JP2982965B2 - 光学式読み取り装置 - Google Patents
光学式読み取り装置Info
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- JP2982965B2 JP2982965B2 JP1240038A JP24003889A JP2982965B2 JP 2982965 B2 JP2982965 B2 JP 2982965B2 JP 1240038 A JP1240038 A JP 1240038A JP 24003889 A JP24003889 A JP 24003889A JP 2982965 B2 JP2982965 B2 JP 2982965B2
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- film structure
- optical
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1356—Double or multiple prisms, i.e. having two or more prisms in cooperation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10541—Heads for reproducing
- G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光ディスク、光磁気ディスク等の光学式
記録媒体に記録された情報を読み取る光学式読み取り装
置に関する。
記録媒体に記録された情報を読み取る光学式読み取り装
置に関する。
従来の光学式読み取り装置として、例えば第12図Ａお
よびＢに示すようなものが提案されている。この光学式
読み取り装置は分離回動形のもので、半導体レーザ１か
ら出射された光は、コリメータレンズ２で平行光とされ
てビームスプリッタ３を透過した後、回動可能な光伝導
部材４および対物レンズ５を経て光磁気ディスク６に投
射される。光磁気ディスク６での反射光は、対物レンズ
５および光伝導部材４を経てビームスプリッタ３で反射
された後、検光子７および集光レンズ８を経て光検出器
９に入射され、その出力信号に基づいて再生信号を得る
ようになっている。
よびＢに示すようなものが提案されている。この光学式
読み取り装置は分離回動形のもので、半導体レーザ１か
ら出射された光は、コリメータレンズ２で平行光とされ
てビームスプリッタ３を透過した後、回動可能な光伝導
部材４および対物レンズ５を経て光磁気ディスク６に投
射される。光磁気ディスク６での反射光は、対物レンズ
５および光伝導部材４を経てビームスプリッタ３で反射
された後、検光子７および集光レンズ８を経て光検出器
９に入射され、その出力信号に基づいて再生信号を得る
ようになっている。
光伝導部材４は、光磁気ディスク６からの戻り光に対
する該光伝導部材４でのＰ偏光成分およびＳ偏光成分の
位相差をキャンセルするため、第12図Ｂに平面図を示す
ように、互いに平行な同一構成より成る反射面4a,4bお
よび4c,4dを、反射面4aに対して反射面4cが、また反射
面4bに対して反射面4dがそれぞれ90゜回転した向きとな
るように設けて構成されている。
する該光伝導部材４でのＰ偏光成分およびＳ偏光成分の
位相差をキャンセルするため、第12図Ｂに平面図を示す
ように、互いに平行な同一構成より成る反射面4a,4bお
よび4c,4dを、反射面4aに対して反射面4cが、また反射
面4bに対して反射面4dがそれぞれ90゜回転した向きとな
るように設けて構成されている。
しかしながら、上述した従来の光学式読み取り装置に
あっては、光伝導部材４を４つの反射面4a〜4dをもって
構成するようにしているため、装置が大形になると共
に、コスト高になるという問題がある。また、光伝導部
材４においては、ある波長での位相差はキャンセルでき
ても、位相差には波長依存性があり、またビームスプリ
ッタ３での位相差およびその波長依存性については何ら
考慮されていないため、半導体レーザ１の発振パワーや
温度変化による波長変動があると、再生信号のC/Nに悪
影響を及ぼすという問題がある。すなわち、再生信号の
C/Nは、光学系の情報信号成分の反射率をRs、光学系の
位相差をδ、光磁気ディスク６でのカー回転角をθｋ、
光磁気ディスク６を含む光学系の初期の位相差をδｅと
すると、 で表されるので、δが大きいほどC/Nが低下することに
なる。
あっては、光伝導部材４を４つの反射面4a〜4dをもって
構成するようにしているため、装置が大形になると共
に、コスト高になるという問題がある。また、光伝導部
材４においては、ある波長での位相差はキャンセルでき
ても、位相差には波長依存性があり、またビームスプリ
ッタ３での位相差およびその波長依存性については何ら
考慮されていないため、半導体レーザ１の発振パワーや
温度変化による波長変動があると、再生信号のC/Nに悪
影響を及ぼすという問題がある。すなわち、再生信号の
C/Nは、光学系の情報信号成分の反射率をRs、光学系の
位相差をδ、光磁気ディスク６でのカー回転角をθｋ、
