JP3350946B2 - 光ディスク装置 - Google Patents
光ディスク装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光磁気ディスクの再
生系に適用して好適な光ディスク装置に関する。
生系に適用して好適な光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、差動検出法を用いた光磁気ディ
スク装置の構成を示している。
スク装置の構成を示している。
【０００３】同図において、１は半導体レーザであり、
この半導体レーザ１からの光（例えばｐ偏光）はコリメ
ーターレンズ２、ビームスプリッタ３および対物レンズ
４を透過して光磁気ディスクＤの記録面に照射される。
この半導体レーザ１からの光（例えばｐ偏光）はコリメ
ーターレンズ２、ビームスプリッタ３および対物レンズ
４を透過して光磁気ディスクＤの記録面に照射される。
【０００４】ディスクＤの記録面からの反射光は、従来
周知のように記録情報に応じて偏光面が回転した直線偏
光となる。この光は、対物レンズ４を透過してビームス
プリッタ３に入射される。そして、このビームスプリッ
タ３で反射された光は、１／２波長板５で４５°だけ偏
光面が回転されたのち、収束レンズ６、シリンドリカル
レンズ７を透過して偏光ビームスプリッタ８に入射され
る。
周知のように記録情報に応じて偏光面が回転した直線偏
光となる。この光は、対物レンズ４を透過してビームス
プリッタ３に入射される。そして、このビームスプリッ
タ３で反射された光は、１／２波長板５で４５°だけ偏
光面が回転されたのち、収束レンズ６、シリンドリカル
レンズ７を透過して偏光ビームスプリッタ８に入射され
る。
【０００５】この偏光ビームスプリッタ８を透過する光
（ｐ偏光）は光検出器９ａに入射される。偏光ビームス
プリッタ８で反射される光（ｓ偏光）は光検出器９ｂに
入射される。図示せずも、光検出器９ａ，９ｂの検出信
号の差動がとられて光磁気信号（ＭＯ信号）が形成され
る。
（ｐ偏光）は光検出器９ａに入射される。偏光ビームス
プリッタ８で反射される光（ｓ偏光）は光検出器９ｂに
入射される。図示せずも、光検出器９ａ，９ｂの検出信
号の差動がとられて光磁気信号（ＭＯ信号）が形成され
る。
【０００６】上述せずも、光検出器９ａはフォトダイオ
ードアレイで構成され、各フォトダイオードの検出信号
が処理されて、例えば非点収差法によるフォーカスエラ
ー信号やプッシュプル法によるトラッキングエラー信号
が形成される。
ードアレイで構成され、各フォトダイオードの検出信号
が処理されて、例えば非点収差法によるフォーカスエラ
ー信号やプッシュプル法によるトラッキングエラー信号
が形成される。
【０００７】図４の例においては、半導体レーザ１とコ
リメーターレンズ２との間の空間が無駄となっている。
小型化のためには、この空間を利用することが必要であ
る。
リメーターレンズ２との間の空間が無駄となっている。
小型化のためには、この空間を利用することが必要であ
る。
【０００８】そこで従来、図５に示すように、半導体レ
ーザ１とコリメーターレンズ２との間の空間にビームス
プリッタ３を配することが提案されている。図５におい
て、図４と対応する部分には同一符号を付して示してい
る。
ーザ１とコリメーターレンズ２との間の空間にビームス
プリッタ３を配することが提案されている。図５におい
て、図４と対応する部分には同一符号を付して示してい
る。
【０００９】同図において、半導体レーザ１からの光
（例えばｐ偏光）はビームスプリッタ３、コリメーター
レンズ２および対物レンズ４を透過して光磁気ディスク
Ｄの記録面に照射される。
（例えばｐ偏光）はビームスプリッタ３、コリメーター
レンズ２および対物レンズ４を透過して光磁気ディスク
Ｄの記録面に照射される。
【００１０】ディスクＤの記録面からの反射光は、対物
レンズ４およびコリメーターレンズ２を透過してビーム
スプリッタ３に入射される。そして、このビームスプリ
ッタ３で反射された光は、１／２波長板５で４５°だけ
偏光面が回転されたのち、シリンドリカルレンズ７を透
過して偏光ビームスプリッタ８に入射される。
レンズ４およびコリメーターレンズ２を透過してビーム
