JP2531626B2 - 光学的記録媒体用基盤の光学的特性測定装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は記録あるいは再生光学系で設定されるクロス
ニコル状態において抑圧されるべきもれ光等の光学的特
性を調べるのに適した光学的記録媒体用基盤の光学的特
性測定装置に関する。

［従来の技術］ 近年光ビームを集光して光学的記録媒体に照射するこ
とによって、この記録媒体に情報を高密度に記録した
り、この記録媒体からの戻り光を光検出器で受光するこ
とによって、記録媒体に書込まれている記録情報を高速
度で読出す（再生する）ことのできる光学的情報記録再
生装置が注目されるようになった。

上記記録媒体としては、PMMA等のアクリル樹脂等の基
盤に、この基盤を通った光ビームが集光照射され、記録
層を形成した部分の磁化の方向に応じて、戻り光の偏光
面が回転する磁気的記録層が形成された光磁気ディスク
とか、反射光量が異るピット列で情報が記録される光デ
ィスル等がある。

上記アクリル樹脂は例えば特開昭57−74701号公報に
開示されているように、光学的特性に優れているが、吸
湿性が大きく、記録媒体面が反ってしまうという欠点が
ある。

このため、反りが生じにくい形状安定性が優れ、且つ
機械的強度が大きいポリカーボネート（以下PCと記
す。）樹脂等を基盤に用いることが有効と考えられる。

上記PC樹脂等を基盤に用いる場合には、その光学的特
性を十分把握する必要がある。例えば、その屈折率が大
きい場合には、その単位厚さ当りの光学的距離が長くな
るため、基盤の厚さをあまり大きくすることはできな
い。このため、特に基盤に用いる材料の屈折率を調べる
必要があると共に、基盤に形成する方法等によってもそ
の屈折率が変化する場合があるので、実際の成形法を用
いた基盤形状のものについて屈折率を測定することが望
ましい。

第14図は従来のディスク状記録媒体の基盤に対する複
屈折率の測定装置１を示す。

即ち、He−Neレーザ２のランダム偏光のレーザビーム
は、グランートムソンプリズム（Glan−Thompson Pris
m）（GTPと略記）等の偏光子３によって、その透過光ビ
ームは所定の直線偏光の光ビームにされた後、被測定媒
体としての基盤４に照射される。しかして、この基盤４
を透過した光束はこの基盤４を挟み、上記偏光子３と対
向するように配置されたバビネーソレイユ（Babinet−S
oleil）の位相補償板５を経た後、上記偏光子３とは直
交する偏光を通すように消光位（クロスニコル）に設定
したGTP等の検光子６を通って受光素子17で受光するよ
うにしている。しかして、上記基盤４に入射された偏光
ビームは基盤４がその光学軸が基盤面に垂直となる一軸
（結晶）特性であれば、偏光子３を回転して偏光方向を
変えても基盤４で位相差（楕円化）は生じないが、基盤
面内に光学軸がある場合偏光方向と光学軸とのなす角度
に応じて位相差が生じるし、二軸（結晶）特性の場合に
も偏光ビームの偏光方向を変えることによって、基盤４
で位相差が生じる。従って、この基盤４で生じた位相差
を位相補償板５において左旋光板5aおよび楔状の右旋光
部材5b,5bの例えば右旋光部材5b,5bを（紙面内で）上下
方向に移動し、２枚の楔による板の厚みを一様に変える
ことによって、上記位相差を消去すると、偏光光子３に
対してクロスニコル状態の検光子６を透過する光を消去
することができることになり、受光素子７の信号出力は
最小になる。上記位相補償板５の移動量から基盤４の面
内の複屈折率を測定すことができる。

［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来の測定方法であると、基盤４の厚み方向の複
屈折が全く分らないため、光学式記録媒体の基盤に用い
る場合、不十分である。つまり、記録媒体の基盤を通っ
て記録層に照射される場合、平行光束をスポット状にフ
ォーカスして照射すると共に、この集光角度あるいは開
口数N.A.はかなり大きく、基盤表面の位置ではディフォ
ーカス状態に保持することによって、塵埃等の影響を受
けにくくしている。このように光束が集光された状態で
は基盤が複屈折を示す光学的材料の場合には、厚み方向
の屈折率が基盤を透過する光束に影響することを以下に
説明する。

