JP2786484B2 - 光磁気再生装置 - Google Patents
光磁気再生装置Info
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- JP2786484B2 JP2786484B2 JP1206934A JP20693489A JP2786484B2 JP 2786484 B2 JP2786484 B2 JP 2786484B2 JP 1206934 A JP1206934 A JP 1206934A JP 20693489 A JP20693489 A JP 20693489A JP 2786484 B2 JP2786484 B2 JP 2786484B2
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10541—Heads for reproducing
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は光磁気再生装置に関する。
〔従来の技術〕 光磁気再生装置は従来種々のものが提案されている
（例えば特開昭63−184936号公報）。
（例えば特開昭63−184936号公報）。
第６図は従来の光磁気再生装置の構成を示すものであ
る。この光磁気再生装置においては、半導体レーザ１か
らのレーザ光をコリメータレンズ２、ビームスプリッタ
３および対物レンズ４を経て光磁気記録媒体５に投射
し、その反射光を対物レンズ４、ビームスプリッタ３お
よび1/2波長板６を経て偏光ビームスプリッタ７に入射
させ、その透過光および反射光をそれぞれ光検出器8a,8
bで受光してそれらの出力の差を差動増幅器９で検出し
て再生信号を得るようにしている。ここで、1/2波長板
６はその結晶の光学軸の方位が、光磁気記録媒体５に入
射するレーザ光の直線偏光の方向に対して22.5゜に設定
され、これにより入射光の偏光面を45゜回転させて偏光
ビームスプリッタ７に入射させるように構成されてい
る。
る。この光磁気再生装置においては、半導体レーザ１か
らのレーザ光をコリメータレンズ２、ビームスプリッタ
３および対物レンズ４を経て光磁気記録媒体５に投射
し、その反射光を対物レンズ４、ビームスプリッタ３お
よび1/2波長板６を経て偏光ビームスプリッタ７に入射
させ、その透過光および反射光をそれぞれ光検出器8a,8
bで受光してそれらの出力の差を差動増幅器９で検出し
て再生信号を得るようにしている。ここで、1/2波長板
６はその結晶の光学軸の方位が、光磁気記録媒体５に入
射するレーザ光の直線偏光の方向に対して22.5゜に設定
され、これにより入射光の偏光面を45゜回転させて偏光
ビームスプリッタ７に入射させるように構成されてい
る。
第７図Ａ〜Ｇは、第６図に示した従来の光磁気再生装
置における各光路での偏光状態と、ジョーンズベクトル
とを示すものである。第７図Ａに示すように、半導体レ
ーザ１からの出射光を直線偏光で、その振幅を１とする
と、このレーザ光はビームスプリッタ３を第７図Ｂに示
すように直線偏光のまま透過し、その振幅はビームスプ
リッタ３での透過率をTpとすると、 となる。また、光磁気記録媒体５での反射光は、光磁気
記録媒体５での反射率をＲ、磁化の向きによるカー回転
角を±θｋとすると第７図Ｃに示すようになり、この反
射光がビームスプリッタ３で反射されると第７図Ｄに示
すようになる。なお、第７図ＤにおいてRpおよびRsはそ
れぞれビームスプリッタ３でのＰ偏光およびＳ偏光の反
射率を示し、偏光状態はＳ偏光の反射率を100％として
示してある。このビームスプリッタ３での反射光は、1/
2波長板６で偏光面が45゜回転されて第７図Ｅに示すよ
うになり、この光が偏光ビームスプリッタ７でＰ偏光成
分とＳ偏光成分とに分離されることにより、透過光（Ｐ
偏光）および反射光（Ｓ偏光）はそれぞれ第７図Ｆおよ
び第７図Ｇに示すように、振幅が同じでカー回転の向き
により逆相の信号となる。
置における各光路での偏光状態と、ジョーンズベクトル
とを示すものである。第７図Ａに示すように、半導体レ
