JPH05234173A - 光ディスク装置 - Google Patents
光ディスク装置Info
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- JPH05234173A JPH05234173A JP4039606A JP3960692A JPH05234173A JP H05234173 A JPH05234173 A JP H05234173A JP 4039606 A JP4039606 A JP 4039606A JP 3960692 A JP3960692 A JP 3960692A JP H05234173 A JPH05234173 A JP H05234173A
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- Japan
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- beam splitter
- polarization
- light
- phase difference
- polarized light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】収束光中にビームスプリッタ（ＢＳ）を配置し
ても、ｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じないようにする。 【構成】レーザ１からの光をＢＳ３→コリメーターレン
ズ２→対物レンズ４を介してディスクＤの記録面に照射
する。その反射光を対物レンズ４→レンズ２→ＢＳ３→
ＢＳ１０を介して信号検出系に供給する。ＢＳ３，１０
は、略同じ特性の膜３ａ，１０ａを持つ。膜３ａ，１０
ａが直交するように配置する。ＢＳ３，１０は収束光中
にあり、各光線の入射角は４５°＋α，４５°−αとな
り、それぞれではｐ，ｓ偏光に逆の位相差を生じ、位相
差は相殺される。ＢＳ３を収束光中に配置してもｐ，ｓ
偏光に位相差が生ぜず、光磁気信号の品質を悪化させず
に、小型化が可能となる。ｐ偏光の透過率Ｔｐやｓ偏光
の反射率Ｒｓを低下させて位相差を小さくするものでな
く、カップリング効率の低下や、光磁気信号の品質の悪
化を招くこともない。
ても、ｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じないようにする。 【構成】レーザ１からの光をＢＳ３→コリメーターレン
ズ２→対物レンズ４を介してディスクＤの記録面に照射
する。その反射光を対物レンズ４→レンズ２→ＢＳ３→
ＢＳ１０を介して信号検出系に供給する。ＢＳ３，１０
は、略同じ特性の膜３ａ，１０ａを持つ。膜３ａ，１０
ａが直交するように配置する。ＢＳ３，１０は収束光中
にあり、各光線の入射角は４５°＋α，４５°−αとな
り、それぞれではｐ，ｓ偏光に逆の位相差を生じ、位相
差は相殺される。ＢＳ３を収束光中に配置してもｐ，ｓ
偏光に位相差が生ぜず、光磁気信号の品質を悪化させず
に、小型化が可能となる。ｐ偏光の透過率Ｔｐやｓ偏光
の反射率Ｒｓを低下させて位相差を小さくするものでな
く、カップリング効率の低下や、光磁気信号の品質の悪
化を招くこともない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光磁気ディスクの再
生系に適用して好適な光ディスク装置に関する。
生系に適用して好適な光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、差動検出法を用いた光磁気ディ
スク装置の構成を示している。
スク装置の構成を示している。
【０００３】同図において、１は半導体レーザであり、
この半導体レーザ１からの光（例えばｐ偏光）はコリメ
ーターレンズ２、ビームスプリッタ３および対物レンズ
４を透過して光磁気ディスクＤの記録面に照射される。
この半導体レーザ１からの光（例えばｐ偏光）はコリメ
ーターレンズ２、ビームスプリッタ３および対物レンズ
４を透過して光磁気ディスクＤの記録面に照射される。
【０００４】ディスクＤの記録面からの反射光は、従来
周知のように記録情報に応じて偏光面が回転した直線偏
光となる。この光は、対物レンズ４を透過してビームス
プリッタ３に入射される。そして、このビームスプリッ
タ３で反射された光は、１／２波長板５で４５°だけ偏
光面が回転されたのち、収束レンズ６、シリンドリカル
レンズ７を透過して偏光ビームスプリッタ８に入射され
る。
周知のように記録情報に応じて偏光面が回転した直線偏