光磁気ディスク６を含む光学系の初期の位相差をδｅと
すると、 で表されるので、δが大きいほどC/Nが低下することに
なる。
この発明は、このような従来の問題点に着目してなさ
れたもので、小形かつ安価にできると共に、光源の波長
変動に影響されることなく常にほぼ一定のC/Nの再生信
号が得られるよう適切に構成した光学式読み取り装置を
提供することを目的とする。
れたもので、小形かつ安価にできると共に、光源の波長
変動に影響されることなく常にほぼ一定のC/Nの再生信
号が得られるよう適切に構成した光学式読み取り装置を
提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の光学式読み取り
装置は、半導体レーザからの光を記録媒体に投射し、そ
の反射光を反射面又は透過面からなる少なくとも２個の
光学面を有する光学系を経て光検出器に入射させて、前
記記録媒体に記録された情報を再生するに際し、前記光
学面のうち一つの光学面に所定の薄膜構造体が配置され
ており、前記半導体レーザからの光が前記所定の薄膜構
造体を通過するようにした光学式読み取り装置におい
て、前記一つの光学面以外の光学面に他の薄膜構造体が
配置されており、前記所定の薄膜構造体と前記他の薄膜
構造体とに基づき前記記録媒体からの反射光の波長の変
化に対するＰ偏光成分とＳ偏光成分との位相差変化が補
償されるよう前記他の薄膜構造体が構成されていること
を特徴とするものである。
装置は、半導体レーザからの光を記録媒体に投射し、そ
の反射光を反射面又は透過面からなる少なくとも２個の
光学面を有する光学系を経て光検出器に入射させて、前
記記録媒体に記録された情報を再生するに際し、前記光
学面のうち一つの光学面に所定の薄膜構造体が配置され
ており、前記半導体レーザからの光が前記所定の薄膜構
造体を通過するようにした光学式読み取り装置におい
て、前記一つの光学面以外の光学面に他の薄膜構造体が
配置されており、前記所定の薄膜構造体と前記他の薄膜
構造体とに基づき前記記録媒体からの反射光の波長の変
化に対するＰ偏光成分とＳ偏光成分との位相差変化が補
償されるよう前記他の薄膜構造体が構成されていること
を特徴とするものである。
第１図ＡおよびＢはこの発明の第１実施例を示すもの
である。この実施例では、半導体レーザ11からの光をコ
リメートレンズ12で平行光とした後、整形プリズム13で
ビーム整形し、そのビーム整形された光をビームスプリ
ッタ14および15を透過させた後、全反射ミラー16で反射
させて立ち上げ、これを対物レンズ17により光磁気ディ
スク18上に集光させる。
である。この実施例では、半導体レーザ11からの光をコ
リメートレンズ12で平行光とした後、整形プリズム13で
ビーム整形し、そのビーム整形された光をビームスプリ
ッタ14および15を透過させた後、全反射ミラー16で反射
させて立ち上げ、これを対物レンズ17により光磁気ディ
スク18上に集光させる。
光磁気ディスク18での反射光は、逆の経路を通ってビ
ームスプリッタ15および14でそれぞれ反射させ、ビーム
スプリッタ15で反射された光を1/2波長板19を透過させ
ることにより偏光方向を45゜回転させた後、集光レンズ
20により収束して光磁気信号検出光学系21に導くように
する。光磁気信号検出光学系21は、入射光をＰ偏光成分
およびＳ偏光成分に分離する偏光ビームスプリッタ22
と、その分離されたＰ偏光成分およびＳ偏光成分を受光
する光検出器23,24とをもって構成し、光検出器23,24の
出力差を検出することにより光磁気ディスク18に記録さ
れた情報の再生信号を得るようにする。
ームスプリッタ15および14でそれぞれ反射させ、ビーム
スプリッタ15で反射された光を1/2波長板19を透過させ
ることにより偏光方向を45゜回転させた後、集光レンズ
20により収束して光磁気信号検出光学系21に導くように
する。光磁気信号検出光学系21は、入射光をＰ偏光成分
およびＳ偏光成分に分離する偏光ビームスプリッタ22
と、その分離されたＰ偏光成分およびＳ偏光成分を受光
する光検出器23,24とをもって構成し、光検出器23,24の
出力差を検出することにより光磁気ディスク18に記録さ
れた情報の再生信号を得るようにする。
また、ビームスプリッタ14で反射された光は、ビーム
スプリッタ15で透過光と反射光とに分割し、これらをエ
ラー信号検出光学系25に導くようにする。エラー信号検
出光学系25は、臨界角プリズム26と、２分割受光領域を
有するフォーカスエラー検出用の光検出器27と、４分割
受光領域を有するトラッキングエラー検出用および光軸
の傾き等によるビームのオフセット検出用の光検出器28
とをもって構成し、ビームスプリッタ15での透過光を臨
界角プリズム26を経て光検出器27に入射させ、反射光を
光検出器28に入射させて、光検出器27および28の出力に
基づいてフォーカスエラー信号を、光検出器28の出力に
基づいてトラッキングエラー信号を検出するようにす
る。
スプリッタ15で透過光と反射光とに分割し、これらをエ
ラー信号検出光学系25に導くようにする。エラー信号検
出光学系25は、臨界角プリズム26と、２分割受光領域を
有するフォーカスエラー検出用の光検出器27と、４分割
