JP2002208161A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

光ピックアップ装置

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JP2002208161A
JP2002208161A JP2001352708A JP2001352708A JP2002208161A JP 2002208161 A JP2002208161 A JP 2002208161A JP 2001352708 A JP2001352708 A JP 2001352708A JP 2001352708 A JP2001352708 A JP 2001352708A JP 2002208161 A JP2002208161 A JP 2002208161A
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light
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shaped prism
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JP2001352708A
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Hiroshi Akiyama
洋 秋山
Yoshitaka Takahashi
義孝 高橋
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学特性が向上した光ピックアップ装置を提
供することを目的としている。 【解決手段】 ビーム光束を整形する第1の楔型プリズ
ムと、この第1の楔型プリズムに組み合わされて接合さ
れる第2の楔型プリズムを備え、上記第1の楔型プリズ
ムと上記第2の楔型プリズムの接合面は、光分離面に構
成されているので、その光学素子は、入射する光束全体
を外部に放射するので、半導体レーザの出射光を有効に
利用することができるという効果を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
から出力された光束を略円形状にビーム整形した後に光
記録媒体に集光するとともに、光記録媒体からの反射光
を光源光と分離し、その分離した反射光を検出光学系に
導く光ピックアップ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、光磁気ディスクなどの光記録媒
体にデータを記録/再生/消去するために用いられる光
ピックアップ装置には、そのレーザ光源として半導体レ
ーザ素子が用いられている。
【0003】一般に、半導体レーザ素子から出力される
光束は、その半導体レーザ素子のチップの活性層に平行
な方向と垂直な方向とでビームの広がる角度が異なり、
したがって、その断面形状が楕円形になる。
【0004】楕円形状のレーザビームをそのままの状態
で光記録媒体に集束すると、記録密度が低下するなどの
不都合を生じるので、ビーム整形素子を用い、半導体レ
ーザ素子から出力される光束の断面形状が、略円形にな
るようにしている。
【0005】図7は、光ピックアップ装置の構成例を示
している。
【0006】この光ピックアップ装置の場合、半導体レ
ーザ101Aから出射したレーザ光を、カップリングレ
ンズ105Aにより平行光にすると同時に、そのレーザ
光の光束断面を円形に整形している。すなわち、同図ハ
ッチングは、半導体レーザ101Aが出射する楕円形光
束の長軸方向の広がりを示しており、カップリングレン
ズ105Aは、同方向の直径をその広がりより狭く形成
している。これにより、直軸方向の光束外縁部がカット
され、カップリングレンズ105Aを通過した平行光の
光束断面が略円形になる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来装置には、次のような不都合を生じていた。
【0008】すなわち、楕円形光束を整形するために、
長軸方向の光束外縁部をカットするので、半導体レーザ
101Aの出射光の利用効率が低下していた。
【0009】本発明は、かかる実情に鑑みてなされたも
のであり、光学特性が向上した光ピックアップ装置を提
供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体レーザ
素子から出力された光束を略円形状にビーム整形した後
に光記録媒体に集光するとともに、光記録媒体からの反
射光を光源光と分離し、その分離した反射光を所定の検
出光学系に導く光ピックアップ装置において、上記ビー
ム光束を整形する第1の楔型プリズムと、この第1の楔
型プリズムに組み合わされて接合される第2の楔型プリ
ズムを備え、上記第1の楔型プリズムと上記第2の楔型
プリズムの接合面は、光分離面に構成されているもので
ある。また、前記第1の楔型プリズムと、前記第2の楔
型プリズムは、同一形状に形成され、上記第1の楔型プ
リズムと第2の楔型プリズムの斜面を互いに接合し、一
組の平行な平面を形成する。また、前記第1の楔型プリ
ズムは、この第1の楔型プリズムへの入射光束の入射角
