JPH0749627Y2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
- Publication number
- JPH0749627Y2 JPH0749627Y2 JP3697590U JP3697590U JPH0749627Y2 JP H0749627 Y2 JPH0749627 Y2 JP H0749627Y2 JP 3697590 U JP3697590 U JP 3697590U JP 3697590 U JP3697590 U JP 3697590U JP H0749627 Y2 JPH0749627 Y2 JP H0749627Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- beam splitter
- optical axis
- optical
- incident
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は光ピックアップ装置及び複合光学部品に関し、
より詳細には光磁気ディスク等に用いられる光ピックア
ップ用光学部品の構成及び該光学部品を用いて構成した
光ピックアップ装置の構成に関する。
より詳細には光磁気ディスク等に用いられる光ピックア
ップ用光学部品の構成及び該光学部品を用いて構成した
光ピックアップ装置の構成に関する。
（従来技術） 光磁気ディスクは情報の記録再生書換が可能な記録媒体
であって、ハードディスク等とは異なり記憶容量が大容
量であるにも拘らず記憶媒体の交換が可能である特徴を
有し、近年、コンピュータ用の記憶媒体等をはじめ、各
種記憶装置に用いられている。
であって、ハードディスク等とは異なり記憶容量が大容
量であるにも拘らず記憶媒体の交換が可能である特徴を
有し、近年、コンピュータ用の記憶媒体等をはじめ、各
種記憶装置に用いられている。
第３図は従来の光磁気ディスクの基本構成を示す図であ
って、レーザダイオード１より出射したレーザ光はコリ
メートレンズ２を通過することにより平行光に変換さ
れ、次段の偏光ビームスプリッタ３に入射する。
って、レーザダイオード１より出射したレーザ光はコリ
メートレンズ２を通過することにより平行光に変換さ
れ、次段の偏光ビームスプリッタ３に入射する。
該偏光ビームスプリッタ３に例えばＳ偏光を入射せしめ
た場合、該入射光は光軸方向が変化すると共に対物レン
ズ４を介して光磁気ディスク５上に収束し、該ディスク
５上のトラック６の垂直磁化膜に記憶された情報に基づ
く磁化パターンに応じてカー効果により偏光面の回転を
生じ、再び対物レンズ４を介して偏光ビームスプリッタ
３に入射する。
た場合、該入射光は光軸方向が変化すると共に対物レン
ズ４を介して光磁気ディスク５上に収束し、該ディスク
５上のトラック６の垂直磁化膜に記憶された情報に基づ
く磁化パターンに応じてカー効果により偏光面の回転を
生じ、再び対物レンズ４を介して偏光ビームスプリッタ
３に入射する。
該偏光ビームスプリッタ３に入射した光磁気ディスクよ
りの反射光はその光軸方向が変化することなく該スプリ
ッタ３を透過し、次段の位相補償板７を介して３ビーム
スプリッタ８に入射する。該３ビームスプリッタ８は本
願出願人がなした特開昭63-113503により開示されてい
るので詳細な説明は省略するが、出射光ａはＰ偏光成
分、出射光ｂはＳ偏光成分、出射光ｃはＰ偏光成分及び
Ｓ偏光成分との合成成分を有すものであり、各出射光を
集光レンズ９を介して光ディテクター10に収束せしめ、
該ディテクター10cの検出出力はサーボ制御用に用いら
れ、また、ディテクター10ab検出出力は前記光磁気ディ
スク６上の垂直磁化膜に於いて反射光が受けた偏光面の
回転を検出し、情報を再生するために用いられる。
りの反射光はその光軸方向が変化することなく該スプリ
ッタ３を透過し、次段の位相補償板７を介して３ビーム
スプリッタ８に入射する。該３ビームスプリッタ８は本
願出願人がなした特開昭63-113503により開示されてい
るので詳細な説明は省略するが、出射光ａはＰ偏光成
分、出射光ｂはＳ偏光成分、出射光ｃはＰ偏光成分及び
Ｓ偏光成分との合成成分を有すものであり、各出射光を
集光レンズ９を介して光ディテクター10に収束せしめ、
該ディテクター10cの検出出力はサーボ制御用に用いら
れ、また、ディテクター10ab検出出力は前記光磁気ディ
スク６上の垂直磁化膜に於いて反射光が受けた偏光面の
回転を検出し、情報を再生するために用いられる。
しかしながら、近年各種電子光学機器の小型化の要求に
伴って、光ピックアップ部も小型化する必要が生じてき
たが、第３図からも明らかなように光ピックアップ部の
