JP3166783B2 - 光ヘッド - Google Patents
光ヘッドInfo
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- JP3166783B2 JP3166783B2 JP27391691A JP27391691A JP3166783B2 JP 3166783 B2 JP3166783 B2 JP 3166783B2 JP 27391691 A JP27391691 A JP 27391691A JP 27391691 A JP27391691 A JP 27391691A JP 3166783 B2 JP3166783 B2 JP 3166783B2
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- light
- optical
- semiconductor laser
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク、光磁気
ディスク、光カード等の光情報記録媒体に対して情報の
再生等に関与する光ヘッドに関するものである。
ディスク、光カード等の光情報記録媒体に対して情報の
再生等に関与する光ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ヘッドとして、例えば図３に示
すものがある。この光ヘッドは、半導体レーザ３１、コ
リメータレンズ３２、立ち上げミラー３３、対物レンズ
３４、凹レンズ３５、１／２波長板３６、偏光ビームス
プリッタ３７、光検出器３８およびビームスプリッタ２
１を備える。ビームスプリッタ２１は、第１のプリズム
２２と第２のプリズム２３とを接合して構成され、その
接合面には誘電体多層膜２４が設けられている。また、
光検出器３８は、図４に受光面の平面図を示すように、
それぞれ帯状に三分割された受光領域を有する二つの受
光部３８ａ，３８ｂをもって構成されている。
すものがある。この光ヘッドは、半導体レーザ３１、コ
リメータレンズ３２、立ち上げミラー３３、対物レンズ
３４、凹レンズ３５、１／２波長板３６、偏光ビームス
プリッタ３７、光検出器３８およびビームスプリッタ２
１を備える。ビームスプリッタ２１は、第１のプリズム
２２と第２のプリズム２３とを接合して構成され、その
接合面には誘電体多層膜２４が設けられている。また、
光検出器３８は、図４に受光面の平面図を示すように、
それぞれ帯状に三分割された受光領域を有する二つの受
光部３８ａ，３８ｂをもって構成されている。
【０００３】図３に示した光ヘッドにおいて、半導体レ
ーザ３１からの直線状に偏光した発散ビームは、ビーム
スプリッタ２１に設けられた誘電体多層膜２４にＰ偏光
で入射し、その一部が透過する。ビームスプリッタ２１
を透過したビームは、コリメータレンズ３２で平行ビー
ムに変換された後、立ち上げミラー３３で進行方向を９
０°変えられ、対物レンズ３４により図示しない光磁気
記録媒体の記録面に光スポットとして集光される。
ーザ３１からの直線状に偏光した発散ビームは、ビーム
スプリッタ２１に設けられた誘電体多層膜２４にＰ偏光
で入射し、その一部が透過する。ビームスプリッタ２１
を透過したビームは、コリメータレンズ３２で平行ビー
ムに変換された後、立ち上げミラー３３で進行方向を９
０°変えられ、対物レンズ３４により図示しない光磁気
記録媒体の記録面に光スポットとして集光される。
【０００４】ディスクが光磁気記録媒体の場合では、情
報が磁化の方向により記録されており、集光された光ス
ポットは、カー効果により偏光方向が磁化の方向に応じ
て反対方向に回転されて、反射される。この光磁気記録
媒体で反射された戻り光は、対物レンズ３４、立ち上げ
ミラー３３、コリメータレンズ３２を通ってビームスプ
リッタ２１に入射する。ここで、戻り光はカー効果によ
り偏光面が回転しているので、Ｓ偏光成分が含まれてい
る。このＳ偏光成分は、その殆どが誘電体多層膜２４で
反射され、Ｐ偏光成分はその一部が誘電体多層膜２４で
反射される。
報が磁化の方向により記録されており、集光された光ス
ポットは、カー効果により偏光方向が磁化の方向に応じ
て反対方向に回転されて、反射される。この光磁気記録
媒体で反射された戻り光は、対物レンズ３４、立ち上げ