光となる。この光は、対物レンズ４を透過してビームス
プリッタ３に入射される。そして、このビームスプリッ
タ３で反射された光は、１／２波長板５で４５°だけ偏
光面が回転されたのち、収束レンズ６、シリンドリカル
レンズ７を透過して偏光ビームスプリッタ８に入射され
る。
【０００５】この偏光ビームスプリッタ８を透過する光
（ｐ偏光）は光検出器９ａに入射される。偏光ビームス
プリッタ８で反射される光（ｓ偏光）は光検出器９ｂに
入射される。図示せずも、光検出器９ａ，９ｂの検出信
号の差動がとられて光磁気信号（ＭＯ信号）が形成され
る。
（ｐ偏光）は光検出器９ａに入射される。偏光ビームス
プリッタ８で反射される光（ｓ偏光）は光検出器９ｂに
入射される。図示せずも、光検出器９ａ，９ｂの検出信
号の差動がとられて光磁気信号（ＭＯ信号）が形成され
る。
【０００６】上述せずも、光検出器９ａはフォトダイオ
ードアレイで構成され、各フォトダイオードの検出信号
が処理されて、例えば非点収差法によるフォーカスエラ
ー信号やプッシュプル法によるトラッキングエラー信号
が形成される。
ードアレイで構成され、各フォトダイオードの検出信号
が処理されて、例えば非点収差法によるフォーカスエラ
ー信号やプッシュプル法によるトラッキングエラー信号
が形成される。
【０００７】図４の例においては、半導体レーザ１とコ
リメーターレンズ２との間の空間が無駄となっている。
小型化のためには、この空間を利用することが必要であ
る。
リメーターレンズ２との間の空間が無駄となっている。
小型化のためには、この空間を利用することが必要であ
る。
【０００８】そこで従来、図５に示すように、半導体レ
ーザ１とコリメーターレンズ２との間の空間にビームス
プリッタ３を配することが提案されている。図５におい
て、図４と対応する部分には同一符号を付して示してい
る。
ーザ１とコリメーターレンズ２との間の空間にビームス
プリッタ３を配することが提案されている。図５におい
て、図４と対応する部分には同一符号を付して示してい
る。
【０００９】同図において、半導体レーザ１からの光
（例えばｐ偏光）はビームスプリッタ３、コリメーター
レンズ２および対物レンズ４を透過して光磁気ディスク
Ｄの記録面に照射される。
（例えばｐ偏光）はビームスプリッタ３、コリメーター
レンズ２および対物レンズ４を透過して光磁気ディスク
Ｄの記録面に照射される。
【００１０】ディスクＤの記録面からの反射光は、対物
レンズ４およびコリメーターレンズ２を透過してビーム
スプリッタ３に入射される。そして、このビームスプリ
ッタ３で反射された光は、１／２波長板５で４５°だけ
偏光面が回転されたのち、シリンドリカルレンズ７を透
過して偏光ビームスプリッタ８に入射される。
レンズ４およびコリメーターレンズ２を透過してビーム
スプリッタ３に入射される。そして、このビームスプリ
ッタ３で反射された光は、１／２波長板５で４５°だけ
偏光面が回転されたのち、シリンドリカルレンズ７を透
過して偏光ビームスプリッタ８に入射される。
【００１１】偏光ビームスプリッタ８を透過する光（ｐ
偏光）は光検出器９ａに入射される。偏光ビームスプリ
ッタ８で反射される光（ｓ偏光）は光検出器９ｂに入射
される。そして、図４の例と同様にして、光検出器９
ａ，９ｂの検出信号より光磁気信号やエラー信号が形成
される。
偏光）は光検出器９ａに入射される。偏光ビームスプリ
ッタ８で反射される光（ｓ偏光）は光検出器９ｂに入射
される。そして、図４の例と同様にして、光検出器９
ａ，９ｂの検出信号より光磁気信号やエラー信号が形成
される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図５の例では、半導体
レーザ１とコリメーターレンズ２との間にビームスプリ
ッタ３を配するので、空間を有効に利用できると共に、
収束レンズ６（図４参照）が不要となるので、図４の例
に比して小型かつ安価とできる。
レーザ１とコリメーターレンズ２との間にビームスプリ
ッタ３を配するので、空間を有効に利用できると共に、
収束レンズ６（図４参照）が不要となるので、図４の例
に比して小型かつ安価とできる。
【００１３】しかし、図５の例では、ビームスプリッタ
３が収束光中に配置されるため、光線各々の入射角が異
なり、これによりｐ偏光とｓ偏光の位相差が大きくな
り、光磁気信号（ＭＯ信号）の品質が悪くなる。
３が収束光中に配置されるため、光線各々の入射角が異
なり、これによりｐ偏光とｓ偏光の位相差が大きくな
り、光磁気信号（ＭＯ信号）の品質が悪くなる。
【００１４】位相差を小さくするためには、ビームスプ