射出成形したPC板を上記基盤に用いた場合、この基盤
は、一軸結晶性のような複屈折を示し、多くの場合盤面
に対して垂直な方向に光学軸を持つ。そして常光線に対
する屈折率n0と異常光線に対する屈折率neとは異る。

従って、この基盤に、その光学軸（盤面に対して垂直
な方向）に対して傾いて入射した直線偏光は、その偏光
方向の入射面のなす角度が特定の角度以外では複屈折の
ため位相差を生じ、その結果楕円化（直線偏光が楕円偏
光になる。）が生じる。

第15図は、対物レンズでディスク11を形成する基盤12
の一部にレーザビーム14を絞り込んでスポット状に照射
する様子を示す説明図である。同図においてディスク11
は一部のみが示されている。

レーザビーム14は、偏光方向が符号15で示されるよう
に基盤12の半径方向16に直交する直線偏光であり、偏光
方向に対して直交して入射するビーム部分（Ｓ偏光）21
と、偏光方向に対して平行に入謝するビーム部分（Ｐ偏
光）12と、例えばこのビーム部分21,22に対してそれぞ
れ45度傾いて入射するビーム部分23,24等を含んでい
る。このビーム部分23,24はＳ偏光とＰ偏光との両成分
を含む偏光となる。

一方、この基盤12に第15図の符号12aで示される光学
軸（盤面に対して垂直な方向）に対して、角度θｉだけ
傾いて入射するＳ偏光及びＰ偏光に対する屈折率は、以
下の様にして求められる。

第16図は、基盤12に入射する光の入射角θｉと屈折率
の関係を示す説明図であり、上述した様に射出成形され
たPC基盤12はほぼ一軸結晶性の特性を示し、主屈折率n
1,n3,n3のうち二つが等しいので、n1＝n2とし、Ｚ軸方
向がn3となるように座標軸を選んで屈折率楕円体を表示
すると、光学軸12aはＺ軸に一致する。

ここで光学軸（盤面に対して垂直な方向）12aに角度
θｉだけ傾いて入射したＳ偏光に対する屈折率ｎ´及び
Ｐ偏光に対する屈折率ｎ″は、入射後の光25の垂直切断
面（楕円26）の短軸26a及び長軸26bで表わされる。すな
わち、入射後の光25が光学軸12aとなす角度をθｔとす
ると、 ｎ´＝n₁ …（１） となる。ここで、 sinθｔ＝（1/n´）sinθｉである。

従って、この基盤12に入射したＳ偏光のビーム部分21
及びＰ偏光のビーム部分22は直線偏光を保持するが、例
えば、前記ビーム部分21,22に対して45度傾いて入射す
るビーム部分23,24は、Ｓ偏光とＰ偏光との両成分を含
む偏光であるため、Ｓ偏光成分とＰ偏光とで位相差が生
じ、直線偏光から楕円偏光になる。この位相差δｓ−ｐ
は、基盤12の厚さをｄ、レーザビームの波長をλとする
と、 δｓ−ｐ＝（２π／λ）×（ｎ´−ｎ″）×（d/cosθ
ｔ） …（３） となる。従って、基盤の厚さｄ及び入射角θｉが大きく
なるほど位相差δｓ−ｐが大きくなる。

第17図は、偏光方向が符号27で表わされる直線偏光で
対物レンズに入射し、ディスク11で反射した後、再び対
物レンズを透過したビームの断面図である。基盤12に入
射したビーム、ビームの周縁側程、つまり開口が大きく
なる程、入射角θｉが大きくなり、位相差δｓ−ｐも大
きくなる。また、方位角（入射面と偏光方向のなす角）
が45角相当（つまり、45゜,135゜等）のところ、つまり
符号28a,28b,28c,28dのところで楕円化は最大となる。

このように基盤12が複屈折を示す場合、その複屈折が
一軸性特性であっても厚み方向に対する屈折率によって
直線偏光がその直線偏光方向と直角な偏光成分を有する
楕円光になってしまう。