ーザ１からの出射光を直線偏光で、その振幅を１とする
と、このレーザ光はビームスプリッタ３を第７図Ｂに示
すように直線偏光のまま透過し、その振幅はビームスプ
リッタ３での透過率をTpとすると、 となる。また、光磁気記録媒体５での反射光は、光磁気
記録媒体５での反射率をＲ、磁化の向きによるカー回転
角を±θｋとすると第７図Ｃに示すようになり、この反
射光がビームスプリッタ３で反射されると第７図Ｄに示
すようになる。なお、第７図ＤにおいてRpおよびRsはそ
れぞれビームスプリッタ３でのＰ偏光およびＳ偏光の反
射率を示し、偏光状態はＳ偏光の反射率を100％として
示してある。このビームスプリッタ３での反射光は、1/
2波長板６で偏光面が45゜回転されて第７図Ｅに示すよ
うになり、この光が偏光ビームスプリッタ７でＰ偏光成
分とＳ偏光成分とに分離されることにより、透過光（Ｐ
偏光）および反射光（Ｓ偏光）はそれぞれ第７図Ｆおよ
び第７図Ｇに示すように、振幅が同じでカー回転の向き
により逆相の信号となる。
しかしながら、第６図に示した従来の光磁気再生装置
にあっては、1/2波長板６の方位のずれにより、再生信
号のC/Nが大きく影響を受けるため、その調整の精度を
厳しくする必要がある。
にあっては、1/2波長板６の方位のずれにより、再生信
号のC/Nが大きく影響を受けるため、その調整の精度を
厳しくする必要がある。
すなわち、第６図では1/2波長板６を、その結晶の光
学軸が半導体レーザ１からの直線偏光の方向に対して2
2.5゜となるように調整して配置する必要があるが、そ
の設定角度がαずれて22.5゜＋αとなると、偏光面の回
転は45゜＋２αとなる。このとき、２つの光検出器8a,8
bの出力差による信号光強度は、 となる。また、２つの光検出器8a,8bに入射する平均の
光強度の差動アンバランス量は、 RTp sin4α（Rpcos2θｋ−Rssin2θｋ） …（２） となる。
学軸が半導体レーザ１からの直線偏光の方向に対して2
2.5゜となるように調整して配置する必要があるが、そ
の設定角度がαずれて22.5゜＋αとなると、偏光面の回
転は45゜＋２αとなる。このとき、２つの光検出器8a,8
bの出力差による信号光強度は、 となる。また、２つの光検出器8a,8bに入射する平均の
光強度の差動アンバランス量は、 RTp sin4α（Rpcos2θｋ−Rssin2θｋ） …（２） となる。
上記（１）および（２）式から明らかなように、誤差
αがあると、信号光強度はcos4αに比例して減小し、差
動アンバランス量はsin4αに比例して増大することにあ
る。このため、誤差αが微小であってもノイズが増大
し、再生信号のC/Nが低下することになる。
αがあると、信号光強度はcos4αに比例して減小し、差
動アンバランス量はsin4αに比例して増大することにあ
る。このため、誤差αが微小であってもノイズが増大
し、再生信号のC/Nが低下することになる。
このように、第６図に示した従来の光磁気再生装置に
あっては、1/2波長板６の方位のずれによるC/Nの低下が
大きいため、その調整の精度を厳しくする必要があり、
これがため組立てが面倒となってコスト高になるという
問題がある。
あっては、1/2波長板６の方位のずれによるC/Nの低下が
大きいため、その調整の精度を厳しくする必要があり、
これがため組立てが面倒となってコスト高になるという
問題がある。
なお、上記の問題を解決する方法として、1/2波長板
を用いずに偏光ビームスプリッタ７を第６図において光
軸を中心に45゜回転して配置することが考えられる。こ
のようにすれば、調整誤差による悪影響が上記の場合に
比べ半分となり、したがって調整精度を半分にできる
が、この場合には偏光ビームスプリッタ７での反射光が
45゜方向に曲がるため、同一平面内に光学系を配置する
ことができなくなり、光学系全体が大形になるという不
具合がある。
を用いずに偏光ビームスプリッタ７を第６図において光
軸を中心に45゜回転して配置することが考えられる。こ
のようにすれば、調整誤差による悪影響が上記の場合に
比べ半分となり、したがって調整精度を半分にできる
