JPS63251952A - 光磁気デイスクの光ピツクアツプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光磁気ディスクの情報が記録されている部位
に直線偏光光を投射し、光磁気ディスクを介して導かれ
た光を受光して、情報の読み取りを行なう光磁気ディス
クの光ピックアップに関する。

し従来の技術］ 光磁気ディスクは、ディスクの厚さ方向における磁化の
向きによって情報を記録するものであり、磁化方向を上
向きに記録するか或いは下向きに記録するかによって情
報を二値的に表現するものである。このように情報が記
録されている光磁気ディスクから情報を読み出す装置と
して、例えば、半導体レーザから光磁気ディスクへの入
射光学路にコリメートレンズ、ビームスプリッタ、対物
レンズを備え、更に往復してビームスプリッタで反則さ
れる反射光学路に偏光子、光検出器を備えた光ピックア
ップが知られている。光ピックアップは、コリメートレ
ンズ、ビームスプリッタを介して対物レンズで集束した
直線偏光の光を光磁気ディスクに投射する。光磁気ディ
スクに投射された偏光光は、その偏光面に磁化方向によ
って異なるカー回転が加えられて光磁気ディスクから反
射される。この反射された光はビームスプリッタで入射
光から分離され、偏光子を介して光検出器で受光される
。受光された偏光光のカー回転方向を判別することで情
報の読み出しが行なわれる。

［発明が解決しようとする問題点］ ところが、直線偏光の光を対物レンズで集束させると対
物レンズへの入射方向によっては通過後の偏光面が回転
してしまうことが考えられた。つまり、対物レンズの入
射面に対し垂直偏光の光は平行偏光の光に較べて大きな
反射率を有するのでその透過光量は低減し、対物レンズ
の通過前後で偏光面が回転してしまうのである。

このため、例えば、特定の直線偏光の光を入射し、この
偏光の光を完全に遮光する位置（所謂クロスニコル位置
）に偏光子を設けても、第６図斜線に示すような分布の
光が偏光子から洩れて光検出器で検出されてしまうとい
うことが起こる。従って、光ピックアップの光検出器で
検出される偏光面の回転を伴う光には、情報を表すカー
回転成分以外に上記対物レンズによる回転成分が含まれ
るので、ノイズや誤差の原因となってしまう。

そこで本発明の光磁気ディスクの光ピックアップは、ノ
イズや検出誤差を低減し、情報の読み出しにおけるＳ／
Ｎ比を改善することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するために本発明は以下の構成をとる。

即ち、 光磁気ディスクの情報が記録されている部位に集光手段
により集光される直線偏光光を射出する直線偏光光射出
手段と、該光磁気ディスクを介して導かれ偏光子を経由
した光を受光する受光手段と、を備えた光磁気ディスク
の光ピックアップにおいて、 上記直線偏光光の光軸を含み該直線偏光光の偏光面に対
し平行および／または垂直な領域を除いて、該直線偏光
光に対する透過光量を低減する透過光量低減手段を、上
記直線偏光光射出手段から上記受光手段までの光学路に
備えたことを特徴とする光磁気ディスクの光ピックアッ
プの構成がそれである。

［作用］ 本発明の光磁気ディスクの光ピックアップは、直線偏光
光射出手段から射出される直線偏光光を集光手段を用い
て光磁気ディスクの情報が記録されている部位に集光し
、光磁気ディスクから導かれる光を偏光子を経由して受
光手段で受光するが、受光される光の光量は透過光量低
減手段によりその偏光面に対し平行および／または垂直
な領域を除いて低減される。この結果、集光手段によっ
て生じる偏光面の回転による影響は低減される。

［実施例］ 本発明の実施例を第１図及び第２図を用いて説明する。

尚、第１図は光磁気ディスクの光ピックアップの光学系
の構成を概略的に表す構成図、第２図はその光学系の通
過によって変化するレーザ光の偏光面を表す説明図で、
第２図において示される（ａ）〜（１）は夫々第１図に
矢印ａ〜１で示すレーザ光に対応している。