従って、例えば光磁気ディスクの基盤に用いた場合、
直線偏光を照射した場合の戻り光の偏光方向が磁化の方
向に応じて微小角度回転することになるが、その回転し
た偏光成分のみを透過する様に、検光子を設定しても、
基盤を透過した光ビームが楕円化されてしまうため、本
来の信号成分以外の光ビームも、この検光子を透過し
て、このもれ光が信号に混入する。又、楕円化のため検
光子で遮ぎられてしまう信号成分も生じる。これらのた
め、C/Nが低下することになってしまう。

又、光磁気ディスクの基盤に限らず、反射光量の違い
から記録情報の再生等を行う光ディスクの基盤に用いた
場合にも、偏光ビームスプリッタを経た直線偏光をλ/4
板を用いて円偏光化した光ビームを照射し、この戻り光
を再びλ/4板で上記直線偏光方向とは直交する偏光方向
の直線偏光にして、前記偏光ビームスプリッタで情報用
光ディスク側に効率良く分岐する光学系が広く用いられ
るが、この場合にも基盤が（基盤面方向の屈折率と異る
値を有する）厚み方向の屈折率のために、楕円化が生
じ、光の分岐が効率良く行われないことになり、C/Nが
低下してしまうことになる。

上記複屈折による楕円化は、円状光ビームの各位置で
異るため、実際の使用状態ではどの程度C/Nに及ぼすこ
とになるかを評価する必要がある。この場合、厚み方向
の複屈折率を求めることによって、原理的にC/Nを評価
することもできるが、入射角等でその影響は異なるし、
評価に用いる各値（データ）のばらつきの程度によって
大きさが異るため、相当困難な作業になってしまうの
で、簡単に評価できる手段があれば非常に便利である。

本発明は上述した点にかんがみてなされたもので、基
盤がC/Nに及ぼす程度を簡単に評価することのできる光
学的記録媒体用基盤の光学的特性測定装置を提供するこ
とを目的とする。

［問題点を解決するための手段及び作用］ 本発明では光学的記録媒体に用いられる基盤に対し、
偏光した光を集光照射する手段と、この基盤の反射光又
は透過光側に前記偏光した光とクロスニコル状態に設定
した検光子を通して受光する受光手段とを設け、この受
光手段で受光される光量によって基盤に基づくC/Nの低
下量等を推測できるようにしている。

［実施例］ 以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。

第１図及び第２図は本発明の第１実施例に係り、第１
図は第１実施例の光学的特性測定装置を示し、第２図は
測定結果を示す。

第１実施例の基盤の光学的特性測定装置31は、レーザ
ダイオード32のレーザ光束をコリメータレンズ33で平行
光束にする。この平行光束は偏光子34で例えば第１図の
紙面に平行な方向が偏光方向Ｐとなる直線偏光にされ
る。この偏光方向Ｐの光束は、集光レンズ35で集光され
て、光学的特性が測定される基盤36に照射される。この
基盤36を透過した光束は、フォーカス位置からの距離が
その焦点距離となる様に配置された集光レンズ37で再び
平行光束にされる。この平行光束は上記偏光子34と直交
する偏光方向の偏光成分のみを通す様、クロシニコル状
態に設定された検光子38に入射される。しかして、この
検光子38を通った光は、集光レンズ39によって集光さ
れ、受光素子41で受光されるようにしてある。

上記測定装置31で測定される基盤36が光学的に等方的
な屈折率を示す場合、つまり３方向の屈折率が全て等し
い場合には偏光子34に対しクロスニコルになる検光子38
を透過する光は殆んど零になる。

一方、測定される基盤36が、例えば厚み方向の屈折率
が盤面内の各方向の屈折率と異る場合にはその異る屈折
率の差に応じて前述した様に基盤を透過した際に楕円化
が生じる。従って、この場合には、クロスニコルの検光
子38を透過する偏光成分が存在し、その透過光量に比例
して受光素子41の光電変換出力が大きくなる。