が、この場合には偏光ビームスプリッタ７での反射光が
45゜方向に曲がるため、同一平面内に光学系を配置する
ことができなくなり、光学系全体が大形になるという不
具合がある。
この発明は、上述した従来の問題点に着目してなされ
たもので、光学系の調整誤差による再生信号のC/Nの低
下を軽減でき、したがって組立てを容易にでき、調整コ
ストを低減できるよう適切に構成した光磁気再生装置を
提供することを目的とする。
たもので、光学系の調整誤差による再生信号のC/Nの低
下を軽減でき、したがって組立てを容易にでき、調整コ
ストを低減できるよう適切に構成した光磁気再生装置を
提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、この発明では光磁気記録媒
体に垂直方向に磁化されて記録された情報を光学的に読
み取る光磁気再生装置において、前記光磁気記録媒体か
らの反射光の偏光状態を、同じ方位、同じ大きさで、磁
化の向きに応じて右回り、左回りの楕円偏光にする第１
の光学手段と、この第１の光学手段からの楕円偏光をそ
の回転の向きに応じて、長軸の方向がほぼ直交する同一
方向に回転する楕円偏光にする第２の光学手段と、この
第２の光学手段からの楕円偏光のほぼ長軸および短軸方
向に直交する偏光成分の一方を透過し、他方を反射する
第３の光学手段とを具え、この第３の光学手段での透過
光および反射光に基づいて情報を読み取るよう構成す
る。
体に垂直方向に磁化されて記録された情報を光学的に読
み取る光磁気再生装置において、前記光磁気記録媒体か
らの反射光の偏光状態を、同じ方位、同じ大きさで、磁
化の向きに応じて右回り、左回りの楕円偏光にする第１
の光学手段と、この第１の光学手段からの楕円偏光をそ
の回転の向きに応じて、長軸の方向がほぼ直交する同一
方向に回転する楕円偏光にする第２の光学手段と、この
第２の光学手段からの楕円偏光のほぼ長軸および短軸方
向に直交する偏光成分の一方を透過し、他方を反射する
第３の光学手段とを具え、この第３の光学手段での透過
光および反射光に基づいて情報を読み取るよう構成す
る。
第１図はこの発明の第１実施例を示すものである。こ
の実施例では、半導体レーザ11からのレーザ光をコリメ
ータレンズ12、ビームスプリッタ13、1/4波長板14およ
び対物レンズ15を経て光磁気記録媒体16に投射し、その
反射光を対物レンズ15、1/4波長板14、ビームスプリッ
タ13および1/4波長板17を経て偏光ビームスプリッタ18
に入射させ、その透過光および反射光をそれぞれ光検出
器19a,19bで受光してそれらの出力の差を差動増幅器20
で検出して再生信号を得るようにする。ここで、1/4波
長板14はその結晶の光学軸の方位が、光磁気記録媒体16
への入射光の偏光面に対して０゜、すなわち直線偏光の
方向に一致するように配置し、1/4波長板17はその結晶
の光学軸の方位が、光磁気記録媒体16への入射光の偏光
面すなわち半導体レーザ11からのレーザ光の直線偏光の
方向に対して45゜となるように配置する。
の実施例では、半導体レーザ11からのレーザ光をコリメ
ータレンズ12、ビームスプリッタ13、1/4波長板14およ
び対物レンズ15を経て光磁気記録媒体16に投射し、その
反射光を対物レンズ15、1/4波長板14、ビームスプリッ
タ13および1/4波長板17を経て偏光ビームスプリッタ18
に入射させ、その透過光および反射光をそれぞれ光検出
器19a,19bで受光してそれらの出力の差を差動増幅器20
で検出して再生信号を得るようにする。ここで、1/4波
長板14はその結晶の光学軸の方位が、光磁気記録媒体16
への入射光の偏光面に対して０゜、すなわち直線偏光の
方向に一致するように配置し、1/4波長板17はその結晶
の光学軸の方位が、光磁気記録媒体16への入射光の偏光
面すなわち半導体レーザ11からのレーザ光の直線偏光の
方向に対して45゜となるように配置する。
以下、この実施例における動作を、第２図Ａ〜Ｉに示
す各光路での偏光状態およびジョーンズベクトルを参照
しながら説明する。
す各光路での偏光状態およびジョーンズベクトルを参照
しながら説明する。
