JP3319611B2 - 光磁気ヘツド及び光磁気デイスク装置 - Google Patents
光磁気ヘツド及び光磁気デイスク装置Info
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- JP3319611B2 JP3319611B2 JP35168691A JP35168691A JP3319611B2 JP 3319611 B2 JP3319611 B2 JP 3319611B2 JP 35168691 A JP35168691 A JP 35168691A JP 35168691 A JP35168691 A JP 35168691A JP 3319611 B2 JP3319611 B2 JP 3319611B2
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Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図７） 発明が解決しようとする課題（図７） 課題を解決するための手段（図５及び図６） 作用（図５及び図６） 実施例 （１）第１の実施例（図１〜図４） （２）第２の実施例（図５及び図６） （３）他の実施例 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気ヘツド及び光磁気
デイスク装置に関し、例えばマイクロプリズムデイテク
タを用いた光磁気ヘツド及び光磁気デイスク装置に適用
し得る。
デイスク装置に関し、例えばマイクロプリズムデイテク
タを用いた光磁気ヘツド及び光磁気デイスク装置に適用
し得る。
【０００３】
【従来の技術】従来、この種の光磁気ヘツドを用いた光
磁気デイスク装置においては、レーザ光源から射出され
た光ビームの一部を直接受光素子に導くことにより、カ
ツプリング効率を向上し、再生信号のＳＮ比を向上し得
るようになされたものが提案されている（特開平2-1980
44号公報）。
磁気デイスク装置においては、レーザ光源から射出され
た光ビームの一部を直接受光素子に導くことにより、カ
ツプリング効率を向上し、再生信号のＳＮ比を向上し得
るようになされたものが提案されている（特開平2-1980
44号公報）。
【０００４】すなわち図７において、１は全体として光
磁気ヘツドを示し、半導体レーザ２からＰ波でなる射出
光ビームＬＡ１を射出する。ここで光磁気ヘツド１にお
いては、射出光ビームＬＡ１をリレーレンズ４で平行光
線に変換した後、偏光選択性を有するビームスプリツタ
６を透過させ、対物レンズ８を介して光磁気デイスク１
０に焦光する。
磁気ヘツドを示し、半導体レーザ２からＰ波でなる射出
光ビームＬＡ１を射出する。ここで光磁気ヘツド１にお
いては、射出光ビームＬＡ１をリレーレンズ４で平行光
線に変換した後、偏光選択性を有するビームスプリツタ
６を透過させ、対物レンズ８を介して光磁気デイスク１
０に焦光する。
【０００５】このときビームスプリツタ６においては、
Ｐ波の透過率が98％程度になるように選定され、射出光
ビームＬＡ１を効率良く光磁気デイスク１０に照射する
と共に、その一部を反射してミラー１２に導く。これに
より光磁気ヘツド１においては、反射した光ビームをミ
ラー１２で折り返して、バイアス光ＬＲ１としてビーム
スプリツタ６を透過させる。
Ｐ波の透過率が98％程度になるように選定され、射出光
ビームＬＡ１を効率良く光磁気デイスク１０に照射する
と共に、その一部を反射してミラー１２に導く。これに
より光磁気ヘツド１においては、反射した光ビームをミ
ラー１２で折り返して、バイアス光ＬＲ１としてビーム
スプリツタ６を透過させる。
【０００６】ビームスプリツタ６を透過したバイアス光
ＬＲ１は、1/2 波長板１４を透過して偏波面が回転し、
ビームスプリツタ１６で２光束に分離される。これによ
り光磁気ヘツド１においては、当該２光束を焦光レンズ
１８、２０を介して受光素子２２、２４を受光し、受光
素子２２、２４にバイアス光を供給することができる。
かくして半導体レーザ２の射出光ビームＬＡ１を一部分
離して直接受光素子２２、２４に導くことにより、半導
体レーザ２の射出光ビームＬＡ１を効率良く利用してバ
イアス光を供給することができる。
ＬＲ１は、1/2 波長板１４を透過して偏波面が回転し、
ビームスプリツタ１６で２光束に分離される。これによ
り光磁気ヘツド１においては、当該２光束を焦光レンズ
１８、２０を介して受光素子２２、２４を受光し、受光
素子２２、２４にバイアス光を供給することができる。