従って、上記受光素子41の出力レベルを測定すること
によって、基盤36が記録媒体用基盤に用いた場合におけ
るC/Nに及ぼす量を推定できる。

つまり、上記クロスニコル状態で、受光素子41によっ
て受光されるもれ光量が十分小さい場合には、記録媒体
用基盤に用いた場合のC/Nと低下は小さく、記録媒体用
基盤への使用に適すると推定できる。

一方、クロスニコル状態で、受光素子41によって受光
されるもれ光量が大きい場合には、C/Nの低下が大き
く、記録媒体用基盤への使用に適さないと推定できる。

第２図は上記測定装置31によってPC基盤とPMMA基盤に
ついて測定した測定結果を示す。

第２図における測定条件は、レーザパワーを盤面で1m
Wに設定し、検光子38をクロスニコルの状態（設定角θ
＝０）から設定角θを変えて、その場合受光素子41で受
光される光量（μＷ）を縦軸に示す。例えば、設定角θ
が０゜の場合には、PC基盤では5.9（μＷ）、PMMA基盤
では0.43（μＷ）となり、光学的にはPMMA基盤の方が適
することになる。

設定角θが０゜からずれると、両基盤の場合ともに、
受光素子41で受光される光量は急激に増大する。

もれ光量が大きいとC/Nが低下するため、もれ光量の
大きさから基盤が記録媒体用基盤に適するか否か簡単に
判定できる。

上記判定は十分に一般的に適用するものと考えられる
が、より確実に結論できるように基盤36に記録膜43を形
成した記録媒体44を用いて、第３図に示す様に実際の使
用状態の下で、C/Nを測定した。

第３図に示すノイズレベルの測定装置51はレーザダイ
オード52のレーザ光束をコリメータレンズ53で平行光束
にし、偏光子54で例えば紙面と平行な偏光方向Ｐのみの
直線偏光が透過する様にしてある。この直線偏光は、ハ
ーフミラー55で一部が透過し、この透過光は対物レンズ
56で集光されて、基盤36を通り、（光ディスクの記録媒
体用反射膜等の）記録膜43にフォーカス状態で集光照射
される。

この記録膜43で反射された光は、対物レンズ56で再び
平行光束された後、ハーフミラー55でその一部が反射さ
れる。このハーフミラー55で反射された光は、上記偏光
子54とクロスニコル状態に設定された検光子57に入射さ
れる。この検光子57を透過した光は、集光レンズ58によ
って集光され受光素子59で受光される。

第３図に示す（第２実施例の）ノイズレベルの測定装
置51によって、光学的特性の良好なPMA基盤に記録膜を
設けた記録媒体の場合と、厚み方向の複屈折のためにこ
のPMMA基盤よりは光学的特性が劣るPC基盤に記録膜を設
けた記録媒体の場合とでそれぞれノイズレベルを測定し
た。この測定結果を第４図に示す。

この測定結果は、第２図のもれ光量の測定結果と定性
的には同様の結果を示す。つまりPMMA基盤を用いた場合
のノズルレベルはPC基盤を用いた場合のノイズレベルよ
りかなり小さい。

上記第２図及び第４図のクロスニコルの状態における
測定結果を、横軸にもれ光量、縦軸にノイズレベルとし
た相関図に表わすと、第５図の様になる。

第５図は、基盤に記録膜形成の際に若千のばらつきが
生じたり、形成された基盤自体に若千のばらつきが存在
する等の原因で、PC基盤及びPMMA基盤のプロット位置に
若千のばらつきがある。

しかしながら、第５図はもれ光量とC/Nとが明確な相
関関係にあることを示し、もれ光量が大きいとC/Nが低
下し、もれ光量が小さいとC/Nが大きくなることを示
す。さらに、もれ光量の測定値が分った場合には、その
基盤に記録膜を形成して記録媒体に使用した場合のノイ
ズレベルを求めることができる。

一方、比較のために第14図に示す従来例で、PMMA及び
PC基盤に対するリターデーション（位相遅れ）を各半径
位置で測定した結果を表に示す。この表の測定値は、前
述した様に、光束が基盤36面に垂直に入射した場合の基
盤面内における複屈折に基因する位相遅れを表わすもの
で、集光されて透過する場合における厚み方向の複屈折
の影響を表わすものでないため、この測定値からC/Nに
及ぼす影響を推定できない。