第２図Ａに示すように、半導体レーザ11からの出射光
を直線偏光で、その振幅を１とすると、このレーザ光は
ビームスプリッタ13を第２図Ｂに示すように直線偏光
（Ｐ偏光）のまま透過し、その振幅はビームスプリッタ
13での透過率をTpとすると、 となる。したがって、このビームスプリッタ13での透過
光が方位０゜の1/4波長板14を通ってもＳ偏光成分が零
であるため、第２図Ｃに示すようにその偏光状態は変化
しない。
を直線偏光で、その振幅を１とすると、このレーザ光は
ビームスプリッタ13を第２図Ｂに示すように直線偏光
（Ｐ偏光）のまま透過し、その振幅はビームスプリッタ
13での透過率をTpとすると、 となる。したがって、このビームスプリッタ13での透過
光が方位０゜の1/4波長板14を通ってもＳ偏光成分が零
であるため、第２図Ｃに示すようにその偏光状態は変化
しない。
次に、1/4波長板14を通った光が光磁気記録媒体16に
入射すると、その反射光は光磁気記録媒体16に記録され
ている情報すなわち磁化の向きに応じて、第２図Ｄに示
すように±θｋのカー回転を受ける。なお、第２図Ｄに
おいてＲは光磁気記録媒体16での反射率を示す。この反
射光が再び1/4波長板14に入射すると、該入射光にはＳ
偏光成分が存在するため位相が90゜ずれ、したがって±
θｋ回転した光は第２図Ｅに示すように右回りと左回り
の同じ大きさの楕円偏光となる。この1/4波長板14を通
った光磁気記録媒体16からの反射光がビームスプリッタ
13で反射されると、ビームスプリッタ13でのＰ偏光およ
びＳ偏光の反射率をそれぞれRpおよびRsとすると第２図
Ｆに示すように楕円の形が変化する。なお、第２図Ｆで
はRs＝１としているため、Ｐ偏光成分だけが小さくなっ
ている。その後、方位45゜の1/4波長板17を通ると、楕
円偏光の回転の向きに応じて、第２図Ｇに示すように同
一方向に回転し、長軸の方向が直交する楕円偏光とな
る。ここで、楕円偏光の長軸の方向はＰまたはＳ偏光の
方向に、短軸の方向はＳまたはＰ偏光の方向にそれぞれ
一致する。したがって、偏光ビームスプリッタ18の透過
光および反射光はそれぞれ第２図ＨおよびＩに示すよう
に逆相となり、これら透過光および反射光をそれぞれ受
光する光検出器19aおよび19bの出力差を差動増幅器20で
検出することにより再生信号が得られる。
入射すると、その反射光は光磁気記録媒体16に記録され
ている情報すなわち磁化の向きに応じて、第２図Ｄに示
すように±θｋのカー回転を受ける。なお、第２図Ｄに
おいてＲは光磁気記録媒体16での反射率を示す。この反
射光が再び1/4波長板14に入射すると、該入射光にはＳ
偏光成分が存在するため位相が90゜ずれ、したがって±
θｋ回転した光は第２図Ｅに示すように右回りと左回り
の同じ大きさの楕円偏光となる。この1/4波長板14を通
った光磁気記録媒体16からの反射光がビームスプリッタ
13で反射されると、ビームスプリッタ13でのＰ偏光およ
びＳ偏光の反射率をそれぞれRpおよびRsとすると第２図
Ｆに示すように楕円の形が変化する。なお、第２図Ｆで
はRs＝１としているため、Ｐ偏光成分だけが小さくなっ
ている。その後、方位45゜の1/4波長板17を通ると、楕
円偏光の回転の向きに応じて、第２図Ｇに示すように同
一方向に回転し、長軸の方向が直交する楕円偏光とな
る。ここで、楕円偏光の長軸の方向はＰまたはＳ偏光の
方向に、短軸の方向はＳまたはＰ偏光の方向にそれぞれ
一致する。したがって、偏光ビームスプリッタ18の透過
光および反射光はそれぞれ第２図ＨおよびＩに示すよう
に逆相となり、これら透過光および反射光をそれぞれ受
光する光検出器19aおよび19bの出力差を差動増幅器20で
検出することにより再生信号が得られる。
次に、この実施例において、1/4波長14および17の方
位の精度が、再生信号にどのように影響するかについて
説明する。
位の精度が、再生信号にどのように影響するかについて
説明する。
先ず、ビームスプリッタ13と光磁気記録媒体16との間
の1/4波長板14が、方位０゜から角度αだけずれた場合
を考えると、この場合の1/4波長板14のジョーンズマト