スプリッタ３に入射される。そして、このビームスプリ
ッタ３で反射された光は、１／２波長板５で４５°だけ
偏光面が回転されたのち、シリンドリカルレンズ７を透
過して偏光ビームスプリッタ８に入射される。
【００１１】偏光ビームスプリッタ８を透過する光（ｐ
偏光）は光検出器９ａに入射される。偏光ビームスプリ
ッタ８で反射される光（ｓ偏光）は光検出器９ｂに入射
される。そして、図４の例と同様にして、光検出器９
ａ，９ｂの検出信号より光磁気信号やエラー信号が形成
される。
偏光）は光検出器９ａに入射される。偏光ビームスプリ
ッタ８で反射される光（ｓ偏光）は光検出器９ｂに入射
される。そして、図４の例と同様にして、光検出器９
ａ，９ｂの検出信号より光磁気信号やエラー信号が形成
される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図５の例では、半導体
レーザ１とコリメーターレンズ２との間にビームスプリ
ッタ３を配するので、空間を有効に利用できると共に、
収束レンズ６（図４参照）が不要となるので、図４の例
に比して小型かつ安価とできる。
レーザ１とコリメーターレンズ２との間にビームスプリ
ッタ３を配するので、空間を有効に利用できると共に、
収束レンズ６（図４参照）が不要となるので、図４の例
に比して小型かつ安価とできる。
【００１３】しかし、図５の例では、ビームスプリッタ
３が収束光中に配置されるため、光線各々の入射角が異
なり、これによりｐ偏光とｓ偏光の位相差が大きくな
り、光磁気信号（ＭＯ信号）の品質が悪くなる。
３が収束光中に配置されるため、光線各々の入射角が異
なり、これによりｐ偏光とｓ偏光の位相差が大きくな
り、光磁気信号（ＭＯ信号）の品質が悪くなる。
【００１４】位相差を小さくするためには、ビームスプ
リッタ３におけるｐ偏光の透過率Ｔｐを小さくすればよ
いが、カップリング効率（ビーム利用率）が低下する。
また、位相差を小さくするためには、ビームスプリッタ
３におけるｓ偏光の反射率Ｒｓも小さくすればよいが、
光磁気信号の品質が悪くなる。
リッタ３におけるｐ偏光の透過率Ｔｐを小さくすればよ
いが、カップリング効率（ビーム利用率）が低下する。
また、位相差を小さくするためには、ビームスプリッタ
３におけるｓ偏光の反射率Ｒｓも小さくすればよいが、
光磁気信号の品質が悪くなる。
【００１５】例えば、図４の例においてＴｐ＝８５％、
Ｒｓ＝１００％とされるとき、図５の例においては、ｐ
偏光とｓ偏光の位相差を小さくするため、Ｔｐ＝６０
％、Ｒｓ＝７０％とされる。
Ｒｓ＝１００％とされるとき、図５の例においては、ｐ
偏光とｓ偏光の位相差を小さくするため、Ｔｐ＝６０
％、Ｒｓ＝７０％とされる。
【００１６】そこで、この発明では、ビームスプリッタ
を収束光中に配置しても、カップリング効率の低下等を
招くことなく、ｐ偏光とｓ偏光に位相差が生じないよう
にするものである。
を収束光中に配置しても、カップリング効率の低下等を
招くことなく、ｐ偏光とｓ偏光に位相差が生じないよう
にするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】この発明は、光を出射す
る光源と、この光源から出射された発散状態の光を透過
するビームスプリッタと、このビームスプリッタを透過
した光を平行光に変換するコリメータレンズと、このコ
リメータレンズからの光を光ディスクに向けて集光照射
する対物レンズと、光ディスクによって反射され、対物
レンズ、コリメータレンズを介して収束状態とされ、ビ
ームスプリッタの膜によって反射された反射光を反射す
る反射手段と、この反射手段によって反射された光から
信号検出を行う検出手段とを備え、反射手段はビームス
プリッタの膜と略同じ特性の反射膜を有し、ビームスプ
リッタに入射する光ディスクからの反射光の光軸とビー
ムスプリッタの膜に垂直な線との角度をθ、光軸に対す
る反射光の任意の光線の傾き角をαとしたとき、ビーム
スプリッタの膜にθ＋αの角度で入射されて反射された
上記反射光の任意の光線が反射手段の反射膜にθ−αの
角度で入射されるように、反射手段を配置するものであ
る。
る光源と、この光源から出射された発散状態の光を透過