ミラー３３、コリメータレンズ３２を通ってビームスプ
リッタ２１に入射する。ここで、戻り光はカー効果によ
り偏光面が回転しているので、Ｓ偏光成分が含まれてい
る。このＳ偏光成分は、その殆どが誘電体多層膜２４で
反射され、Ｐ偏光成分はその一部が誘電体多層膜２４で
反射される。
【０００５】ビームスプリッタ２１で反射された戻り光
は、凹レンズ３５を透過し、１／２波長板３６によりそ
の偏光方向が４５°回転されて、偏光ビームスプリッタ
３７に導かれ、ここでＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離
される。これらＰ偏光成分およびＳ偏光成分は、光検出
器３８の受光部３８ａおよび３８ｂでそれぞれ受光さ
れ、その出力に基づいて情報の再生信号、フォーカスエ
ラー信号およびトラッキングエラー信号が検出される。
なお、これらの信号の検出原理については、公知である
ので、説明を省略する。
は、凹レンズ３５を透過し、１／２波長板３６によりそ
の偏光方向が４５°回転されて、偏光ビームスプリッタ
３７に導かれ、ここでＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離
される。これらＰ偏光成分およびＳ偏光成分は、光検出
器３８の受光部３８ａおよび３８ｂでそれぞれ受光さ
れ、その出力に基づいて情報の再生信号、フォーカスエ
ラー信号およびトラッキングエラー信号が検出される。
なお、これらの信号の検出原理については、公知である
ので、説明を省略する。
【０００６】図３に示す光ヘッドにおいては、小型化を
図るために、ビームスプリッタ２１を半導体レーザ３１
とコリメータレンズ３２との間に配置している。すなわ
ち、半導体レーザ３１とコリメータレンズ３２との間
は、ビーム径が小さいので、ビームスプリッタ２１を小
さくすることができ、また半導体レーザ３１とコリメー
タレンズ３２との間の空間を有効に利用できるので、光
ヘッドを小型化することができる。
図るために、ビームスプリッタ２１を半導体レーザ３１
とコリメータレンズ３２との間に配置している。すなわ
ち、半導体レーザ３１とコリメータレンズ３２との間
は、ビーム径が小さいので、ビームスプリッタ２１を小
さくすることができ、また半導体レーザ３１とコリメー
タレンズ３２との間の空間を有効に利用できるので、光
ヘッドを小型化することができる。
【０００７】しかし、上記のように、例えばビームスプ
リッタ２１を半導体レーザ３１とコリメータレンズ３２
との間に配置した場合には、半導体レーザ３１からの発
散ビームがビームスプリッタ２１に入射することにな
り、誘電体多層膜２４に入射する光線の入射角が一定で
なくなる。すなわち、中心の光線が誘電体多層膜２４に
入射する入射角をθ0 、コリメータレンズ３２の開口数
をＮＡ、第１，第２のプリズム２２，２３の屈折率をｎ
0 とすると、誘電体多層膜２４に入射する光線の入射角
θは、
リッタ２１を半導体レーザ３１とコリメータレンズ３２
との間に配置した場合には、半導体レーザ３１からの発
散ビームがビームスプリッタ２１に入射することにな
り、誘電体多層膜２４に入射する光線の入射角が一定で
なくなる。すなわち、中心の光線が誘電体多層膜２４に
入射する入射角をθ0 、コリメータレンズ３２の開口数
をＮＡ、第１，第２のプリズム２２，２３の屈折率をｎ
0 とすると、誘電体多層膜２４に入射する光線の入射角
θは、
【数１】 θ0 − sin-1｛(1／ｎ0)・ＮＡ｝ ≦θ≦ θ0 ＋ sin-1｛(1／ｎ0)・ＮＡ｝ ・・・（１） となる。
【０００８】したがって、例えば、θ0 ＝４５°、ｎ0
＝１．８２、ＮＡ＝０．１５とした場合には、θの範囲
が、
＝１．８２、ＮＡ＝０．１５とした場合には、θの範囲
が、
【数２】 ４０．３°≦θ≦４９．７° ・・・（２） となるので、誘電体多層膜２４を、図５に示す入射角に
対するＰ偏光反射率特性およびＳ偏光反射率特性を有
し、かつ図６に示す入射角に対する反射光のＰ偏光とＳ
偏光との位相差特性を有するように構成することによ
り、（２）式で表される角度範囲で、正確なビーム分離
が可能となる。
対するＰ偏光反射率特性およびＳ偏光反射率特性を有
し、かつ図６に示す入射角に対する反射光のＰ偏光とＳ
偏光との位相差特性を有するように構成することによ
り、（２）式で表される角度範囲で、正確なビーム分離