リックスは、 となる。この1/4波長板14を一度通過した後、光磁気記
録媒体16により反射され、カー回転を受けて再び通過す
ると、ジョーンズベクトルは、 となる。したがって、その後の光学系が理想的に調整さ
れているものとすると、２つの光検出器19a,19bの出力
差による信号光強度は、 となり、（１）式に比べcos4αがcos2αとなって、誤差
αによる信号の低下が小さくなる。また、２つの光検出
器19a,19bに入射する平均の光強度の差動アンバランス
量は発生せず、ノイズの増加もない。
の1/4波長板14が、方位０゜から角度αだけずれた場合
を考えると、この場合の1/4波長板14のジョーンズマト
リックスは、 となる。この1/4波長板14を一度通過した後、光磁気記
録媒体16により反射され、カー回転を受けて再び通過す
ると、ジョーンズベクトルは、 となる。したがって、その後の光学系が理想的に調整さ
れているものとすると、２つの光検出器19a,19bの出力
差による信号光強度は、 となり、（１）式に比べcos4αがcos2αとなって、誤差
αによる信号の低下が小さくなる。また、２つの光検出
器19a,19bに入射する平均の光強度の差動アンバランス
量は発生せず、ノイズの増加もない。
次に、ビームスプリッタ13と偏光ビームスプリッタ18
との間の1/4波長板17が、方位45゜から角度αだけずれ
た場合を考える。この場合の信号光強度は上記（３）式
と同様に、cos2αに比例して低下する。また、差動アン
バランス量は、 RTp sin22α（Rp cos2θｋ−Rs sin2θｋ） …（４） となり、（２）式に比べsin4αがsin22αとなってかな
り小さくなる。
との間の1/4波長板17が、方位45゜から角度αだけずれ
た場合を考える。この場合の信号光強度は上記（３）式
と同様に、cos2αに比例して低下する。また、差動アン
バランス量は、 RTp sin22α（Rp cos2θｋ−Rs sin2θｋ） …（４） となり、（２）式に比べsin4αがsin22αとなってかな
り小さくなる。
以上のように、この実施例によれば２枚の1/4波長板1
4,17の方位が多少ずれても、再生信号のC/Nに与える影
響は第４図に示した従来例の半分以下となる。したがっ
て、光学系の組立てが容易にでき、調整コストを低減す
ることが可能となる。
4,17の方位が多少ずれても、再生信号のC/Nに与える影
響は第４図に示した従来例の半分以下となる。したがっ
て、光学系の組立てが容易にでき、調整コストを低減す
ることが可能となる。
第３図はこの発明の第２実施例を示すものである。こ
の実施例は、第１図において方位０゜の1/4波長板14を
ビームスプリッタ13と偏光ビームスプリッタ18との間に
配置したもので、その他の構成は第１図と同様である。
この実施例によれば、1/4波長板14,17の方位のずれαに
よる影響は、２枚とも、信号光強度についてはcos2αに
比例し、差動アンバランス量については（４）式で表わ
されるようになるので、第１実施例と同様の効果があ
る。また、この実施例では２枚の1/4波長板14,17を張り
合わせることができるので、光学系をコンパクトにでき
る利点がある。
の実施例は、第１図において方位０゜の1/4波長板14を
ビームスプリッタ13と偏光ビームスプリッタ18との間に
配置したもので、その他の構成は第１図と同様である。
この実施例によれば、1/4波長板14,17の方位のずれαに
よる影響は、２枚とも、信号光強度についてはcos2αに
比例し、差動アンバランス量については（４）式で表わ
されるようになるので、第１実施例と同様の効果があ
る。また、この実施例では２枚の1/4波長板14,17を張り
合わせることができるので、光学系をコンパクトにでき
る利点がある。
なお、以上の実施例では、２枚の1/4波長板14および1
7をそれぞれ方位０゜および45゜に配置するようにした
が、これらはそれぞれ方位90゜および−45゜に配置して
もよい。
7をそれぞれ方位０゜および45゜に配置するようにした
が、これらはそれぞれ方位90゜および−45゜に配置して