するビームスプリッタと、このビームスプリッタを透過
した光を平行光に変換するコリメータレンズと、このコ
リメータレンズからの光を光ディスクに向けて集光照射
する対物レンズと、光ディスクによって反射され、対物
レンズ、コリメータレンズを介して収束状態とされ、ビ
ームスプリッタの膜によって反射された反射光を反射す
る反射手段と、この反射手段によって反射された光から
信号検出を行う検出手段とを備え、反射手段はビームス
プリッタの膜と略同じ特性の反射膜を有し、ビームスプ
リッタに入射する光ディスクからの反射光の光軸とビー
ムスプリッタの膜に垂直な線との角度をθ、光軸に対す
る反射光の任意の光線の傾き角をαとしたとき、ビーム
スプリッタの膜にθ＋αの角度で入射されて反射された
上記反射光の任意の光線が反射手段の反射膜にθ−αの
角度で入射されるように、反射手段を配置するものであ
る。
【００１８】
【００１９】
【作用】上述構成においては、ビームスプリッタ３およ
び反射手段１０は収束光中に配置され、ビームスプリッ
タ３でｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じると共に、反射手
段１０でも同様にｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じる。し
かし、ビームスプリッタ３の膜にθ＋αの角度で入射さ
れて反射された反射光の任意の光線は、反射手段１０の
反射膜にθ−αの角度で入射される。そのため、ビーム
スプリッタ３と反射手段１０のそれぞれにおけるｐ偏光
とｓ偏光の位相の進み遅れが逆の関係となり、結果的に
ｐ偏光とｓ偏光の位相差は相殺される。
び反射手段１０は収束光中に配置され、ビームスプリッ
タ３でｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じると共に、反射手
段１０でも同様にｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じる。し
かし、ビームスプリッタ３の膜にθ＋αの角度で入射さ
れて反射された反射光の任意の光線は、反射手段１０の
反射膜にθ−αの角度で入射される。そのため、ビーム
スプリッタ３と反射手段１０のそれぞれにおけるｐ偏光
とｓ偏光の位相の進み遅れが逆の関係となり、結果的に
ｐ偏光とｓ偏光の位相差は相殺される。
【００２０】
【００２１】
【実施例】以下、図１を参照しながら、この発明の一実
施例について説明する。図１において、図５と対応する
部分には同一符号を付して示している。
施例について説明する。図１において、図５と対応する
部分には同一符号を付して示している。
【００２２】同図において、半導体レーザ１からの光
（例えばｐ偏光）はビームスプリッタ３、コリメーター
レンズ２および対物レンズ４を透過して光磁気ディスク
Ｄの記録面に照射される。
（例えばｐ偏光）はビームスプリッタ３、コリメーター
レンズ２および対物レンズ４を透過して光磁気ディスク
Ｄの記録面に照射される。
【００２３】ディスクＤの記録面からの反射光は、対物
レンズ４およびコリメーターレンズ２を透過してビーム
スプリッタ３に入射される。ビームスプリッタ３の膜３
ａは光軸に対して４５°の傾斜をもって配置される。ビ
ームスプリッタ３で反射される光は、ビームスプリッタ
３と略同じ特性の膜１０ａを有するビームスプリッタ１
０に入射される。この場合、ビームスプリッタ１０は、
その膜１０ａが上述したビームスプリッタ３の膜３ａと
直交するように配置される。これによって、ビームスプ
リッタ１０の膜１０ａも、光軸に対して４５°の傾斜を
もって配置されることになる。
レンズ４およびコリメーターレンズ２を透過してビーム
スプリッタ３に入射される。ビームスプリッタ３の膜３
ａは光軸に対して４５°の傾斜をもって配置される。ビ
ームスプリッタ３で反射される光は、ビームスプリッタ
３と略同じ特性の膜１０ａを有するビームスプリッタ１
０に入射される。この場合、ビームスプリッタ１０は、
その膜１０ａが上述したビームスプリッタ３の膜３ａと
直交するように配置される。これによって、ビームスプ
リッタ１０の膜１０ａも、光軸に対して４５°の傾斜を
もって配置されることになる。