リッタ３におけるｐ偏光の透過率Ｔｐを小さくすればよ
いが、カップリング効率（ビーム利用率）が低下する。
また、位相差を小さくするためには、ビームスプリッタ
３におけるｓ偏光の反射率Ｒｓも小さくすればよいが、
光磁気信号の品質が悪くなる。
リッタ３におけるｐ偏光の透過率Ｔｐを小さくすればよ
いが、カップリング効率（ビーム利用率）が低下する。
また、位相差を小さくするためには、ビームスプリッタ
３におけるｓ偏光の反射率Ｒｓも小さくすればよいが、
光磁気信号の品質が悪くなる。
【００１５】例えば、図４の例においてＴｐ＝８５％、
Ｒｓ＝１００％とされるとき、図５の例においては、ｐ
偏光とｓ偏光の位相差を小さくするため、Ｔｐ＝６０
％、Ｒｓ＝７０％とされる。
Ｒｓ＝１００％とされるとき、図５の例においては、ｐ
偏光とｓ偏光の位相差を小さくするため、Ｔｐ＝６０
％、Ｒｓ＝７０％とされる。
【００１６】そこで、この発明では、ビームスプリッタ
を収束光中に配置しても、カップリング効率の低下等を
招くことなく、ｐ偏光とｓ偏光に位相差が生じないよう
にするものである。
を収束光中に配置しても、カップリング効率の低下等を
招くことなく、ｐ偏光とｓ偏光に位相差が生じないよう
にするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】この発明は、光源からの
光をビームスプリッタを透過させたのちコリメーターレ
ンズおよび対物レンズを介してディスク面に照射させ、
ディスク面からの反射光を対物レンズおよびコリメータ
ーレンズを介してビームスプリッタで反射させ、ビーム
スプリッタからの反射光を、このビームスプリッタの膜
と略同じ特性の反射膜を持つ反射手段で反射させて信号
検出系に入射させるものである。
光をビームスプリッタを透過させたのちコリメーターレ
ンズおよび対物レンズを介してディスク面に照射させ、
ディスク面からの反射光を対物レンズおよびコリメータ
ーレンズを介してビームスプリッタで反射させ、ビーム
スプリッタからの反射光を、このビームスプリッタの膜
と略同じ特性の反射膜を持つ反射手段で反射させて信号
検出系に入射させるものである。
【００１８】また、ディスク面からの反射光をビームス
プリッタの膜にθ＋αの角度で入射させると共に、ビー
ムスプリッタからの反射光を反射手段の反射膜にθ−α
の角度で入射させるものである。
プリッタの膜にθ＋αの角度で入射させると共に、ビー
ムスプリッタからの反射光を反射手段の反射膜にθ−α
の角度で入射させるものである。
【００１９】
【作用】上述構成においては、ビームスプリッタ３およ
び反射手段１０は収束光中に配置され、ビームスプリッ
タ３でｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じると共に、反射手
段１０でも同様にｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じる。そ
のため、ビームスプリッタ３と反射手段１０を、それぞ
れにおけるｐ偏光とｓ偏光の位相の進み遅れが逆の関係
となるように配置することで、結果的にｐ偏光とｓ偏光
の位相差を相殺することが可能となる。
び反射手段１０は収束光中に配置され、ビームスプリッ
タ３でｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じると共に、反射手
段１０でも同様にｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じる。そ
のため、ビームスプリッタ３と反射手段１０を、それぞ
れにおけるｐ偏光とｓ偏光の位相の進み遅れが逆の関係
となるように配置することで、結果的にｐ偏光とｓ偏光
の位相差を相殺することが可能となる。
【００２０】特に、ディスク面からの反射光をビームス
プリッタ３の膜にθ＋αの角度で入射させると共に、ビ
ームスプリッタ３からの反射光を反射手段１０の反射膜
にθ−αの角度で入射させることで、位相差は略完全に
相殺される。
プリッタ３の膜にθ＋αの角度で入射させると共に、ビ
ームスプリッタ３からの反射光を反射手段１０の反射膜
にθ−αの角度で入射させることで、位相差は略完全に
相殺される。
【００２１】
【実施例】以下、図１を参照しながら、この発明の一実
施例について説明する。図１において、図５と対応する
部分には同一符号を付して示している。
施例について説明する。図１において、図５と対応する
部分には同一符号を付して示している。
【００２２】同図において、半導体レーザ１からの光
（例えばｐ偏光）はビームスプリッタ３、コリメーター