もよい。
第４図はこの発明の第３実施例を示すものである。こ
の実施例は、第１図において1/4波長板14を配置する代
わりにビームスプリッタ13の反射面13aに、光磁気記録
媒体16からの反射光のＰ偏光成分およびＳ偏光成分間に
90゜の位相差を発生させるコーティング13bを施して同
様の作用を行わせるようにしたものである。
の実施例は、第１図において1/4波長板14を配置する代
わりにビームスプリッタ13の反射面13aに、光磁気記録
媒体16からの反射光のＰ偏光成分およびＳ偏光成分間に
90゜の位相差を発生させるコーティング13bを施して同
様の作用を行わせるようにしたものである。
コーティング13bは、ビームスプリッタ13の硝材がBK7
の場合には、例えばTiO2およびSiO2の誘電体物質を交互
に11層蒸着して構成する。このようにしてコーティング
13bを構成すれば、例えば第１〜４表に示す特性のも
の、すなわち波長830nm、入射角度45゜でＰ偏光成分（R
P）とＳ偏光成分（RS）との間に90゜の位相差Ｄ（RP−R
S）を持ち、反射率特性がRP＝17％、RS＝96％のものを
得ることができる。
の場合には、例えばTiO2およびSiO2の誘電体物質を交互
に11層蒸着して構成する。このようにしてコーティング
13bを構成すれば、例えば第１〜４表に示す特性のも
の、すなわち波長830nm、入射角度45゜でＰ偏光成分（R
P）とＳ偏光成分（RS）との間に90゜の位相差Ｄ（RP−R
S）を持ち、反射率特性がRP＝17％、RS＝96％のものを
得ることができる。
次に、この実施例における動作を、第５図Ａ〜Ｇに示
す各光路での偏光状態およびジョーンズベクトルを参照
しながら説明する。
す各光路での偏光状態およびジョーンズベクトルを参照
しながら説明する。
第５図Ａに示す半導体レーザ11からの出射光を、ビー
ムスプリッタ13に対してＰ偏光で入射させると、ビーム
スプリッタ13のコーティング13bによりP,S偏光成分間に
位相差があっても、Ｓ偏光成分が零であるため、第５図
Ｂに示すようにＰ偏光のまま透過し、その振幅は となる。
ムスプリッタ13に対してＰ偏光で入射させると、ビーム
スプリッタ13のコーティング13bによりP,S偏光成分間に
位相差があっても、Ｓ偏光成分が零であるため、第５図
Ｂに示すようにＰ偏光のまま透過し、その振幅は となる。
次に、対物レンズ15を通った光が光磁気記録媒体16に
入射すると、その反射光は光磁気記録媒体16に記録され
ている情報すなわち磁化の向きに応じて、第５図Ｃに示
すように±θｋのカー回転を受ける。この反射光が再び
ビームスプリッタ13に入射して、そのコーティング13b
を設けた反射面13aで反射されると、該入射光にはＳ偏
光成分が存在するため位相が90゜ずれ、したがって±θ
ｋ回転した光は第５図Ｄに示すように右回りと左回りの
同じ大きさの楕円偏光となる。その後、1/4波長板17を
通ることにより、楕円偏光の回転の向きに応じて、第５
図Ｅに示すように同一方向に回転し、長軸の方向が直交
する楕円偏光となり、次に偏光ビームスプリッタ18によ
りその透過光および反射光がそれぞれ第２図ＦおよびＧ
に示すように逆相となって光検出器19aおよび19bに入射
する。
入射すると、その反射光は光磁気記録媒体16に記録され
ている情報すなわち磁化の向きに応じて、第５図Ｃに示
すように±θｋのカー回転を受ける。この反射光が再び
ビームスプリッタ13に入射して、そのコーティング13b
を設けた反射面13aで反射されると、該入射光にはＳ偏
光成分が存在するため位相が90゜ずれ、したがって±θ
ｋ回転した光は第５図Ｄに示すように右回りと左回りの
同じ大きさの楕円偏光となる。その後、1/4波長板17を
通ることにより、楕円偏光の回転の向きに応じて、第５
図Ｅに示すように同一方向に回転し、長軸の方向が直交
する楕円偏光となり、次に偏光ビームスプリッタ18によ
りその透過光および反射光がそれぞれ第２図ＦおよびＧ
に示すように逆相となって光検出器19aおよび19bに入射
する。
この実施例によれば、1/4波長板17の方位のずれαに
