の波長の光によシ構成されているが、波長選
択素子によシブラッグ反射条件を満足する波長のみが反
射され、平行光１２として出射する。この光１２はさら
に集光グレーティングカノブラ７により導波路層から上
方へ出射、光ディスクｅ上の記録部１ｏへ集光される。
この時、光は波長選択素子により単一波長化されている
ため縦多モード半導体レーザーを用いた場合でも波長収
差は問題とならず良好な集光特性を実現することができ
る。
ため縦多モード半導体レーザーを用いた場合でも波長収
差は問題とならず良好な集光特性を実現することができ
る。
光デイスク９上へ集光された光１３は、光ディスク９の
記録部１ｏから反射され逆の径路をたどり集光グレーテ
ィングカッグラブに戻９、集光グレーティングカップラ
７により平行光として導波路層へ導入される。さらにこ
の光は波長選択素子６により反射され集束光となる。さ
らにこの集束光は導波型ビームスプリッタ５により反射
光１４と透過光に分離され、光１４は受光素子８により
電気信号に変換される。導波型ビームスプリッタ６を透
過した光はレーザ４への戻り光となるが、波長選択素子
６によシ選択された光のみが戻り光として寄与するため
戻り光ノイズは発生しにくい。
記録部１ｏから反射され逆の径路をたどり集光グレーテ
ィングカッグラブに戻９、集光グレーティングカップラ
７により平行光として導波路層へ導入される。さらにこ
の光は波長選択素子６により反射され集束光となる。さ
らにこの集束光は導波型ビームスプリッタ５により反射
光１４と透過光に分離され、光１４は受光素子８により
電気信号に変換される。導波型ビームスプリッタ６を透
過した光はレーザ４への戻り光となるが、波長選択素子
６によシ選択された光のみが戻り光として寄与するため
戻り光ノイズは発生しにくい。
以上のように、縦多モード半導体レーザーを光源として
用い、波長選択素子として反射型グレーティングフィル
タを設けることにより波長収差の問題を無くし、かつ戻
り光ノイズを無くすことができる。
用い、波長選択素子として反射型グレーティングフィル
タを設けることにより波長収差の問題を無くし、かつ戻
り光ノイズを無くすことができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、光源として縦多モード半
導体レーザーを使用し、波長選択素子を設けることによ
り、戻シ光雑音を減少することができる優れた光ピック
アップ装置を実現することができる。
導体レーザーを使用し、波長選択素子を設けることによ
り、戻シ光雑音を減少することができる優れた光ピック
アップ装置を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例における光ピックアップ装置
の斜視図、第２図は従来の光ピックアップ装置の斜視図
である。 １・・・・・・シリコン基板、３・・・・・・導波層、
４・・・・・縦多モード半導体レーザー、５・・・・・
・導波型ビームスプリッタ、６・・・・・・反射型グレ
ーティングフィルタ、７・・・・・・集光グレーティ／
グカソプラ、８・・・・・・受光素子、９・・・・・・
光ディスク。
の斜視図、第２図は従来の光ピックアップ装置の斜視図
である。 １・・・・・・シリコン基板、３・・・・・・導波層、
４・・・・・縦多モード半導体レーザー、５・・・・・
・導波型ビームスプリッタ、６・・・・・・反射型グレ
ーティングフィルタ、７・・・・・・集光グレーティ／
グカソプラ、８・・・・・・受光素子、９・・・・・・
光ディスク。
Claims (2)
- （１）縦多モード半導体レーザーと、前記縦モード半導
体レーザーと光学的に結合した光集積回路により構成す
る光ピックアップ装置であって、前記光集積回路は前記
縦モード半導体レーザーからの縦多モード出射光のうち
の一つの縦モードを選択する波長選択素子と、前記波長
選択素子により選択された光を情報が記録された基体表
面に照射し、かつ前記基体からの反射光を光集積回路へ
導入するグレーティングカップラと、前記グレーティン
グカップラによって光集積回路へ導入され伝搬する光の
一部を電気信号に変換する受光素子とを備えてなる光ピ
ックアップ装置。 - （２）波長選択素子として、反射型グレーティングフィ
ルタを用いた特許請求の範囲第１項に記載の光ピックア
ップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312018A JPS63164033A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312018A JPS63164033A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164033A true JPS63164033A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18024222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61312018A Pending JPS63164033A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164033A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01268181A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 光導波路装置 |
| EP0582958A2 (en) * | 1992-08-07 | 1994-02-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A semiconductor laser device, an optical device and a method of producing the same |
| US7580336B2 (en) | 2004-12-08 | 2009-08-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optical head having a beam input/output coupler on a planar waveguide |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61312018A patent/JPS63164033A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01268181A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 光導波路装置 |
| EP0582958A2 (en) * | 1992-08-07 | 1994-02-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A semiconductor laser device, an optical device and a method of producing the same |
| EP0582958A3 (en) * | 1992-08-07 | 1994-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | A semiconductor laser device, an optical device and a method of producing the same |
| US5373519A (en) * | 1992-08-07 | 1994-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device, an optical device and a method of producing the same |
| US7580336B2 (en) | 2004-12-08 | 2009-08-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optical head having a beam input/output coupler on a planar waveguide |
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