をa、上記第1の楔型プリズムの屈折率をn、上記第1
の楔型プリズムの頂角をxとすると、これらのa,n,
xは、次式の関係を満たす。
【0011】 cos(a)=n・sin(arcsin((sin(a))/n)−2・x)
【0012】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0013】図1は、本発明の一実施例にかかる光ピッ
クアップ装置の光学系の要部を示している。この光ピッ
クアップ装置は、WORM(Write Once R
ead Many)タイプである。
【0014】図において、半導体レーザ101Aは、レ
ーザ光を紙面内の水平な一方向に出射するように固定さ
れている。なお、その半導体レーザ101Aのチップの
活性層は、紙面内垂直方向であるY方向とする。
【0015】半導体レーザ101Aのレーザ光の出射方
向には、カップリングレンズ102Aと光学素子106
Aとが順に配設されている。光学素子106Aは、同一
形状の2枚の楔形プリスム1061A,1062Aを互
い違いに重ね合せて接合し、その接合面に偏光膜106
3Aを形成したものである。偏光膜1063Aは、S偏
光を透過し、P偏光を反射するものである。
【0016】その光学素子106Aの上方には、1/4
波長板107Aと対物レンズ108Aと光ディスク10
9Aとが順に配設されている。ここで、光ディスク10
9Aとしては、穴明け記録方式や相変化型のものを用い
ることができる。
【0017】光学素子106Aの下方には、図示せぬ光
検出系装置が配設されている。
【0018】この構成で、半導体レーザ101Aからレ
ーザ光が出射される。この場合、チップの活性層は、同
図Y方向に向いているので、出射光束の断面は、図2に
示すように、Y方向に狭くその方向に直交するX方向に
広い楕円形になる。また、出射光の偏光方向は、チップ
の活性層の方向になるので、同図の場合、P偏光のレー
ザ光が出射することになる。
【0019】その出射光は、カップリングレンズ102
Aを通り平行光になる。なお、カップリングレンズ10
2Aの外径は半導体レーザ101Aの出射光束の外径に
対して充分大きく、その光束全体がカップリングレンズ
102Aを通過する。平行光になったレーザ光は、光学
素子106Aに入射する。
【0020】入射した光は、図3に示すように、楔形プ
リスム1061A内に入って偏光膜1063Aに達す
る。偏光膜1063Aは、その半導体レーザ101A側
から入射したP偏光の光を反射する。反射した光は、楔
形プリスム1061A内を進行して外部に出る。この場
合、上記P偏光の光は、楔形プリスム1061A内に入
る際と楔形プリスム1061Aから出る際にそれぞれ屈
折することになる。
【0021】いま、図4に示すように、楔形プリスム1
061Aに入射する光束のY方向の幅がd1であったと
すると、楔形プリスム1061Aに入ることにより、そ
の光束の幅がd2に広がることになる。つまり、光束幅
がY方向にだけ広がる。
【0022】ここで、上記入射した光が楔形プリスム1
061Aに入る際の入射角をa、屈折角をb、その光束
が楔形プリスム1061Aの表面上に占める幅をlとす
ると、上記光束の幅d1とd2は、
【0023】 d1=l・(cos(a)) d2=l・(cos(b)) と表すことができる。この場合、ビーム整形倍率m1
は、 m1=d2/d1=(cos(b))/(cos(a)) となる。
【0024】楔形プリスム1061Aに入ったレーザ光
は、楔形プリスム1061Aから出る際にも、屈折によ
り光束幅が変化する。ここで、楔形プリスム1061A
から出る際の入射角をc、屈折角をdとすると、ビーム
整形倍率m2は、 m2=(cos(d))/(cos(c)) となる。
【0025】従って、上記両者を合せたビーム整形倍率
m0は、次の式(I)のようになる。
【0026】 m0=m1・m2=((cos(b))/cos(a))・((cos(d)/cos(c)) ・・・(I)
【0027】すなわち、半導体レーザ101Aの出射光
は、光学素子106Aを通過することにより、Y方向の
光束幅がm0倍に拡大されることになる。これにより、
半導体レーザ101Aから出射された楕円形光束が真円
形に整形される。
【0028】一方、本実施例では、半導体レーザ101
A側から光学素子106Aへの入射光の光軸と、光学素
子106Aから光ディスク109A側への出射光の光軸
とが直交するように設定している。この場合、上記入射
角aと屈折角dとは、 a+d=90(度) という関係になる。ここで、楔形プリスム1061A,
1062Aを形成している材料の屈折率をn、その頂角
をxとすると、次の式(II)という関係が成立つこと
になる。
【0029】 cos(a)=n・sin(arcsin((sin(a))/n)−2・x) ・・・(II)
【0030】ここで、光学素子106Aの具体例を示
す。例えば、「BK−7」という既知規格のガラス材料
を用いて楔形プリスム1061A,1062Aを形成し
たとする。このガラス材料の屈折率は、波長780(ナ
ノメートル)に対し、1.511である。そして、楔形
プリスム1061A,1062Aの頂角xを14.5度
に形成し、レーザ光の入射角aを73.97度に設定し
たとすると、屈折角bは39.5度、入射角cは10.