受光領域を有するトラッキングエラー検出用および光軸
の傾き等によるビームのオフセット検出用の光検出器28
とをもって構成し、ビームスプリッタ15での透過光を臨
界角プリズム26を経て光検出器27に入射させ、反射光を
光検出器28に入射させて、光検出器27および28の出力に
基づいてフォーカスエラー信号を、光検出器28の出力に
基づいてトラッキングエラー信号を検出するようにす
る。
上記構成において、この実施例では、光磁気信号検出
光学系21に入射する戻り光の位相差の波長依存性が、半
導体レーザ11から出射される光の波長の変動範囲内でほ
ぼ零となるように、全反射ミラー16およびビームスプリ
ッタ15にそれぞれ薄膜構造体31および32を設けて、これ
ら全反射ミラー16およびビームスプリッタ15における位
相差の波長依存性を相殺する。
光学系21に入射する戻り光の位相差の波長依存性が、半
導体レーザ11から出射される光の波長の変動範囲内でほ
ぼ零となるように、全反射ミラー16およびビームスプリ
ッタ15にそれぞれ薄膜構造体31および32を設けて、これ
ら全反射ミラー16およびビームスプリッタ15における位
相差の波長依存性を相殺する。
このため、この実施例では、全反射ミラー16に設ける
薄膜構造体31を、例えば全反射ミラー16の硝材がBK7の
場合には、その表面の反射面にTiO2と、SiO2またはMgF2
との誘電体物質を交互に多層蒸着して構成して、例えば
第２図Ａに示すように初期波長（830nm）で位相差が零
となる位相差δ１の波長依存性をもたせる。なお、位相
差δ１はＰ偏光成分の位相からＳ偏光成分の位相を引い
たもので、以下（Ｐ−Ｓ）で表す。
薄膜構造体31を、例えば全反射ミラー16の硝材がBK7の
場合には、その表面の反射面にTiO2と、SiO2またはMgF2
との誘電体物質を交互に多層蒸着して構成して、例えば
第２図Ａに示すように初期波長（830nm）で位相差が零
となる位相差δ１の波長依存性をもたせる。なお、位相
差δ１はＰ偏光成分の位相からＳ偏光成分の位相を引い
たもので、以下（Ｐ−Ｓ）で表す。
また、ビームスプリッタ15に設ける薄膜構造体32は、
全反射ミラー16の位相差δ１の波長依存性を相殺するよ
うに、ビームスプリッタ15の硝材がBK7の場合には、例
えば第３図に示すようにTiO2およびSiO2の誘電体物質を
交互に11層蒸着して構成して、第２図Ｂに示すように初
期波長（830nm）で位相差が零となる全反射ミラー16に
おけると同様の位相差δ２（Ｐ−Ｓ）の波長依存性をも
たせる。
全反射ミラー16の位相差δ１の波長依存性を相殺するよ
うに、ビームスプリッタ15の硝材がBK7の場合には、例
えば第３図に示すようにTiO2およびSiO2の誘電体物質を
交互に11層蒸着して構成して、第２図Ｂに示すように初
期波長（830nm）で位相差が零となる全反射ミラー16に
おけると同様の位相差δ２（Ｐ−Ｓ）の波長依存性をも
たせる。
このようにすれば、全反射ミラー16に対してビームス
プリッタ15は90゜回転した向きにあるので、光磁気信号
検出光学系21に入射する戻り光の位相差δ３（Ｐ−Ｓ）
の波長依存性は第２図Ｃに示すように位相差零でほぼフ
ラットになる。したがって、半導体レーザ11の発振パワ
ーや温度変化による波長変動が生じても、それに影響さ
れることなく再生信号のC/Nを常にほぼ一定とすること
ができる。また、薄膜構造体31,32は位相差の波長依存
性を補償するように設ければよく、光学部品単体で位相
差の波長依存性を抑える必要がないので、設計の自由度
を向上できると共に、装置全体を小形かつ安価にでき
る。
プリッタ15は90゜回転した向きにあるので、光磁気信号
検出光学系21に入射する戻り光の位相差δ３（Ｐ−Ｓ）
の波長依存性は第２図Ｃに示すように位相差零でほぼフ
ラットになる。したがって、半導体レーザ11の発振パワ
ーや温度変化による波長変動が生じても、それに影響さ
れることなく再生信号のC/Nを常にほぼ一定とすること
ができる。また、薄膜構造体31,32は位相差の波長依存
性を補償するように設ければよく、光学部品単体で位相
差の波長依存性を抑える必要がないので、設計の自由度
を向上できると共に、装置全体を小形かつ安価にでき
る。
第４図ＡおよびＢはこの発明の第２実施例を示すもの
である。この実施例は、第１実施例において全反射ミラ
ー16の代わりに反射プリズム35を用いると共に、この反
射プリズム35とビームスプリッタ15との反射面にそれぞ
れ薄膜構造体36および37を設けて、ビームスプリッタ15
で反射される戻り光に、波長変動に対して常にほぼ一定
の位相差をもたせるようにしたものである。
である。この実施例は、第１実施例において全反射ミラ
ー16の代わりに反射プリズム35を用いると共に、この反
射プリズム35とビームスプリッタ15との反射面にそれぞ
れ薄膜構造体36および37を設けて、ビームスプリッタ15
で反射される戻り光に、波長変動に対して常にほぼ一定
の位相差をもたせるようにしたものである。
このため、この実施例では反射プリズム35の薄膜構造
体36を、反射プリズム35の硝材がBK7の場合には、例え
ば第５図に示すようにTiO2とMgF2との誘電体物質を交互
