JPH08203150A - 偏光成分検出装置 - Google Patents
偏光成分検出装置Info
- Publication number
- JPH08203150A JPH08203150A JP7031517A JP3151795A JPH08203150A JP H08203150 A JPH08203150 A JP H08203150A JP 7031517 A JP7031517 A JP 7031517A JP 3151795 A JP3151795 A JP 3151795A JP H08203150 A JPH08203150 A JP H08203150A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beam splitter
- optical
- polarization
- light
- analyzer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、光磁気記録媒体再生装置の設計の自
由度を増加させ得ると共に、光磁気記録媒体再生装置を
精度良く小型化させることのできる偏光成分検出装置の
実現を目的とするものである。 【構成】発散収束光の光路上に、透過する発散収束光に
対して検光子により生じる検波方向回転分布をキヤンセ
ルする方向の偏光回転を生じさせる光学手段、又は透過
する発散収束光の偏光方向を回転させることにより光学
手段による偏光回転をキヤンセルする偏向方向変換手段
を配置するようにしたことにより、検光子又は光学手段
を透過する発散収束光が検光子又は光学手段による偏光
回転の影響を受けないようにすることができ、かくして
光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させると
共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化するこ
とのできる偏光成分検出装置を実現できる。
由度を増加させ得ると共に、光磁気記録媒体再生装置を
精度良く小型化させることのできる偏光成分検出装置の
実現を目的とするものである。 【構成】発散収束光の光路上に、透過する発散収束光に
対して検光子により生じる検波方向回転分布をキヤンセ
ルする方向の偏光回転を生じさせる光学手段、又は透過
する発散収束光の偏光方向を回転させることにより光学
手段による偏光回転をキヤンセルする偏向方向変換手段
を配置するようにしたことにより、検光子又は光学手段
を透過する発散収束光が検光子又は光学手段による偏光
回転の影響を受けないようにすることができ、かくして
光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させると
共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化するこ
とのできる偏光成分検出装置を実現できる。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図１５〜図１７） 発明が解決しようとする課題（図１４〜図１８（Ｂ）） 課題を解決するための手段（図１〜図１４） 作用（図１〜図１４） 実施例 （１）第１実施例 （１−１）第１実施例の原理（図１〜図５） （１−２）第１実施例の構成（図６及び図１６） （２）第２実施例 （２−１）第２実施例の原理（図７〜図１１） （２−２）第２実施例の構成（図１２及び図１３） （３）他の実施例（図１〜図１４） 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は偏光成分検出装置に関
し、例えば光磁気記録媒体再生装置に適用して好適なも
のである。
し、例えば光磁気記録媒体再生装置に適用して好適なも
のである。
【０００３】
【従来の技術】従来、光磁気記録媒体再生装置を小型
化、低コスト化する１つの方法として、光ピツクアツプ
を発散収束光学系として構成する方法が提案されてい
る。図１５及び図１６は、光ピツクアツプをこのように
構成する場合の構成例を示すものであり、この構成例に
おいて図１５のタイプ（以下、このタイプをＰ分離タイ
プと呼ぶ）の光ピツクアツプ１では、発光ダイオード２
から発射された光ビームＬ１をグレーテイング３によつ
て情報再用の主ビームと、トラツキング用の２つの副ビ