5度、屈折角は15.98度になる。この場合、ビーム
整形倍率m0は、2.73となる。また、入射角aと屈
折角dとの和は、89.95度であり、光学素子106
Aへの入射光の光軸と出射光の光軸とがほぼ直交するよ
うになる。
【0031】このようにして、整形されたレーザ光は、
1/4波長板107Aを通ることにより円偏光になる。
そのレーザ光は、対物レンズ108Aにより集光され、
光ディスク109A上にレーザスポットとして照射され
る。
【0032】光ディスク109Aからの反射光は、上記
とは反対に対物レンズ108Aと1/4波長板107A
を通過する。1/4波長板107Aを通過することによ
り、S偏光に変わる。そのS偏光のレーザ光は、光学素
子106Aに入射する。
【0033】偏光膜1063Aは、そのレーザ光を透過
する。透過したレーザ光は、光学素子106Aを通過し
て外部に出る。なお、入射したレーザ光が楔形プリスム
1061Aに入る際と楔形プリスム1062Aから出る
際にそれぞれ屈折するが、それぞれの屈折方向は互いに
反対方向で同一角度になる。また、光学素子106Aの
上面と下面とは平行になっているので、光学素子106
Aに入るレーザ光の入射方向と光学素子106Aから出
るレーザ光の放射方向とは平行になる。そして、光学素
子106Aから出たレーザ光は、光検出系装置に入射す
る。
【0034】光検出系は、その入射光を検出して、光デ
ィスク109Aの記録情報を再生したり、光ディスク1
09Aに照射しているレーザスポットの焦点ずれやトラ
ッキングずれを検知したりする。この場合、記録情報
は、入射光の光強度変化を検知することにより再生す
る。
【0035】以上のように、本実施例では、1つの光学
素子106Aが、半導体レーザ101A側から入射した
楕円形のレーザ光束を、円形のレーザ光束に整形して光
ディスク110A側に放射するビーム整形機能と、光デ
ィスク110A側から戻ってくる光束を光検出系側に放
射するビーム分離機能とを備えるようにしている。
【0036】これにより、従来、2つ必要であった光学
部品が1つだけで済むようになり、光ピックアップ装置
の部品点数を削減することができる。
【0037】また、光学素子106Aに入射する各光束
は、その光束全体を所定の方向に放射し、図7で説明し
たような光束外縁部のカットが生じないので、半導体レ
ーザ101Aの出射光を有効に利用することができる。
【0038】また、光学素子106Aは、2枚の楔形プ
リスム1061A,1062Aを接合し、その接合面に
偏光膜1063Aを形成しただけという簡単に構成であ
るので、部品コストも安価になる。
【0039】ところで、図7の構成のように、半導体レ
ーザ101Aの出射光が、ビーム分割素子104Aの外
面に垂直に入射すると、その外面で反射する一部の光が
半導体レーザ101Aに戻ってしまうという不都合があ
るが、本実施例では、半導体レーザ101Aの出射光
は、光学素子106Aの外面に対して傾斜した角度で入
射させているので、その外面での反射光が、半導体レー
ザ101Aに戻るということが防止される。
【0040】さらに、光ディスク109A側から光学素
子106Aへの入射光の光軸と、その光が光学素子10
6Aから出る放射光の光軸とを平行にすると共に、それ
らの方向に対して、半導体レーザ101A側から光学素
子106Aへの入射光の光軸を垂直にしている。
【0041】装置の組み立て作業を行なう場合、光路の
光軸に沿って各種部品を組み付けるが、このように複数
の光軸が互いに平行あるは垂直であると、部品の組み付
け作業が容易になる。また、通常、このような各部品は
方形の箱型筐体に収納するが、複数の光軸が互いに平行
あるは垂直であると、筐体内の余分なスペースを少なく
することができ、筐体を小形化することができる。
【0042】図5は、本発明のまたさらに別な他の実施
例に係るMO(Magnet Optical)タイプ
の光ピックアップ装置の構成図を示したものである。図
において、図1と異なる点は、光磁気記録方式の光ディ
スク110Aを配設して、1/4波長板107Aを除去
した点と、光学素子106Aを構成する2枚の楔形プリ
スム1061Aと1062Aの接合面には、半透過性膜
1064Aを形成している点である。この半透過性膜1
064Aは、偏光方向に拘らず入射光の一定割合を透過
して他を反射するものである。
【0043】この構成で、半導体レーザ101Aから直
線偏光のレーザ光を出射する。その出射光は、カップリ
ングレンズ102Aを通り平行光になって光学素子10
6Aに入射する。その入射した光は、半透過性膜106
4Aにおいて、光量の一部がその半透過性膜1064A
を透過し、残りが反射する。反射した光は、対物レンズ
108Aで集光されて光ディスク110Aに照射され
る。
【0044】光ディスク110Aの反射光は、対物レン
ズ108Aを介して光学素子106Aに入射する。光学
素子106Aに入った光は、半透過性膜1064Aにお
いて、上記と同様に透過光と反射光とに分れる。この内
の透過光が光検出系装置に入射する。
【0045】光検出系は、その入射光を検出して、光デ
ィスク110Aの記録情報を再生したり、光ディスク1
10Aに照射しているレーザスポットの焦点ずれやトラ
ッキングずれを検知したりする。この場合、記録情報
は、入射光のP偏光成分とS偏光成分との強度差を検知
することにより再生する。
【0046】このように、2枚の楔形プリスム1061
