JPH05114157A - 光ヘツド - Google Patents
光ヘツドInfo
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- JPH05114157A JPH05114157A JP3273916A JP27391691A JPH05114157A JP H05114157 A JPH05114157 A JP H05114157A JP 3273916 A JP3273916 A JP 3273916A JP 27391691 A JP27391691 A JP 27391691A JP H05114157 A JPH05114157 A JP H05114157A
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- semiconductor laser
- light
- beam splitter
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型にでき、しかも半導体レーザからの発散
ビームを効率良く利用できる光ヘッドを提供する。 【構成】 コリメータレンズ３と集光手段６との間に、
コリメータレンズ３からの楕円形状のビームを、その短
軸方向に拡大してほぼ円形のビームに変換し、光情報記
録媒体で反射され、集光手段６を経て入射する戻り光
を、断面が楕円形状のビームに変換するビーム整形手段
４を設けると共に、ビームスプリッタ２を、半導体レー
ザ１とコリメータレンズ３との間で、楕円形状のビーム
を楕円の長軸とほぼ直交する方向に分離するように配置
する。
ビームを効率良く利用できる光ヘッドを提供する。 【構成】 コリメータレンズ３と集光手段６との間に、
コリメータレンズ３からの楕円形状のビームを、その短
軸方向に拡大してほぼ円形のビームに変換し、光情報記
録媒体で反射され、集光手段６を経て入射する戻り光
を、断面が楕円形状のビームに変換するビーム整形手段
４を設けると共に、ビームスプリッタ２を、半導体レー
ザ１とコリメータレンズ３との間で、楕円形状のビーム
を楕円の長軸とほぼ直交する方向に分離するように配置
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク、光磁気
ディスク、光カード等の光情報記録媒体に対して情報の
記録、再生を行うための光ヘッドに関するものである。
ディスク、光カード等の光情報記録媒体に対して情報の
記録、再生を行うための光ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ヘッドとして、例えば図３に示
すものがある。この光ヘッドは、半導体レーザ３１、コ
リメータレンズ３２、立ち上げミラー３３、対物レンズ
３４、凹レンズ３５、１／２波長板３６、偏光ビームス
プリッタ３７、光検出器３８およびビームスプリッタ２
１を具える。ビームスプリッタ２１は、第１のプリズム
２２と第２のプリズム２３とを接合して構成され、その
接合面には誘電体多層膜２４が設けられている。また、
光検出器３８は、図４に受光面の平面図を示すように、
それぞれ帯状に三分割された受光領域を有する二つの受
光部３８ａ，３８ｂをもって構成されている。
すものがある。この光ヘッドは、半導体レーザ３１、コ
リメータレンズ３２、立ち上げミラー３３、対物レンズ
３４、凹レンズ３５、１／２波長板３６、偏光ビームス
プリッタ３７、光検出器３８およびビームスプリッタ２
１を具える。ビームスプリッタ２１は、第１のプリズム
２２と第２のプリズム２３とを接合して構成され、その
接合面には誘電体多層膜２４が設けられている。また、
光検出器３８は、図４に受光面の平面図を示すように、
それぞれ帯状に三分割された受光領域を有する二つの受
光部３８ａ，３８ｂをもって構成されている。
【０００３】図３に示した光ヘッドにおいて、半導体レ
ーザ３１からの直線状に偏光した発散ビームは、ビーム
スプリッタ２１に設けられた誘電体多層膜２４にＰ偏光