ームとに分割し、これら各ビームをそれぞれビームスプ
リツタ４、コリメータレンズ５及び対物レンズ６を順次
介して光磁気デイスク７に照射するようになされてい
る。
化、低コスト化する１つの方法として、光ピツクアツプ
を発散収束光学系として構成する方法が提案されてい
る。図１５及び図１６は、光ピツクアツプをこのように
構成する場合の構成例を示すものであり、この構成例に
おいて図１５のタイプ（以下、このタイプをＰ分離タイ
プと呼ぶ）の光ピツクアツプ１では、発光ダイオード２
から発射された光ビームＬ１をグレーテイング３によつ
て情報再用の主ビームと、トラツキング用の２つの副ビ
ームとに分割し、これら各ビームをそれぞれビームスプ
リツタ４、コリメータレンズ５及び対物レンズ６を順次
介して光磁気デイスク７に照射するようになされてい
る。
【０００４】この主ビーム及び２つの副ビームの光磁気
デイスク７における各反射戻り光Ｌ２は、それぞれ対物
レンズ６及びコリメータレンズ５を順次介してビームス
プリツタ４の偏光膜４Ａに入射し、当該偏光膜４Ａにお
いて所定方向に反射され、ウオラストンプリズム８に入
射する。ウオラストンプリズム８は、各反射戻り光Ｌ２
をそれぞれ３つの光ビームに分割することにより合計９
本の光ビームを形成し、これらをマルチレンズ９を介し
てフオトダイオード１０の受光面に入射させる。
デイスク７における各反射戻り光Ｌ２は、それぞれ対物
レンズ６及びコリメータレンズ５を順次介してビームス
プリツタ４の偏光膜４Ａに入射し、当該偏光膜４Ａにお
いて所定方向に反射され、ウオラストンプリズム８に入
射する。ウオラストンプリズム８は、各反射戻り光Ｌ２
をそれぞれ３つの光ビームに分割することにより合計９
本の光ビームを形成し、これらをマルチレンズ９を介し
てフオトダイオード１０の受光面に入射させる。
【０００５】フオトダイオード１０の受光面は、図１７
に示すように、複数個の受光領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、
Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉに分割されてなる受光素子で構成されて
いる。かくしてこの光ピツクアツプ１では、受光領域の
（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）を求めることによりフオーカス
エラー（ＦＥ）を検出でき、受光領域Ｅ及び受光領域Ｆ
の出力差（Ｅ−Ｆ）を求めることによりトラツキングエ
ラー（ＴＥ）を検出できる。また受光領域Ｉ及び受光領
域Ｊの出力和（Ｉ＋Ｊ）を求めることによりピツト信号
（ＲＦS ）を得ることができ、受光領域Ｉ及び受光領域
Ｊの出力差（Ｉ−Ｊ）を求めることによりＭＯ信号（Ｒ
Ｆd ）を得ることができるようになされている。
に示すように、複数個の受光領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、
Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉに分割されてなる受光素子で構成されて
いる。かくしてこの光ピツクアツプ１では、受光領域の
（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）を求めることによりフオーカス
エラー（ＦＥ）を検出でき、受光領域Ｅ及び受光領域Ｆ
の出力差（Ｅ−Ｆ）を求めることによりトラツキングエ
ラー（ＴＥ）を検出できる。また受光領域Ｉ及び受光領
域Ｊの出力和（Ｉ＋Ｊ）を求めることによりピツト信号
（ＲＦS ）を得ることができ、受光領域Ｉ及び受光領域
Ｊの出力差（Ｉ−Ｊ）を求めることによりＭＯ信号（Ｒ
Ｆd ）を得ることができるようになされている。
【０００６】一方図１５との対応部分に同一符号を付し
た図１６のタイプ（以下、このタイプをＳ分離タイプと
呼ぶ）の光ピツクアツプ２０では、発光ダイオード２か
ら発射された光ビームＬ３をグレーテイング３において
主ビームと２つの副ビームとに分割した後、これらをビ
ームスプリツタ４の偏光膜４Ａで所定方向に反射するこ
とにより、コリメータレンズ５及び対物レンズ６を介し
て光磁気デイスク７に入射させる。
た図１６のタイプ（以下、このタイプをＳ分離タイプと
呼ぶ）の光ピツクアツプ２０では、発光ダイオード２か
ら発射された光ビームＬ３をグレーテイング３において