レンズ２および対物レンズ４を透過して光磁気ディスク
Ｄの記録面に照射される。
（例えばｐ偏光）はビームスプリッタ３、コリメーター
レンズ２および対物レンズ４を透過して光磁気ディスク
Ｄの記録面に照射される。
【００２３】ディスクＤの記録面からの反射光は、対物
レンズ４およびコリメーターレンズ２を透過してビーム
スプリッタ３に入射される。ビームスプリッタ３の膜３
ａは光軸に対して４５°の傾斜をもって配置される。ビ
ームスプリッタ３で反射される光は、ビームスプリッタ
３と略同じ特性の膜１０ａを有するビームスプリッタ１
０に入射される。この場合、ビームスプリッタ１０は、
その膜１０ａが上述したビームスプリッタ３の膜３ａと
直交するように配置される。これによって、ビームスプ
リッタ１０の膜１０ａも、光軸に対して４５°の傾斜を
もって配置されることになる。
レンズ４およびコリメーターレンズ２を透過してビーム
スプリッタ３に入射される。ビームスプリッタ３の膜３
ａは光軸に対して４５°の傾斜をもって配置される。ビ
ームスプリッタ３で反射される光は、ビームスプリッタ
３と略同じ特性の膜１０ａを有するビームスプリッタ１
０に入射される。この場合、ビームスプリッタ１０は、
その膜１０ａが上述したビームスプリッタ３の膜３ａと
直交するように配置される。これによって、ビームスプ
リッタ１０の膜１０ａも、光軸に対して４５°の傾斜を
もって配置されることになる。
【００２４】ビームスプリッタ１０で反射される光は１
／２波長板５で４５°だけ偏光面が回転されたのち、シ
リンドリカルレンズ７を透過して偏光ビームスプリッタ
８に入射される。
／２波長板５で４５°だけ偏光面が回転されたのち、シ
リンドリカルレンズ７を透過して偏光ビームスプリッタ
８に入射される。
【００２５】偏光ビームスプリッタ８を透過する光（ｐ
偏光）は光検出器９ａに入射される。偏光ビームスプリ
ッタ８で反射される光（ｓ偏光）は光検出器９ｂに入射
される。そして、図５の例と同様にして、光検出器９
ａ，９ｂの検出信号より光磁気信号やエラー信号が形成
される。
偏光）は光検出器９ａに入射される。偏光ビームスプリ
ッタ８で反射される光（ｓ偏光）は光検出器９ｂに入射
される。そして、図５の例と同様にして、光検出器９
ａ，９ｂの検出信号より光磁気信号やエラー信号が形成
される。
【００２６】以上の構成において、ビームスプリッタ３
および１０は収束光中に配置されるため、ビームスプリ
ッタ３および１０の双方でｐ偏光とｓ偏光に位相差を生
じる。この場合、図２に示すように、任意の光線Ｌのビ
ームスプリッタ３への入射角は４５°＋α（αは正負の
値をとる）となると共に、その光線Ｌのビームスプリッ
タ１０への入射角は４５°−αとなる。
および１０は収束光中に配置されるため、ビームスプリ
ッタ３および１０の双方でｐ偏光とｓ偏光に位相差を生
じる。この場合、図２に示すように、任意の光線Ｌのビ
ームスプリッタ３への入射角は４５°＋α（αは正負の
値をとる）となると共に、その光線Ｌのビームスプリッ
タ１０への入射角は４５°−αとなる。
【００２７】そのため、ビームスプリッタ３と１０のそ
れぞれにおけるｐ偏光とｓ偏光の位相差は大きさが同じ
で正負の符号が逆となり、結果的にｐ偏光とｓ偏光の位
相差は相殺される。つまり、ビームスプリッタ１０より
出射される光はｐ偏光とｓ偏光に位相差がないものとな
る。
れぞれにおけるｐ偏光とｓ偏光の位相差は大きさが同じ
で正負の符号が逆となり、結果的にｐ偏光とｓ偏光の位
相差は相殺される。つまり、ビームスプリッタ１０より
出射される光はｐ偏光とｓ偏光に位相差がないものとな
る。
【００２８】このように本例によれば、ビームスプリッ
タ３を収束光中に配置しても結果的にｐ偏光とｓ偏光に
位相差が生じることがなく、光磁気信号の品質を悪化さ
せることなく、小型かつ安価に構成することができる。
タ３を収束光中に配置しても結果的にｐ偏光とｓ偏光に
位相差が生じることがなく、光磁気信号の品質を悪化さ
せることなく、小型かつ安価に構成することができる。
【００２９】また、ｐ偏光の透過率Ｔｐやｓ偏光の反射
率Ｒｓを低下させてｐ偏光とｓ偏光の位相差を小さくす
るものでなく、カップリング効率の低下や、光磁気信号
の品質の悪化を招くこともない。
率Ｒｓを低下させてｐ偏光とｓ偏光の位相差を小さくす
るものでなく、カップリング効率の低下や、光磁気信号
の品質の悪化を招くこともない。
【００３０】なお、上述実施例においては、光線Ｌのビ
ームスプリッタ３への入射角を４５°＋αとし、その光
線Ｌのビームスプリッタ１０への入射角を４５°−αと
したものであるが、それぞれにおいて「４５°」は他の