よる影響は、信号光強度についてはcos2αに比例し、差
動アンバランス量については（４）式で表わされるよう
になるので、第１実施例と同様の効果がある。
よる影響は、信号光強度についてはcos2αに比例し、差
動アンバランス量については（４）式で表わされるよう
になるので、第１実施例と同様の効果がある。
なお、第３実施例においては、Ｐ偏光成分およびＳ偏
光成分間に90゜の位相差を発生させるコーティング13b
をビームスプリッタ13の反射面13aに設けたが、光磁気
記録媒体16と1/4波長板17との間の戻り光路中に他の反
射面を設けてこれにコーティング13bを設けるようにし
ても良い。
光成分間に90゜の位相差を発生させるコーティング13b
をビームスプリッタ13の反射面13aに設けたが、光磁気
記録媒体16と1/4波長板17との間の戻り光路中に他の反
射面を設けてこれにコーティング13bを設けるようにし
ても良い。
上述したように、この発明によれば、光学系の調整誤
差による再生信号のC/Nの低下を大幅に軽減できるの
で、光学系の組立てを容易にでき、調整コトスを有効に
低減できる。
差による再生信号のC/Nの低下を大幅に軽減できるの
で、光学系の組立てを容易にでき、調整コトスを有効に
低減できる。
第１図はこの発明の第１実施例を示す図、 第２図Ａ〜Ｉはその動作を説明するための図、 第３図はこの発明の第２実施例を示す図、 第４図は同じくこの発明の第３実施例を示す図、 第５図Ａ〜Ｇはその動作を説明するための図、 第６図および第７図Ａ〜Ｇは従来の技術を説明するため
の図である。 11……半導体レーザ、12……コリメータレンズ 13……ビームスプリッタ、13a……反射面 13b……コーティング、14……1/4波長板 15……対物レンズ、16……光磁気記録媒体 17……1/4波長板 18……偏光ビームスプリッタ 19a,19b……光検出器、20……差動増幅器
の図である。 11……半導体レーザ、12……コリメータレンズ 13……ビームスプリッタ、13a……反射面 13b……コーティング、14……1/4波長板 15……対物レンズ、16……光磁気記録媒体 17……1/4波長板 18……偏光ビームスプリッタ 19a,19b……光検出器、20……差動増幅器
Claims (3)
- 【請求項１】光磁気記録媒体に垂直方向に磁化されて記
録された情報を光学的に読み取る光磁気再生装置におい
て、前記光磁気記録媒体からの反射光の偏光状態を、同
じ方位、同じ大きさで、磁化の向きに応じて右回り、左
回りの楕円偏光にする第１の光学手段と、この第１の光
学手段からの楕円偏光をその回転の向きに応じて、長軸
の方向がほぼ直交する同一方向に回転する楕円偏光にす
る第２の光学手段と、この第２の光学手段からの楕円偏
光のほぼ長軸および短軸方向に直交する偏光成分の一方
を透過し、他方を反射する第３の光学手段とを具え、こ
の第３の光学手段での透過光および反射光に基づいて情
報を読み取るよう構成したことを特徴とする光磁気再生
装置。 - 【請求項２】前記第１の光学手段を、前記光磁気記録媒
体への入射光の偏光面を基準として方位０゜または90゜
に設定した1/4波長板をもって構成し、前記第２の光学
手段を前記偏光面を基準として方位45゜または−45゜に
設定した1/4波長板をもって構成し、前記第３の光学手
段を偏光ビームスプリッタをもって構成したことを特徴
とする請求項１記載の光磁気再生装置。 - 【請求項３】前記光磁気記録媒体からの反射光の光路中
に反射面を設け、この反射面にＰ偏光成分およびＳ偏光
成分間に90゜の位相差を発生させるコーティングを施し
て前記第１の光学手段を構成したことを特徴とする請求
項１または２記載の光磁気再生装置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP1206934A JP2786484B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-08-11 | 光磁気再生装置 |