主ビームと２つの副ビームとに分割した後、これらをビ
ームスプリツタ４の偏光膜４Ａで所定方向に反射するこ
とにより、コリメータレンズ５及び対物レンズ６を介し
て光磁気デイスク７に入射させる。
【０００７】この主ビームと２つの副ビームの光磁気デ
イスク７における反射戻り光Ｌ４は、対物レンズ６、コ
リメータレンズ５、偏光ビームスプリツタ４、ウオラス
トンプリズム８及びマルチレンズ９を順次介してＰ分離
タイプの光ピツクアツプ１と同様にしてフオトデイテク
タ１０の受光面に入射する。従つてこの光ピツクアツプ
２０においても、上述のＰ分離タイプの光ピツクアツプ
１と同様にしてフオトデイテクタ１０の出力に基づいて
フオーカスエラー及びトラツキングエラーを検出し得る
と共に、ピツト信号及びＭＯ信号を得ることができる。
イスク７における反射戻り光Ｌ４は、対物レンズ６、コ
リメータレンズ５、偏光ビームスプリツタ４、ウオラス
トンプリズム８及びマルチレンズ９を順次介してＰ分離
タイプの光ピツクアツプ１と同様にしてフオトデイテク
タ１０の受光面に入射する。従つてこの光ピツクアツプ
２０においても、上述のＰ分離タイプの光ピツクアツプ
１と同様にしてフオトデイテクタ１０の出力に基づいて
フオーカスエラー及びトラツキングエラーを検出し得る
と共に、ピツト信号及びＭＯ信号を得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般的に偏
光ビームスプリツタは、偏光特性に角度依存性を有して
いる。すなわち入射光が偏光ビームスプリツタの偏光膜
で反射することにより得られる反射光や、入射光が偏光
ビームスプリツタの偏光膜を透過することにより得られ
る透過光の偏光方向は、通常、入射光が偏光ビームスプ
リツタの偏光膜に入射する角度に対応して回転される。
光ビームスプリツタは、偏光特性に角度依存性を有して
いる。すなわち入射光が偏光ビームスプリツタの偏光膜
で反射することにより得られる反射光や、入射光が偏光
ビームスプリツタの偏光膜を透過することにより得られ
る透過光の偏光方向は、通常、入射光が偏光ビームスプ
リツタの偏光膜に入射する角度に対応して回転される。
【０００９】例えばＰ分離タイプの光ピツクアツプ１
（図１５）では、上述の偏光の回転が、図１８（Ａ）に
示すように、光ビームＬ１が光磁気デイスク７に形成す
るビームスポツトのうち、光磁気デイスク７のトラツク
方向と平行な方向の両端部に近づくほど大きくなる。な
お図中において矢印はビームスポツトの各部における偏
光方向を示す（図１８（Ｄ）も同様）。一方、Ｓ分離タ
イプの光ピツクアツプ２０（図１６）では、上述の偏光
の回転が、図１８（Ｂ）に示すように、光ビームＬ３が
光磁気デイスク７に形成するビームスポツトのうち、ト
ラツク方向に対して垂直な方向の両端部において生じ
る。
（図１５）では、上述の偏光の回転が、図１８（Ａ）に
示すように、光ビームＬ１が光磁気デイスク７に形成す
るビームスポツトのうち、光磁気デイスク７のトラツク
方向と平行な方向の両端部に近づくほど大きくなる。な
お図中において矢印はビームスポツトの各部における偏
光方向を示す（図１８（Ｄ）も同様）。一方、Ｓ分離タ
イプの光ピツクアツプ２０（図１６）では、上述の偏光
の回転が、図１８（Ｂ）に示すように、光ビームＬ３が
光磁気デイスク７に形成するビームスポツトのうち、ト
ラツク方向に対して垂直な方向の両端部において生じ
る。
【００１０】この場合Ｓ分離タイプの光ピツクアツプ２
０のように、光ビームＬ３が光磁気デイスク７に形成す
るビームスポツトのうち、トラツク方向に対して垂直な
方向の両端部に偏光の回転が生じると、例えばトラツク
として波状の、いわゆるウオブリングトラツクを適用し
ている光磁気デイスク７の再生時には、このトラツクの
ウオブリングに基づいて得られる位置検出信号がＭＯ信
号へ漏れ込むため（フオトデイテクタ１０の受光面に形
成される反射戻り光Ｌ４のうち、ＩとＪとの光量バラン
ス、すなわちＩ−Ｊの出力がウオブリング周期で変化す
るため）、正確なＭＯ信号を得難い問題があつた。従つ
て光磁気記録媒体再生装置を設計するに際して再生特性
を考慮すると、光ピツクアツプとしてＳ分離タイプの採
用は困難であり、このため光磁気記録媒体再生装置自体
の設計の幅が狭められていた。
０のように、光ビームＬ３が光磁気デイスク７に形成す
るビームスポツトのうち、トラツク方向に対して垂直な