で入射し、その一部が透過する。ビームスプリッタ２１
を透過したビームは、コリメータレンズ３２で平行ビー
ムに変換された後、立ち上げミラー３３で進行方向を９
０°変えられ、対物レンズ３４により図示しない光磁気
記録媒体の記録面に光スポットとして集光される。
ーザ３１からの直線状に偏光した発散ビームは、ビーム
スプリッタ２１に設けられた誘電体多層膜２４にＰ偏光
で入射し、その一部が透過する。ビームスプリッタ２１
を透過したビームは、コリメータレンズ３２で平行ビー
ムに変換された後、立ち上げミラー３３で進行方向を９
０°変えられ、対物レンズ３４により図示しない光磁気
記録媒体の記録面に光スポットとして集光される。
【０００４】光磁気記録媒体には、情報が磁化の方向に
より記録されており、集光された光スポットは、カー効
果により偏光方向が磁化の方向に応じて反対方向に回転
されて、反射される。この光磁気記録媒体で反射された
戻り光は、対物レンズ３４、立ち上げミラー３３、コリ
メータレンズ３２を通ってビームスプリッタ２１に入射
する。ここで、戻り光はカー効果により偏光面が回転し
ているので、Ｓ偏光成分が含まれている。このＳ偏光成
分は、その殆どが誘電体多層膜２４で反射され、Ｐ偏光
成分はその一部が誘電体多層膜２４で反射される。
より記録されており、集光された光スポットは、カー効
果により偏光方向が磁化の方向に応じて反対方向に回転
されて、反射される。この光磁気記録媒体で反射された
戻り光は、対物レンズ３４、立ち上げミラー３３、コリ
メータレンズ３２を通ってビームスプリッタ２１に入射
する。ここで、戻り光はカー効果により偏光面が回転し
ているので、Ｓ偏光成分が含まれている。このＳ偏光成
分は、その殆どが誘電体多層膜２４で反射され、Ｐ偏光
成分はその一部が誘電体多層膜２４で反射される。
【０００５】ビームスプリッタ２１で反射された戻り光
は、凹レンズ３５を透過し、１／２波長板３６によりそ
の偏光方向が４５°回転されて、偏光ビームスプリッタ
３７に導かれ、ここでＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離
される。これらＰ偏光成分およびＳ偏光成分は、光検出
器３８の受光部３８ａおよび３８ｂでそれぞれ受光さ
れ、その出力に基づいて情報の再生信号、フォーカスエ
ラー信号およびトラッキングエラー信号が検出される。
なお、これらの信号の検出原理については、公知である
ので、説明を省略する。
は、凹レンズ３５を透過し、１／２波長板３６によりそ
の偏光方向が４５°回転されて、偏光ビームスプリッタ
３７に導かれ、ここでＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離
される。これらＰ偏光成分およびＳ偏光成分は、光検出
器３８の受光部３８ａおよび３８ｂでそれぞれ受光さ
れ、その出力に基づいて情報の再生信号、フォーカスエ
ラー信号およびトラッキングエラー信号が検出される。
なお、これらの信号の検出原理については、公知である
ので、説明を省略する。
【０００６】図３に示す光ヘッドにおいては、小型化を
図るために、ビームスプリッタ２１を半導体レーザ３１
とコリメータレンズ３２との間に配置している。すなわ
ち、半導体レーザ３１とコリメータレンズ３２との間
は、ビーム径が小さいので、ビームスプリッタ２１を小
さくすることができ、また半導体レーザ３１とコリメー
タレンズ３２との間の空間を有効に利用できるので、光
ヘッドを小型化することができる。
図るために、ビームスプリッタ２１を半導体レーザ３１
とコリメータレンズ３２との間に配置している。すなわ
ち、半導体レーザ３１とコリメータレンズ３２との間
は、ビーム径が小さいので、ビームスプリッタ２１を小
さくすることができ、また半導体レーザ３１とコリメー
タレンズ３２との間の空間を有効に利用できるので、光
ヘッドを小型化することができる。
【０００７】しかし、上記のように、ビームスプリッタ
２１を半導体レーザ３１とコリメータレンズ３２との間