かくして半導体レーザ２の射出光ビームＬＡ１を一部分
離して直接受光素子２２、２４に導くことにより、半導
体レーザ２の射出光ビームＬＡ１を効率良く利用してバ
イアス光を供給することができる。
【０００７】さらにこのとき射出光ビームＬＡ１を直接
受光素子２２、２４に導くことにより、安定なバイアス
光を供給し得、その分光磁気デイスク１０の記録情報を
確実に再生することができる。
受光素子２２、２４に導くことにより、安定なバイアス
光を供給し得、その分光磁気デイスク１０の記録情報を
確実に再生することができる。
【０００８】すなわち光磁気ヘツト１においては、光磁
気デイスク１０で反射された反射光ビームＬＡ２が対物
レンズ８を介してビームスプリツタ６に入射され、ここ
で反射された受光素子２２、２４に導かれる。これによ
り光磁気ヘツド１においては、バイアス光ＬＲ１が重畳
された状態で反射光ビームＬＡ２を受光するようになさ
れた、各受光素子２２、２４の出力信号ＳＮ比を向上す
るようになされている。
気デイスク１０で反射された反射光ビームＬＡ２が対物
レンズ８を介してビームスプリツタ６に入射され、ここ
で反射された受光素子２２、２４に導かれる。これによ
り光磁気ヘツド１においては、バイアス光ＬＲ１が重畳
された状態で反射光ビームＬＡ２を受光するようになさ
れた、各受光素子２２、２４の出力信号ＳＮ比を向上す
るようになされている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのようにし
て射出光ビームＬＡ１の一部を分離して直接バイアス光
ＬＲ１を供給する場合、当該バイアス光ＬＲ１と反射光
ビームＬＡ２が干渉し、安定に記録情報を再生し得ない
場合がある。また全体形状を小型化するため、リレーレ
ンズ４、焦光レンズ１８、２０を省略する方法が考えら
れるが、この場合入射角依存性が大きいビームスプリツ
タ６を収束光束中に配置する結果となり、実用的ではな
い。
て射出光ビームＬＡ１の一部を分離して直接バイアス光
ＬＲ１を供給する場合、当該バイアス光ＬＲ１と反射光
ビームＬＡ２が干渉し、安定に記録情報を再生し得ない
場合がある。また全体形状を小型化するため、リレーレ
ンズ４、焦光レンズ１８、２０を省略する方法が考えら
れるが、この場合入射角依存性が大きいビームスプリツ
タ６を収束光束中に配置する結果となり、実用的ではな
い。
【００１０】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、小型で安定に記録情報を再生することができる光磁
気ヘツドを提案しようとするものである。
で、小型で安定に記録情報を再生することができる光磁
気ヘツドを提案しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、所定偏波面の光ビームＬＡ１を射
出する光源２と、光ビームＬＡ１を透過すると共に、光
ビームＬＡ１と偏波面の直交する光ビームを反射する偏
光ビームスプリツタ３２と、偏光ビームスプリツタ３２
を透過した光ビームＬＡ１を透過する1/2 波長板５２
と、1/2 波長板５２を透過した光ビームＬＡ１を光磁気
デイスク１０に照射すると共に、光磁気デイスク１０か
らの反射光を1/2 波長板５２に射出することにより、反
射光に含まれる光磁気信号成分ＬＡ２を偏光ビームスプ
リツタ３２で反射させる対物光学系４、８と、偏光ビー
ムスプリツタ３２で反射した反射光磁気信号成分ＬＡ２
を受光する受光系３８とを有し、1/2 波長板５２は、1/
4 波長板５４と、所定反射率の反射膜５６と、1/4 波長
板５８とを順次積層して形成され、反射膜５４で反射し
た光ビームＬＡ１を偏光ビームスプリツタ３２で反射さ
せてバイアス光ＬＲ１として受光系３８に導くようにす
る。
め本発明においては、所定偏波面の光ビームＬＡ１を射
出する光源２と、光ビームＬＡ１を透過すると共に、光
ビームＬＡ１と偏波面の直交する光ビームを反射する偏
光ビームスプリツタ３２と、偏光ビームスプリツタ３２
を透過した光ビームＬＡ１を透過する1/2 波長板５２
と、1/2 波長板５２を透過した光ビームＬＡ１を光磁気
デイスク１０に照射すると共に、光磁気デイスク１０か
らの反射光を1/2 波長板５２に射出することにより、反
射光に含まれる光磁気信号成分ＬＡ２を偏光ビームスプ
リツタ３２で反射させる対物光学系４、８と、偏光ビー
ムスプリツタ３２で反射した反射光磁気信号成分ＬＡ２
を受光する受光系３８とを有し、1/2 波長板５２は、1/
4 波長板５４と、所定反射率の反射膜５６と、1/4 波長
板５８とを順次積層して形成され、反射膜５４で反射し