が可能となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザは、一般に断面が楕円形状の発散ビームを放射す
る。この楕円の長軸方向の拡がり角は、その強度が中心
のｅ-2になる角度で２５°程度、短軸方向のそれは１０
°程度である。したがって、この発散ビームを効率良く
取り込むためには、コリメータレンズの開口数ＮＡは、
ＮＡ＝ sin25°＝０．４２程度必要となる。
レーザは、一般に断面が楕円形状の発散ビームを放射す
る。この楕円の長軸方向の拡がり角は、その強度が中心
のｅ-2になる角度で２５°程度、短軸方向のそれは１０
°程度である。したがって、この発散ビームを効率良く
取り込むためには、コリメータレンズの開口数ＮＡは、
ＮＡ＝ sin25°＝０．４２程度必要となる。
【００１０】例えば、コリメータレンズの開口数（Ｎ
Ａ）が大のものを使用する場合、（１）式から明らかな
ように、ビームスプリッタの誘電体多層膜に入射する光
線の入射角度の変化も大きくなって、入射角が４０°か
ら５０°の範囲を越えて変化することになる。このた
め、誘電体多層膜が図５および図６に示した特性を有す
る場合では、Ｐ偏光反射率が低下し、ビーム分離面での
ビームの反射率の均一化が期待できなくなる。これで
は、信頼性の得られる光ヘッドを提供できない。
Ａ）が大のものを使用する場合、（１）式から明らかな
ように、ビームスプリッタの誘電体多層膜に入射する光
線の入射角度の変化も大きくなって、入射角が４０°か
ら５０°の範囲を越えて変化することになる。このた
め、誘電体多層膜が図５および図６に示した特性を有す
る場合では、Ｐ偏光反射率が低下し、ビーム分離面での
ビームの反射率の均一化が期待できなくなる。これで
は、信頼性の得られる光ヘッドを提供できない。
【００１１】本発明は、多層膜が形成されたビーム分離
面へ半導体レーザからの発散光を入射させる光学系を備
えた光ヘッドに関し、ビーム分離面でのビームの反射率
の均一化が期待できる信頼性の得られる光ヘッドを提供
することを目的とする。
面へ半導体レーザからの発散光を入射させる光学系を備
えた光ヘッドに関し、ビーム分離面でのビームの反射率
の均一化が期待できる信頼性の得られる光ヘッドを提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光ヘッドは、光
軸に垂直な断面が楕円形状の発散ビームを放射する半導
体レーザと、記録媒体にスポットとして照射する集光手
段と、前記記録媒体で反射された戻り光を前記半導体レ
ーザへ戻る光路から分離するためのビームスプリッタと
を備える光ヘッドにおいて、前記ビームスプリッタは前
記発散ビームの光軸に対して傾斜した多層膜からなる分
離面を有しており、前記分離面へ入射する前記発散ビー
ムの光軸を含み且つ前記分離面に垂直な仮想平面に対し
前記分離面へ入射する前記発散ビームの前記楕円形状の
長軸がほぼ垂直となるように前記ビームスプリッタは配
置されていることを特徴とするものである。
軸に垂直な断面が楕円形状の発散ビームを放射する半導
体レーザと、記録媒体にスポットとして照射する集光手
段と、前記記録媒体で反射された戻り光を前記半導体レ
ーザへ戻る光路から分離するためのビームスプリッタと
を備える光ヘッドにおいて、前記ビームスプリッタは前
記発散ビームの光軸に対して傾斜した多層膜からなる分
離面を有しており、前記分離面へ入射する前記発散ビー
ムの光軸を含み且つ前記分離面に垂直な仮想平面に対し
前記分離面へ入射する前記発散ビームの前記楕円形状の
長軸がほぼ垂直となるように前記ビームスプリッタは配
置されていることを特徴とするものである。
【００１３】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示すものであ
る。この光ヘッドは、半導体レーザ１、ビームスプリッ
タ２、コリメータレンズ３、ビーム整形プリズム４、立
ち上げミラー５、対物レンズ６、凹レンズ７、１／２波
長板８、偏光ビームスプリッタ９および光検出器１０を
備える。
る。この光ヘッドは、半導体レーザ１、ビームスプリッ
タ２、コリメータレンズ３、ビーム整形プリズム４、立
ち上げミラー５、対物レンズ６、凹レンズ７、１／２波
長板８、偏光ビームスプリッタ９および光検出器１０を
備える。
