JPS59207441A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS59207441A JPS59207441A JP58083205A JP8320583A JPS59207441A JP S59207441 A JPS59207441 A JP S59207441A JP 58083205 A JP58083205 A JP 58083205A JP 8320583 A JP8320583 A JP 8320583A JP S59207441 A JPS59207441 A JP S59207441A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- reflected
- optical
- beam splitter
- objective lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体レーデを光源とする光ピツクアップ装置
に関し、特にノイズ低減手段に関する。
に関し、特にノイズ低減手段に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕従来の半導体レ
ーデを光源として使用した光ピツクアップ装置において
は、反射光の帰葆によるレーザの光量変動がフォーカス
およびトラッキング制御信号に妨害を与えるため、偏光
ビームスプリッタおよび1/4波長板を使用する偏光光
学系によυ往復の光路を分割し、レーザに反射光が帰還
しないようにしている。しかし偏光ビームスプリッタや
1/4波長板の精度不足および元ディスクでの複屈折等
により、一部の光がレーザに戻るのは避けられない〇 一方最近の発表〈よれば、レーデへの光帰還により発生
するノイズはある程度以下およそ0.01%〜0.1%
において最大とな91%以上において極小となるとされ
ている。レーザへの帰還量とノイズレベルとの相関関係
を第1図に示す。
ーデを光源として使用した光ピツクアップ装置において
は、反射光の帰葆によるレーザの光量変動がフォーカス
およびトラッキング制御信号に妨害を与えるため、偏光
ビームスプリッタおよび1/4波長板を使用する偏光光
学系によυ往復の光路を分割し、レーザに反射光が帰還
しないようにしている。しかし偏光ビームスプリッタや
1/4波長板の精度不足および元ディスクでの複屈折等
により、一部の光がレーザに戻るのは避けられない〇 一方最近の発表〈よれば、レーデへの光帰還により発生
するノイズはある程度以下およそ0.01%〜0.1%
において最大とな91%以上において極小となるとされ
ている。レーザへの帰還量とノイズレベルとの相関関係
を第1図に示す。
そこでレーザたより積極的だ光を戻すことによシレーザ
の安定化を計るべく、偏光ビームスシリツタおよび1/
4波長板に代えて〜・−フ7’ IJ rムを使用する
光学系が提案されている。しかしこの光学系は往路、復
路で光の一部が損失するため特に光量を必要とする記録
再生用ピックアップ装置には不向きである。
の安定化を計るべく、偏光ビームスシリツタおよび1/
4波長板に代えて〜・−フ7’ IJ rムを使用する
光学系が提案されている。しかしこの光学系は往路、復
路で光の一部が損失するため特に光量を必要とする記録
再生用ピックアップ装置には不向きである。
本発明の目的は半導体レーザを光源とする光ピツクアッ
プ装置において、光ディスクからの反射光の一部をレー
デに帰還することにより、レーザのノイズを小さくでき
ると共に、レーザから光ディスクまでの光路での光損失
が少なし光ピツクアップ装置を提供することである。
プ装置において、光ディスクからの反射光の一部をレー
デに帰還することにより、レーザのノイズを小さくでき
ると共に、レーザから光ディスクまでの光路での光損失
が少なし光ピツクアップ装置を提供することである。
本発明は上記目的を達成するために次の如く構成したこ
とを特徴としている。すなわち、本発明は半導体レーザ
を光源とする光学系において、偏光ビームスプリンタの
反射率を、入射時の偏光面を有する光束については全て
光デイスク上に集束するためのレンズ側に透過または反
射するように設定し、反射時の偏光面を有する光束につ
いては一部を光源側に帰還させ残りをディテクタ側に反
射するように設定することだよシ、レーザのノイズを小
さくすると共に、光路での光損失を小さくするようにし
たことを特徴としている。
とを特徴としている。すなわち、本発明は半導体レーザ
を光源とする光学系において、偏光ビームスプリンタの
反射率を、入射時の偏光面を有する光束については全て
光デイスク上に集束するためのレンズ側に透過または反
射するように設定し、反射時の偏光面を有する光束につ
いては一部を光源側に帰還させ残りをディテクタ側に反
射するように設定することだよシ、レーザのノイズを小
さくすると共に、光路での光損失を小さくするようにし
たことを特徴としている。
第2図は本発明の一実施例の構成を示す図である。半導