| US07/467,528 US5124868A (en) | 1989-01-25 | 1990-01-19 | Magneto-optic player with improved c/n ratio |
| DE69010222T DE69010222T2 (de) | 1989-01-25 | 1990-01-24 | Magnetooptisches Plattengerät. |
| EP90300761A EP0380329B1 (en) | 1989-01-25 | 1990-01-24 | Magneto-optic player |
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| JP1400389 | 1989-01-25 | ||
| JP1-14003 | 1989-01-25 | ||
| JP1206934A JP2786484B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-08-11 | 光磁気再生装置 |
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| JPS5771538A (en) * | 1980-10-21 | 1982-05-04 | Mitsubishi Electric Corp | Optical pickup device |
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| US4691308A (en) * | 1984-04-19 | 1987-09-01 | Nippon Kogaku K. K. | Apparatus for reproducing information from magnetooptical recording medium |
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| JPS6163935A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-02 | Fujitsu Ltd | 光ピツクアツプ |
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| JPS63184936A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Nikon Corp | 光デイスク装置の光ヘツド |
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| JPS6488943A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Nec Corp | Optical disk reproducing device |
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-
1989
- 1989-08-11 JP JP1206934A patent/JP2786484B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-19 US US07/467,528 patent/US5124868A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-24 EP EP90300761A patent/EP0380329B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-24 DE DE69010222T patent/DE69010222T2/de not_active Expired - Fee Related
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| DE69010222T2 (de) | 1994-10-20 |
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