に配置した場合には、半導体レーザ３１からの発散ビー
ムがビームスプリッタ２１に入射することになり、誘電
体多層膜２４に入射する光線の入射角が一定でなくな
る。すなわち、中心の光線が誘電体多層膜２４に入射す
る入射角をθ0 、コリメータレンズ３２の開口数をＮ
Ａ、第１，第２のプリズム２２，２３の屈折率をｎ0 と
すると、誘電体多層膜２４に入射する光線の入射角θ
は、
２１を半導体レーザ３１とコリメータレンズ３２との間
に配置した場合には、半導体レーザ３１からの発散ビー
ムがビームスプリッタ２１に入射することになり、誘電
体多層膜２４に入射する光線の入射角が一定でなくな
る。すなわち、中心の光線が誘電体多層膜２４に入射す
る入射角をθ0 、コリメータレンズ３２の開口数をＮ
Ａ、第１，第２のプリズム２２，２３の屈折率をｎ0 と
すると、誘電体多層膜２４に入射する光線の入射角θ
は、
【数１】 θ0 − sin-1｛(1／ｎ0)・ＮＡ｝ ≦θ≦ θ0 ＋ sin-1｛(1／ｎ0)・ＮＡ｝ ・・・（１） となる。
【０００８】したがって、例えば、θ0 ＝４５°、ｎ0
＝１．８２、ＮＡ＝０．１５とした場合には、θの範囲
が、
＝１．８２、ＮＡ＝０．１５とした場合には、θの範囲
が、
【数２】 ４０．３°≦θ≦４９．７° ・・・（２） となるので、誘電体多層膜２４を、図５に示す入射角に
対するＰ偏光反射率特性およびＳ偏光反射率特性を有
し、かつ図６に示す入射角に対する反射光のＰ偏光とＳ
偏光との位相差特性を有するように構成することによ
り、（２）式で表される角度範囲で、正確なビーム分離
が可能となる。
対するＰ偏光反射率特性およびＳ偏光反射率特性を有
し、かつ図６に示す入射角に対する反射光のＰ偏光とＳ
偏光との位相差特性を有するように構成することによ
り、（２）式で表される角度範囲で、正確なビーム分離
が可能となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザは、一般に断面が楕円形状の発散ビームを放射す
る。この楕円の長軸方向の拡がり角は、その強度が中心
のｅ-2になる角度で２５°程度、短軸方向のそれは１０
°程度である。したがって、この発散ビームを効率良く
取り込むためには、コリメータレンズの開口数ＮＡは、
ＮＡ＝ sin25°＝０．４２程度必要となる。このため、
上述したように、ＮＡ＝０．１５のコリメータレンズを
用いた場合には、発散ビームの利用効率が悪くなるとい
う問題がある。
レーザは、一般に断面が楕円形状の発散ビームを放射す
る。この楕円の長軸方向の拡がり角は、その強度が中心
のｅ-2になる角度で２５°程度、短軸方向のそれは１０
°程度である。したがって、この発散ビームを効率良く
取り込むためには、コリメータレンズの開口数ＮＡは、
ＮＡ＝ sin25°＝０．４２程度必要となる。このため、
上述したように、ＮＡ＝０．１５のコリメータレンズを
用いた場合には、発散ビームの利用効率が悪くなるとい
う問題がある。
【００１０】この問題を解決するには、コリメータレン
ズの開口数（ＮＡ）を大きくすればよいが、このように
すると、（１）式から明らかなように、ビームスプリッ
タの誘電体多層膜に入射する光線の入射角度の変化も大
きくなって、入射角が４０°から５０°の範囲を越えて
変化することになる。このため、誘電体多層膜が、図５
および図６に示した特性を有する場合には、Ｐ偏光反射
率が低下して、正確なビーム分離ができなくなってしま
う。
ズの開口数（ＮＡ）を大きくすればよいが、このように
すると、（１）式から明らかなように、ビームスプリッ
タの誘電体多層膜に入射する光線の入射角度の変化も大
きくなって、入射角が４０°から５０°の範囲を越えて
変化することになる。このため、誘電体多層膜が、図５
および図６に示した特性を有する場合には、Ｐ偏光反射
率が低下して、正確なビーム分離ができなくなってしま
う。
【００１１】この発明は、このような従来の問題点に着
目してなされたもので、小型にでき、しかも半導体レー