【００２４】ビームスプリッタ１０で反射される光は１
／２波長板５で４５°だけ偏光面が回転されたのち、シ
リンドリカルレンズ７を透過して偏光ビームスプリッタ
８に入射される。
／２波長板５で４５°だけ偏光面が回転されたのち、シ
リンドリカルレンズ７を透過して偏光ビームスプリッタ
８に入射される。
【００２５】偏光ビームスプリッタ８を透過する光（ｐ
偏光）は光検出器９ａに入射される。偏光ビームスプリ
ッタ８で反射される光（ｓ偏光）は光検出器９ｂに入射
される。そして、図５の例と同様にして、光検出器９
ａ，９ｂの検出信号より光磁気信号やエラー信号が形成
される。
偏光）は光検出器９ａに入射される。偏光ビームスプリ
ッタ８で反射される光（ｓ偏光）は光検出器９ｂに入射
される。そして、図５の例と同様にして、光検出器９
ａ，９ｂの検出信号より光磁気信号やエラー信号が形成
される。
【００２６】以上の構成において、ビームスプリッタ３
および１０は収束光中に配置されるため、ビームスプリ
ッタ３および１０の双方でｐ偏光とｓ偏光に位相差を生
じる。この場合、図２に示すように、任意の光線Ｌのビ
ームスプリッタ３への入射角は４５°＋α（αは正負の
値をとる）となると共に、その光線Ｌのビームスプリッ
タ１０への入射角は４５°−αとなる。ここで、４５゜
はビームスプリッタ３に入射する光磁気ディスクからの
反射光の光軸とビームスプリッタ３の膜３ａに垂直な線
との角度θであり、αは上述した反射光の光軸に対する
反射光の任意の光線Ｌの傾き角である。
および１０は収束光中に配置されるため、ビームスプリ
ッタ３および１０の双方でｐ偏光とｓ偏光に位相差を生
じる。この場合、図２に示すように、任意の光線Ｌのビ
ームスプリッタ３への入射角は４５°＋α（αは正負の
値をとる）となると共に、その光線Ｌのビームスプリッ
タ１０への入射角は４５°−αとなる。ここで、４５゜
はビームスプリッタ３に入射する光磁気ディスクからの
反射光の光軸とビームスプリッタ３の膜３ａに垂直な線
との角度θであり、αは上述した反射光の光軸に対する
反射光の任意の光線Ｌの傾き角である。
【００２７】そのため、ビームスプリッタ３と１０のそ
れぞれにおけるｐ偏光とｓ偏光の位相差は大きさが同じ
で正負の符号が逆となり、結果的にｐ偏光とｓ偏光の位
相差は相殺される。つまり、ビームスプリッタ１０より
出射される光はｐ偏光とｓ偏光に位相差がないものとな
る。
れぞれにおけるｐ偏光とｓ偏光の位相差は大きさが同じ
で正負の符号が逆となり、結果的にｐ偏光とｓ偏光の位
相差は相殺される。つまり、ビームスプリッタ１０より
出射される光はｐ偏光とｓ偏光に位相差がないものとな
る。
【００２８】このように本例によれば、ビームスプリッ
タ３を収束光中に配置しても結果的にｐ偏光とｓ偏光に
位相差が生じることがなく、光磁気信号の品質を悪化さ
せることなく、小型かつ安価に構成することができる。
タ３を収束光中に配置しても結果的にｐ偏光とｓ偏光に
位相差が生じることがなく、光磁気信号の品質を悪化さ
せることなく、小型かつ安価に構成することができる。
【００２９】また、ｐ偏光の透過率Ｔｐやｓ偏光の反射
率Ｒｓを低下させてｐ偏光とｓ偏光の位相差を小さくす
るものでなく、カップリング効率の低下や、光磁気信号
の品質の悪化を招くこともない。
率Ｒｓを低下させてｐ偏光とｓ偏光の位相差を小さくす
るものでなく、カップリング効率の低下や、光磁気信号
の品質の悪化を招くこともない。
【００３０】なお、上述実施例においては、光線Ｌのビ
ームスプリッタ３への入射角を４５°＋αとし、その光
線Ｌのビームスプリッタ１０への入射角を４５°−αと
したものであるが、それぞれにおいて「４５°」は他の
任意の角度に設定することができる。図３は、光線Ｌの
ビームスプリッタ３への入射角を６０°＋αとし、その
光線Ｌのビームスプリッタ１０への入射角を６０°−α
とした例を示している。
ームスプリッタ３への入射角を４５°＋αとし、その光
線Ｌのビームスプリッタ１０への入射角を４５°−αと
したものであるが、それぞれにおいて「４５°」は他の
任意の角度に設定することができる。図３は、光線Ｌの
ビームスプリッタ３への入射角を６０°＋αとし、その
光線Ｌのビームスプリッタ１０への入射角を６０°−α