任意の角度に設定することができる。図３は、光線Ｌの
ビームスプリッタ３への入射角を６０°＋αとし、その
光線Ｌのビームスプリッタ１０への入射角を６０°−α
とした例を示している。
ームスプリッタ３への入射角を４５°＋αとし、その光
線Ｌのビームスプリッタ１０への入射角を４５°−αと
したものであるが、それぞれにおいて「４５°」は他の
任意の角度に設定することができる。図３は、光線Ｌの
ビームスプリッタ３への入射角を６０°＋αとし、その
光線Ｌのビームスプリッタ１０への入射角を６０°−α
とした例を示している。
【００３１】また、上述実施例においては、反射手段と
してビームスプリッタ１０を使用したものであるが、そ
の他の反射手段を使用してもよい。ただし、ビームスプ
リッタ３の膜と略同じ特性の反射膜を持つことが必要で
ある。
してビームスプリッタ１０を使用したものであるが、そ
の他の反射手段を使用してもよい。ただし、ビームスプ
リッタ３の膜と略同じ特性の反射膜を持つことが必要で
ある。
【００３２】また、上述実施例においては、ビームスプ
リッタ３，１０を別体としているが、一体に形成しても
よい。
リッタ３，１０を別体としているが、一体に形成しても
よい。
【００３３】さらに、上述実施例の１／２波長板５以降
の構成は、従来周知の他の構成であってもよい。例え
ば、特開昭６４−３３７３４号公報に示されるようなマ
イクロプリズムディテクタ（ＭＰＤ）を用いて構成する
こともできる。
の構成は、従来周知の他の構成であってもよい。例え
ば、特開昭６４−３３７３４号公報に示されるようなマ
イクロプリズムディテクタ（ＭＰＤ）を用いて構成する
こともできる。
【００３４】
【発明の効果】この発明によれば、ビームスプリッタお
よび反射手段は収束光中に配置され、ビームスプリッタ
でｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じると共に、反射手段で
も同様にｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じるため、ビーム
スプリッタと反射手段におけるｐ偏光とｓ偏光の位相差
が逆の関係となるように配置することで、ｐ偏光とｓ偏
光の位相差を相殺することができる。特に、ディスク面
からの反射光をビームスプリッタの膜にθ＋αの角度で
入射させると共に、ビームスプリッタからの反射光を反
射手段の反射膜にθ−αの角度で入射させることで、位
相差を略完全に相殺できる。
よび反射手段は収束光中に配置され、ビームスプリッタ
でｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じると共に、反射手段で
も同様にｐ偏光とｓ偏光に位相差を生じるため、ビーム
スプリッタと反射手段におけるｐ偏光とｓ偏光の位相差
が逆の関係となるように配置することで、ｐ偏光とｓ偏
光の位相差を相殺することができる。特に、ディスク面
からの反射光をビームスプリッタの膜にθ＋αの角度で
入射させると共に、ビームスプリッタからの反射光を反
射手段の反射膜にθ−αの角度で入射させることで、位
相差を略完全に相殺できる。
【００３５】したがって、ビームスプリッタを収束光中
に配置してもｐ偏光とｓ偏光に位相差が生じることがな
く、光磁気信号の品質を悪化させることなく、小型かつ
安価に構成することができる。また、ｐ偏光の透過率Ｔ
ｐやｓ偏光の反射率Ｒｓを低下させてｐ偏光とｓ偏光の
位相差を小さくするものでなく、カップリング効率の低
下や、光磁気信号の品質の悪化を招くこともない。
に配置してもｐ偏光とｓ偏光に位相差が生じることがな
く、光磁気信号の品質を悪化させることなく、小型かつ
安価に構成することができる。また、ｐ偏光の透過率Ｔ
ｐやｓ偏光の反射率Ｒｓを低下させてｐ偏光とｓ偏光の
位相差を小さくするものでなく、カップリング効率の低
下や、光磁気信号の品質の悪化を招くこともない。
【図１】実施例の構成を示す図である。
【図２】実施例の各ビームスプリッタへの光線の入射角
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３】光線の入射角の他の例を示す図である。
【図４】従来の光磁気ディスク装置の構成を示す図であ
る。
る。
【図５】従来の光磁気ディスク装置の構成を示す図であ
る。
る。
１ 半導体レーザ ２ コリメーターレンズ ３，１０ ビームスプリッタ ４ 対物レンズ ５ １／２波長板 ６ 収束レンズ ７ シリンドリカルレンズ ８ 偏光ビームスプリッタ ９ａ，９ｂ 光検出器
Claims (2)
- 【請求項１】 光源からの光をビームスプリッタを透過