図示するように本実施例の光ピックアップ１は、半導体
レーザ２から光磁気ディスク４への入射光路にコリメー
トレンズ６、偏光ビームスプリッタ８．１０．ファラデ
回転子１２．スリット１４及び対物レンズ１６を備えた
ものである。スリット１４は、第３図に示すように四角
形の遮光板１４ａに光軸を中心として十文字形の孔１４
ｂが形成されたものであって、図中■に示す巾の長さは
、本実施例ではレーザ光の光束径的６［＃］に対し１．
５［ｍ］に設定されている。

また、偏光ビームスプリッタ１０で反射される光の反射
光路には、偏光ビームスプリッタ１７゜位相補償、板１
９．検光子２１及びフォトダイオード２４が備えられ、
更に偏光ビームスプリッタ８で反射される光の反射光路
には、ハーフミラ−２６，２８，２分割フォトダイオー
ド３０．集光レンズ３１２円筒レンズ３３及び４分割フ
ォトダイオード３５が備えられている。また更に、ハー
フミラー２６と偏光ビームスプリッタ１７との間に偏光
面回転子３６が設けられている。

次に、レーザ光の進行に沿って光ピックアップ１の各光
学部品の配置及び作用を説明する。

第２図に示すように、半導体レーザ２から偏光面ｐ１．
光束径約６［ｍ］のレーザ光が投射されると、レーザ光
ａはコリメートレンズ６で平行光にされた後、偏光ビー
ムスプリッタ８に入射される。偏光ビームスプリッタ８
は偏光面ｐ１の光を透過し、それと直交する偏光面Ｓ１
の光を反射するよう設置されており、入射されたレーザ
光ａはそのまま透過する。透過したレーザ光すは、入射
した光の偏光面を４５度回転して透過させるファラデ回
転子１２に入射され、偏光面がｐｌから４５度回転した
偏光面ｐ２のレーザ光Ｃとなって偏光ビームスプリッタ
１０に入射される。偏光ビームスプリッタ１０は偏光面
ｐ２の光を透過し、それと直交する偏光面Ｓ２の光を反
射するよう設置されており、入射したレーザ光Ｃをその
まま透過する。偏光ビームスプリッタ１０を透過したレ
ーザ光ｄは、十文字形の孔１４ｂの方向がｐ２及びＳ２
の方向に一致するよう設置されているスリット１４に入
射される。スリット１４を通過したｐ２方向の偏光面を
有するレーザ光は、第４図斜線に示すようにスリット１
４の孔の形状に応じた十文字形の光束となって対物レン
ズ１６に入射される。対物レンズ１６に入射される十文
字形のレーザ光のうちｐ２方向に亘る光の偏光面は対物
レンズ１６の入射面に対し平行となっており、Ｓ２方向
に亘る光の偏光面は対物レンズ１６の入射面に対し垂直
となっているので、レーザ光は偏光面の回転を起こすこ
となく対物レンズ１６を透過して光磁気ディスク４表面
に集光される。

光磁気ディスク４で反射されその偏光面に僅かにカー回
転角±θＫが加えられた十文字形のレーザ光は、再び対
物レンズ１６．スリット１４を経て偏光ビームスプリッ
タ１０に入射される。偏光ビームスプリッタ１０で、強
度■を有するレーザ光ｅは、偏光面Ｓ２．強度ｌ５ｉｎ
（±θＫ）のカー回転成分のレーザ光ｆと、偏光面Ｄ２
．強度Ｉｃｏｓ　（±θＫ）のレーザ光Ｑと、に分割さ
れる。レーザ光ｆは当該光路上から分離され、偏光ビー
ムスプリッタ１７に入射される。一方、レーザ光ｑは、
偏光ビームスプリッタ１０をそのまま透過し、再び偏光
面がファラデ回転子１２により４５度回転させられ、偏
光面Ｓ１のレーザ光りとなって偏光ビームスプリッタ８
に入射される。偏光ビームスプリッタ８は偏光面Ｓ１の
光を反射するので、レーザ光りは偏光ビームスプリッタ
８を透過することなく当該光路上から分離される。この
分離されたレーザ光ｉはハーフミラ−２６でまた透過レ
ーザ光と反射レーザ光ｊとに二分割される。