これに対し、第１図に示すもれ光量測定による光学的
特性測定装置31によって、単にクロスニコル状態でのも
れ光量を測定すれば、その測定値からその測定に用いら
れた基盤を記録媒体用基盤に用いた場合に対する基盤に
基因するC/Nを推定できる。又、厚み方向の屈折率の測
定を行う場合よりも簡単に基盤のC/Nに関する光学的特
性を求めることができる。

第６図は本発明の第３実施例を示す。この第３実施例
の光学的特性測定装置61は第１図に示す測定装置31にお
いて、基盤36の透過光側に検光子62を配置し、この検光
子62を透過した光を受光素子63で受光する様にしてい
る。

上記検光子62は、偏光子34に対し、クロスニコル状態
に設定してある。又、受光素子63は、検光子62を通って
拡開する光束における光束の拡がり半径がＲとなる位置
において、光軸と直交する半径方向に移動可能にしてあ
ると共に、回転できる様にしてある。例えば、受光素子
63は、モータ64によって、回転駆動される円盤65に取付
けられると共に、この円盤65の半径方向の溝部66（第７
図参照）に沿って移動可能にしてあり、止めねじ等でそ
の半径方向の任意位置に固定できる様にしてある。尚、
モータ64の回転軸は、光束の中心、つまり光軸上に一致
させてある。

この実施例では、レンズ35で集光して基盤36を透過さ
せた場合における光束全体に対するもれ光を測定するの
でなく、各入射角毎にどの程度もれ光が生じるかを測定
できる様にしている。

即ち、第６図において基盤36への最大入射角をθｉと
した場合、例えば入射角θ〜θ＋△θの光束に対しては
どの程度もれ光束が生じるかを以下の様に測定できる。

受光素子63を半径方向に移動し、その受光面がフォー
カス位置０において光軸とθの角度をなす位置ｒとなる
様に円盤65に固定する。しかして、モータ64を回転させ
て、受光素子63で受光され、光電変換された出力をプロ
ッタ等に表示させる。この場合の測定結果は、第８図の
様になる。

ここで横軸は、回転角を示し、この回転角は、例えば
第６図において受光素子63が紙面内にある位置を０とし
ている。第８図の測定結果から、この測定に用いた基盤
36は、0,π/2,π,3/2π等の所定角度ではもれ光量が殆
んどない複屈折を示す部材であることが分る。又、この
正弦波状に変化する出力を０〜２πの角度にわたって積
分すると、この入射角におけるもれ光量の大きさを知る
ことができる。又、上記受光素子63の位置を変えて同様
の測定を行い、例えば第８図と同様に、0,π/2,π,3π/
2の各角度で受光量が殆んど零になり、その間でピーク
になると共に、ピーク値が（受光素子63の）半径位置が
大きくなるに対応して次第に大きくなる場合には、厚み
方向の屈折率との相違て生じる複屈折の影響が大きいこ
とになる。この場合、測定に用いる各円環状光束の光量
をそれぞれ等しくして比較することが望ましい。（例え
ば基盤36及び検光子62を光路からずらして受光素子63で
受光すれば測定に用いる光量を求めることができる。） 第９図は本発明の第４実施例を示す。

この第４実施例の測定装置71では、上記第６に示す第
３実施例において、もれ光量を受光する受光素子63の位
置又は他の位置にスリガラス板等の半透明スクリーン72
を配置し、この半透明スクリーン72に形成される光量分
布像をビデオカメラ73（必要に応じ接写レンズを用い
る）で撮像し、表示装置74の画面75上に表示したもので
ある。

この場合例えばPC基盤に対して測定した測定結果は図
示のようになる。

又、上記ビデオカメラ73で受光し、プリアンプで増幅
した映像信号は１フレーム期間積分する積分回路76を通
して、受光量表示メータ77に入力され、全もれ光量を測
定できる様にしてある。尚、積分回路76は、例えばビデ
オカメラ73の撮像用クロック信号によって１フレーム期
間ごとにリセットされ、又、リセットされるまでの１フ
レーム期間、サンプルホールドしてディジタル表示メー
タ77側に出力する様にしてある。