方向の両端部に偏光の回転が生じると、例えばトラツク
として波状の、いわゆるウオブリングトラツクを適用し
ている光磁気デイスク７の再生時には、このトラツクの
ウオブリングに基づいて得られる位置検出信号がＭＯ信
号へ漏れ込むため（フオトデイテクタ１０の受光面に形
成される反射戻り光Ｌ４のうち、ＩとＪとの光量バラン
ス、すなわちＩ−Ｊの出力がウオブリング周期で変化す
るため）、正確なＭＯ信号を得難い問題があつた。従つ
て光磁気記録媒体再生装置を設計するに際して再生特性
を考慮すると、光ピツクアツプとしてＳ分離タイプの採
用は困難であり、このため光磁気記録媒体再生装置自体
の設計の幅が狭められていた。
【００１１】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させ
ると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化す
ることのできる偏光成分検出装置を提案しようとするも
のである。
で、光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させ
ると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化す
ることのできる偏光成分検出装置を提案しようとするも
のである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め第１の発明においては、透過する発散収束光（Ｌ２）
に偏光回転分布を生じさせる光学手段（４）を有する偏
光成分検出装置において、発散収束光（Ｌ２）の光路上
に配置され、光学手段（４）による発散収束光（Ｌ２）
の偏光回転分布をキヤンセルするように、透過する発散
収束光（Ｌ２）の偏光方向を変化させる偏光回転分布変
換手段（５１）を設けるようにした。
め第１の発明においては、透過する発散収束光（Ｌ２）
に偏光回転分布を生じさせる光学手段（４）を有する偏
光成分検出装置において、発散収束光（Ｌ２）の光路上
に配置され、光学手段（４）による発散収束光（Ｌ２）
の偏光回転分布をキヤンセルするように、透過する発散
収束光（Ｌ２）の偏光方向を変化させる偏光回転分布変
換手段（５１）を設けるようにした。
【００１３】また第１の発明においては、偏光回転分布
変換手段（５１）は、光学手段（４）による発散収束光
（Ｌ２）の偏光回転分布をキヤンセルするように光学特
性が選定された位相板でなるようにした。
変換手段（５１）は、光学手段（４）による発散収束光
（Ｌ２）の偏光回転分布をキヤンセルするように光学特
性が選定された位相板でなるようにした。
【００１４】さらに第１の発明においては、光学手段
（４）は、偏光ビームスプリツタ膜（４Ａ）を有する光
学素子（４）でなり、位相板（５１）は、光学特性とし
て、入射する発散収束光（Ｌ２）の光軸と偏光ビームス
プリツタ膜（４Ａ）に対する法線とで形成される平面内
において、光学素子（４）による発散収束光（Ｌ２）の
偏光回転分布をキヤンセルするように光学軸（Ｋ５０）
が傾けられるようにした。
（４）は、偏光ビームスプリツタ膜（４Ａ）を有する光
学素子（４）でなり、位相板（５１）は、光学特性とし
て、入射する発散収束光（Ｌ２）の光軸と偏光ビームス
プリツタ膜（４Ａ）に対する法線とで形成される平面内
において、光学素子（４）による発散収束光（Ｌ２）の
偏光回転分布をキヤンセルするように光学軸（Ｋ５０）
が傾けられるようにした。
【００１５】さらに第１の発明においては、光学手段
（４）は、偏光ビームスプリツタ膜（４Ａ）を有する光
学素子（４）でなり、位相板（５１）は、光学特性とし
て、入射する発散収束光（Ｌ２）の光軸と偏光ビームス
プリツタ膜（４Ａ）に対する法線とで形成される平面内
において、光学素子（４）による発散収束光（Ｌ２）の
偏光回転分布をキヤンセルするように光学軸（Ｋ５０）
が傾けられると共に、光学軸（Ｋ５０）の回りに所定角
度回転させて半波長板の機能をもたせるようにした。
（４）は、偏光ビームスプリツタ膜（４Ａ）を有する光
学素子（４）でなり、位相板（５１）は、光学特性とし
て、入射する発散収束光（Ｌ２）の光軸と偏光ビームス
プリツタ膜（４Ａ）に対する法線とで形成される平面内
において、光学素子（４）による発散収束光（Ｌ２）の
偏光回転分布をキヤンセルするように光学軸（Ｋ５０）