に３層蒸着して構成して、第６図Ａに示すように初期波
長（830nm）で位相差（Ｐ−Ｓ）がα（０゜≦α＜360
゜）となる波長依存性をもたせる。また、ビームスプリ
ッタ15の薄膜構造体37は、ビームスプリッタ15の硝材が
BK7の場合には、例えば第３図に示したようにTiO2およ
びSiO2の誘電体物質を交互に11層蒸着して構成して、第
6B図に示すように初期波長（830nm）で位相差（Ｐ−
Ｓ）がβ（０゜≦β＜360゜）となる波長依存性をもた
せる。
体36を、反射プリズム35の硝材がBK7の場合には、例え
ば第５図に示すようにTiO2とMgF2との誘電体物質を交互
に３層蒸着して構成して、第６図Ａに示すように初期波
長（830nm）で位相差（Ｐ−Ｓ）がα（０゜≦α＜360
゜）となる波長依存性をもたせる。また、ビームスプリ
ッタ15の薄膜構造体37は、ビームスプリッタ15の硝材が
BK7の場合には、例えば第３図に示したようにTiO2およ
びSiO2の誘電体物質を交互に11層蒸着して構成して、第
6B図に示すように初期波長（830nm）で位相差（Ｐ−
Ｓ）がβ（０゜≦β＜360゜）となる波長依存性をもた
せる。
このようにすれば、反射プリズム35の反射面に対して
ビームスプリッタ15の反射面は90゜回転した向きにある
ので、ビームスプリッタ15で反射される戻り光に、第６
図Ｃに示すように、波長変動に対して常にほぼ一定の位
相差ω（Ｐ−Ｓ）をもたせることができる。したがっ
て、ω＝０゜とする場合には、第１実施例と同様に、ビ
ームスプリッタ15で反射される戻り光を1/2波長板19お
よび集光レンズ20を経て光磁気信号検出光学系21に導く
ことにより、波長変動に影響されることなく常にほぼ一
定のC/Nの再生信号を得ることができる。
ビームスプリッタ15の反射面は90゜回転した向きにある
ので、ビームスプリッタ15で反射される戻り光に、第６
図Ｃに示すように、波長変動に対して常にほぼ一定の位
相差ω（Ｐ−Ｓ）をもたせることができる。したがっ
て、ω＝０゜とする場合には、第１実施例と同様に、ビ
ームスプリッタ15で反射される戻り光を1/2波長板19お
よび集光レンズ20を経て光磁気信号検出光学系21に導く
ことにより、波長変動に影響されることなく常にほぼ一
定のC/Nの再生信号を得ることができる。
また、ω＝90゜とする場合には、ビームスプリッタ15
で反射される戻り光は、光磁気ディスク18でのカー回転
の方向に応じて、大きさが等しい右回りと左回りの楕円
偏光となるので、これを1/4波長板および集光レンズを
経て光磁気信号検出光学系21に導くことにより、楕円偏
光の回転の方向に応じて長軸の方向が直交する同一方向
に回転する楕円偏光となる。したがって、この場合には
光学系の調整誤差による再生信号のC/Nの低下を大幅に
軽減できると共に、そのC/Nを波長変動に影響されるこ
となく常にほぼ一定とすることができる。また、光学系
の調整誤差による再生信号のC/Nの低下を軽減できるこ
とから、光学系の組立て調整を容易にでき、より安価に
できる。
で反射される戻り光は、光磁気ディスク18でのカー回転
の方向に応じて、大きさが等しい右回りと左回りの楕円
偏光となるので、これを1/4波長板および集光レンズを
経て光磁気信号検出光学系21に導くことにより、楕円偏
光の回転の方向に応じて長軸の方向が直交する同一方向
に回転する楕円偏光となる。したがって、この場合には
光学系の調整誤差による再生信号のC/Nの低下を大幅に
軽減できると共に、そのC/Nを波長変動に影響されるこ
となく常にほぼ一定とすることができる。また、光学系
の調整誤差による再生信号のC/Nの低下を軽減できるこ
とから、光学系の組立て調整を容易にでき、より安価に
できる。
なお、このようにω＝90゜とする場合には、反射プリ
ズム35の薄膜構造体36を第５図に示す３層構造として、
例えば第７図Ａに示すような位相差（Ｐ−Ｓ）の波長依
存性をもたせ、またビームスプリッタ15の薄膜構造体37
は、第３図に示す11層構造として、例えば第７図Ｂに示
すような位相差（Ｐ−Ｓ）の波長依存性をもたせること
により、ビームスプリッタ15で反射される戻り光の位相
差（Ｐ−Ｓ）の波長依存性を、第７図Ｃに示すように、
波長変動に対して常にほぼ90゜とすることができる。
ズム35の薄膜構造体36を第５図に示す３層構造として、
例えば第７図Ａに示すような位相差（Ｐ−Ｓ）の波長依
存性をもたせ、またビームスプリッタ15の薄膜構造体37
は、第３図に示す11層構造として、例えば第７図Ｂに示
すような位相差（Ｐ−Ｓ）の波長依存性をもたせること
により、ビームスプリッタ15で反射される戻り光の位相
差（Ｐ−Ｓ）の波長依存性を、第７図Ｃに示すように、
波長変動に対して常にほぼ90゜とすることができる。
さらに、この第２実施例においても、光学部品単体で
位相差の波長依存性を抑える必要がないので、設計の自
由度を向上でき、装置全体を小形にできる。
位相差の波長依存性を抑える必要がないので、設計の自
由度を向上でき、装置全体を小形にできる。
第８図ＡおよびＢはこの発明の第３実施例を示すもの
である。この実施例は、ビームスプリッタ15で反射され
る光磁気ディスク18からの戻り光を、ビームスプリッタ
