JP3211483B2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば光磁気ディスク
に所望の記録情報の記録再生を行う光磁気ディスク記録
再生装置等の光学系として用いて好適な光ピックアップ
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】今日において、記憶容量が大きいこと，
記録データの保存性が良いこと，簡単に書き換え可能で
あること等から、記録データの記録再生には、光磁気デ
ィスクが多く用いられるようになってきた。

【０００３】上記光磁気ディスクに記録データを記録再
生する光磁気ディスク記録再生装置に設けられている光
ピックアップ装置は、例えば半導体レーザと、この半導
体レーザからの出射光を平行光にするコリメータレンズ
と、このコリメータレンズで平行光にされた出射光を集
光して光磁気ディスクの記録面に照射する対物レンズ
と、上記半導体レーザ及び対物レンズ間に設けられ、上
記光磁気ディスクの記録面で反射された反射光の一部を
分離する第１の偏光ビームスプリッタと、この第１の偏
光ビームスプリッタで分離された反射光の一部を検波す
る検光子と、この検光子を透過した光のレベルを検出す
るフォトディテクタ等から構成されている。

【０００４】このような構成を有する光ピックアップ装
置は、上記半導体レーザから出射されるレーザビームを
集光して上記光磁気ディスクの記録面に照射し、この記
録面で反射された反射光の一部を上記第１の偏光ビーム
スプリッタで分離し、この分離された反射光の一部のう
ち、所定の偏光面、すなわち、所定の光振動面を有する
成分のレベルを上記フォトディテクタで検出することに
より、上記光磁気ディスクに記録されている記録データ
を再生するようになっている。

【０００５】上述の検光子としては、「シートアナライ
ザ」が一般的に用いられるが、このシートアナライザ
は、「消光比」が低いため、Ｓ／Ｎ比が低いという問題
がある。このため、現在主流となっている光ピックアッ
プ装置には上記検光子の代わりに１／２波長板が設けら
れている。

【０００６】この１／２波長板が設けられた光ピックア
ップ装置は、上記第１の偏光ビームスプリッタで分離さ
れた反射光を、上記１／２波長板及び第２の偏光ビーム
スプリッタで、さらにＰ波成分及びＳ波成分に分離し、
該Ｐ波成分及びＳ波成分のレベルをそれぞれ２つのフォ
トディテクタで検出し、これらのレベル差を差動増幅器
で検出することにより、上記光磁気ディスクに記録され
ている記録データを再生するようになっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記１／２波
長板が設けられた光ピックアップ装置は、第１，第２の
偏光ビームスプリッタの計２つの偏光ビームスプリッタ
を設けなければならないため、部品点数が多くなり、製
作費が高くなる問題があった。

【０００８】また、上記第１の偏光ビームスプリッタで
分離された反射光を、上記第２の偏光ビームスプリッタ
でさらに２つの成分に分離する構成のため、その光路を
確立する必要があり、各部品の位置合わせが面倒である
うえ、装置自体が大型化する問題があった。

【０００９】本発明は、上述の問題点に鑑みてなされた
ものであり、部品点数を削減して小型且つ安価に作製で
きるうえ、面倒な位置合わせを軽減することができるよ
うな光ピックアップ装置に関する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る光ピックア
ップ装置は、光磁気ディスクに照射するための第１の偏
光方向を有するレーザビームを出射するレーザビーム出
射手段と、第１の偏光方向を有するレーザビーム及び上
記光磁気ディスクにレーザビームが照射されて生ずる反
射光は透過させ、上記第１の偏光方向と直交する第２の
偏光方向を有するレーザビーム及び上記反射光は反射す
る偏光ビームスプリッタと、上記レーザビームは０次光
として透過させ、上記反射光は１次回折光としてその光
路を所定分だけ曲げて出射するホログラム膜と、入射さ
れるレーザビーム及び反射光を所定の角度だけ旋光して
出射する第１の旋光部と、入射されるレーザビーム及び
反射光を、上記第１の旋光部とは逆に所定の角度だけ旋
光して出射する第２の旋光部とが、上記レーザビーム及
び反射光の光軸を境にして設けられている旋光手段と、
上記レーザビーム出射手段からのレーザビームを収束し
て上記光磁気ディスクに照射する収束手段と、上記ホロ
グラム膜により光路が曲げられたレーザビームの反射光
のうち、上記偏光ビームスプリッタを透過した反射光を
受光して、トラッキングエラー及びフォーカスエラーを
検出する第１の光検出手段と、上記ホログラム膜により
光路が曲げられ、上記偏光ビームスプリッタにより反射
された反射光のうち、上記旋光手段の第１の旋光部を介
して照射される反射光を受光してそのレベルを検出する
第１の受光部と、上記旋光手段の第２の旋光部を介して
照射される反射光を受光してそのレベルを検出する第２
の受光部とからなり、上記各受光部で検出された上記各
反射光のレベルの差分を検出することにより、上記光磁
気記録媒体に記録されている光磁気記録信号を検出する
第２の光検出手段とを有することを特徴として上述の課
題を解決する。