次にハーフミラ−２６を透過した透過レーザ光はハーフ
ミラ−２８に入射され、このハーフミラ−２８でさらに
二分割される。二分割された一方のレーザ光は２分割フ
ォトダイオード３０に入射され、他方のレーザ光は集光
レンズ３１及び円筒レンズ３３を介して４分割フォトダ
イオード３５に入射されて、それぞれトラッキング信号
、フォーカスエラー信号として受光される。

一方、ハーフミラ−２６で一部反射された反射レーザ光
ｊは偏光面回転子３６を通って偏光面が４５度回転させ
られ、偏光面ｐ２のレーザ光にとなって偏光ビームスプ
リッタ１７に入射される。

偏光ビームスプリッタ１７は偏光面ｐ２の光を反射して
、偏光面Ｓ２の光を透過するよう設置されているので、
偏光面ｐ２のレーザ光ｋを総て反射させると共に上記偏
光ビームスプリッタ１０で分離された偏光面Ｓ２のレー
ザ光ｆを透過させて、互いのレーザ光を合成する。

合成されたレーザ光１は第２図（１）で示されるように
合成される迄に経由した２本のレーザ光の光路差から楕
円偏光光となっているで位相補償板１９を介して直線偏
光光にされる。尚、この位相補償板１つを通ったレーザ
光１の偏光面はｐ２方向を中心として角度子θＫ　ｔ、
−θに′回転された偏光面となっており、その角度θに
′は光磁気ディスク４で反射された直後のレーザ光のカ
ー回転角θＫに比べてｐ２方方向弁が小さくなった分だ
け、大きくなっている。次に第５図に示すようにこのレ
ーザ光１はｐ２方向に対し＋θに′角度とα角度を加え
た方向を透過方向とするよう設けられた検光子２１を通
って、フォトダイオード２４に入射される。このとぎ、
検光子２１の入射前のレーザ光の強度をＩｏとすると、
偏光面がｐ２方向に対し一層に′角度回転されたレーザ
光は検光子２１を通ると強度ＩＯｃｏｓ　（２θに’＋
α）の微弱光となってフォトダイオード２４で受光され
る。偏光面がｐ２方向に対し＋θに′角度回転されたレ
ーザ光はほとんど反射されることなく、強度ｉ０　ｃｏ
ｓαとなって比較的強い光のままフォトダイオード２４
で受光される。このため受光される光の光量差の中間に
閾値を設ければ、光磁気ディスク４上に記録されている
磁化の方向を判別できて情報を読み取ることができる。

以上水したように本実施例の光ピックアップ１は、対物
レンズ１６の手前にスリット１４を設け、対物レンズ１
６に入射するレーザ光を入射面に対し垂直及び平行な偏
光面を有するレーザ光に制限しているので、対物レンズ
１６の通過前後でレーザ光は偏光面の回転を起こさない
。

従って、本実施例の光磁気ディスクの光ピックアップ１
によれば、偏光面の回転としてカー回転±θにのみを捉
えることができるので、ノイズ及び検出誤差を低減し、
情報読み出しのＳ／Ｎ比を改善できる。また、スリット
１４を入射及び反射の往復光路に設けているので、偏光
面に対し平行及び垂直な領域のレーザ光の選択性を高め
ることができる。ざらに、対物レンズ１６にスリット１
４を固定することができ、この場合、トラッキング動作
等で対物レンズ１６が移動してもスリット１４が確実に
追従し対物レンズ１６の光軸とスリット１４の光軸との
間にずれを起こすことがなくなる上、簡単に位置調整で
きる。