41で２分割し、その一方の光束を再生信号の検出用とし
て用い、他方の光束を反射プリズム42および臨界角プリ
ズム26を経てフォーカスエラー検出用光検出器27に導く
ようにした点が、第２実施例と基本的に異なるものであ
る。
である。この実施例は、ビームスプリッタ15で反射され
る光磁気ディスク18からの戻り光を、ビームスプリッタ
41で２分割し、その一方の光束を再生信号の検出用とし
て用い、他方の光束を反射プリズム42および臨界角プリ
ズム26を経てフォーカスエラー検出用光検出器27に導く
ようにした点が、第２実施例と基本的に異なるものであ
る。
かかる構成において、この実施例では反射プリズム35
に薄膜構造体43を設けて、戻り光に対して例えば第９図
Ａに示すように初期波長（830nm）で位相差（Ｐ−Ｓ）
がα（０゜≦α＜360゜）となる波長依存性をもたせ、
またビームスプリッタ15には薄膜構造体44を設けて、第
９図Ｂに示すように初期波長（830nm）で位相差（Ｐ−
Ｓ）がβ（０゜≦β＜360゜）となる波長依存性をもた
せ、さらにビームスプリッタ41には薄膜構造体45を設け
て、第９図Ｃに示すように初期波長（830nm）で位相差
（Ｐ−Ｓ）がγ（０゜≦γ＜360゜）となる波長依存性
をもたせる。
に薄膜構造体43を設けて、戻り光に対して例えば第９図
Ａに示すように初期波長（830nm）で位相差（Ｐ−Ｓ）
がα（０゜≦α＜360゜）となる波長依存性をもたせ、
またビームスプリッタ15には薄膜構造体44を設けて、第
９図Ｂに示すように初期波長（830nm）で位相差（Ｐ−
Ｓ）がβ（０゜≦β＜360゜）となる波長依存性をもた
せ、さらにビームスプリッタ41には薄膜構造体45を設け
て、第９図Ｃに示すように初期波長（830nm）で位相差
（Ｐ−Ｓ）がγ（０゜≦γ＜360゜）となる波長依存性
をもたせる。
このようにすれば、反射プリズム35の反射面に対して
ビームスプリッタ15およびビームスプリッタ41の反射面
は90゜回転した向きにあるので、ビームスプリッタ41を
経た戻り光に、第９図Ｄに示すように、波長変動に対し
て常にほぼ一定の位相差ω（Ｐ−Ｓ）をもたせることが
でき、上述した実施例と同様な効果を得ることができ
る。
ビームスプリッタ15およびビームスプリッタ41の反射面
は90゜回転した向きにあるので、ビームスプリッタ41を
経た戻り光に、第９図Ｄに示すように、波長変動に対し
て常にほぼ一定の位相差ω（Ｐ−Ｓ）をもたせることが
でき、上述した実施例と同様な効果を得ることができ
る。
第10図はこの発明の第４実施例を示すものである。こ
の実施例は、半導体レーザ11からの光をコリメートレン
ズ12で平行光とした後、整形プリズム13でビーム整形
し、そのビーム整形された光をビームスプリッタ50を透
過させて対物レンズ17により光磁気ディスク18上に集光
させる。また、光磁気ディスク18での反射光は、逆の経
路を通ってビームスプリッタ50で反射させた後ビームス
プリッタ51で２分割し、その一方の光束を再生信号を検
出するための光束として用い、他方の光束をエラー信号
を検出するための光束として用いるようにする。
の実施例は、半導体レーザ11からの光をコリメートレン
ズ12で平行光とした後、整形プリズム13でビーム整形
し、そのビーム整形された光をビームスプリッタ50を透
過させて対物レンズ17により光磁気ディスク18上に集光
させる。また、光磁気ディスク18での反射光は、逆の経
路を通ってビームスプリッタ50で反射させた後ビームス
プリッタ51で２分割し、その一方の光束を再生信号を検
出するための光束として用い、他方の光束をエラー信号
を検出するための光束として用いるようにする。
かかる構成において、この実施例ではビームスプリッ
タ50に薄膜構造体52を設けて、戻り光に対して例えば第
11図Ａに示すように初期波長（830nm）で位相差（Ｐ−
Ｓ）がα（０゜≦α＜360゜）となる波長依存性をもた
せ、またビームスプリッタ51には薄膜構造体53を設け
て、第11図Ｂに示すように初期波長（830nm）で位相差
（Ｐ−Ｓ）がβ（０゜≦β＜360゜）となる波長依存性
をもたせる。
タ50に薄膜構造体52を設けて、戻り光に対して例えば第
11図Ａに示すように初期波長（830nm）で位相差（Ｐ−
Ｓ）がα（０゜≦α＜360゜）となる波長依存性をもた
せ、またビームスプリッタ51には薄膜構造体53を設け
て、第11図Ｂに示すように初期波長（830nm）で位相差
（Ｐ−Ｓ）がβ（０゜≦β＜360゜）となる波長依存性
をもたせる。
このようにすれば、ビームスプリッタ50の反射面とビ
ームスプリッタ51の反射面とが平行に配置されているの
で、ビームスプリッタ51を経た戻り光に、第11図Ｃに示
すように、波長変動に対して常にほぼ一定の位相差ω
（Ｐ−Ｓ）をもたせることができ、上述した実施例と同
様な効果を得ることができる。
ームスプリッタ51の反射面とが平行に配置されているの
で、ビームスプリッタ51を経た戻り光に、第11図Ｃに示
すように、波長変動に対して常にほぼ一定の位相差ω
（Ｐ−Ｓ）をもたせることができ、上述した実施例と同
様な効果を得ることができる。
なお、この発明は上述した実施例にのみ限定されるも
のではなく、幾多の変形または変更が可能である。例え