【００１１】また、本発明に係る光ピックアップ装置
は、上記ホログラム膜は、上記偏光ビームスプリッタ
の、上記レーザビーム出射手段からのレーザビームが出
射されるとともに、上記レーザビームの反射光が入射さ
れる面に隣接して設けられ、上記旋光手段は、上記光磁
気ディスクと上記ホログラム膜との間に設けられること
を特徴として上述の課題を解決する。

【００１２】また、本発明に係る光ピックアップ装置
は、上記旋光手段は、上記偏光ビームスプリッタの、上
記レーザビーム出射手段からのレーザビームが出射され
るとともに、上記レーザビームの反射光が入射される面
に隣接して設けられ、上記ホログラム膜は、上記光磁気
ディスクと上記旋光手段との間に設けられることを特徴
として上述の課題を解決する。

【００１３】

【作用】 本発明に係る光ピックアップ装置は、例えば
Ｐ偏光成分のレーザビームが、レーザビーム出射手段か
ら出射される。このＰ偏光成分のレーザビームは、偏光
ビームスプリッタに入射される。上記偏光ビームスプリ
ッタは、上記Ｐ偏光成分のレーザビームはそのまま透過
させ、該Ｐ偏光成分と直交する偏光成分であるＳ偏光成
分のレーザビームは反射する特性となっている。このた
め、上記レーザビーム出射手段からのＰ偏光成分のレー
ザビームは、上記偏光ビームスプリッタを透過すること
となる。この偏光ビームスプリッタを透過したレーザビ
ームは、ホログラム膜に入射される。

【００１４】上記ホログラム膜は、上記レーザビームは
０次光として透過させ、上記レーザビームが光磁気ディ
スクに照射されることにより生ずる反射光は１次回折光
としてその光路を所定分だけ曲げて出射する特性となっ
ている。このため、上記偏光ビームスプリッタから上記
ホログラム膜に入射された上記レーザビームは、その光
路が曲げられることなく出射される。このホログラム膜
から出射されたレーザビームは、旋光手段に入射され
る。

【００１５】上記旋光手段は、例えば上記レーザビーム
の光軸を境に右側が第１の旋光部である右旋光板、左側
が第２の旋光部である左旋光板で形成されており、上記
ホログラム膜からのレーザビームのうち、光軸を境に右
側のレーザビームを、上記右旋光板により所定の角度だ
け旋光して出射し、上記光軸を境に左側のレーザビーム
を、上記左旋光板により、上記右旋光板とは逆に所定の
角度だけ旋光して出射する。

【００１６】これにより、見かけ上は一本のレーザビー
ムであるが、光軸を境に右側及び左側でそれぞれ旋光角
の異なるレーザビームが形成されることとなる。このレ
ーザビームは、収束手段により収束され光磁気ディスク
に照射される。

【００１７】次に、上記レーザビームを収束手段を介し
て光磁気ディスクに照射することにより反射光が生ず
る。この反射光のうち、上記旋光手段内の右旋光板を介
して出射されたレーザビームに係る反射光は、上記旋光
手段内の左旋光板に入射され、上記旋光手段内の左旋光
板を介して出射されたレーザビームに係る反射光は、上
記旋光手段内の右旋光板に入射される。