とした例を示している。
【００３１】また、上述実施例においては、反射手段と
してビームスプリッタ１０を使用したものであるが、そ
の他の反射手段を使用してもよい。ただし、ビームスプ
リッタ３の膜と略同じ特性の反射膜を持つことが必要で
ある。
してビームスプリッタ１０を使用したものであるが、そ
の他の反射手段を使用してもよい。ただし、ビームスプ
リッタ３の膜と略同じ特性の反射膜を持つことが必要で
ある。
【００３２】また、上述実施例においては、ビームスプ
リッタ３，１０を別体としているが、一体に形成しても
よい。
リッタ３，１０を別体としているが、一体に形成しても
よい。
【００３３】さらに、上述実施例の１／２波長板５以降
の構成は、従来周知の他の構成であってもよい。例え
ば、特開昭６４−３３７３４号公報に示されるようなマ
イクロプリズムディテクタ（ＭＰＤ）を用いて構成する
こともできる。
の構成は、従来周知の他の構成であってもよい。例え
ば、特開昭６４−３３７３４号公報に示されるようなマ
イクロプリズムディテクタ（ＭＰＤ）を用いて構成する
こともできる。
【００３４】
【発明の効果】この発明によれば、ビームスプリッタお
よび反射手段は収束光中に配置され、ビームスプリッタ
でｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じると共に、反射手段で
も同様にｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じるため、ビーム
スプリッタと反射手段におけるｐ偏光とｓ偏光の位相差
が逆の関係となるように配置することで、ｐ偏光とｓ偏
光の位相差を相殺することができる。特に、ディスク面
からの反射光をビームスプリッタの膜にθ＋αの角度で
入射させると共に、ビームスプリッタからの反射光を反
射手段の反射膜にθ−αの角度で入射させることで、位
相差を略完全に相殺できる。
よび反射手段は収束光中に配置され、ビームスプリッタ
でｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じると共に、反射手段で
も同様にｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じるため、ビーム
スプリッタと反射手段におけるｐ偏光とｓ偏光の位相差
が逆の関係となるように配置することで、ｐ偏光とｓ偏
光の位相差を相殺することができる。特に、ディスク面
からの反射光をビームスプリッタの膜にθ＋αの角度で
入射させると共に、ビームスプリッタからの反射光を反
射手段の反射膜にθ−αの角度で入射させることで、位
相差を略完全に相殺できる。
【００３５】したがって、ビームスプリッタを収束光中
に配置してもｐ偏光とｓ偏光に位相差が生じることがな
く、光磁気信号の品質を悪化させることなく、小型かつ
安価に構成することができる。また、ｐ偏光の透過率Ｔ
ｐやｓ偏光の反射率Ｒｓを低下させてｐ偏光とｓ偏光の
位相差を小さくするものでなく、カップリング効率の低
下や、光磁気信号の品質の悪化を招くこともない。
に配置してもｐ偏光とｓ偏光に位相差が生じることがな
く、光磁気信号の品質を悪化させることなく、小型かつ
安価に構成することができる。また、ｐ偏光の透過率Ｔ
ｐやｓ偏光の反射率Ｒｓを低下させてｐ偏光とｓ偏光の
位相差を小さくするものでなく、カップリング効率の低
下や、光磁気信号の品質の悪化を招くこともない。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の構成を示す図である。
【図２】実施例の各ビームスプリッタへの光線の入射角
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３】光線の入射角の他の例を示す図である。
【図４】従来の光磁気ディスク装置の構成を示す図であ
る。
る。