ば、上述した実施例では、光磁気信号検出光学系に入射
する戻り光の光路に配置される反射面の全てに薄膜構造
体を設けるようにしたが、任意の一つの反射面に戻り光
の位相差の波長依存性を補償するように薄膜構造体を設
けるようにしてもよい。また、上述した実施例では、光
源の初期波長を830nmとしたが、それ以外の波長を用い
る場合にもこの発明を有効に適用することができると共
に、記録媒体も光磁気ディスクに限らず、光ディスクや
その他の光学式記録媒体を用いる場合にもこの発明を有
効に適用することができる。
のではなく、幾多の変形または変更が可能である。例え
ば、上述した実施例では、光磁気信号検出光学系に入射
する戻り光の光路に配置される反射面の全てに薄膜構造
体を設けるようにしたが、任意の一つの反射面に戻り光
の位相差の波長依存性を補償するように薄膜構造体を設
けるようにしてもよい。また、上述した実施例では、光
源の初期波長を830nmとしたが、それ以外の波長を用い
る場合にもこの発明を有効に適用することができると共
に、記録媒体も光磁気ディスクに限らず、光ディスクや
その他の光学式記録媒体を用いる場合にもこの発明を有
効に適用することができる。
本発明の光学式読み取り装置は、半導体レーザからの
光を記録媒体に投射し、その反射光を反射面又は透過面
からなる少なくとも２個の光学面を有する光学系を経て
光検出器に入射させて、前記記録媒体に記録された情報
を再生するに際し、前記光学面のうち一つの光学面に所
定の薄膜構造体が配置されており、前記半導体レーザか
らの光が前記所定の薄膜構造体を通過するようにした光
学式読み取り装置において、前記一つの光学面以外の光
学面に他の薄膜構造体が配置されており、前記所定の薄
膜構造体と前記他の薄膜構造体とに基づき前記記録媒体
からの反射光の波長の変化に対するＰ偏光成分とＳ偏光
成分との位相差変化が補償されるよう前記他の薄膜構造
体が構成されていることを特徴とするから、光源の波長
変動に影響されることがなく常にほぼ一定のC/Nの再生
信号を得ることができる利点がある。
光を記録媒体に投射し、その反射光を反射面又は透過面
からなる少なくとも２個の光学面を有する光学系を経て
光検出器に入射させて、前記記録媒体に記録された情報
を再生するに際し、前記光学面のうち一つの光学面に所
定の薄膜構造体が配置されており、前記半導体レーザか
らの光が前記所定の薄膜構造体を通過するようにした光
学式読み取り装置において、前記一つの光学面以外の光
学面に他の薄膜構造体が配置されており、前記所定の薄
膜構造体と前記他の薄膜構造体とに基づき前記記録媒体
からの反射光の波長の変化に対するＰ偏光成分とＳ偏光
成分との位相差変化が補償されるよう前記他の薄膜構造
体が構成されていることを特徴とするから、光源の波長
変動に影響されることがなく常にほぼ一定のC/Nの再生
信号を得ることができる利点がある。
第１図ＡおよびＢはこの発明の第１実施例を示す図、 第２図Ａ〜Ｃはその各部の薄膜構造体の位相差の波長依
存性の一例を示す図、 第３図は第１図Ａに示すビームスプリッタに設ける薄膜
構造体の一例の構成を示す図、 第４図ＡおよびＢはこの発明の第２実施例を示す図、 第５図は第４図A,Bに示す反射プリズムに設ける薄膜構
造体の一例の構成を示す図、 第６図Ａ〜Ｃは第２実施例における各部の薄膜構造体の
位相差の波長依存性の一例を示す図、 第７図Ａ〜Ｃは第２実施例において90゜の位相差をもた
せる場合の各部の薄膜構造体の位相差の波長依存性の一
例を示す図、 第８図ＡおよびＢはこの発明の第３実施例を示す図、 第９図Ａ〜Ｄはその各部の薄膜構造体の位相差の波長依
存性の一例を示す図、 第10図はこの発明の第４実施例を示す図、 第11図Ａ〜Ｃはその各部の薄膜構造体の位相差の波長依
存性の一例を示す図、 第12図ＡおよびＢは従来の技術を説明するための図であ
る。 11……半導体レーザ、12……コリメートレンズ 13……整形プリズム、14,15……ビームスプリッタ 16……全反射ミラー、17……対物レンズ 18……光磁気ディスク、19……1/2波長板 20……集光レンズ、21……光磁気信号検出光学系 22……偏光ビームスプリッタ 23,24……光検出器、25……エラー信号検出光学系 26……臨界角プリズム、27,28……光検出器 31,32……薄膜構造体、35……反射プリズム 36,37……薄膜構造体、41……ビームスプリッタ 42……反射プリズム、43,44,45……薄膜構造体 50,51……ビームスプリッタ 52,53……薄膜構造体
存性の一例を示す図、 第３図は第１図Ａに示すビームスプリッタに設ける薄膜
構造体の一例の構成を示す図、 第４図ＡおよびＢはこの発明の第２実施例を示す図、 第５図は第４図A,Bに示す反射プリズムに設ける薄膜構
造体の一例の構成を示す図、 第６図Ａ〜Ｃは第２実施例における各部の薄膜構造体の
位相差の波長依存性の一例を示す図、 第７図Ａ〜Ｃは第２実施例において90゜の位相差をもた
せる場合の各部の薄膜構造体の位相差の波長依存性の一
例を示す図、 第８図ＡおよびＢはこの発明の第３実施例を示す図、 第９図Ａ〜Ｄはその各部の薄膜構造体の位相差の波長依