【００１４】ビームスプリッタ２は、第１のプリズム１
１と第２のプリズム１２とを接合して構成され、その接
合面には誘電体多層膜１３を設けて構成する。
１と第２のプリズム１２とを接合して構成され、その接
合面には誘電体多層膜１３を設けて構成する。
【００１５】また、光検出器１０は、図２に受光面の平
面図を示すように、それぞれ帯状に三分割された受光領
域を有する二つの受光部１０ａ，１０ｂをもって構成す
る。
面図を示すように、それぞれ帯状に三分割された受光領
域を有する二つの受光部１０ａ，１０ｂをもって構成す
る。
【００１６】図１において、半導体レーザ１は、直線状
に偏光した断面が楕円形状の発散ビームを放射し、その
発散ビームは、楕円の長軸方向の拡がり角（強度が中心
のｅ-2になる角度）をθ⊥、短軸方向のそれをθ//とす
ると、当然、θ⊥＞θ//が成り立っている。
に偏光した断面が楕円形状の発散ビームを放射し、その
発散ビームは、楕円の長軸方向の拡がり角（強度が中心
のｅ-2になる角度）をθ⊥、短軸方向のそれをθ//とす
ると、当然、θ⊥＞θ//が成り立っている。
【００１７】図１では、楕円の長軸は紙面に対し垂直で
あるが、ここでは拡がり角θ//で紙面内に放射された光
線を符号１４，１５で示し、拡がり角θ⊥で紙面と垂直
な面内に放射された光線を、便宜的に紙面内に符号１
６，１７で示している。この実施例では、コリメータレ
ンズ３を、光線１６，１７を取り込めるように、その開
口数（ＮＡ）をＮＡ＝ sin（θ⊥）とする。
あるが、ここでは拡がり角θ//で紙面内に放射された光
線を符号１４，１５で示し、拡がり角θ⊥で紙面と垂直
な面内に放射された光線を、便宜的に紙面内に符号１
６，１７で示している。この実施例では、コリメータレ
ンズ３を、光線１６，１７を取り込めるように、その開
口数（ＮＡ）をＮＡ＝ sin（θ⊥）とする。
【００１８】半導体レーザ１からの発散ビームは、ビー
ムスプリッタ２の誘電体多層膜１３にＰ偏光で入射させ
て、その一部を透過させる。ここで、誘電体多層膜１３
への光軸の入射角をθ0 とすると、光線１４の入射角
は、
ムスプリッタ２の誘電体多層膜１３にＰ偏光で入射させ
て、その一部を透過させる。ここで、誘電体多層膜１３
への光軸の入射角をθ0 とすると、光線１４の入射角
は、
【数３】θ0 − sin-1｛(1／ｎ0)・sin(θ//) ｝ となり、光線１５の入射角は、
【数４】θ0 ＋ sin-1｛(1／ｎ0)・sin(θ//) ｝ となる。具体的に、θ⊥＝２５°、θ//＝１０°、ｎ0
＝１．８２、θ0 ＝４５°とすると、
＝１．８２、θ0 ＝４５°とすると、
【数５】 ＮＡ＝ sin（θ⊥）＝０．４２ ・・・（３） ３９．５°≦θ≦５０．５° ・・・（４） となる。ここで、ｎ0 は第１，第２のプリズム１１，１
２の屈折率、θは光線のビームスプリッタ２の誘電体多
層膜１３への入射角を表す。
２の屈折率、θは光線のビームスプリッタ２の誘電体多
層膜１３への入射角を表す。
【００１９】ビームスプリッタ２を透過したビームは、
コリメータレンズ３で平行ビームに変換する。この際、
紙面内では、光線１４，１５より外側には、光線が殆ど
存在しないので、平行ビームに変換した後も、そのビー
ムの断面形状は楕円のままである。この断面が楕円の平
行ビームは、ビーム整形プリズム４で楕円の短軸方向を
拡大してほぼ円形ビームとし、これを立ち上げミラー５
で進行方向を９０°変えて、対物レンズ６により図示し
ない光情報記録媒体の記録面に光スポットとして集光す
る。
コリメータレンズ３で平行ビームに変換する。この際、
紙面内では、光線１４，１５より外側には、光線が殆ど
存在しないので、平行ビームに変換した後も、そのビー
ムの断面形状は楕円のままである。この断面が楕円の平
行ビームは、ビーム整形プリズム４で楕円の短軸方向を
拡大してほぼ円形ビームとし、これを立ち上げミラー５
で進行方向を９０°変えて、対物レンズ６により図示し
ない光情報記録媒体の記録面に光スポットとして集光す
る。
【００２０】光磁気記録媒体には、情報が磁化の方向に
より記録されており、集光された光スポットは、カー効
果により偏光方向が磁化の方向に応じて反対方向に回転
されて、反射される。この光磁気記録媒体で反射された
戻り光は、対物レンズ６および立ち上げミラー５を経
て、ビーム整形プリズム４に入射させ、このビーム整形