【００１８】上記旋光手段に入射される反射光の進行方
向は、上記レーザビーム出射手段から出射されるレーザ
ビームの進行方向とは逆となる。このため、上記左旋光
板に入射された反射光は、さらに所定の角度だけ旋光さ
れ、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分との中間の偏光成分を有す
る反射光として出射され、上記右旋光板に入射された反
射光は、上記左旋光板に入射された反射光とは逆にさら
に所定の角度だけ旋光され、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分と
の中間の偏光成分を有する反射光として出射されること
となる。

【００１９】なお、上記左旋光板から出射される反射光
と、上記右旋光板から出射される反射光とは、それぞれ
Ｓ偏光成分とＰ偏光成分との中間の偏光成分を有してい
るが、それぞれ右方向の旋光角を有する反射光，左方向
の旋光角を有する反射光となっている。上記旋光手段を
介した上記反射光は、次にホログラム膜に入射される。

【００２０】上述のように、上記ホログラム膜は、上記
レーザビームは０次光として透過させ、上記反射光は１
次回折光としてその光路を所定分だけ曲げて出射する特
性となっている。このため、上記ホログラム膜４に入射
された上記反射光は、光路が所定分曲げられて出射され
る。この光路の曲げられた反射光は、上記偏光ビームス
プリッタに入射される。

【００２１】 上述のように、上記旋光手段の左旋光板
及び右旋光板からは、例えばＳ偏光成分とＰ偏光成分と
の中間の偏光成分を有する反射光が出射される。また、
上記偏光ビームスプリッタは、Ｐ偏光成分を透過させＳ
偏光成分は反射する。このため、上記偏光ビームスプリ
ッタに入射された反射光のうち、例えば５０％の反射光
は透過し、残り５０％の反射光は反射されることとな
る。

【００２２】上記偏光ビームスプリッタを透過した反射
光は、第１の光検出手段に照射され、上記偏光ビームス
プリッタにより反射された反射光は、第２の光検出手段
に照射される。

【００２３】上記第１の光検出手段は、上記反射光を受
光してトラッキングエラー及びフォーカスエラーを検出
する。

【００２４】上記第２の光検出手段は、例えば上記偏光
ビームスプリッタにより反射されて照射される反射光の
うち、右方向の偏光角を有する反射光を受光しそのレベ
ルを検出する第１の受光部、及び、左方向の偏光角を有
する反射光を受光しそのレベルを検出する第２の受光部
で構成されており、上記第１の受光部で受光した反射光
のレベルと、上記第２の受光部で受光した反射光のレベ
ルとの差分を検出する、いわゆる、差動検出法により、
上記光磁気記録媒体に記録されている光磁気記録信号を
検出する。

【００２５】なお、この場合、本発明に係る光ピックア
ップ装置は、レーザビーム出射手段，偏光ビームスプリ
ッタ，ホログラム膜，旋光手段，収束手段の順で構成さ
れることとしたが、上記ホログラム膜及び旋光手段を設
ける順序を換えて、すなわち、レーザビーム出射手段，
偏光ビームスプリッタ，旋光手段，ホログラム膜，収束
手段の順で構成することもできる。

【００２６】

【実施例】以下、本発明に係る光ピックアップ装置の実
施例について図面を参照しながら説明する。

【００２７】本発明に係る光ピックアップ装置は、例え
ば図１に示すように光磁気ディスク１に所望の記録デー
タを記録し再生する光磁気ディスク記録再生装置の光学
系として適用することができる。

【００２８】 上記図１において、本実施例に係る光ピ
ックアップ装置は、記録時には記録用のレベルの強いＰ
偏光成分のレーザビームを出射し、再生時には再生用の
弱いレベルのＰ偏光成分のレーザビームを出射するレー
ザダイオード（レーザビーム出射手段）２と、Ｐ偏光成
分の光は透過させ、該Ｐ偏光成分と直交する偏光成分で
あるＳ偏光成分の光は反射する偏光ビームスプリッタ３
とを有している。