存性の一例を示す図、 第10図はこの発明の第４実施例を示す図、 第11図Ａ〜Ｃはその各部の薄膜構造体の位相差の波長依
存性の一例を示す図、 第12図ＡおよびＢは従来の技術を説明するための図であ
る。 11……半導体レーザ、12……コリメートレンズ 13……整形プリズム、14,15……ビームスプリッタ 16……全反射ミラー、17……対物レンズ 18……光磁気ディスク、19……1/2波長板 20……集光レンズ、21……光磁気信号検出光学系 22……偏光ビームスプリッタ 23,24……光検出器、25……エラー信号検出光学系 26……臨界角プリズム、27,28……光検出器 31,32……薄膜構造体、35……反射プリズム 36,37……薄膜構造体、41……ビームスプリッタ 42……反射プリズム、43,44,45……薄膜構造体 50,51……ビームスプリッタ 52,53……薄膜構造体
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザからの光を記録媒体に投射
し、その反射光を反射面又は透過面からなる少なくとも
２個の光学面を有する光学系を経て光検出器に入射させ
て、前記記録媒体に記録された情報を再生するに際し、
前記光学面のうち一つの光学面に所定の薄膜構造体が配
置されており、前記半導体レーザからの光が前記所定の
薄膜構造体を通過するようにした光学式読み取り装置に
おいて、 前記一つの光学面以外の光学面に他の薄膜構造体が配置
されており、前記所定の薄膜構造体と前記他の薄膜構造
体とに基づき前記記録媒体からの反射光の波長の変化に
対するＰ偏光成分とＳ偏光成分との位相差変化が補償さ
れるよう前記他の薄膜構造体が構成されていることを特
徴とする光学式読み取り装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1240038A JP2982965B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 光学式読み取り装置 |
| US07/582,384 US5307335A (en) | 1989-09-18 | 1990-09-14 | Optical information reading apparatus with multi film elements to compensate for wavelength fluctuation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1240038A JP2982965B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 光学式読み取り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03104033A JPH03104033A (ja) | 1991-05-01 |
| JP2982965B2 true JP2982965B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=17053547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1240038A Expired - Lifetime JP2982965B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 光学式読み取り装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5307335A (ja) |
| JP (1) | JP2982965B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP0475765B1 (en) * | 1990-09-13 | 1996-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical head for magneto-optical recording/reproducing apparatus |
| US5577018A (en) * | 1992-02-07 | 1996-11-19 | Sony Corporation | Phase changing apparatus and optical pickup apparatus for magneto-optic storage device using same |
| CN1039059C (zh) * | 1993-06-25 | 1998-07-08 | 菲利浦电子有限公司 | 偏振分束器及采用该分束器的磁光读装置 |
| JPH08212612A (ja) * | 1994-11-17 | 1996-08-20 | Canon Inc | 光学的情報記録再生装置及び該装置用光ヘッド |
| JPH08287511A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Sony Corp | 光ピックアップ装置及び光検出装置 |