た光ビームＬＡ１を偏光ビームスプリツタ３２で反射さ
せてバイアス光ＬＲ１として受光系３８に導くようにす
る。
【００１２】
【作用】偏光ビームスプリツタ３２及び対物光学系４、
８間に1/2 波長板５２を配置し、このとき当該1/2 波長
板５２を、1/4 波長板５４、所定反射率の反射膜５６、
1/4 波長板５８を順次積層して形成すれば、当該1/2 波
長板５２で光ビームＬＡ１の一部を分離してバイアス光
ＬＲ１を生成し得、当該バイアス光ＬＲ１を効率良く受
光系３８に導くことができ、また、収束光束中で光ビー
ムＬＡ１及び光磁気信号成分ＬＡ２を分離し得る。さら
に当該バイアス光ＬＲ１を光ビームＬＡ１の光路上で生
成し得ることにより、その分全体形状を小型化すること
ができる。
８間に1/2 波長板５２を配置し、このとき当該1/2 波長
板５２を、1/4 波長板５４、所定反射率の反射膜５６、
1/4 波長板５８を順次積層して形成すれば、当該1/2 波
長板５２で光ビームＬＡ１の一部を分離してバイアス光
ＬＲ１を生成し得、当該バイアス光ＬＲ１を効率良く受
光系３８に導くことができ、また、収束光束中で光ビー
ムＬＡ１及び光磁気信号成分ＬＡ２を分離し得る。さら
に当該バイアス光ＬＲ１を光ビームＬＡ１の光路上で生
成し得ることにより、その分全体形状を小型化すること
ができる。
【００１３】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１４】（１）実施例を説明するための構成 図７との対応部分に同一符号を付して示す図１におい
て、３０は、全体として、光磁気デイスク装置に用いる
光磁気ヘツドを示し、射出光ビームＬＡ１と、光磁気デ
イスク１０からの反射光に含まれる光磁気信号成分（以
下反射光ビームと呼ぶ）ＬＡ２を収束光束で処理する。
このため光磁気ヘツド３０においては、半導体レーザ２
及びコリメータレンズ４間に偏光ビームスプリツタ３２
を介挿し、当該偏光ビームスプリツタ３２で射出光ビー
ムＬＡ１及び反射光ビームＬＡ２を分離する。
て、３０は、全体として、光磁気デイスク装置に用いる
光磁気ヘツドを示し、射出光ビームＬＡ１と、光磁気デ
イスク１０からの反射光に含まれる光磁気信号成分（以
下反射光ビームと呼ぶ）ＬＡ２を収束光束で処理する。
このため光磁気ヘツド３０においては、半導体レーザ２
及びコリメータレンズ４間に偏光ビームスプリツタ３２
を介挿し、当該偏光ビームスプリツタ３２で射出光ビー
ムＬＡ１及び反射光ビームＬＡ２を分離する。
【００１５】実際上、ビームスプリツタにおいては、角
度依存性が大きい特徴があるのに対し、偏光ビームスプ
リツタにおいては、角度依存性が小さい特徴がある。す
なわち実験によれば、偏光ビームスプリツタ３２におい
ては、Ｐ波に対して入射角０〜±３度の範囲で反射率２
％以下、入射角±３〜±６度の範囲で反射率3.5 ％以
下、入射角±６〜±８度の範囲で反射率５％以下の特性
を得ることができ、Ｓ波に対して入射角０〜±８度の範
囲で透過率１％以下の特性を得ることができた。
度依存性が大きい特徴があるのに対し、偏光ビームスプ
リツタにおいては、角度依存性が小さい特徴がある。す
なわち実験によれば、偏光ビームスプリツタ３２におい
ては、Ｐ波に対して入射角０〜±３度の範囲で反射率２
％以下、入射角±３〜±６度の範囲で反射率3.5 ％以
下、入射角±６〜±８度の範囲で反射率５％以下の特性
を得ることができ、Ｓ波に対して入射角０〜±８度の範
囲で透過率１％以下の特性を得ることができた。
【００１６】従つて収束光束中に偏光ビームスプリツタ
３２を介挿しても、確実に射出光ビームＬＡ１及び反射
光ビームＬＡ２を分離すると共に、バイアス光ＬＲ１を
生成することができる。
３２を介挿しても、確実に射出光ビームＬＡ１及び反射
光ビームＬＡ２を分離すると共に、バイアス光ＬＲ１を
生成することができる。
【００１７】またビームスプリツタを用いる場合におい
ては、分離した反射光ビームにおいて、Ｓ波及びＰ波間
の位相差ΔP-S が小さくなるように位相補償量を選定す
る必要があり、この選定が困難な特徴がある。これに対
して偏光ビームスプリツタを用いる場合においては、こ
のような位相差ΔP-S を考慮する必要もなく、その分光
磁気ヘツド３０を簡易に作成することができる。
ては、分離した反射光ビームにおいて、Ｓ波及びＰ波間
の位相差ΔP-S が小さくなるように位相補償量を選定す
る必要があり、この選定が困難な特徴がある。これに対
して偏光ビームスプリツタを用いる場合においては、こ
のような位相差ΔP-S を考慮する必要もなく、その分光