プリズム４で断面がほぼ円形の平行な戻り光を、再び楕
円形状の平行ビームに変換した後、コリメータレンズ３
を経てビームスプリッタ２に入射させる。ここで、戻り
光はカー効果により偏光面が回転しているので、Ｓ偏光
成分が含まれている。このＳ偏光成分は、その殆どが誘
電体多層膜１３で反射され、Ｐ偏光成分はその一部が誘
電体多層膜１３で反射される。
より記録されており、集光された光スポットは、カー効
果により偏光方向が磁化の方向に応じて反対方向に回転
されて、反射される。この光磁気記録媒体で反射された
戻り光は、対物レンズ６および立ち上げミラー５を経
て、ビーム整形プリズム４に入射させ、このビーム整形
プリズム４で断面がほぼ円形の平行な戻り光を、再び楕
円形状の平行ビームに変換した後、コリメータレンズ３
を経てビームスプリッタ２に入射させる。ここで、戻り
光はカー効果により偏光面が回転しているので、Ｓ偏光
成分が含まれている。このＳ偏光成分は、その殆どが誘
電体多層膜１３で反射され、Ｐ偏光成分はその一部が誘
電体多層膜１３で反射される。
【００２１】ビームスプリッタ２で反射された戻り光
は、凹レンズ７を経て１／２波長板８によりその偏光方
向を４５°回転させた後、偏光ビームスプリッタ９に入
射し、ここでＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する。こ
れらＰ偏光成分およびＳ偏光成分は、光検出器１０の受
光部１０ａおよび１０ｂでそれぞれ受光し、その出力に
基づいて情報の再生信号、フォーカスエラー信号および
トラッキングエラー信号が検出される。なお、これらの
信号の検出原理については、公知であるので、説明は省
略する。
は、凹レンズ７を経て１／２波長板８によりその偏光方
向を４５°回転させた後、偏光ビームスプリッタ９に入
射し、ここでＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する。こ
れらＰ偏光成分およびＳ偏光成分は、光検出器１０の受
光部１０ａおよび１０ｂでそれぞれ受光し、その出力に
基づいて情報の再生信号、フォーカスエラー信号および
トラッキングエラー信号が検出される。なお、これらの
信号の検出原理については、公知であるので、説明は省
略する。
【００２２】この実施例によれば、ビームスプリッタ２
の分離面（誘電多層膜１３が配置されている）へ入射す
る楕円形状のビームの長軸が分離面へ入射する発散ビー
ムの光軸（図１の一点鎖線に該当する）を含み且つ前記
分離面に垂直な仮想平面（図１の紙面に相当する）に対
しほぼ垂直となるようにしたので、ビームスプリッタ２
の誘電体多層膜１３に入射する光線の入射角変化を
（４）式で決まる範囲にすることが可能となる。
の分離面（誘電多層膜１３が配置されている）へ入射す
る楕円形状のビームの長軸が分離面へ入射する発散ビー
ムの光軸（図１の一点鎖線に該当する）を含み且つ前記
分離面に垂直な仮想平面（図１の紙面に相当する）に対
しほぼ垂直となるようにしたので、ビームスプリッタ２
の誘電体多層膜１３に入射する光線の入射角変化を
（４）式で決まる範囲にすることが可能となる。
【００２３】従って、ビーム分離面でのビーム反射率の
均一化が期待でき、結果としてビームの利用効率を良く
することができる。又、前記実施例の様に、ビームスプ
リッタ２を半導体レーザ１とコリメータレンズ３との間
に配置した場合では、光ヘッドを有効に小型化すること
ができる。
均一化が期待でき、結果としてビームの利用効率を良く
することができる。又、前記実施例の様に、ビームスプ
リッタ２を半導体レーザ１とコリメータレンズ３との間
に配置した場合では、光ヘッドを有効に小型化すること
ができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明の光ヘッドは、光軸に垂直な断面
が楕円形状の発散ビームを放射する半導体レーザと、記
録媒体にスポットとして照射する集光手段（例えば前記
実施例の場合では対物レンズ６）と、前記記録媒体で反
射された戻り光を前記半導体レーザへ戻る光路から分離
するためのビームスプリッタとを備える光ヘッドにおい
て、前記ビームスプリッタは前記発散ビームの光軸（例
えば前記図１の場合では半導体レーザ１からビームスプ
リッタ２へ向かう光束の中心となる光軸で、一点鎖線で