| JP2001201615A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Sony Corp | 光学素子および光ピックアップ |
| JP2006134535A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Konica Minolta Opto Inc | ビームスプリッタ及び光ピックアップ装置 |
| CN100452193C (zh) * | 2004-12-31 | 2009-01-14 | 上海乐金广电电子有限公司 | 光拾取装置 |
| JP2010238274A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
| WO2011013484A1 (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | コニカミノルタオプト株式会社 | 光ピックアップ装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782655B2 (ja) * | 1983-04-28 | 1995-09-06 | オリンパス光学工業株式会社 | 光ヘッド |
| JP2504734B2 (ja) * | 1983-11-08 | 1996-06-05 | シャープ株式会社 | 光磁気記憶装置の光学装置 |
| DE3581033D1 (de) * | 1984-09-04 | 1991-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Geraet zum antreiben eines optischen speichermediums. |
| JPS61292232A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ヘツド |
| JPS62170038A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-27 | Seiko Epson Corp | 光学ヘツド |
| JPS62223842A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスク装置 |
| JP2531626B2 (ja) * | 1986-04-10 | 1996-09-04 | オリンパス光学工業株式会社 | 光学的記録媒体用基盤の光学的特性測定装置 |
| US4873678A (en) * | 1986-12-10 | 1989-10-10 | Hitachi, Ltd. | Optical head and optical information processor using the same |
| JPH0777038B2 (ja) * | 1986-12-25 | 1995-08-16 | ソニー株式会社 | 光学ピツクアツプ装置 |
| JPS63171438A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-15 | Fujitsu Ltd | 偏光位相差が打ち消された光学ヘツド |
| JPS63195623U (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-16 | ||
| JP2624691B2 (ja) * | 1987-07-08 | 1997-06-25 | 株式会社日立製作所 | 磁気光学ヘッド |
| JPS6489044A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Toshiba Corp | Optical head |
| JP2606257B2 (ja) * | 1988-03-01 | 1997-04-30 | 松下電器産業株式会社 | 光磁気記録再生用光学ヘッド |
| EP0331476A1 (en) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical information reproducing apparatus having a polarizing beam splitter disposed with an inclination of 45 |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP1240038A patent/JP2982965B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-14 US US07/582,384 patent/US5307335A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5307335A (en) | 1994-04-26 |
| JPH03104033A (ja) | 1991-05-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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