磁気ヘツド３０を簡易に作成することができる。
【００１８】さらに当該光磁気ヘツド３０においては、
偏光ビームスプリツタ３２で生成されたバイアス光ＬＲ
１の光路上にリレーレンズ３４及びミラー３６を配置
し、当該リレーレンズ３４でバイアス光ＬＲ１を平行光
線に変換した後、ミラー３６で反射する。このときミラ
ー３６においては、所定角度θ／２だけ傾いて配置さ
れ、これにより反射光ビームＬＡ２の焦光位置に対して
当該バイアス光ＬＲ１の焦光位置が所定距離θｆだけ離
間するようになされている。なおｆはリレーレンズ３４
の焦点距離である。
偏光ビームスプリツタ３２で生成されたバイアス光ＬＲ
１の光路上にリレーレンズ３４及びミラー３６を配置
し、当該リレーレンズ３４でバイアス光ＬＲ１を平行光
線に変換した後、ミラー３６で反射する。このときミラ
ー３６においては、所定角度θ／２だけ傾いて配置さ
れ、これにより反射光ビームＬＡ２の焦光位置に対して
当該バイアス光ＬＲ１の焦光位置が所定距離θｆだけ離
間するようになされている。なおｆはリレーレンズ３４
の焦点距離である。
【００１９】このようにすれば受光素子の受光面上でバ
イアス光ＬＲ１及び反射光ビームＬＡ２とで異なる位置
に光スポツトを形成し得、バイアス光ＬＲ１及び反射光
ビームＬＲ２の同相成分による干渉を有効に回避するこ
とができる。従つてその分光磁気デイスク１０の記録情
報を安定に再生することができる。
イアス光ＬＲ１及び反射光ビームＬＡ２とで異なる位置
に光スポツトを形成し得、バイアス光ＬＲ１及び反射光
ビームＬＲ２の同相成分による干渉を有効に回避するこ
とができる。従つてその分光磁気デイスク１０の記録情
報を安定に再生することができる。
【００２０】さらに光磁気ヘツド３０は、マイクロプリ
ズムデイテクタ３８で反射光ビームＬＡ２及びバイアス
光ＬＲ１を受光する。ここで図２に示すように、マイク
ロプリズムデイテクタ３８は、斜面が45度の角度に形成
された平行四辺形形状の斜方体プリズム３８Ａに、三角
柱形状のプリズム３８Ｂを張り合わせて形成し、プリズ
ム３８Ａ及び３８Ｂの接合面Ｍ１で偏光ビームスプリツ
タを形成するようになされている。
ズムデイテクタ３８で反射光ビームＬＡ２及びバイアス
光ＬＲ１を受光する。ここで図２に示すように、マイク
ロプリズムデイテクタ３８は、斜面が45度の角度に形成
された平行四辺形形状の斜方体プリズム３８Ａに、三角
柱形状のプリズム３８Ｂを張り合わせて形成し、プリズ
ム３８Ａ及び３８Ｂの接合面Ｍ１で偏光ビームスプリツ
タを形成するようになされている。
【００２１】さらに光磁気ヘツド３０においては、プリ
ズム３８Ａ及び３８Ｂに接触するように受光素子４０及
び４２が配置され、接合面Ｍ１に向けて上部から入射し
た反射光ビームＬＡ２が当該接合面Ｍ１を透過して受光
素子４０に入射するようになされている。
ズム３８Ａ及び３８Ｂに接触するように受光素子４０及
び４２が配置され、接合面Ｍ１に向けて上部から入射し
た反射光ビームＬＡ２が当該接合面Ｍ１を透過して受光
素子４０に入射するようになされている。
【００２２】ここで図３に示すように、受光素子４０及
び４２においては、一列に並ぶように半導体基板４４上
に一体に形成され、その並び方向と直交する方向に受光
面を３分割するようになされている。これに対して受光
素子４２は、接合面Ｍ１の反射光ビームがプリズム３８
Ａの後ろ側斜面Ｍ２で反射して入射するようになされて
いる。これにより光磁気ヘツド３０においては、受光素
子４０及び４２全体の出力信号に基づいて記録情報を再
生し得るようになされている。
び４２においては、一列に並ぶように半導体基板４４上
に一体に形成され、その並び方向と直交する方向に受光
面を３分割するようになされている。これに対して受光
素子４２は、接合面Ｍ１の反射光ビームがプリズム３８
Ａの後ろ側斜面Ｍ２で反射して入射するようになされて
いる。これにより光磁気ヘツド３０においては、受光素
子４０及び４２全体の出力信号に基づいて記録情報を再
生し得るようになされている。
【００２３】さらに図４に示すようにこの状態で受光素
子４０及び４２は、それぞれ反射光ビームＬＡ２の焦光
位置に対して前ピン及び後ピンの位置に保持され、反射
光ビームＬＡ２で各受光面に円形形状の光スポツトＳＰ
１及びＳＰ２を形成するようになされている。これによ
り当該光磁気ヘツド３０においては、受光素子４０及び
４２の各受光面の出力信号に基づいて光スポツトＳＰ１
及びＳＰ２のスポツト径を検出し、当該検出結果の比較
結果を得ることによりフオーカスエラー信号を検出し得