させたのちコリメーターレンズおよび対物レンズを介し
てディスク面に照射させ、 上記ディスク面からの反射光を上記対物レンズおよびコ
リメーターレンズを介して上記ビームスプリッタで反射
させ、 上記ビームスプリッタからの反射光を、このビームスプ
リッタの膜と略同じ特性の反射膜を持つ反射手段で反射
させて信号検出系に入射させることを特徴とする光ディ
スク装置。 - 【請求項２】 上記ディスク面からの反射光を上記ビー
ムスプリッタの膜にθ＋αの角度で入射させると共に、
上記ビームスプリッタからの反射光を上記反射手段の反
射膜にθ−αの角度で入射させることを特徴とする請求
項１記載の光ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03960692A JP3350946B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 光ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03960692A JP3350946B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 光ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234173A true JPH05234173A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3350946B2 JP3350946B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=12557778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03960692A Expired - Fee Related JP3350946B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 光ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3350946B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0713212A2 (en) | 1994-11-17 | 1996-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical information recording and reproducing apparatus |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP03960692A patent/JP3350946B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0713212A2 (en) | 1994-11-17 | 1996-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical information recording and reproducing apparatus |
| EP0713212A3 (en) * | 1994-11-17 | 1997-03-05 | Canon Kk | Optical information recording and reproducing apparatus |
| US5657305A (en) * | 1994-11-17 | 1997-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical information recording and reproducing apparatus including a total reflection surface or a light shield plate disposed between a polarized light separating surface and a detection device for light beam compensation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3350946B2 (ja) | 2002-11-25 |
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