上記第９図に示す様なもれ光量パターンを示す基盤36
の場合には、この基盤36記録媒体用基盤に用いる場合、
第９図でもれ光量が最も小さくなる角度方向（第９図で
は上下方向θ１及び左右方向θ２）に、記録あるいは再
生用あるいは制御用等に用いる光束のエネルギー密度を
高く設定すると都合が良いことが分る。従って、第10図
に示す様な構造の光学式ピックアップ81を形成して、第
９図の方向θ1,θ２方向に光束密度を大きくした第12図
に示すような光束をディスク82に照射する様にして再生
等を行うようにすることもできる。

上記光学式ピッアクップ81は、第１及び第２のレーザ
ダイオード83,84がそれぞれコリメータレンズ85,86で平
行光束された後に、それぞれ整形プリズム87,88に入射
され、第11図（ａ），（ｂ）に示すように楕円ビーム9
1,92に整形される。各楕円ビーム91,92は、ハーフミラ
ー93を経た後、偏光板94で例えば紙面に平行な直線偏光
Ｐ´成分のみを透過し、さらにハーフミラー95を透過
し、対物レンズ96で集光されて光磁気ディスク82に照射
される。この光磁気ディスク82を形成する基盤82Aは例
えば第９図に示すようなもれパターンを示す基盤36を用
いて形成されている。又、楕円ビーム91,92を合成した
光ビームは、対物レンズ96で集光される前の光ビームは
第12図に示す様に、クロス方向1,２にエネルギー密
度が大きくなる光ビームであり、これらクロス方向1,
２は基盤82におけるもれ光量が最小になる方向θ1,θ
２と一致する様にしてある。

上記ディスク82の磁気記録膜82Bで反射された光は、
対物レンズ96で集光されてほぼ平行光束にされ、ハーフ
ミラー95で一部が反射される。この反射光は、さらにハ
ーフミラー97で反射光と透過光に分割される。透過光は
記録膜82Bにおける一方の磁化方向に対応する反射光を
透過するように設定した検光子98を経て、受光素子99で
受光される。又、反射光は、臨界角プリズム101を経た
後、制御用受光素子102で受光されるようにしてある。
この制御用受光素子102は、例えば４分割の受光素子で
形成され、各１対の差動出力でフォーカス制御信号及び
トラッキング制御信号を生成する。これら各制御信号
は、レンズアクチュエータを形成するフォーカスコイル
103及びトラッキングコイル104にそれぞれ印加され、フ
ォーカス状態及びトラッキング状態に保持できる様にし
てある。

第10図に示すような光学式ピックアップ81を用いて、
基盤82Aにおけるもれ光量が最小となる方向にエネルギ
ー密度が高くなる光束を集光照射して記録あるいは再生
（特に再生の場合）を行うと、もれ光量によるC/Nの低
下を有効に防止できることになる。

上記第10図に示す光学式ピックアップ81は、第９図の
測定パターンから導かれるものである。従って、第９図
等に示す測定パターンが異る場合、例えば第９図の表示
画面において、一方の方向θ１の方向角度周辺の方向で
のもれ光量が他方の方向θ２の角度方向よりも広い角度
で（もれ光量が）小さくなる場合には、その方向に光束
のエネルギー密度が大きくなる楕円状等の形状を光束を
用いるとC/Nの低下を防止する上で有効であることが分
る。つまり第９図の測定結果から、もれ光量によるC/N
の低下量を推定できることに限らず、どの様な光束にす
るとC/Nの低下を防止できるかも知ることができる。

尚、第10図は、光磁気ディスク82に適用した場合であ
るが、光ディスクにも同様に適用できる。この場合には
第13図に示す構造にすれば良い。この場合な光学式ピッ
クアップ111では、第10図において、ハーフミラー95の
代りに偏光プリズム112が用いてあり、又、この偏光プ
リズム112と対物レンズ96との間にλ/4板113が介装して
ある。光ディスク114の記録膜114Bで反射された光は、
基盤114Aを通り再び偏光プリズム112に入射される。こ
の戻り光は偏光プリズム112で反射され、ハーフミラー9
7側に進む。このハーフミラー97を透過した光は検光子9
8を介装することなく受光素子99で受光している。その
他は、第10図に示すものとほぼ同様である。