主要部をつかさどる光学部品、例えばレーザダイオード
１、偏光ビームスプリッタ３、３ビームスプリッタ８或
は光ディテクター10は直線的に配置されておらず、逆Ｌ
字状に配置されているため光ピックアップ部を小型化或
は薄型化するには限界があると云う問題点があった。
伴って、光ピックアップ部も小型化する必要が生じてき
たが、第３図からも明らかなように光ピックアップ部の
主要部をつかさどる光学部品、例えばレーザダイオード
１、偏光ビームスプリッタ３、３ビームスプリッタ８或
は光ディテクター10は直線的に配置されておらず、逆Ｌ
字状に配置されているため光ピックアップ部を小型化或
は薄型化するには限界があると云う問題点があった。
（考案の目的） 本考案は上述したごとき従来の問題点に鑑みなされたも
のであって、従来逆Ｌ字上に配置されていた光ピックア
ップ部の光学部品を直線的に配置し、小型化且つ薄型の
光ピックアップ部を構成することができる複合光学部品
及び光ピックアップ装置を提供することを目的とする。
のであって、従来逆Ｌ字上に配置されていた光ピックア
ップ部の光学部品を直線的に配置し、小型化且つ薄型の
光ピックアップ部を構成することができる複合光学部品
及び光ピックアップ装置を提供することを目的とする。
（考案の概要） この目的を達成するために本考案に係る複合光学部品は
入射光軸上に偏光ビームスプリッタと、少なくとも２つ
の結晶体を接合した複像プリズムであって、入射光の光
軸と一の結晶体の光学軸とを含む面が前記光軸と他の少
なくとも一の結晶体の光学軸とを含む平面に対して非直
角である所定の角度を有するウォーラストンプリズムと
を接合すると共に、前記偏光ビームスプリッタの入射光
軸と平行な面に一方の主面にミラーコーティングを施し
た1/4波長板を接合した複合光学素子を用い、光源から
出射した所定の直線偏光を前記偏光ビームスプリッタに
て反射せしめ、 該反射光が1/4波長板に入射するよう該1/4波長板を配置
することにより該1/4波長板出射光を前記偏光ビームス
プリッタを介して光学記憶媒体に照射すると共に、 該光学記録媒体からの反射光を前記偏光ビームスプリッ
タに於いて再び反射せしめ、該反射板がウォーラストン
プリズムに入射するよう配置することにより、該ウォー
ラストンプリズム出射光にＰ偏光成分及びＳ偏光成分が
合成した光線、Ｐ偏光、Ｓ偏光の３つの出射光を得るよ
う構成したことを特徴とする。
入射光軸上に偏光ビームスプリッタと、少なくとも２つ
の結晶体を接合した複像プリズムであって、入射光の光
軸と一の結晶体の光学軸とを含む面が前記光軸と他の少
なくとも一の結晶体の光学軸とを含む平面に対して非直
角である所定の角度を有するウォーラストンプリズムと
を接合すると共に、前記偏光ビームスプリッタの入射光
軸と平行な面に一方の主面にミラーコーティングを施し
た1/4波長板を接合した複合光学素子を用い、光源から
出射した所定の直線偏光を前記偏光ビームスプリッタに
て反射せしめ、 該反射光が1/4波長板に入射するよう該1/4波長板を配置
することにより該1/4波長板出射光を前記偏光ビームス
プリッタを介して光学記憶媒体に照射すると共に、 該光学記録媒体からの反射光を前記偏光ビームスプリッ
タに於いて再び反射せしめ、該反射板がウォーラストン
プリズムに入射するよう配置することにより、該ウォー
ラストンプリズム出射光にＰ偏光成分及びＳ偏光成分が
合成した光線、Ｐ偏光、Ｓ偏光の３つの出射光を得るよ
う構成したことを特徴とする。
（実施例） 以下、図面に示した実施例に基づいて本考案を詳細に説
明する。
明する。
第１図（ａ）（ｂ）は本考案に係る複合光学部品14の構
成を示す図であって、同図に於いて15は偏光ビームスプ
リッタ、16は３ビームスプリッタ、17は1/4波長板であ
り、夫々の光学部品15、16及び17はインデックスマッチ
ング材により接合され、また、前記1/4波長板17の前記
偏光ビームスプリッタ16との接合面と相対する面はミラ
ーコート17aが施されている。
成を示す図であって、同図に於いて15は偏光ビームスプ
リッタ、16は３ビームスプリッタ、17は1/4波長板であ
り、夫々の光学部品15、16及び17はインデックスマッチ
ング材により接合され、また、前記1/4波長板17の前記
偏光ビームスプリッタ16との接合面と相対する面はミラ
ーコート17aが施されている。
このように構成した複合光学部品14の偏光ビームスプリ
ッタ15にＳ偏光を照射すると光線は該偏光ビームスプリ
ッタ15の偏光膜に於いて反射し、その光軸方向が下部に
配置された1/4波長板17方向に変化する。
ッタ15にＳ偏光を照射すると光線は該偏光ビームスプリ
ッタ15の偏光膜に於いて反射し、その光軸方向が下部に