体レーザ1から放射された光ビーム 、はコリメート
レンズ2で平行光となし偏光ビームスシリツタ3に入る
。上記偏光ビームスf IJフッタから出た前記光ビー
ムは1/4波長板4を介し対物レンズ5によシ集光され
、スピンドルモータ6によシ回転している光ディスクz
上に照射される。前記光ビームは上記光デイスク7上で
反射され、これまでとは逆方向r対物レンズ5.1/4
波長板4を介し偏光ビームスプリッタ3に入射する。入
射した光の大部分は面角方向九反射されディテクタ8に
到達する。ここで前記偏光ビームスプリッタ3の反射率
はP偏光反射率O%、S偏光反射率80〜90%に設定
しである。従って偏光ビームスシリツタ3に入射した光
の10〜20%の光は前記偏光ビームスプリッタ3を透
過する。その結果例えば往路効率50%、ディスク反射
率50%、前記偏光ビームスプリッタ3を除く復路効率
90%とすると、前記半導体レーザ1への帰還量は数%
(上記例では2.25〜4,5%)となシレーデは安定
になシノイズは小さくなる。
体レーザ1から放射された光ビーム 、はコリメート
レンズ2で平行光となし偏光ビームスシリツタ3に入る
。上記偏光ビームスf IJフッタから出た前記光ビー
ムは1/4波長板4を介し対物レンズ5によシ集光され
、スピンドルモータ6によシ回転している光ディスクz
上に照射される。前記光ビームは上記光デイスク7上で
反射され、これまでとは逆方向r対物レンズ5.1/4
波長板4を介し偏光ビームスプリッタ3に入射する。入
射した光の大部分は面角方向九反射されディテクタ8に
到達する。ここで前記偏光ビームスプリッタ3の反射率
はP偏光反射率O%、S偏光反射率80〜90%に設定
しである。従って偏光ビームスシリツタ3に入射した光
の10〜20%の光は前記偏光ビームスプリッタ3を透
過する。その結果例えば往路効率50%、ディスク反射
率50%、前記偏光ビームスプリッタ3を除く復路効率
90%とすると、前記半導体レーザ1への帰還量は数%
(上記例では2.25〜4,5%)となシレーデは安定
になシノイズは小さくなる。
偏光ビームスプリッタ3における光ビームの道程を第3
図に示す。第3図において入方向は半導体レーデ側、B
方向は光デイスク側、C方向はディテクタ側である。半
導体レーデ側Aから入射した光ビームは偏光ビームスシ
リツタ3を透過し光ディスク(不図示)で一部反射し光
デイスク側Bから前記偏光ビームスプリッタ3に再び入
射する。そして一部すなわち数%は前記半導体レーザ側
Aに透過し、残シはディテクタ側Cに反射する。
図に示す。第3図において入方向は半導体レーデ側、B
方向は光デイスク側、C方向はディテクタ側である。半
導体レーデ側Aから入射した光ビームは偏光ビームスシ
リツタ3を透過し光ディスク(不図示)で一部反射し光
デイスク側Bから前記偏光ビームスプリッタ3に再び入
射する。そして一部すなわち数%は前記半導体レーザ側
Aに透過し、残シはディテクタ側Cに反射する。
第4図は本発明の他の実施例である。第4図11は半導
体レーザ、12はコリメートレンズ、13は偏光ビーム
スプリッタ、14は1/4波長板、15は対物レンズ、
16はスピンドルモータ、17は光ディスク、18はデ
ィテクタを示す。この実施例の場合、例えば上記偏光ビ
ームスシリツタ13のS偏光反射率100%とし、P偏
光反射率10〜20%とすれば前記実施例と同様の作用
効果を奏する。
体レーザ、12はコリメートレンズ、13は偏光ビーム
スプリッタ、14は1/4波長板、15は対物レンズ、
16はスピンドルモータ、17は光ディスク、18はデ
ィテクタを示す。この実施例の場合、例えば上記偏光ビ
ームスシリツタ13のS偏光反射率100%とし、P偏
光反射率10〜20%とすれば前記実施例と同様の作用
効果を奏する。
なお本発明は上述した実施例に限定されるものではない
。すなわち偏光ビームスプリッタの・S偏光反射率およ
びP偏光反射率の値は光学的効率やディスク反射率等に
よシ変化する値であシ、要はレーザへの帰還量がレーデ
ノイズの小さくなる量に設定されれば良い。
。すなわち偏光ビームスプリッタの・S偏光反射率およ
びP偏光反射率の値は光学的効率やディスク反射率等に
よシ変化する値であシ、要はレーザへの帰還量がレーデ
ノイズの小さくなる量に設定されれば良い。
本発明によれば半導体レーデを光源とする光学系におい
て、偏光ビームスプリッタの反射率を、入射時の偏光面
の光束は全て対物レンズ側に透過または反射するように
設定し、反射時の偏光面を有する光束については一部を
光源側に帰還し残りをディテクタ側に分割する様に設定
したので、レーデのノイズを小さくでき再生信号のSA
比の向上およびサーボの安定化を計ることができる。〜
まだ偏光ビームスプリッタの反射率を特定すること(で
より目的を達しておシ、ハーフミラ−等を一切使用しな
いので往路での光損失がなく、レーザ光を有効にディス
ク面に導くことができるという効果をも奏する。
て、偏光ビームスプリッタの反射率を、入射時の偏光面