るようになされている。
子４０及び４２は、それぞれ反射光ビームＬＡ２の焦光
位置に対して前ピン及び後ピンの位置に保持され、反射
光ビームＬＡ２で各受光面に円形形状の光スポツトＳＰ
１及びＳＰ２を形成するようになされている。これによ
り当該光磁気ヘツド３０においては、受光素子４０及び
４２の各受光面の出力信号に基づいて光スポツトＳＰ１
及びＳＰ２のスポツト径を検出し、当該検出結果の比較
結果を得ることによりフオーカスエラー信号を検出し得
るようになされている。
【００２４】このときバイアス光ＬＲ１においては、焦
点位置で距離ｆθだけ離間することにより、各受光素子
４０及び４２の受光面に光スポツトＳＰ１及びＳＰ２か
らほぼ距離ｆθだけ離れてバイアス光ＬＲ１の光スポツ
トＳＰ３及びＳＰ４を形成し、これによりバイアス光Ｌ
Ｒ１及び反射光ビームＬＡ２間の干渉を未然に防止して
確実に記録情報を再生するようになされている。さらに
偏光ビームスプリツタ３２を用いて射出光ビームＬＡ１
及び反射光ビームＬＡ２を収束光束中で分離したことに
より、焦光レンズ１８及び２０（図７）を省略し得、そ
の分全体構成を簡略化、小型化することができる。
点位置で距離ｆθだけ離間することにより、各受光素子
４０及び４２の受光面に光スポツトＳＰ１及びＳＰ２か
らほぼ距離ｆθだけ離れてバイアス光ＬＲ１の光スポツ
トＳＰ３及びＳＰ４を形成し、これによりバイアス光Ｌ
Ｒ１及び反射光ビームＬＡ２間の干渉を未然に防止して
確実に記録情報を再生するようになされている。さらに
偏光ビームスプリツタ３２を用いて射出光ビームＬＡ１
及び反射光ビームＬＡ２を収束光束中で分離したことに
より、焦光レンズ１８及び２０（図７）を省略し得、そ
の分全体構成を簡略化、小型化することができる。
【００２５】以上の構成によれば、偏光ビームスプリツ
タ３２を用いて射出光ビームＬＡ１及び反射光ビームＬ
Ａ２を収束光束中で分離すると共に、ミラー３６を傾け
て配置することにより、バイアス光及び反射光ビームの
干渉を回避して、確実に記録情報を再生することができ
る。しかし、バイアス光を得るために主光束の光路以外
に、ミラー３６、リレーレンズ３４を設ける必要がある
ので、小型化が不十分な問題がある。
タ３２を用いて射出光ビームＬＡ１及び反射光ビームＬ
Ａ２を収束光束中で分離すると共に、ミラー３６を傾け
て配置することにより、バイアス光及び反射光ビームの
干渉を回避して、確実に記録情報を再生することができ
る。しかし、バイアス光を得るために主光束の光路以外
に、ミラー３６、リレーレンズ３４を設ける必要がある
ので、小型化が不十分な問題がある。
【００２６】（２）実施例の構成 図５において５０は全体として本発明の実施例により光
磁気ヘツドを示し、この実施例の場合、リレーレンズ４
及び対物レンズ８間に1/2 波長板５２を介挿し、当該1/
2 波長板５２でバイアス光を生成する。
磁気ヘツドを示し、この実施例の場合、リレーレンズ４
及び対物レンズ８間に1/2 波長板５２を介挿し、当該1/
2 波長板５２でバイアス光を生成する。
【００２７】すなわち図６に示すように、1/2 波長板５
２においては、1/4 波長板５４及び５８を積層して形成
され、この実施例においては、1/4 波長板５４及び５８
間に所定反射率の反射層５６を配置するようになされて
いる。これにより光磁気ヘツド５０においては、偏光ビ
ームスプリツタ３２の透過光（すなわち射出光ビームで
なる）ＬＡ１について、その一部を反射してバイアス光
を生成するようになされている。
２においては、1/4 波長板５４及び５８を積層して形成
され、この実施例においては、1/4 波長板５４及び５８
間に所定反射率の反射層５６を配置するようになされて
いる。これにより光磁気ヘツド５０においては、偏光ビ
ームスプリツタ３２の透過光（すなわち射出光ビームで
なる）ＬＡ１について、その一部を反射してバイアス光
を生成するようになされている。
【００２８】すなわち射出光ビームＬＡ１においては、
Ｐ波で1/4 波長板５４に入射し、当該1/4 波長板５４で
円偏光に変換される。この円偏光の状態で射出光ビーム
ＬＡ１は、反射層５６で一部（入射光の２〜５％でな
る）が反射され、1/4 波長板５４でＳ波に変換される。
Ｐ波で1/4 波長板５４に入射し、当該1/4 波長板５４で
円偏光に変換される。この円偏光の状態で射出光ビーム
ＬＡ１は、反射層５６で一部（入射光の２〜５％でな
る）が反射され、1/4 波長板５４でＳ波に変換される。
【００２９】これにより当該Ｓ波の反射光ビームは、偏
光ビームスプリツタ３２で反射され、マイクロプリズム