ザからの発散ビームを効率良く利用できるよう適切に構
成した光ヘッドを提供することを目的とする。
目してなされたもので、小型にでき、しかも半導体レー
ザからの発散ビームを効率良く利用できるよう適切に構
成した光ヘッドを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明では、光軸に垂直な断面が楕円形状の発散
ビームを放射する半導体レーザと、この半導体レーザか
らの発散ビームを平行ビームに変換するコリメータレン
ズと、このコリメータレンズからの平行ビームを光情報
記録媒体にスポットとして照射する集光手段と、前記光
情報記録媒体で反射された戻り光を前記半導体レーザへ
戻る光路から分離するためのビームスプリッタとを具え
る光ヘッドにおいて、前記コリメータレンズと前記集光
手段との間に、前記コリメータレンズからの楕円形状の
ビームを、その短軸方向に拡大してほぼ円形のビームに
変換し、前記光情報記録媒体で反射され、前記集光手段
を経て入射する戻り光を、断面が楕円形状のビームに変
換するビーム整形手段を設けると共に、前記ビームスプ
リッタを、前記半導体レーザと前記コリメータレンズと
の間で、前記楕円形状のビームを楕円の長軸とほぼ直交
する方向に分離するように配置する。
め、この発明では、光軸に垂直な断面が楕円形状の発散
ビームを放射する半導体レーザと、この半導体レーザか
らの発散ビームを平行ビームに変換するコリメータレン
ズと、このコリメータレンズからの平行ビームを光情報
記録媒体にスポットとして照射する集光手段と、前記光
情報記録媒体で反射された戻り光を前記半導体レーザへ
戻る光路から分離するためのビームスプリッタとを具え
る光ヘッドにおいて、前記コリメータレンズと前記集光
手段との間に、前記コリメータレンズからの楕円形状の
ビームを、その短軸方向に拡大してほぼ円形のビームに
変換し、前記光情報記録媒体で反射され、前記集光手段
を経て入射する戻り光を、断面が楕円形状のビームに変
換するビーム整形手段を設けると共に、前記ビームスプ
リッタを、前記半導体レーザと前記コリメータレンズと
の間で、前記楕円形状のビームを楕円の長軸とほぼ直交
する方向に分離するように配置する。
【００１３】
【作用】一般に、半導体レーザは、断面が楕円形状の発
散ビームを放射するが、この楕円の長軸方向の拡がり角
（強度が中心のｅ-2になる角度）をθ⊥、短軸方向のそ
れをθ//とすると、当然、θ⊥＞θ//が成り立ってい
る。そこで、この発明では、コリメータレンズの開口数
（ＮＡ）を、例えば、ＮＡ＝ sin（θ⊥）として、半導
体レーザから放射される発散ビームの殆ど全ての光線を
効率良く取り込むようにする。
散ビームを放射するが、この楕円の長軸方向の拡がり角
（強度が中心のｅ-2になる角度）をθ⊥、短軸方向のそ
れをθ//とすると、当然、θ⊥＞θ//が成り立ってい
る。そこで、この発明では、コリメータレンズの開口数
（ＮＡ）を、例えば、ＮＡ＝ sin（θ⊥）として、半導
体レーザから放射される発散ビームの殆ど全ての光線を
効率良く取り込むようにする。
【００１４】この場合、楕円の短軸方向に対しては、拡
がり角θ//以上の光線は、殆ど存在しないので、すなわ
ち光線はコリメータレンズの開口を一杯に満たしていな
いので、コリメータレンズで平行ビームに変換した後
も、その断面は楕円のままである。このため、この平行
ビームをそのまま集光手段で集光して、光情報記録媒体
上に照射しても小さなスポットを形成することができな
いので、この発明では、コリメータレンズからの平行ビ
ームを、ビーム整形手段で楕円の短軸方向に拡大して、
ほぼ円形ビームに変換してから、集光手段で集光して光
情報記録媒体上にスポットとして照射する。
がり角θ//以上の光線は、殆ど存在しないので、すなわ
ち光線はコリメータレンズの開口を一杯に満たしていな
いので、コリメータレンズで平行ビームに変換した後
も、その断面は楕円のままである。このため、この平行
ビームをそのまま集光手段で集光して、光情報記録媒体