の光束は全て対物レンズ側に透過または反射するように
設定し、反射時の偏光面を有する光束については一部を
光源側に帰還し残りをディテクタ側に分割する様に設定
したので、レーデのノイズを小さくでき再生信号のSA
比の向上およびサーボの安定化を計ることができる。〜
まだ偏光ビームスプリッタの反射率を特定すること(で
より目的を達しておシ、ハーフミラ−等を一切使用しな
いので往路での光損失がなく、レーザ光を有効にディス
ク面に導くことができるという効果をも奏する。
第1図は本発明に係るレーザへの帰還量とノイズレベル
との相関関係を示す特性図、第2図は本発明の一実施例
を示す図、第3図は作用を説明するための図、第4図は
本発明の他の実施例を示す図である。 1.11・・・半導体レーザ、2.12・・・コリメー
トレンズ1.9.13・・・偏光ビームスプリッタ、4
.14・・・1/4波長板、5.15・・・対物レンズ
、7.17・・・光rイスク、8.18・・・ディテク
タ。 ′A 1 図 第2F;/J 2−一部; ゝ、7′ \、7/ 1−.5 第3図 第4 図 i : i : 1 ( 18せ二力
との相関関係を示す特性図、第2図は本発明の一実施例
を示す図、第3図は作用を説明するための図、第4図は
本発明の他の実施例を示す図である。 1.11・・・半導体レーザ、2.12・・・コリメー
トレンズ1.9.13・・・偏光ビームスプリッタ、4
.14・・・1/4波長板、5.15・・・対物レンズ
、7.17・・・光rイスク、8.18・・・ディテク
タ。 ′A 1 図 第2F;/J 2−一部; ゝ、7′ \、7/ 1−.5 第3図 第4 図 i : i : 1 ( 18せ二力
Claims (1)
- 半導体レーデ光源と、この光源からの光を平行光に近く
するレンズと、このレンズを透過した光を集光して光デ
イスク上に照射する対物レンズと、前記光ディスクから
の反射光の偏光面を入射光の偏光面と直交する方向に回
転する1/4波長板と、このIA波長板を通った反射光
束をディテクタ上に導くように光路変換を行なう偏光ビ
ームスプリッタとを具備し、前記偏光ビームスプリッタ
は反射率を、入射時の偏光面を有する光束については全
て前記対物レンズ側(C透過または反射するように設定
され、反射時の偏光面を有する光束については一部を光
源側に帰還させ残9をディテクタ側に反射するように設
定されていることを特徴とする光ピツクアップ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58083205A JPH087869B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58083205A JPH087869B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59207441A true JPS59207441A (ja) | 1984-11-24 |
JPH087869B2 JPH087869B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=13795821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58083205A Expired - Lifetime JPH087869B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH087869B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5637834A (en) * | 1980-08-20 | 1981-04-11 | Hitachi Ltd | Optical pickup |
JPS58125245A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-26 | Hitachi Ltd | 光ピツクアツプ装置 |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP58083205A patent/JPH087869B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5637834A (en) * | 1980-08-20 | 1981-04-11 | Hitachi Ltd | Optical pickup |
JPS58125245A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-26 | Hitachi Ltd | 光ピツクアツプ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH087869B2 (ja) | 1996-01-29 |
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