尚、スリット１４は、反射光路、例えば偏光ビームスプ
リッタ１０とフォトダイオード２４との間に設けても良
く、このときレーザ光の光磁気ディスク上への投射光量
の低減を防止できる。従って、この光ピックアップを用
いて光磁気ディスク表面を加熱し、情報の記録を行なう
場合、必要以上に半導体レーザの出力を高めなくても良
い。

また、フォトダイオード２４の受光面をスリット形状に
しても同様の効果が得られる。

ざらに、光ピックアップにスリット位置を移動できるよ
うな駆動機構を設けても良い。例えば、読み出し時にス
リットを対物レンズ手前にセットし、記録時にスリット
をとり除くようにした場合、記録時のレーザ光の光量を
十分なものとすることができ、且つ読み出し時に選択性
の高いレーザ光を受光できる。

以上本発明の実施例について説明したが、本発明はこう
した実施例に何等限定されるものでなく、例えば、スリ
ットの代わりに濃度変調フィルタを用いても良い。この
場合、第６図斜線で示される領域の透過率を低減できる
ものを用いれば全体の光量の減少を抑えることができ、
且つ選択性の高いフィルタを得ることができて一層効果
的である。

また、光磁気ディスクの表面材質としてポリカーボネー
ト等のように複屈折性の物質を用いた場合にも本発明は
極めて有効である。これは次の理由による。レーザ光が
複屈折層を往復する際、入射面に対し垂直偏光の光は平
行偏光の光に較ぺて位相が遅れるので楕円偏光となって
反射されてしまう。しかも複屈折層の厚みに応じて位相
の遅れも異なりホワイトノイズ等の原因となる。しかし
ながら、本実施例のように複屈折層への入射前にスリッ
トを設け、複屈折層の入射面に対する偏光方向を選択し
ておくことによって楕円偏光の光を除去できるからであ
る。

［発明の効果］ 以上詳述したように本発明の光磁気ディスクの光ピック
アップによれば、光軸を含み偏光面に対し平行および／
または垂直な領域以外の光の受光量を低減するので、対
物レンズ等の集光手段通過前後で偏光面の回転を起こす
光（ノイズ成分）の受光量を抑えることができるという
優れた効果を奏する。従って、情報を表すカー回転成分
のダイナミックレンジを拡くでき、情報読み出しのＳ／
Ｎ比を改善できる。

【図面の簡単な説明】 第１図は光磁気ディスクの光ピックアップの光学系の構
成を概略的に表す構成図、第２図は光学系の各光学路に
おけるレーザ光の偏光面を表す説明図、第３図は十文字
形の孔が形成されたスリットを表す正面図、第４図は十
文字形のレーザ光を説明する説明図、第５図は光検出器
の検出方向を説明する説明図、第６図はレーザ光の分布
を説明する説明図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　光磁気ディスクの情報が記録されている部位に集光
   手段により集光される直線偏光光を射出する直線偏光光
   射出手段と、該光磁気ディスクを介して導かれ偏光子を
   経由した光を受光する受光手段と、を備えた光磁気ディ
   スクの光ピックアップにおいて、 上記直線偏光光の光軸を含み該直線偏光光の偏光面に対
   し平行および／または垂直な領域を除いて、該直線偏光
   光に対する透過光量を低減する透過光量低減手段を、上
   記直線偏光光射出手段から上記受光手段までの光学路に
   備えたことを特徴とする光磁気ディスクの光ピックアッ
   プ。 ２　透過光量低減手段は、直線偏光光の光軸を中心とす
   る十字形のスリットを備えた遮光板である特許請求の範
   囲第１項記載の光磁気ディスクの光ピックアップ。