配置された1/4波長板17方向に変化する。
したがって、1/4波長板17に入射した直線偏光は円偏光
に変換され、該1/4波長板17の端面に設けられたミラー
コート17aにより反射し、再び1/4波長板17を透過してＰ
偏光に変換された後、偏光ビームスプリッタ15に入射す
る。
に変換され、該1/4波長板17の端面に設けられたミラー
コート17aにより反射し、再び1/4波長板17を透過してＰ
偏光に変換された後、偏光ビームスプリッタ15に入射す
る。
Ｐ偏光が前記偏光ビームスプリッタ15に入射すると入射
Ｐ偏光は光軸方向に進み、該偏光ビームスプリッタを透
過し、図示しない光磁気ディスク上の垂直磁化膜に収束
する。
Ｐ偏光は光軸方向に進み、該偏光ビームスプリッタを透
過し、図示しない光磁気ディスク上の垂直磁化膜に収束
する。
また、光磁気ディスク等から反射したＰ偏光は偏光ビー
ムスプリッタ15の偏光膜に於いて更に反射し、その光軸
が変わり次段の３ビームスプリッタ16に入射すると共に
該３ビームスプリッタに入射した直線偏光は前述したよ
うにＰ偏光、Ｓ偏光及びＰ＋Ｓ偏光成分が合成した光線
が出射する。
ムスプリッタ15の偏光膜に於いて更に反射し、その光軸
が変わり次段の３ビームスプリッタ16に入射すると共に
該３ビームスプリッタに入射した直線偏光は前述したよ
うにＰ偏光、Ｓ偏光及びＰ＋Ｓ偏光成分が合成した光線
が出射する。
第２図は本考案に係る複合光学部品14を光ピックアップ
に用いた場合の概略構成を示す図であって、前記第３図
と同一の部分には同一の記号を付す。
に用いた場合の概略構成を示す図であって、前記第３図
と同一の部分には同一の記号を付す。
半導体レーザ１から例えばＰ偏光を出射すると、コリメ
ートレンズ２を介して平行光となり、次段の複合光学部
品14に入射し、該入射偏光は偏光ビームスプリッタ15の
偏光膜に於いて反射して1/4波長板17に入射する。
ートレンズ２を介して平行光となり、次段の複合光学部
品14に入射し、該入射偏光は偏光ビームスプリッタ15の
偏光膜に於いて反射して1/4波長板17に入射する。
該1/4波長板17に入射した直線偏光は円偏光に変換され
端面に設けられたミラーコートにより反射し、再び偏光
ビームスプリッタ15に入射してＰ偏光に変換され偏光膜
を透過する。
端面に設けられたミラーコートにより反射し、再び偏光
ビームスプリッタ15に入射してＰ偏光に変換され偏光膜
を透過する。
該偏光ビームスプリッタ15を透過した直線偏光は対物レ
ンズ４を介して光磁気ディスク５のピット６上に収束
し、該ピット６の垂直磁化膜の磁化の向きによって左右
いずれかに偏光方向が回転して反射し、前記対物レンズ
４を介して再び偏光ビームスプリッタ15に入射する。
ンズ４を介して光磁気ディスク５のピット６上に収束
し、該ピット６の垂直磁化膜の磁化の向きによって左右
いずれかに偏光方向が回転して反射し、前記対物レンズ
４を介して再び偏光ビームスプリッタ15に入射する。
該偏光ビームスプリッタ15では反射光のほとんどの成分
が偏光膜の容易透過偏波方向と直交しているために該偏
光膜にて反射し、次段の３ビームスプリッタ16に入射す
ることによりＰ、Ｓ、Ｐ＋Ｓそれぞれの偏光成分を有す
３ビームを得、該３ビーム出射光を光ディテクター10に
より検出し情報信号及びサーボ制御用信号を得るもので
ある。
が偏光膜の容易透過偏波方向と直交しているために該偏
光膜にて反射し、次段の３ビームスプリッタ16に入射す
ることによりＰ、Ｓ、Ｐ＋Ｓそれぞれの偏光成分を有す
３ビームを得、該３ビーム出射光を光ディテクター10に
より検出し情報信号及びサーボ制御用信号を得るもので
ある。
即ち、小型且つ安価な1/4波長板を追加するだけで光ピ
ックアップの主要構成部品であるレーザダイオード１、
偏光ビームスプリッタ15、３ビームスプリッタ16及び光
ディテクター10を直線的に配置することができるため非
常に薄型の光ピックアップ部を構成することができる。
ックアップの主要構成部品であるレーザダイオード１、
偏光ビームスプリッタ15、３ビームスプリッタ16及び光
ディテクター10を直線的に配置することができるため非
常に薄型の光ピックアップ部を構成することができる。
（考案の効果） 本考案は上述した如く構成し且つ機能するものであるか
ら、安価且つ小型の光学部品を付加することにより非常
に薄型の光ピックアップ部を構成することができ、光デ
ィスク装置を小型化するうえで著しい効果を発揮する。
ら、安価且つ小型の光学部品を付加することにより非常
に薄型の光ピックアップ部を構成することができ、光デ
ィスク装置を小型化するうえで著しい効果を発揮する。