【００２９】また、上記光ピックアップ装置は、上記偏
光ビームスプリッタ３の、上記レーザダイオード２から
のレーザビームが出射されるとともに、上記レーザビー
ムの反射光が入射される面に隣接して設けられ、上記レ
ーザダイオード２からのレーザビームはその光路を曲げ
ずに出射し、上記レーザビームの反射光はその光路を所
定分だけ曲げて出射するホログラム膜４と、例えば上記
レーザビームの光軸を境にして設けられた、入射される
レーザビーム及び反射光を所定の角度だけ右方向に旋回
して出射する右旋光板５Ｒ（第１の旋光部）、及び、入
射されるレーザビーム及び反射光を所定の角度だけ左方
向に旋回して出射する左旋光板５Ｌ（第２の旋光部）を
有する旋光板（旋光手段）５とを有している。

【００３０】また、上記光ピックアップ装置は、上記旋
光板５を介して入射される上記レーザダイオード２から
のレーザビームを収束して上記光磁気ディスク１に照射
する対物レンズ（収束手段）６と、上記ホログラム膜４
により光路が所定分曲げられた反射光のうち、上記偏光
ビームスプリッタ３を透過した反射光を受光して、トラ
ッキングエラー及びフォーカスエラーを検出する第１の
フォトディテクタ（第１の光検出手段）７とを有してい
る。

【００３１】また、上記光ピックアップ装置は、上記ホ
ログラム膜４により光路が所定分曲げられ、上記偏光ビ
ームスプリッタ３により反射された反射光のうち、上記
旋光板５の左旋光板５Ｌを介した反射光を受光してその
レベルを検出する第１の受光部８Ｒ、及び、上記旋光板
５の右旋光板５Ｒを介した反射光を受光してそのレベル
を検出する第２の受光部８Ｌからなる第２のフォトディ
テクタ８と、第２のフォトディテクタ８の各受光部８
Ｒ，８Ｌで検出された上記各反射光のレベルの差分を検
出することにより、上記光磁気記録媒体に記録されてい
る光磁気記録信号を検出する差動増幅回路９とを有して
いる。

【００３２】なお、上記第２のフォトディテクタ７及び
差動増幅回路９で第２の光検出手段を構成している。

【００３３】また、上記レーザダイオード２及び第１の
フォトディテクタ７は、それぞれ隣接して、箱型形状の
レーザユニット１１内に設けられている。このレーザユ
ニット１１には、上記レーザダイオード２から出射され
るレーザビーム及び上記偏光ビームスプリッタ３を透過
して上記第１のフォトディテクタ７に照射される反射光
をそれぞれ遮らないように孔部１１ａが設けられてい
る。なお、例えば上記レーザユニット１１は、上記孔部
１１ａ以外は、全て遮光されるような構成となってい
る。

【００３４】次に、このような構成を有する本実施例に
係る光ピックアップ装置の動作説明をする。

【００３５】 まず、記録時或は再生時となると、上記
レーザダイオード２から図２（ａ）に示すようなＰ偏光
成分のレーザビームが出射される。このＰ偏光成分のレ
ーザビームは、上記偏光ビームスプリッタ３に入射され
る。上記偏光ビームスプリッタ３は、上記Ｐ偏光成分の
レーザビームをそのまま透過させる。この偏光ビームス
プリッタ３を透過したレーザビームは、ホログラム膜４
に入射される。

【００３６】上記ホログラム膜４のホログラムパターン
は、上記レーザダイオード２が設けられる位置、及び、
上記第１，第２のフォトディテクタ７，８が設けられる
位置に応じて決定されおり、例えば発散球面波の干渉縞
となっている。

【００３７】このホログラム膜４は、上記レーザビーム
は０次光として透過させ、上記反射光は１次回折光とし
てその光路を所定分だけ曲げて出射する特性を有してい
る。このため、上記偏光ビームスプリッタ３を介して上
記ホログラム膜４に入射されたレーザビームは、その光
路が曲げられることなく出射される。上記ホログラム膜
４から出射されたレーザビームは、次に旋光板５に入射
される。