上に照射しても小さなスポットを形成することができな
いので、この発明では、コリメータレンズからの平行ビ
ームを、ビーム整形手段で楕円の短軸方向に拡大して、
ほぼ円形ビームに変換してから、集光手段で集光して光
情報記録媒体上にスポットとして照射する。
【００１５】また、ビームスプリッタを、半導体レーザ
とコリメータレンズとの間に配置した場合、ビームスプ
リッタに入射する光線の入射角は一定ではなく、その変
化量は発散ビームの拡がり角に依存することになる。そ
こで、この発明では、ビームの分離方向を、楕円の長軸
にほぼ直交する方向とする。このようにすると、光線の
入射角変化量は、楕円の短軸方向の拡がり角θ//で決ま
り、実質的に入射角変化が小さくなって、ビームを正確
に分離できる。したがって、コリメータレンズの開口数
を大きくしても、ビームスプリッタに対する光線の入射
角変化を小さくできるので、半導体レーザからの発散ビ
ームを効率良く利用でき、しかも半導体レーザとコリメ
ータレンズとの間にビームスプリッタを配置することで
小型化が図れる。
とコリメータレンズとの間に配置した場合、ビームスプ
リッタに入射する光線の入射角は一定ではなく、その変
化量は発散ビームの拡がり角に依存することになる。そ
こで、この発明では、ビームの分離方向を、楕円の長軸
にほぼ直交する方向とする。このようにすると、光線の
入射角変化量は、楕円の短軸方向の拡がり角θ//で決ま
り、実質的に入射角変化が小さくなって、ビームを正確
に分離できる。したがって、コリメータレンズの開口数
を大きくしても、ビームスプリッタに対する光線の入射
角変化を小さくできるので、半導体レーザからの発散ビ
ームを効率良く利用でき、しかも半導体レーザとコリメ
ータレンズとの間にビームスプリッタを配置することで
小型化が図れる。
【００１６】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示すものであ
る。この光ヘッドは、半導体レーザ１、ビームスプリッ
タ２、コリメータレンズ３、ビーム整形プリズム４、立
ち上げミラー５、対物レンズ６、凹レンズ７、１／２波
長板８、偏光ビームスプリッタ９および光検出器１０を
具える。ビームスプリッタ２は、第１のプリズム１１と
第２のプリズム１２とを接合して構成され、その接合面
には誘電体多層膜１３を設けて構成する。また、光検出
器１０は、図２に受光面の平面図を示すように、それぞ
れ帯状に三分割された受光領域を有する二つの受光部１
０ａ，１０ｂをもって構成する。
る。この光ヘッドは、半導体レーザ１、ビームスプリッ
タ２、コリメータレンズ３、ビーム整形プリズム４、立
ち上げミラー５、対物レンズ６、凹レンズ７、１／２波
長板８、偏光ビームスプリッタ９および光検出器１０を
具える。ビームスプリッタ２は、第１のプリズム１１と
第２のプリズム１２とを接合して構成され、その接合面
には誘電体多層膜１３を設けて構成する。また、光検出
器１０は、図２に受光面の平面図を示すように、それぞ
れ帯状に三分割された受光領域を有する二つの受光部１
０ａ，１０ｂをもって構成する。
【００１７】図１において、半導体レーザ１は、直線状
に偏光した断面が楕円形状の発散ビームを放射し、その
発散ビームは、楕円の長軸方向の拡がり角（強度が中心
のｅ -2になる角度）をθ⊥、短軸方向のそれをθ//とす
ると、当然、θ⊥＞θ//が成り立っている。図１では、
楕円の長軸は紙面に対し垂直であるが、ここでは拡がり
角θ//で紙面内に放射された光線を符号１４，１５で示
し、拡がり角θ⊥で紙面と垂直な面内に放射された光線
を、便宜的に紙面内に符号１６，１７で示している。こ
の実施例では、コリメータレンズ３を、光線１６，１７
を取り込めるように、その開口数（ＮＡ）をＮＡ＝ sin
（θ⊥）とする。
に偏光した断面が楕円形状の発散ビームを放射し、その
発散ビームは、楕円の長軸方向の拡がり角（強度が中心
のｅ -2になる角度）をθ⊥、短軸方向のそれをθ//とす
ると、当然、θ⊥＞θ//が成り立っている。図１では、