尚、第10図又は第13図等において、レーザダイオード
83,84の光束が偏光している場合には、偏光子を用いる
ことなく、レーザダイオードの向きを調整して所定の偏
光方向に設定できる。又、整形プリズム87,88を用いる
ことなく、レーザダイオード自体の光束形状を利用する
こともできる。尚、必要に応じてλ/2板を用いて偏光方
向を変えることもできる。

又、例えば第３図において、記録膜43を設けることな
く、基盤36の下側に反射膜を配置して測定することもで
きる。この場合、検光子57の手前にハーフミラーを配置
して、反射光量を受光し、この反射光量に対してのもれ
光量を測定できる様にすることもできる。

又、例えば第１図の測定装置において、透過光側の光
学系をフォーカス制御できる構造にすることもできる。
この場合、基盤を配置しない場合と、基盤を配置して集
光透過した場合とのフォーカスエラー信号に基づく移動
量から厚み方向の屈折率に基づく複屈折の程度を求める
ことができる。又、この場合、光束の一部を遮光する等
して、光束の形状を変えた場合、フォーカスエラー信号
の最小値が異るか否か、又、異る程度によって、複屈折
の影響量を推測することができる。

尚、フォーカスエラー信号を得る場合には、例えば第
１図の集光レンズ37と検光子38との間にハーフミラーを
配置し、このハーフミラーで分割した光を臨界角プリズ
ムを経て２分割の受光素子で受光すれば良い。

尚、上述した各実施例を組合わせて異なる実施例を構
成することもできる。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、偏光した光束を集
光して基盤に照射し、その反射光又は透過光を消光位に
設定した検光子を経て受光する様にしているので、実際
の使用状態に準じた条件で基盤の光学的特性を測定でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の第１実施例に係り、第１図
は第１実施例の測定装置を示す構成図、第２図は第１実
施例で測定した結果を示すグラフ、第３図は本発明の第
２実施例の構成図、第４図は第３図の測定装置で測定し
た結果を示すグラフ、第５図は第２図と第４図との測定
結果から得られるもれ光量とノイズレベルとの関係を示
すグラフ、第６図は本発明の第３実施例の構成を示す構
成図、第７図は第６図におけるＡ−Ａ´線拡大図、第８
図は第６図に示す測定装置で測定した測定結果を示す特
性図、第９図は本発明の第４実施例を示す構成図、第10
図は第９図の測定装置の測定結果からC/Nを改善できる
ことが予測される光磁気方式の光学式ピックアップの一
例を示す構成図、第11図は第10図におけるＢ−Ｂ´線及
びＣ−Ｃ´線方向から見た光束の形状を示す説明図、第
12図は第10図におけるＤ−Ｄ´線方向から見た光束の形
状を示す説明図、第13図は第９図の測定装置の測定結果
からC/Nを改善できることが予測される光ディスクに対
する光学式ピックアップの一例を示す構成図、第14図は
従来例を示す構成図、第15図は光ビームを基盤に集光し
た場合のビームの様子を示す説明図、第16図は基盤に入
射する光の入射角と屈折率の関係を示す説明図、第17図
はディスクで反射した後対物レンズを透過したビームの
断面における位置と楕円偏光の度合の関係を示す説明図
である。 31……光学的特性測定装置 32……レーザダイオード 33……コリメータレンズ 34……偏光子、35,37……集光レンズ 36……基盤、38……検光子

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】直線偏光の平行光束を生成する直線偏光生
   成手段と、この直線偏光を集光する集光レンズ系と、該
   集光レンズ系の焦点近傍に配設される光学的記録媒体用
   の基盤の反射光又は透過光が入射され、前記直線偏光と
   直交する消光位の直線偏光成分を透過する様に配置した
   検光子と、この検光子の透過光を受光する受光手段とか
   らなる光学的記録媒体用基盤の光学的特性測定装置。