第１図は本考案に係る光複合部品の構成を示す図、第２
図は本考案に係る光複合部品を用いて光ピックアップ部
を構成した場合の概略構成を示す図、第３図は従来の光
ピックアップを示す図である。 １……レーザダイオード、２……コリメートレンズ、
３、15……偏光ビームスプリッタ、４……対物レンズ、
５……光磁気ディスク、６……ピット、７……位相補償
板、８、16……３ビームスプリッタ、９……集光レン
ズ、10……光ディテクタ、14……複合光学部品、17……
1/4波長板
図は本考案に係る光複合部品を用いて光ピックアップ部
を構成した場合の概略構成を示す図、第３図は従来の光
ピックアップを示す図である。 １……レーザダイオード、２……コリメートレンズ、
３、15……偏光ビームスプリッタ、４……対物レンズ、
５……光磁気ディスク、６……ピット、７……位相補償
板、８、16……３ビームスプリッタ、９……集光レン
ズ、10……光ディテクタ、14……複合光学部品、17……
1/4波長板
Claims (2)
- 【請求項１】光源からの光を光学記憶媒体に照射し、該
光学記憶媒体からの反射光の偏光面の回転を検出する光
ピックアップ装置に於いて、 少なくとも２つの結晶体を接合した複像プリズムであっ
て、入射光の光軸と一の結晶体の光学軸とを含む面が前
記光軸と他の少なくとも一の結晶体の光学軸とを含む平
面に対して非直角である所定の角度を有するウォーラス
トンプリズムと、偏光ビームスプリッタと、一方の主面
にミラーコートを施した1/4波長板とを備え、 光源から出射した所定の直線偏光を前記偏光ビームスプ
リッタにて反射せしめ、 該反射光が1/4波長板に入射するよう該1/4波長板を配置
することにより該1/4波長板出射光を前記偏光ビームス
プリッタを介して光学記憶媒体に照射すると共に、 該光学記録媒体からの反射光を前記偏光ビームスプリッ
タに於いて再び反射せしめ、該反射光がウォーラストン
プリズムに入射するよう配置することにより、該ウォー
ラストンプリズム出射光にＰ偏光成分及びＳ偏光成分が
合成した光線、Ｐ偏光、Ｓ偏光の３つの出射光を得るよ
う構成したことを特徴とする光ピックアップ装置。 - 【請求項２】入射光軸上に偏光ビームスプリッタと、少
なくとも２つの結晶体を接合した複像プリズムであっ
て、入射光の光軸と一の結晶体の光学軸とを含む面が前
記光軸と他の少なくとも一の結晶体の光学軸とを含む平
面に対して非直角である所定の角度を有するウォーラス
トンプリズムとを接合すると共に、前記偏光ビームスプ
リッタの入射光軸と平行な面に一方の主面にミラーコー
ティングを施した1/4波長板を接合したことを特徴とす
る複合光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3697590U JPH0749627Y2 (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | 光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3697590U JPH0749627Y2 (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | 光ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03130019U JPH03130019U (ja) | 1991-12-26 |
| JPH0749627Y2 true JPH0749627Y2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=31543678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3697590U Expired - Lifetime JPH0749627Y2 (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749627Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100259372B1 (ko) * | 1997-06-04 | 2000-06-15 | 김영환 | 광픽업 장치 |
-
1990
- 1990-04-05 JP JP3697590U patent/JPH0749627Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03130019U (ja) | 1991-12-26 |
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