デイテクタ３８に導かれ、これによりバイアス光ＬＲ１
として受光素子４０，４２に照射される。
光ビームスプリツタ３２で反射され、マイクロプリズム
デイテクタ３８に導かれ、これによりバイアス光ＬＲ１
として受光素子４０，４２に照射される。
【００３０】これに対して反射層５６の透過光は、1/4
波長板５８で直線偏光の光ビームに変換された後、光磁
気デイスク１０で反射され、再び1/4 波長板５８、反射
層５６、1/4 波長板５８を順次介して偏光ビームスプリ
ツタ３２に導かれる。ここで、光磁気デイスク１０で反
射された反射光に含まれる光磁気信号成分すなわち反射
光ビームＬＡ２は、Ｓ波て偏光ビームスプリツタ３２に
導かれ、ここで反射されてマイクロプリズムデイテクタ
３８に導かれる。
波長板５８で直線偏光の光ビームに変換された後、光磁
気デイスク１０で反射され、再び1/4 波長板５８、反射
層５６、1/4 波長板５８を順次介して偏光ビームスプリ
ツタ３２に導かれる。ここで、光磁気デイスク１０で反
射された反射光に含まれる光磁気信号成分すなわち反射
光ビームＬＡ２は、Ｓ波て偏光ビームスプリツタ３２に
導かれ、ここで反射されてマイクロプリズムデイテクタ
３８に導かれる。
【００３１】これにより受光素子４０、４２において
は、バイアス光ＬＲ１を受光した状態で反射光ビームＬ
Ａ２を受光することにより、出力信号の雑音を低減して
確実に記録情報を再生することができる。さらにこのと
き1/2 波長板５２でバイアス光ＬＲ１を生成することに
より、出射光ビームＬＡ１の光路上でバイアス光ＬＲ１
を生成し得、その分リレーレンズ３６（図１）を省略し
て全体構成を小型化簡略化することができる。
は、バイアス光ＬＲ１を受光した状態で反射光ビームＬ
Ａ２を受光することにより、出力信号の雑音を低減して
確実に記録情報を再生することができる。さらにこのと
き1/2 波長板５２でバイアス光ＬＲ１を生成することに
より、出射光ビームＬＡ１の光路上でバイアス光ＬＲ１
を生成し得、その分リレーレンズ３６（図１）を省略し
て全体構成を小型化簡略化することができる。
【００３２】このとき偏光ビームスプリツタ３２におい
て、射出光ビームＬＡ１をほぼ100％透過し、反射光ビ
ームＬＡ２及びバイアス光ＬＲ１をほぼ100 ％反射し得
ることにより、半導体レーザ２の射出光を効率良く利用
することができる。
て、射出光ビームＬＡ１をほぼ100％透過し、反射光ビ
ームＬＡ２及びバイアス光ＬＲ１をほぼ100 ％反射し得
ることにより、半導体レーザ２の射出光を効率良く利用
することができる。
【００３３】さらにこの実施例において1/2 波長板５２
は所定角度θだけ傾いて配置され、これにより射出光ビ
ームＬＡ１に対してバイアス光ＬＲ１の射出方向を角度
２θだけ傾けるようになされている。従つてバイアス光
ＬＲ２は、反射光ビームＬＡ２に対して角度２θだけ傾
いて偏光ビームスプリツタ３２に射出され、これにより
バイアス光ＬＲ２及び反射光ビームＬＡ２の干渉を有効
に回避することができる。
は所定角度θだけ傾いて配置され、これにより射出光ビ
ームＬＡ１に対してバイアス光ＬＲ１の射出方向を角度
２θだけ傾けるようになされている。従つてバイアス光
ＬＲ２は、反射光ビームＬＡ２に対して角度２θだけ傾
いて偏光ビームスプリツタ３２に射出され、これにより
バイアス光ＬＲ２及び反射光ビームＬＡ２の干渉を有効
に回避することができる。
【００３４】図５の構成によれば、偏光ビームスプリツ
タを用いて射出光ビームＬＡ１及び反射光ビームＬＡ２
を分離することにより、収束光束中で射出光ビームＬＡ
１及び反射光ビームＬＡ２を分離することができる。こ
のとき1/2 波長板でバイアス光を生成することにより、
射出光ビームＬＡ１の光路上でバイアス光を生成し得、
当該バイアス光を反射光ビームＬＡ２と共に受光素子に
導くことができ、これにより小型簡易な構成の光磁気ヘ
ツドを得ることができる。また必要に応じて1/2 波長板
を傾けるだけで、バイアス光及び反射光の干渉を防止し
得、その分確実に記録情報を再生することができる。
タを用いて射出光ビームＬＡ１及び反射光ビームＬＡ２
を分離することにより、収束光束中で射出光ビームＬＡ
１及び反射光ビームＬＡ２を分離することができる。こ
のとき1/2 波長板でバイアス光を生成することにより、
射出光ビームＬＡ１の光路上でバイアス光を生成し得、
当該バイアス光を反射光ビームＬＡ２と共に受光素子に
導くことができ、これにより小型簡易な構成の光磁気ヘ
ツドを得ることができる。また必要に応じて1/2 波長板