【図５】従来の光磁気ディスク装置の構成を示す図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ 半導体レーザ ２ コリメーターレンズ ３，１０ ビームスプリッタ ４ 対物レンズ ５ １／２波長板 ６ 収束レンズ ７ シリンドリカルレンズ ８ 偏光ビームスプリッタ ９ａ，９ｂ 光検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−64917（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−146446（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−12620（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−27057（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105 551 G11B 7/135
Claims (1)
- 【請求項１】 光を出射する光源と、 上記光源から出射された発散状態の光を透過するビーム
スプリッタと、 上記ビームスプリッタを透過した光を平行光に変換する
コリメータレンズと、 上記コリメータレンズからの光を光ディスクに向けて集
光照射する対物レンズと、 上記光ディスクによって反射され、上記対物レンズ、上
記コリメータレンズを介して収束状態とされ、上記ビー
ムスプリッタの膜によって反射された反射光を反射する
反射手段と、 上記反射手段によって反射された光から信号検出を行う
検出手段とを備え、 上記反射手段は、上記ビームスプリッタの膜と略同じ特
性の反射膜を有し、 上記ビームスプリッタに入射する上記光ディスクからの
反射光の光軸と上記ビームスプリッタの膜に垂直な線と
の角度をθ、上記光軸に対する上記反射光の任意の光線
の傾き角をαとしたとき、上記ビームスプリッタの膜に
θ＋αの角度で入射されて反射された上記反射光の任意
の光線が上記反射手段の反射膜にθ−αの角度で入射さ
れるように、上記反射手段を配置することを特徴とする
光ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03960692A JP3350946B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 光ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03960692A JP3350946B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 光ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234173A JPH05234173A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3350946B2 true JP3350946B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=12557778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03960692A Expired - Fee Related JP3350946B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 光ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3350946B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08212612A (ja) | 1994-11-17 | 1996-08-20 | Canon Inc | 光学的情報記録再生装置及び該装置用光ヘッド |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP03960692A patent/JP3350946B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05234173A (ja) | 1993-09-10 |
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