【００３８】 上記旋光板５は、上述のように上記レー
ザビームの光軸を境に右側が右旋光板５Ｒ、左側が左旋
光板５Ｌで形成されている。このため、上記旋光板５
は、上記ホログラム膜４を介して入射されたレーザビー
ムのうち、光軸を境にして右側のレーザビームを上記右
旋光板５Ｒにより図２（ｂ）に示すように所定分（＋
α）右方向に回転させて出射し、また、上記光軸を境に
左側のレーザビームを上記左旋光板５Ｌにより同図
（ｃ）に示すように所定分（−α）左方向に回転させて
出射する。

【００３９】これにより、見かけ上は一本のレーザビー
ムであるが、光軸を境に右側及び左側でそれぞれ偏光方
向の異なるレーザビームが形成されることとなる。この
レーザビームは、対物レンズ６により収束され上記光磁
気ディスク１に照射される。

【００４０】 次に、上記レーザビームを上記対物レン
ズ６を介して上記光磁気ディスク１に照射することによ
り反射光が生ずる。この反射光の偏光面は、上記光磁気
ディスク１に記録されているデータの磁化の向きに従っ
て回転する現象、所謂カー効果によりθｋ（＝カー回転
角）回転する。この偏光面がθｋ回転した反射光のう
ち、上記旋光板５内の右旋光板５Ｒを介して出射された
レーザビームに係る反射光（＋α＋θｋ）は、上記旋光
板５内の左旋光板５Ｌに入射され、上記旋光板５内の左
旋光板５Ｌを介して出射されたレーザビームに係る反射
光（−α＋θｋ）は、上記旋光板５内の右旋光板５Ｒに
入射される。

【００４１】上記旋光板５に入射される反射光の進行方
向は、上記レーザダイオード２から出射されるレーザビ
ームの進行方向とは逆となる。このため、上記左旋光板
５Ｌに入射された反射光は、図２（ｄ）に示すようにさ
らに所定分（＋α）右方向に回転されて出射され（＋２
α＋θｋ）、上記右旋光板５Ｒに入射された反射光は、
同図（ｅ）に示すようにさらに所定分（−α）左方向に
回転されて出射されることとなる（−２α＋θｋ）。

【００４２】この旋光板５を介した上記反射光は、次に
上記ホログラム膜４に入射される。

【００４３】上述のように、上記ホログラム膜４は、上
記反射光を１次回折光としてその光路を所定分曲げて出
射する。上記反射光の光路が、上記ホログラム膜４によ
り曲げられる量は、以下に説明する偏光ビームスプリッ
タ３を透過した反射光が第１のフォトディテクタ７に照
射されるような量となっている。このように光路が曲げ
られた反射光は、上記偏光ビームスプリッタ３に入射さ
れる。

【００４４】上記偏光ビームスプリッタ３内に入射され
る反射光のうち、上記旋光板５内の左旋光板５Ｌを介し
た反射光は、図２（ｄ）に示したように＋２α＋θｋの
旋光角を有しているが、この旋光角は、例えば＋４５度
程度となっており、また、上記右旋光板５Ｒを介した反
射光は、同図（ｅ）に示したように−２α＋θｋの旋光
角を有しているが、この旋光角は、例えば−４５度程度
となっている。

【００４５】 このため、上記左旋光板５Ｌを介した反
射光、及び、上記右旋光板５Ｒを介した反射光は、例え
ばそれぞれＳ偏光成分及びＰ偏光成分を５０％位ずつ有
していることとなる。また、上述のように上記偏光ビー
ムスプリッタ３は、Ｐ偏光成分の光を透過させ、Ｓ偏光
成分の光を反射するようになっている。

【００４６】従って、上記偏光ビームスプリッタ３は、
上記ホログラム膜４から反射光が入射されると、この反
射光のうち例えば５０％の反射光を透過させ、残り５０
％の反射光を反射する。

【００４７】上記偏光ビームスプリッタ３を透過した反
射光は、上記ホログラム膜４によりその光路が所定分曲
げられているため、第１のフォトディテクタ７に照射さ
れる。

【００４８】上記第１のフォトディテクタ７は、上記照
射された反射光に基づいて、例えばいわゆる非点収差法
によりフォーカスエラーを検出し、また、いわゆるプッ
シュプル法によりトラッキングエラーを検出する。そし
て、フォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号
を形成し、これらを図示しないシステムコントローラに
供給する。上記システムコントローラは、上記フォーカ
スエラー信号に基づいて、上記光磁気ディスク１に照射
されるレーザビームの焦点が合うように例えば上記対物
レンズ６を上下に駆動制御し、また、上記トラッキング
エラー信号に基づいて上記光磁気ディスク１を走査する
レーザビームがオントラックするように上記対物レンズ
６を左右に駆動制御する。

【００４９】これにより、正確なフォーカシング及びト
ラッキングで記録再生を行うことができる。

【００５０】 一方、上記偏光ビームスプリッタ３で
は、上記残り５０％の反射光が反射されるが、このう
ち、上記旋光板５内の左旋光板５Ｌを介した反射光（＋
２α＋θｋ）は、該偏光ビームスプリッタ３で反射され
ることにより、図２（ｆ）に示すようなｓｉｎ（＋２α
＋θｋ）の偏光角を有するＰ偏光成分の反射光として第
２のフォトディテクタ８内の第１の受光部８Ｒに照射さ
れ、また、上記右旋光板５Ｒを介した反射光（−２α＋
θｋ）は、該偏光ビームスプリッタ３で反射されること
により、同図（ｇ）に示すようなｓｉｎ（−２α＋θ
ｋ）の偏光角を有するＳ偏光成分の反射光として第２の
フォトディテクタ８内の第２の受光部８Ｌに照射され
る。

【００５１】 従って、上記第１、第２の受光部８Ｒ、
８Ｌには、同じＳ偏光成分であるが、その旋光角は、図
２（ｆ）、（ｇ）に示すように正反対の反射光が照射さ
れることとなる。

【００５２】上記第２のフォトディテクタ８内の第１の
受光部８Ｒは、上記ｓｉｎ（＋２α＋θｋ）の旋光角を
有するＰ偏光成分の反射光を受光してその受光面積から
レベルを検出し、これを差動増幅回路９の非反転入力端
子（＋）に供給する。また、上記第２の受光部８Ｌは、
上記ｓｉｎ（−２α＋θｋ）の旋光角を有するＰ偏光成
分の反射光を受光してその受光面積からレベルを検出
し、これを差動増幅回路９の反転入力端子（−）に供給
する。

【００５３】上記差動増幅回路９は、上記非反転入力端
子及び反転入力端子に供給される反射光のレベルの差分
を検出し、この差分を増幅することにより、光磁気記録
信号を形成し、これを出力端子１０を介して図示しない
光磁気記録信号処理回路に供給する。

【００５４】このように、受光面積のレベルの差分を検
出する、いわゆる差動検出法は、同相除去比の性能を決
める、消光比の高い光学系でなければ実現は困難であ
る。しかし、本実施例に係る光ピックアップ装置は、上
記偏光ビームスプリッタ３を用いて上記レーザビームの
反射光の検波を行うため、上記偏光ビームスプリッタ３
の特性で決まる消光比まで同相除去を行うことができ
る。このため、同相除去比の高い高品位な光磁気光学系
を達成することができる。

【００５５】また、通常のビームスプリッタの反射膜
は、光学的位相特性（リターデーション）を考慮して量
産する必要があるためコスト高となるが、本実施例に係
る光ピックアップ装置は、上記偏光ビームスプリッタ３
を用いているため、リターデーションは発生しない。こ
のため、上記リターデーションを考慮して量産しなくて
よい分ローコスト化に貢献することができる。

【００５６】また、上記偏光ビームスプリッタ３を用い
て、反射光の光量のみ検波しており、往路の光量は１０
０％透過させるため、カップリング効率の向上を図るこ
とができる。

【００５７】また、往路のカップリング効率に影響を与
えることなく、上記右旋光板５Ｒ，左旋光板５Ｌの回転
角を任意に設定して、上記第１，第２のフォトディテク
タ７，８に照射する反射光の光量を任意に設定すること
ができる。

【００５８】具体的には、上記右旋光板５Ｒ，左旋光板
５Ｌの回転角をそれぞれ０度〜４５度まで変化させるこ
とにより、上記第１，第２のフォトディテクタ７，８に
照射される反射光の光量を０％〜１００％に可変するこ
とができる。