楕円の長軸は紙面に対し垂直であるが、ここでは拡がり
角θ//で紙面内に放射された光線を符号１４，１５で示
し、拡がり角θ⊥で紙面と垂直な面内に放射された光線
を、便宜的に紙面内に符号１６，１７で示している。こ
の実施例では、コリメータレンズ３を、光線１６，１７
を取り込めるように、その開口数（ＮＡ）をＮＡ＝ sin
（θ⊥）とする。
【００１８】半導体レーザ１からの発散ビームは、ビー
ムスプリッタ２の誘電体多層膜１３にＰ偏光で入射させ
て、その一部を透過させる。ここで、誘電体多層膜１３
への光軸の入射角をθ0 とすると、光線１４の入射角
は、
ムスプリッタ２の誘電体多層膜１３にＰ偏光で入射させ
て、その一部を透過させる。ここで、誘電体多層膜１３
への光軸の入射角をθ0 とすると、光線１４の入射角
は、
【数３】θ0 − sin-1｛(1／ｎ0)・sin(θ//) ｝ となり、光線１５の入射角は、
【数４】θ0 ＋ sin-1｛(1／ｎ0)・sin(θ//) ｝ となる。具体的に、θ⊥＝２５°、θ//＝１０°、ｎ0
＝１．８２、θ0 ＝４５°とすると、
＝１．８２、θ0 ＝４５°とすると、
【数５】 ＮＡ＝ sin（θ⊥）＝０．４２ ・・・（３） ３９．５°≦θ≦５０．５° ・・・（４） となる。ここで、ｎ0 は第１，第２のプリズム１１，１
２の屈折率、θは光線のビームスプリッタ２の誘電体多
層膜１３への入射角を表す。
２の屈折率、θは光線のビームスプリッタ２の誘電体多
層膜１３への入射角を表す。
【００１９】ビームスプリッタ２を透過したビームは、
コリメータレンズ３で平行ビームに変換する。この際、
紙面内では、光線１４，１５より外側には、光線が殆ど
存在しないので、平行ビームに変換した後も、そのビー
ムの断面形状は楕円のままである。この断面が楕円の平
行ビームは、ビーム整形プリズム４で楕円の短軸方向を
拡大してほぼ円形ビームとし、これを立ち上げミラー５
で進行方向を９０°変えて、対物レンズ６により図示し
ない光情報記録媒体の記録面に光スポットとして集光す
る。
コリメータレンズ３で平行ビームに変換する。この際、
紙面内では、光線１４，１５より外側には、光線が殆ど
存在しないので、平行ビームに変換した後も、そのビー
ムの断面形状は楕円のままである。この断面が楕円の平
行ビームは、ビーム整形プリズム４で楕円の短軸方向を
拡大してほぼ円形ビームとし、これを立ち上げミラー５
で進行方向を９０°変えて、対物レンズ６により図示し
ない光情報記録媒体の記録面に光スポットとして集光す
る。
【００２０】光磁気記録媒体には、情報が磁化の方向に
より記録されており、集光された光スポットは、カー効
果により偏光方向が磁化の方向に応じて反対方向に回転
されて、反射される。この光磁気記録媒体で反射された
戻り光は、対物レンズ６および立ち上げミラー５を経
て、ビーム整形プリズム４に入射させ、このビーム整形
プリズム４で断面がほぼ円形の平行な戻り光を、再び楕
円形状の平行ビームに変換した後、コリメータレンズ３
を経てビームスプリッタ２に入射させる。ここで、戻り
光はカー効果により偏光面が回転しているので、Ｓ偏光
成分が含まれている。このＳ偏光成分は、その殆どが誘
電体多層膜１３で反射され、Ｐ偏光成分はその一部が誘
電体多層膜１３で反射される。
より記録されており、集光された光スポットは、カー効
果により偏光方向が磁化の方向に応じて反対方向に回転
されて、反射される。この光磁気記録媒体で反射された
戻り光は、対物レンズ６および立ち上げミラー５を経
て、ビーム整形プリズム４に入射させ、このビーム整形
プリズム４で断面がほぼ円形の平行な戻り光を、再び楕
円形状の平行ビームに変換した後、コリメータレンズ３
を経てビームスプリッタ２に入射させる。ここで、戻り
光はカー効果により偏光面が回転しているので、Ｓ偏光
成分が含まれている。このＳ偏光成分は、その殆どが誘
電体多層膜１３で反射され、Ｐ偏光成分はその一部が誘
電体多層膜１３で反射される。
【００２１】ビームスプリッタ２で反射された戻り光