を傾けるだけで、バイアス光及び反射光の干渉を防止し
得、その分確実に記録情報を再生することができる。
【００３５】（３）他の実施例 なお上述の実施例においては、マイクロプリズムデイテ
クタを用いて記録情報を再生すると共に、フオーカスエ
ラー信号を生成する場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、半導体レーザ２の光量制御用の基準信号
（いわゆるＡＰＣ制御の基準信号でなる）を生成するよ
うにしてもよい。すなわち受光素子４０、４２の出力信
号から低域成分を分離抽出するだけで簡易に基準信号を
生成することができ、この場合記録情報の再生に使用す
るＰ波成分の一部を分離して基準信号として用いること
により、簡易かつ確実に半導体レーザ２の光量を制御す
ることができる。
クタを用いて記録情報を再生すると共に、フオーカスエ
ラー信号を生成する場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、半導体レーザ２の光量制御用の基準信号
（いわゆるＡＰＣ制御の基準信号でなる）を生成するよ
うにしてもよい。すなわち受光素子４０、４２の出力信
号から低域成分を分離抽出するだけで簡易に基準信号を
生成することができ、この場合記録情報の再生に使用す
るＰ波成分の一部を分離して基準信号として用いること
により、簡易かつ確実に半導体レーザ２の光量を制御す
ることができる。
【００３６】さらに上述の実施例においては、反射光ビ
ーム及びバイアス光の干渉を防止するため1/2 波長板を
傾ける場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
実用上十分なＳＮ比で再生出力を得ることができる場
合、傾きを０度にしてもよい。
ーム及びバイアス光の干渉を防止するため1/2 波長板を
傾ける場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
実用上十分なＳＮ比で再生出力を得ることができる場
合、傾きを０度にしてもよい。
【００３７】さらに上述の実施例においては、マイクロ
プリズムデイテクタと組み合わせて記録情報を再生する
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、必要に
応じて種々の受光系と組み合わせて光磁気ヘツドを構成
する場合に広く適用することができる。
プリズムデイテクタと組み合わせて記録情報を再生する
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、必要に
応じて種々の受光系と組み合わせて光磁気ヘツドを構成
する場合に広く適用することができる。
【００３８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、偏光ビー
ムスプリツタを収束光束中に配置すると共に、当該偏光
ビームスプリツタ及び対物光学系間に1/2 波長板を配置
し、このとき当該1/2 波長板を、1/4 波長板、所定反射
率の反射膜、1/4 波長板を順次積層して形成することに
より、収束光束中で射出光ビーム及び光磁気信号成分を
分離し得ると共に、射出光ビームの光路上でバイアス光
を生成し得、その分簡易な構成で小型な光磁気ヘツド及
びこれを用いた光磁気デイスク装置を得ることができ
る。
ムスプリツタを収束光束中に配置すると共に、当該偏光
ビームスプリツタ及び対物光学系間に1/2 波長板を配置
し、このとき当該1/2 波長板を、1/4 波長板、所定反射
率の反射膜、1/4 波長板を順次積層して形成することに
より、収束光束中で射出光ビーム及び光磁気信号成分を
分離し得ると共に、射出光ビームの光路上でバイアス光
を生成し得、その分簡易な構成で小型な光磁気ヘツド及
びこれを用いた光磁気デイスク装置を得ることができ
る。
【図１】本発明の一実施例による光磁気ヘツドを示す略
線図である。
線図である。
【図２】マイクロプリズムデイテクタを示す斜視図であ
る。
る。
【図３】受光素子を示す正面図である。
【図４】受光部の全体を示す略線図である。
【図５】第２の実施例による光磁気ヘツドを示す略線図
である。
である。
【図６】1/2 波長板の動作の説明に供する略線図であ
る。
る。
【図７】従来の光磁気ヘツドを示す略線図である。
１、３０、５０……光磁気ヘツド、２……半導体レー
ザ、３２……偏光ビームスプリツタ、３８……マイクロ
プリズムデイテクタ、５２……1/2 波長板。
ザ、３２……偏光ビームスプリツタ、３８……マイクロ