Aと1062Aの接合面に、半透過性膜1064Aを形
成すれば、MOタイプの光ピックアップ装置に用いるこ
とができる。これにより、MOタイプの光ピックアップ
装置の場合に、前述の実施例と同様に、部品点数を少な
くし、半導体レーザ101Aの出射光を有効利用するこ
とができるようになる。
【0047】また、接合面に、P偏光を一部反射し、S
偏光をほぼ全て透過するような多層膜を形成すると、光
磁気信号のS/Nをより向上することができる。
【0048】なお、以上の実施例では、半導体レーザ1
01Aから出射される楕円形光束は、短軸方向に拡大し
て円形に整形するようにしたが、長軸方向に縮小して円
形に整形するようにしてもよい。その場合には、図6に
示すように、光学素子106Aは、傾斜方向を反対にす
ると共に傾斜角を急にして配設する。また、半導体レー
ザ101Aは、チップの活性方向がX方向になるように
配設する。これにより、Y方向に広い楕円形光束が円形
に整形されるようになる。
【0049】また、上述の各実施例では、光学素子10
6Aに入射あるいは光学素子106Aから放射する光の
光軸は、互いに平行か垂直かのどちらかにしたが、それ
ぞれ異なる方向にしてもよいことは当然である。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体レーザ素子から出力された光束を略円形状にビー
ム整形した後に光記録媒体に集光するとともに、光記録
媒体からの反射光を光源光と分離し、その分離した反射
光を所定の検出光学系に導く光ピックアップ装置におい
て、上記ビーム光束を整形する第1の楔型プリズムと、
この第1の楔型プリズムに組み合わされて接合される第
2の楔型プリズムを備え、上記第1の楔型プリズムと上
記第2の楔型プリズムの接合面は、光分離面に構成され
ているので、その光学素子は、入射する光束全体を外部
に放射するので、半導体レーザの出射光を有効に利用す
ることができるという効果を得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るWORMタイプの光ピ
ックアップ装置の光学系の要部を示した構成図である。
【図2】半導体レーザの出射光束の断面形状を示す説明
図である。
【図3】光学素子を通るレーザ光の進路説明図である。
【図4】屈折による光束幅の変化を示す説明図である。
【図5】本発明のまたさらに別な実施例に係るMOタイ
プの光ピックアップ装置の構成図である。
【図6】光束幅を縮小する場合の光学素子の使用方法を
示す説明図である。
【図7】光ピックアップ装置の従来構成の一例を示す装
置構成図である。
【符号の説明】
101A 半導体レーザ 102A,105A カップリングレンズ 103A ビーム整形プリズム 104A ビーム分割素子 106A 光学素子 107A 1/4波長板 108A 対物レンズ 109A,110A 光ディスク 1061A,1062A 楔形プリスム 1063A 偏光膜 1064A 半透過性膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 11/105 551 G11B 11/105 551L 551M Fターム(参考) 2H042 CA06 CA10 CA14 CA17 2H049 BA05 BA43 BB03 BC21 5D075 CD10 CD16 5D119 AA43 BA01 EC27 JA07 JB03

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体レーザ素子から出力された光束を
    略円形状にビーム整形した後に光記録媒体に集光すると
    ともに、光記録媒体からの反射光を光源光と分離し、そ
    の分離した反射光を所定の検出光学系に導く光ピックア
    ップ装置において、 上記ビーム光束を整形する第1の楔型プリズムと、 この第1の楔型プリズムに組み合わされて接合される第
    2の楔型プリズムを備え、 上記第1の楔型プリズムと上記第2の楔型プリズムの接
    合面は、光分離面に構成されていることを特徴とする光
    ピックアップ装置。
  2. 【請求項2】 前記第1の楔型プリズムと、前記第2の
    楔型プリズムは、同一形状に形成され、上記第1の楔型
    プリズムと第2の楔型プリズムの斜面を互いに接合し、
    一組の平行な平面を形成することを特徴とする請求項1
    記載の光ピックアップ装置。
  3. 【請求項3】 前記第1の楔型プリズムは、この第1の
    楔型プリズムへの入射光束の入射角をa、上記第1の楔
    型プリズムの屈折率をn、上記第1の楔型プリズムの頂
    角をxとすると、これらのa,n,xは、次式の関係を
    満たすことを特徴とする請求項1または請求項2記載の
    光ピックアップ装置。 cos(a)=n・sin(arcsin((sin(a))/n)−2・x)
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007163666A (ja) * 2005-12-12 2007-06-28 Hitachi Communication Technologies Ltd 光通信用光学プリズム及び光送受信モジュール

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