表示されている）に対して傾斜した多層膜からなる分離
面（例えば前記図１の場合では誘電体多層膜１３からな
る面）を有しており、前記分離面へ入射する前記発散ビ
ームの光軸（例えば前記図１の場合では半導体レーザ１
からビームスプリッタ２へ向かう光束の中心となる光軸
で、一点鎖線で表示されている）を含み且つ前記分離面
に垂直な仮想平面（例えば前記図１のばあいでは紙面を
含む平面）に対し前記分離面へ入射する前記発散ビーム
の前記楕円形状の長軸がほぼ垂直となるように前記ビー
ムスプリッタは配置されていることを特徴とするから、
ビーム分離面でのビームの反射率の均一化が期待できる
信頼性の得られる光ヘッドを提供できる利点がある。
が楕円形状の発散ビームを放射する半導体レーザと、記
録媒体にスポットとして照射する集光手段（例えば前記
実施例の場合では対物レンズ６）と、前記記録媒体で反
射された戻り光を前記半導体レーザへ戻る光路から分離
するためのビームスプリッタとを備える光ヘッドにおい
て、前記ビームスプリッタは前記発散ビームの光軸（例
えば前記図１の場合では半導体レーザ１からビームスプ
リッタ２へ向かう光束の中心となる光軸で、一点鎖線で
表示されている）に対して傾斜した多層膜からなる分離
面（例えば前記図１の場合では誘電体多層膜１３からな
る面）を有しており、前記分離面へ入射する前記発散ビ
ームの光軸（例えば前記図１の場合では半導体レーザ１
からビームスプリッタ２へ向かう光束の中心となる光軸
で、一点鎖線で表示されている）を含み且つ前記分離面
に垂直な仮想平面（例えば前記図１のばあいでは紙面を
含む平面）に対し前記分離面へ入射する前記発散ビーム
の前記楕円形状の長軸がほぼ垂直となるように前記ビー
ムスプリッタは配置されていることを特徴とするから、
ビーム分離面でのビームの反射率の均一化が期待できる
信頼性の得られる光ヘッドを提供できる利点がある。
【図１】この発明の一実施例を示す図である。
【図２】図１に示す光検出器の受光面の構成を示す平面
図である。
図である。
【図３】従来の技術を説明するための図である。
【図４】図３に示す光検出器の受光面の構成を示す平面
図である。
図である。
【図５】図３に示すビームスプリッタの入射角度に対す
るＰ偏光およびＳ偏光反射率特性を示す図である。
るＰ偏光およびＳ偏光反射率特性を示す図である。
【図６】同じくＰ偏光とＳ偏光との位相差特性を示す図
である。
である。
１ 半導体レーザ ２ ビームスプリッタ ３ コリメータレンズ ４ ビーム整形プリズム ５ 立ち上げミラー ６ 対物レンズ ７ 凹レンズ ８ １／２波長板 ９ 偏光ビームスプリッタ １０ 光検出器 １０ａ，１０ｂ 受光部 １１，１２ プリズム １３ 誘電体多層膜
Claims (1)
- 【請求項１】光軸に垂直な断面が楕円形状の発散ビーム
を放射する半導体レーザと、記録媒体にスポットとして
照射する集光手段と、前記記録媒体で反射された戻り光
を前記半導体レーザへ戻る光路から分離するためのビー
ムスプリッタとを備える光ヘッドにおいて、 前記ビームスプリッタは前記発散ビームの光軸に対して
傾斜した多層膜からなる分離面を有しており、前記分離
面へ入射する前記発散ビームの光軸を含み且つ前記分離
面に垂直な仮想平面に対し前記分離面へ入射する前記発
散ビームの前記楕円形状の長軸がほぼ垂直となるように
前記ビームスプリッタは配置されていることを特徴とす
る光ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27391691A JP3166783B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 光ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27391691A JP3166783B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 光ヘッド |
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|---|---|
| JPH05114157A (ja) | 1993-05-07 |
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