プリズムデイテクタ、５２……1/2 波長板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105 551
Claims (3)
- 【請求項１】所定偏波面の光ビームを射出する光源と、 上記光ビームを透過すると共に、上記光ビームを偏波面
の直交する光ビームを反射する偏光ビームスプリツタ
と、 上記偏光ビームスプリツタを透過した上記光ビームを透
過する1/2 波長板と、 上記1/2 波長板を透過した上記光ビームを光磁気デイス
クに照射すると共に、 上記光磁気デイスクからの反射光を上記1/2 波長板に射
出することにより、上記反射光に含まれる光磁気信号成
分を上記偏光ビームスプリツタで反射させる対物光学系
と、 上記偏光ビームスプリツタで反射した上記光磁気信号成
分を受光する受光系とを具え、 上記1/2 波長板は、1/4 波長板と、所定反射率の反射膜
と、1/4 波長板とを順次積層して形成され、上記反射膜
で反射した上記光ビームを上記偏光ビームスプリツタで
反射させてバイアス光として上記受光系に導くことを特
徴とする光磁気ヘツド。 - 【請求項２】上記偏光ビームスプリツタを透過する上記
光ビームを、発散光に保持したことを特徴とする請求項
１に記載の光磁気ヘツド。 - 【請求項３】所定偏波面の光ビームを射出する光源と、 上記光ビームを透過すると共に、上記光ビームと偏波面
の直交する光ビームを反射する偏光ビームスプリツタ
と、 上記偏光ビームスプリツタを透過した上記光ビームを透
過する1/2 波長板と、 上記1/2 波長板を透過した上記光ビームを光磁気デイス
クに照射すると共に、上記光磁気デイスクからの反射光
を上記1/2 波長板に射出することにより、上記反射光に
含まれる光磁気信号成分を上記偏光ビームスプリツタで
反射させる対物光学系と、 上記偏光ビームスプリツタで反射した上記光磁気信号成
分を受光する受光系とを具え、 上記1/2 波長板は、1/4 波長板と、所定反射率の反射膜
と、1/4 波長板とを順次積層して形成され、上記反射膜
で反射した上記光ビームを上記偏光ビームスプリツタで
反射させてバイアス光として上記受光系に導くことを特
徴とする光磁気デイスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35168691A JP3319611B2 (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 光磁気ヘツド及び光磁気デイスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35168691A JP3319611B2 (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 光磁気ヘツド及び光磁気デイスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166239A JPH05166239A (ja) | 1993-07-02 |
| JP3319611B2 true JP3319611B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=18418938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35168691A Expired - Fee Related JP3319611B2 (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 光磁気ヘツド及び光磁気デイスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3319611B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3541893B2 (ja) * | 1993-08-06 | 2004-07-14 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体再生装置 |
-
1991
- 1991-12-11 JP JP35168691A patent/JP3319611B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05166239A (ja) | 1993-07-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |