JPH0242647A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
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- JPH0242647A JPH0242647A JP63192350A JP19235088A JPH0242647A JP H0242647 A JPH0242647 A JP H0242647A JP 63192350 A JP63192350 A JP 63192350A JP 19235088 A JP19235088 A JP 19235088A JP H0242647 A JPH0242647 A JP H0242647A
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- Japan
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- light
- semiconductor laser
- optical
- plate
- beam splitter
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光情報記録媒体に半導体レーザからの光を照
射して情報の記録、再生を行う光ピックアップ装置に関
する。
射して情報の記録、再生を行う光ピックアップ装置に関
する。
従来の技術
従来の光ピックアップ装置を第５図ないし第７図（ａ）
（ｂ）に基づいて説明する。まず、その全体構成につい
て説明する。半導体レーザ１から出射された光は、カッ
プリングレンズ２により平行光とされ、ビームスプリッ
タとしての偏光ビームスプリッタ３を透過後、λ／４板
４により円偏光とされ対物レンズ５により光情報記録媒
体としての光デイスク６面上に約１μｍのスポットが形
成され、これにより記録等が行われる。また、その光デ
ィスク６からの反射光は、対物レンズ５．λ／４板４を
順次介して、偏光ビームスプリッタ３により反射されサ
ーボ光学系７に導かれて集光レンズ８により集光される
。そのサーボ光学系７では、集光レンズ８により集光さ
れた光のうち、半分の光は２分割されたトラック受光素
子９に受光されることによりトラックエラー信号が検出
されトラツキングサーボが行われる。また、残りの半分
の光は直進してフォーカス・受光素子１０に受光される
ことによりフォーカスエラー信号が検出されフォーカス
サーボが行われる。なお、このような検出方法をナイフ
ェツジ法と呼んでいる。
（ｂ）に基づいて説明する。まず、その全体構成につい
て説明する。半導体レーザ１から出射された光は、カッ
プリングレンズ２により平行光とされ、ビームスプリッ
タとしての偏光ビームスプリッタ３を透過後、λ／４板
４により円偏光とされ対物レンズ５により光情報記録媒
体としての光デイスク６面上に約１μｍのスポットが形
成され、これにより記録等が行われる。また、その光デ
ィスク６からの反射光は、対物レンズ５．λ／４板４を
順次介して、偏光ビームスプリッタ３により反射されサ
ーボ光学系７に導かれて集光レンズ８により集光される
。そのサーボ光学系７では、集光レンズ８により集光さ
れた光のうち、半分の光は２分割されたトラック受光素
子９に受光されることによりトラックエラー信号が検出
されトラツキングサーボが行われる。また、残りの半分
の光は直進してフォーカス・受光素子１０に受光される
ことによりフォーカスエラー信号が検出されフォーカス
サーボが行われる。なお、このような検出方法をナイフ
ェツジ法と呼んでいる。
ここで、そのフォーカスエラー信号の検出原理を簡略化
して説明する。まず、第６図（ａ）は光ディスク６が合
焦時の状態を示し、この時１合焦点Ｐはフォーカス受光
素子１０上に位置し、受光面ａ、ｂでの受光量はａ ＝
ｂとなるため、その差分（ａ−ｂ）は０となりフォー
カスエラー信号は検出されない。また、第６図（ｂ）は
光ディスク６が正常な位置から遠ざかった場合を示し、
この時、焦点Ｐは受光素子１０の手前に位置し、受光量
はａ （ｂとなるため、その差分はＯとはならずフォー
カスエラー信号が検出されフォーカスサーボが行われる
。同様に、第６図（ｃ）は光ディスク６が正常な位置か
ら近づいた場合を示し、焦点Ｐは受光素子１０の後方に
位置し、受光量はａ ＞ ｂとなるため、フォーカスエ
ラー信号が検出されフォーカスサーボが行われる。この
ようにフォーカスエラー信号を検出することにより、対
物レンズ５と光ディスク°６との位置関係が制御される
。
して説明する。まず、第６図（ａ）は光ディスク６が合
焦時の状態を示し、この時１合焦点Ｐはフォーカス受光
素子１０上に位置し、受光面ａ、ｂでの受光量はａ ＝
ｂとなるため、その差分（ａ−ｂ）は０となりフォー
カスエラー信号は検出されない。また、第６図（ｂ）は
光ディスク６が正常な位置から遠ざかった場合を示し、
この時、焦点Ｐは受光素子１０の手前に位置し、受光量
はａ （ｂとなるため、その差分はＯとはならずフォー
カスエラー信号が検出されフォーカスサーボが行われる
。同様に、第６図（ｃ）は光ディスク６が正常な位置か
ら近づいた場合を示し、焦点Ｐは受光素子１０の後方に
位置し、受光量はａ ＞ ｂとなるため、フォーカスエ
ラー信号が検出されフォーカスサーボが行われる。この
ようにフォーカスエラー信号を検出することにより、対
物レンズ５と光ディスク°６との位置関係が制御される
。
発明が解決しようとする問題点
このような装置において、光ディスク６に信号を書き込
む（記憶）時には、読取る（再生）時よりも半導体レー
ザ１の発光強度（パワー）が大きい。この発光強度が大
きくなると、半導体レーザ１のチップ温度が上昇して、
その発光波長が変動し、その結果、誤ってフォーカスエ
ラー信号を検出してしまうことになる。以下、その具体
例について説明する。
む（記憶）時には、読取る（再生）時よりも半導体レー
ザ１の発光強度（パワー）が大きい。この発光強度が大
きくなると、半導体レーザ１のチップ温度が上昇して、
その発光波長が変動し、その結果、誤ってフォーカスエ
ラー信号を検出してしまうことになる。以下、その具体
例について説明する。
一般に、半導体レーザ１のチップの温度上昇と波長変動
との間には、数ｎ ｍ ／ １０ ｍ Ｗの関係がある
。例えば、今、光ディスク６が色素系の場合、半導体レ
ーザ１の読取りパワーで装置を組付け。
との間には、数ｎ ｍ ／ １０ ｍ Ｗの関係がある
。例えば、今、光ディスク６が色素系の場合、半導体レ
ーザ１の読取りパワーで装置を組付け。
半導体レーザ１とカップリングレンズ２との間隔を決め
、フォーカス受光素子１０を調整したとする。この時、
第７図（ａ）に示すように、合焦時におけるカップリン
グレンズ２を透過後の光束は平行光となり、その結果、
光ディスク６により反射され集光レンズ８に入射する光
も平行光となる。
、フォーカス受光素子１０を調整したとする。この時、
第７図（ａ）に示すように、合焦時におけるカップリン
グレンズ２を透過後の光束は平行光となり、その結果、
光ディスク６により反射され集光レンズ８に入射する光
も平行光となる。
このため、その集光された光はフォーカス受光素子１０
の中心部に照射されフォーカスエラー信号は検出されな
い。
の中心部に照射されフォーカスエラー信号は検出されな
い。
しかし、光ディスク６が金属系の場合、その読取りパワ
ーは、色素系の読取りパワーに比べ一段と大きいため半
導体レーザ１の発光波長は長くなる。これにより、レン
ズ特性からレンズの屈折率は小さくなり焦点距離が長く
なると、第７図（ｂ）に示すように、カップリングレン
ズ２を透過後の光束は平行光とはならず発散光となる。
ーは、色素系の読取りパワーに比べ一段と大きいため半
導体レーザ１の発光波長は長くなる。これにより、レン
ズ特性からレンズの屈折率は小さくなり焦点距離が長く
なると、第７図（ｂ）に示すように、カップリングレン
ズ２を透過後の光束は平行光とはならず発散光となる。
このため。
対物レンズ５が合焦位置にあっても集光レンズ８に入射
する光束の焦点距離は短くなり、フォーカス受光索子１
０に導かれる光の焦点位置Ｐは第６図（ｂ）と同様に短
いものとなり、その結果、誤ってフォーカスエラー信号
が検出されてしまうことになる。
する光束の焦点距離は短くなり、フォーカス受光索子１
０に導かれる光の焦点位置Ｐは第６図（ｂ）と同様に短
いものとなり、その結果、誤ってフォーカスエラー信号
が検出されてしまうことになる。
問題点を解決するための手段
そこで、このような問題点を解決するために。
半導体レーザとビームスプリッタとの間の光路上に、光
軸口りに回動自在な波長板を配設した。
軸口りに回動自在な波長板を配設した。
作用
従って、波長板をある一定角度まで回転させ、半導体レ
ーザから出射した光をその波長板に入射することにより
、その入射した光の偏光面を変え発光強度を変化させる
ことができ、これにより、半導体レーザの発光強度を一
定にした状態で、光デイスク面に照射される光の光量（
パワー）を自在に変化させることができるため、従来の
ように半導体レーザの出力変動による発振波長の変化を
なくしてフォーカスエラー信号の検出を精度よく行うこ
とができる。
ーザから出射した光をその波長板に入射することにより
、その入射した光の偏光面を変え発光強度を変化させる
ことができ、これにより、半導体レーザの発光強度を一
定にした状態で、光デイスク面に照射される光の光量（
パワー）を自在に変化させることができるため、従来の
ように半導体レーザの出力変動による発振波長の変化を
なくしてフォーカスエラー信号の検出を精度よく行うこ
とができる。
実施例
本発明の一実施例を第１図ないし第４図に基づいて説明
する。なお、従来技術と同一部分については同一符号を
用い、その説明は省略する。
する。なお、従来技術と同一部分については同一符号を
用い、その説明は省略する。
波長板としてのλ／２板１１は、半導体レーザ１と偏光
ビームスプリッタ３との間の光路上に位置して配設され
ており、その光軸口りに回動自在に取付けられている。
ビームスプリッタ３との間の光路上に位置して配設され
ており、その光軸口りに回動自在に取付けられている。
また、第２図に示すように、このλ／２板１１の進相軸
に対してθの角度で入射した光は、これを透過後、入射
光に対してその偏光面が２０だけ回転した光となる。
に対してθの角度で入射した光は、これを透過後、入射
光に対してその偏光面が２０だけ回転した光となる。
従って、半導体レーザ１から出射された光の偏光面に、
対し、λ／２板１１を回転させその進相軸の方位を任意
に変えることにより、そのλ／２板１１を透過し偏光ビ
ームスプリッタ３に入射する光の偏光面を自在に変える
ことができる６以下。
対し、λ／２板１１を回転させその進相軸の方位を任意
に変えることにより、そのλ／２板１１を透過し偏光ビ
ームスプリッタ３に入射する光の偏光面を自在に変える
ことができる６以下。
その具体例を上げて説明する。
今、光ディスク６の色素系と金属系との読取りパワー（
光量）の比率を１：５とし、λ／２板１１に入射前の半
導体レーザ１のパワーをＱｍＷとして、その他の光学部
品による光の減衰はないものとする。まず、光ディスク
６が金属系の場合、第３図（ａ）に示すように、λ／２
板１１の進相軸を半導体レーザ１から出射される光のＰ
偏光面と−ｍさせる。この状態で、第３図（ｂ）に示す
ように、その出射された光がλ／２板１１を透過しても
、その光の偏光面は回転しない。さらに、第３図（ｃ）
に示すように、偏光ビームスプリッタ３を透過した後の
光の偏光面の光量（パワー）も変動しない。このように
、光ディスク６の面上に照射される光のパワーは、出射
時と変わらすＱ ｍ Ｗのままの状態となる。
光量）の比率を１：５とし、λ／２板１１に入射前の半
導体レーザ１のパワーをＱｍＷとして、その他の光学部
品による光の減衰はないものとする。まず、光ディスク
６が金属系の場合、第３図（ａ）に示すように、λ／２
板１１の進相軸を半導体レーザ１から出射される光のＰ
偏光面と−ｍさせる。この状態で、第３図（ｂ）に示す
ように、その出射された光がλ／２板１１を透過しても
、その光の偏光面は回転しない。さらに、第３図（ｃ）
に示すように、偏光ビームスプリッタ３を透過した後の
光の偏光面の光量（パワー）も変動しない。このように
、光ディスク６の面上に照射される光のパワーは、出射
時と変わらすＱ ｍ Ｗのままの状態となる。
次に、光ディスク６が色素系の場合、第４図（ａ）に示
すように、λ／２板１１の進相軸を半導体レーザｌから
出射される光のＰ偏光面に対してθだけ回転する。そし
て、第４図（ｂ）に示すように、その出射された光をλ
／２板１１に透過させると、その光の偏光面は２θだけ
回転する。さらに、第４図（ｃ）に示すように、その偏
光面の回転した光を偏光ビームスプリッタ３に透過させ
ることによりその光量は減少するわけであるが、この場
合、金属系に比入その光量を１７５にするために、Ｑｃ
ｏｓ２２０ （ｍＷ）の関係からθ＝３１．７２°にな
るように回転することによって、出射時の光量のＱ ／
５ ｍ Ｗを得ることができる。
すように、λ／２板１１の進相軸を半導体レーザｌから
出射される光のＰ偏光面に対してθだけ回転する。そし
て、第４図（ｂ）に示すように、その出射された光をλ
／２板１１に透過させると、その光の偏光面は２θだけ
回転する。さらに、第４図（ｃ）に示すように、その偏
光面の回転した光を偏光ビームスプリッタ３に透過させ
ることによりその光量は減少するわけであるが、この場
合、金属系に比入その光量を１７５にするために、Ｑｃ
ｏｓ２２０ （ｍＷ）の関係からθ＝３１．７２°にな
るように回転することによって、出射時の光量のＱ ／
５ ｍ Ｗを得ることができる。
上述したように、半導体レーザ１の発光強度（パワー）
を変えずにλ／２板１１を回転することによって、光デ
イスク６面に照射される光のパワーを自在に変えること
ができる。従って、半導体レーザ１の出力を常に一定に
保つことができるため、従来のようなチップの温度変化
による発振波長の変化をなくすことができ、これにより
フォーカスエラー信号の検出を一層精度よく行うことが
できる。
を変えずにλ／２板１１を回転することによって、光デ
イスク６面に照射される光のパワーを自在に変えること
ができる。従って、半導体レーザ１の出力を常に一定に
保つことができるため、従来のようなチップの温度変化
による発振波長の変化をなくすことができ、これにより
フォーカスエラー信号の検出を一層精度よく行うことが
できる。
なお、λ／２板１１の回転を高速で行うことにより、光
デイスク６面に照射される光の高速変調を行うことがで
きる。また、波長板としては上述したようなλ／２板１
１に限るものではなく、例えば、λ／４板を用いるよう
に設計してもよい。
デイスク６面に照射される光の高速変調を行うことがで
きる。また、波長板としては上述したようなλ／２板１
１に限るものではなく、例えば、λ／４板を用いるよう
に設計してもよい。
発明の効果
本発明は、半導体レーザとビームスプリッタとの間の光
路上に、光軸回りに回動自在な波長板を配設したので、
波長板をある一定角度まで回転させ、半導体レーザから
出射した光をその波長板に入射することにより、その入
射した光の偏光面を変え発光強度を変化させることがで
き、これにより、半導体レーザの発光強度を一定にした
状態で、光デイスク面に照射される光の光量（パワー）
を自在に変化させることができるため、従来のように半
導体レーザの出力変動による発振波長の変化をなくして
フォーカスエラー信号の検出を精度よく行うことができ
るものである。
路上に、光軸回りに回動自在な波長板を配設したので、
波長板をある一定角度まで回転させ、半導体レーザから
出射した光をその波長板に入射することにより、その入
射した光の偏光面を変え発光強度を変化させることがで
き、これにより、半導体レーザの発光強度を一定にした
状態で、光デイスク面に照射される光の光量（パワー）
を自在に変化させることができるため、従来のように半
導体レーザの出力変動による発振波長の変化をなくして
フォーカスエラー信号の検出を精度よく行うことができ
るものである。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は波長
板を回転することにより光の偏光面が回転する様子を示
す説明図、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）は波長板を回転さ
せない場合における光の状態変化を示す説明図、第４図
（ａ）（ｂ）（ｃ）は波長板をθだけ回転させた場合に
おける光の状態変化を示す説明図、第５図は従来例を示
す平面図、第６図（ａ）（ｂ）（Ｃ）はフォーカスエラ
ー信号の検出原理を示す説明図、第７図（ａ）（ｂ）は
半導体レーザの出力変動が生じる時の光の集束状態の様
子を示す説明図である。 １・・半導体レーザ、３・・・ビームスプリッタ、５・
・・対物レンズ、６・・・光情報記録媒体、１１・・・
波長板 出 願 人 株式会社 リ コ 図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） Ｓ匍騰 ３」 逸 、ｙｆ３；１図 庄 Ｕ図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ａ） ７図 （ｂ）
板を回転することにより光の偏光面が回転する様子を示
す説明図、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）は波長板を回転さ
せない場合における光の状態変化を示す説明図、第４図
（ａ）（ｂ）（ｃ）は波長板をθだけ回転させた場合に
おける光の状態変化を示す説明図、第５図は従来例を示
す平面図、第６図（ａ）（ｂ）（Ｃ）はフォーカスエラ
ー信号の検出原理を示す説明図、第７図（ａ）（ｂ）は
半導体レーザの出力変動が生じる時の光の集束状態の様
子を示す説明図である。 １・・半導体レーザ、３・・・ビームスプリッタ、５・
・・対物レンズ、６・・・光情報記録媒体、１１・・・
波長板 出 願 人 株式会社 リ コ 図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） Ｓ匍騰 ３」 逸 、ｙｆ３；１図 庄 Ｕ図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ａ） ７図 （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザから出射された光をビームスプリッタ
を介して対物レンズにより集光し光情報記録媒体に照射
することにより情報の記録、再生を行う光情報記録再生
装置において、前記半導体レーザと前記ビームスプリッ
タとの間の光路上に、波長板を配設したことを特徴とす
る光ピックアップ装置。 ２、波長板は、光軸回りに回動自在に取付け、この波長
板を回転することによりこれに入射する半導体レーザか
ら出射された光の偏光面を変え、ビームスプリッタを透
過する光の発光強度を変化させるようにしたことを特徴
とする請求項１記載の光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63192350A JPH0242647A (ja) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | 光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63192350A JPH0242647A (ja) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242647A true JPH0242647A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16289814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63192350A Pending JPH0242647A (ja) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0242647A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212731A (ja) * | 1990-03-23 | 1992-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
| JP2008125852A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Nipro Corp | 医療用カテーテル |
-
1988
- 1988-08-01 JP JP63192350A patent/JPH0242647A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212731A (ja) * | 1990-03-23 | 1992-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
| JP2008125852A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Nipro Corp | 医療用カテーテル |
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