は、凹レンズ７を経て１／２波長板８によりその偏光方
向を４５°回転させた後、偏光ビームスプリッタ９に入
射し、ここでＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する。こ
れらＰ偏光成分およびＳ偏光成分は、光検出器１０の受
光部１０ａおよび１０ｂでそれぞれ受光し、その出力に
基づいて情報の再生信号、フォーカスエラー信号および
トラッキングエラー信号が検出される。なお、これらの
信号の検出原理については、公知であるので、説明は省
略する。
は、凹レンズ７を経て１／２波長板８によりその偏光方
向を４５°回転させた後、偏光ビームスプリッタ９に入
射し、ここでＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する。こ
れらＰ偏光成分およびＳ偏光成分は、光検出器１０の受
光部１０ａおよび１０ｂでそれぞれ受光し、その出力に
基づいて情報の再生信号、フォーカスエラー信号および
トラッキングエラー信号が検出される。なお、これらの
信号の検出原理については、公知であるので、説明は省
略する。
【００２２】この実施例によれば、ビームスプリッタ２
を半導体レーザ１とコリメータレンズ３との間に配置し
たので、光ヘッドを有効に小型化することができる。ま
た、コリメータレンズ３の開口数を、（３）式で表され
るように大きくしたので、半導体レーザ１からの発散ビ
ームを効率良く利用できる。さらに、ビームスプリッタ
２を、楕円形状のビームを楕円の長軸とほぼ直交する方
向に分離するように配置したので、ビームスプリッタ２
の誘電体多層膜１３に入射する光線の入射角変化を
（４）式で決まる範囲にすることができる。したがっ
て、コリメータレンズ３の開口数を大きくしても、ビー
ムスプリッタ２を、図５および図６に示した特性を有す
るように構成すれば、正確にビームを分離することがで
きる。
を半導体レーザ１とコリメータレンズ３との間に配置し
たので、光ヘッドを有効に小型化することができる。ま
た、コリメータレンズ３の開口数を、（３）式で表され
るように大きくしたので、半導体レーザ１からの発散ビ
ームを効率良く利用できる。さらに、ビームスプリッタ
２を、楕円形状のビームを楕円の長軸とほぼ直交する方
向に分離するように配置したので、ビームスプリッタ２
の誘電体多層膜１３に入射する光線の入射角変化を
（４）式で決まる範囲にすることができる。したがっ
て、コリメータレンズ３の開口数を大きくしても、ビー
ムスプリッタ２を、図５および図６に示した特性を有す
るように構成すれば、正確にビームを分離することがで
きる。
【００２３】なお、上述した実施例では、プリズムを用
いてビームスプリッタ２を構成したが、ホログラム等を
用いて構成することもできる。
いてビームスプリッタ２を構成したが、ホログラム等を
用いて構成することもできる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体レーザと開口数の大きなコリメータレンズとの間にビ
ームスプリッタを配置すると共に、ビームスプリッタに
よるビームの分離方向を楕円ビームの長軸にほぼ直交す
る方向とすることにより、ビームスプリッタへの光線の
入射角変化を実質的に小さくすることができる。したが
って、小型で、ビームの利用効率の良い光ヘッドを得る
ことができる。
体レーザと開口数の大きなコリメータレンズとの間にビ
ームスプリッタを配置すると共に、ビームスプリッタに
よるビームの分離方向を楕円ビームの長軸にほぼ直交す
る方向とすることにより、ビームスプリッタへの光線の
入射角変化を実質的に小さくすることができる。したが
って、小型で、ビームの利用効率の良い光ヘッドを得る
ことができる。
【図１】この発明の一実施例を示す図である。
【図２】図１に示す光検出器の受光面の構成を示す平面
図である。
図である。
【図３】従来の技術を説明するための図である。
【図４】図３に示す光検出器の受光面の構成を示す平面
図である。
図である。