【００５９】このため、上記光磁気記録信号，フォーカ
スエラー信号，トラッキングエラー信号の増幅回路等の
後段の増幅回路の設計に自由度を増すことができる。従
って、信号に応じた適正な増幅度となるように上記後段
の増幅回路の増幅率を設定することができ、Ｓ／Ｎ比の
向上を図ることができる。

【００６０】また、上記光磁気記録信号の形成に上記偏
光ビームスプリッタ３を用いることができ、集束光中で
も光磁気記録信号の品質劣化を生じずに取り扱うことを
可能とすることができる。このため、光磁気レーザカプ
ラを実現することができる。

【００６１】また、上記旋光板５は、回転角を変化させ
るだけで、波長板のように位相差は変化させない。この
ため、上記レーザダイオード２の発振波長のバラツキの
影響を受けることがない。従って、２波長以上のレーザ
ビームを同一の光学系内において取り扱うことを可能と
することができる。

【００６２】また、上記旋光板５において、上記右旋光
板５Ｒと左旋光板５Ｌとの旋光角度が異なっていても、
上記２つの反射光は、上記レーザビームが右旋光板５Ｒ
及び左旋光板５Ｌを順に介して形成され、また、上記レ
ーザビームが左旋光板５Ｌ及び右旋光板５Ｒを順に介し
て形成されるため、該２つの反射光のレベルは等しくす
ることができる。このため、当該光ピックアップ装置に
用いる各素子の仕様の自由度を増すことができる。

【００６３】また、上記偏光ビームスプリッタ３は、通
常の光ピックアップ装置に設けられる光磁気用ビームス
プリッタと比較して安価に作製することができる。ま
た、本実施例に係る光ピックアップ装置では、偏光ビー
ムスプリッタを１つだけしか用いていない。また、偏光
ビームスプリッタを１つだけしか用いていないため、光
路を大幅に縮めることができる。さらに、上記旋光板５
も、ウォーラストンプリズムよりも安価に作製すること
ができる。

【００６４】このため、当該光ピックアップ装置自体を
小型化しローコスト化を達成することができるうえ、面
倒な位置合わせの作業の軽減を図ることができる。

【００６５】なお、上述の実施例の説明では、上記偏光
ビームスプリッタ３のレーザビームの出射面（反射光の
入射面でもある。）にホログラム膜４を設け、このホロ
グラム膜４に隣接して上記旋光板５を設けることとした
が、これは、図３に示すように、上記偏光ビームスプリ
ッタ３のレーザビームの出射面に旋光板５を設け、この
旋光板５に隣接してホログラム膜４を設けるような構
成、すなわち、上記旋光板５及びホログラム膜４を設け
る順序を変えてもよい。

【００６６】この場合においても、各部の動作及び効果
は上述の実施例と同じである。このため、図３に係る光
ピックアップ装置の詳細な説明は、上記図１に示した実
施例に係る光ピックアップ装置と同符号を付すことによ
りその詳細な説明を省略する。

【００６７】また、上述の実施例の説明では、旋光手段
として右旋光板５Ｒ及び左旋光板５Ｌを組み合わせた旋
光板５を用いることとしたが、これは、１／２波長板の
光学軸を変えたものを２枚組み合わせたものを用いるよ
うにしてもよい。

【００６８】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
係る光ピックアップ装置は、レーザビーム出射手段，偏
光ビームスプリッタ，ホログラム膜，旋光手段，収束手
段を、レーザビームの光路に沿って順に設け、或いは、
レーザビーム出射手段，偏光ビームスプリッタ，旋光手
段，ホログラム膜，収束手段を、レーザビームの光路に
沿って順に設け、上記偏光ビームスプリッタを透過する
反射光の照射位置にトラッキングエラー及びフォーカス
エラーを検出するための第１の光検出手段を設け、上記
偏光ビームスプリッタにより反射された反射光の照射位
置に、光磁気記録信号を検出するための第２の光検出手
段を設けるという簡単な構成で、反射光を１００％利用
し、カップリング効率を良くして高品位な光磁気記録信
号を形成して出力することができる。

【００６９】しかも、上記偏光ビームスプリッタを１つ
しか用いないため、部品点数を削減することができるう
え、光路を大幅に縮めることができ、当該光ピックアッ
プ装置の小型化及びローコスト化を達成することができ
る。また、光路を大幅に縮めることができるため、上記
第１，第２の光検出手段の位置合わせ等を軽減すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光ピックアップ装置を光磁気ディ
スク記録再生装置の光学系に適用した場合の実施例のブ
ロック図である。

【図２】上記実施例に係る光ピックアップ装置の各部を
介したレーザビーム及び反射光の旋光角を説明するため
の模式図である。

【図３】本発明に係る光ピックアップ装置の他の実施例
のブロック図である。

【符号の説明】

１・・・・・・・・・・光磁気ディスク ２・・・・・・・・・・レーザダイオード ３・・・・・・・・・・偏光ビームスプリッタ ４・・・・・・・・・・ホログラム膜 ５・・・・・・・・・・旋光板 ５Ｒ・・・・・・・・・右旋光板 ５Ｌ・・・・・・・・・左旋光板 ６・・・・・・・・・・対物レンズ ７・・・・・・・・・・第１のフォトディテクタ ８・・・・・・・・・・第２のフォトディテクタ ８Ｒ・・・・・・・・・第１の受光部 ８Ｌ・・・・・・・・・第２の受光部 ９・・・・・・・・・・差動増幅回路 １０・・・・・・・・・出力端子 １１・・・・・・・・・レーザユニット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/00 - 13/04 G11B 7/12 - 7/22

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光磁気ディスクに照射するための第１の
   偏光方向を有するレーザビームを出射するレーザビーム
   出射手段と、 第１の偏光方向を有するレーザビーム及び上記光磁気デ
   ィスクにレーザビームが照射されて生ずる反射光は透過
   させ、上記第１の偏光方向と直交する第２の偏光方向を
   有するレーザビーム及び上記反射光は反射する偏光ビー
   ムスプリッタと、 上記レーザビームは０次光として透過させ、上記反射光
   は１次回折光としてその光路を所定分だけ曲げて出射す
   るホログラム膜と、 入射されるレーザビーム及び反射光を所定の角度だけ旋
   光して出射する第１の旋光部と、入射されるレーザビー
   ム及び反射光を、上記第１の旋光部とは逆に所定の角度
   だけ旋光して出射する第２の旋光部とが、上記レーザビ
   ーム及び反射光の光軸を境にして設けられている旋光手
   段と、 上記レーザビーム出射手段からのレーザビームを収束し
   て上記光磁気ディスクに照射する収束手段と、 上記ホログラム膜により光路が曲げられたレーザビーム
   の反射光のうち、上記偏光ビームスプリッタを透過した
   反射光を受光して、トラッキングエラー及びフォーカス
   エラーを検出する第１の光検出手段と、 上記ホログラム膜により光路が曲げられ、上記偏光ビー
   ムスプリッタにより反射された反射光のうち、上記旋光
   手段の第１の旋光部を介して照射される反射光を受光し
   てそのレベルを検出する第１の受光部と、上記旋光手段
   の第２の旋光部を介して照射される反射光を受光してそ
   のレベルを検出する第２の受光部とからなり、上記各受
   光部で検出された上記各反射光のレベルの差分を検出す
   ることにより、上記光磁気記録媒体に記録されている光
   磁気記録信号を検出する第２の光検出手段とを有するこ
   とを特徴とする光ピックアップ装置。
2. 【請求項２】 上記ホログラム膜は、上記偏光ビームス
   プリッタの、上記レーザビーム出射手段からのレーザビ
   ームが出射されるとともに、上記レーザビームの反射光
   が入射される面に隣接して設けられ、上記旋光手段は、
   上記光磁気ディスクと上記ホログラム膜との間に設けら
   れることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装
   置。
3. 【請求項３】 上記旋光手段は、上記偏光ビームスプリ
   ッタの、上記レーザビーム出射手段からのレーザビーム
   が出射されるとともに、上記レーザビームの反射光が入
   射される面に隣接して設けられ、上記ホログラム膜は、
   上記光磁気ディスクと上記旋光手段との間に設けられる
   ことを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。