【図５】図３に示すビームスプリッタの入射角度に対す
るＰ偏光およびＳ偏光反射率特性を示す図である。
るＰ偏光およびＳ偏光反射率特性を示す図である。
【図６】同じくＰ偏光とＳ偏光との位相差特性を示す図
である。
である。
１ 半導体レーザ ２ ビームスプリッタ ３ コリメータレンズ ４ ビーム整形プリズム ５ 立ち上げミラー ６ 対物レンズ ７ 凹レンズ ８ １／２波長板 ９ 偏光ビームスプリッタ １０ 光検出器 １０ａ，１０ｂ 受光部 １１，１２ プリズム １３ 誘電体多層膜
Claims (1)
- 【請求項１】 光軸に垂直な断面が楕円形状の発散ビー
ムを放射する半導体レーザと、この半導体レーザからの
発散ビームを平行ビームに変換するコリメータレンズ
と、このコリメータレンズからの平行ビームを光情報記
録媒体にスポットとして照射する集光手段と、前記光情
報記録媒体で反射された戻り光を前記半導体レーザへ戻
る光路から分離するためのビームスプリッタとを具える
光ヘッドにおいて、前記コリメータレンズと前記集光手
段との間に、前記コリメータレンズからの楕円形状のビ
ームを、その短軸方向に拡大してほぼ円形のビームに変
換し、前記光情報記録媒体で反射され、前記集光手段を
経て入射する戻り光を、断面が楕円形状のビームに変換
するビーム整形手段を設けると共に、前記ビームスプリ
ッタを、前記半導体レーザと前記コリメータレンズとの
間で、前記楕円形状のビームを楕円の長軸とほぼ直交す
る方向に分離するように配置したことを特徴とする光ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27391691A JP3166783B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 光ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27391691A JP3166783B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 光ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114157A true JPH05114157A (ja) | 1993-05-07 |
| JP3166783B2 JP3166783B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=17534359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27391691A Expired - Fee Related JP3166783B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 光ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3166783B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614720B1 (en) | 1999-04-28 | 2003-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup device |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP27391691A patent/JP3166783B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614720B1 (en) | 1999-04-28 | 2003-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3166783B2 (ja) | 2001-05-14 |
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