が傾けられると共に、光学軸（Ｋ５０）の回りに所定角
度回転させて半波長板の機能をもたせるようにした。
【００１６】さらに第１の発明においては、偏光ビーム
スプリツタ膜（４Ａ）を有する光学素子（５１）の屈折
率をｎBS、位相板（５１）の屈折率をｎHWP 、光学素子
（５１）のＰ偏光及びＳ偏光に対する透過率をそれぞれ
ＴS 、ＴP 、発散収束光（Ｌ２）の開口率をＮＡ、位相
板（５１）に入射する発散収束光（Ｌ２）の光学軸に垂
直な平面と位相板（５１）の光学軸（Ｋ５０）とがなす
角をθとしたとき、ｎBS、ｎHWP 、ＴS 、ＴP 、ＮＡ及
びθが次の３つの式
スプリツタ膜（４Ａ）を有する光学素子（５１）の屈折
率をｎBS、位相板（５１）の屈折率をｎHWP 、光学素子
（５１）のＰ偏光及びＳ偏光に対する透過率をそれぞれ
ＴS 、ＴP 、発散収束光（Ｌ２）の開口率をＮＡ、位相
板（５１）に入射する発散収束光（Ｌ２）の光学軸に垂
直な平面と位相板（５１）の光学軸（Ｋ５０）とがなす
角をθとしたとき、ｎBS、ｎHWP 、ＴS 、ＴP 、ＮＡ及
びθが次の３つの式
【数４】
【数５】
【数６】 を満足するようにそれぞれ選定するようにした。
【００１７】また第２の発明においては、透過する発散
収束光（Ｌ４０）に検波方向の回転分布を有する検光子
（７１）を用いた偏光成分検出装置において、発散収束
光（Ｌ４０）の光路上に配置され、透過する発散収束光
（Ｌ４０）に対して、検光子（７１）により生じる検波
方向の回転分布をキヤンセルするように偏光回転分布を
生じさせる光学手段（７２、７３）、（７２、７３Ａ、
７３Ｂ）を設けるようにした。
収束光（Ｌ４０）に検波方向の回転分布を有する検光子
（７１）を用いた偏光成分検出装置において、発散収束
光（Ｌ４０）の光路上に配置され、透過する発散収束光
（Ｌ４０）に対して、検光子（７１）により生じる検波
方向の回転分布をキヤンセルするように偏光回転分布を
生じさせる光学手段（７２、７３）、（７２、７３Ａ、
７３Ｂ）を設けるようにした。
【００１８】また第２の発明においては、検光子（７
１）は、偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）を有する検
光子でなり、光学手段（７２、７３）は、検光子（７
１）の偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）と平行に配置
される偏光ビームスプリツタ膜（７２Ａ）を有する光学
素子（７２）と、検光子（７１）及び光学素子（７２）
間に配置された半波長板（７３）とを有するようにし
た。
１）は、偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）を有する検
光子でなり、光学手段（７２、７３）は、検光子（７
１）の偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）と平行に配置
される偏光ビームスプリツタ膜（７２Ａ）を有する光学
素子（７２）と、検光子（７１）及び光学素子（７２）
間に配置された半波長板（７３）とを有するようにし
た。
【００１９】さらに第２の発明においては、検光子（７
１）は、偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）を有する検
光子でなり、光学手段（７２、７３Ａ、７３Ｂ）は、検
光子（７１）の偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）と垂
直に配置される偏光ビームスプリツタ膜（７２Ａ）を有
する光学素子（７２）と、検光子（７１）及び光学素子
（７２）間に、互いに光学軸をずらして配置された第１
及び第２の半波長板（７３Ａ、７３Ｂ）とを有するよう
にした。
１）は、偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）を有する検
光子でなり、光学手段（７２、７３Ａ、７３Ｂ）は、検
光子（７１）の偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）と垂
直に配置される偏光ビームスプリツタ膜（７２Ａ）を有
する光学素子（７２）と、検光子（７１）及び光学素子
（７２）間に、互いに光学軸をずらして配置された第１
及び第２の半波長板（７３Ａ、７３Ｂ）とを有するよう
にした。
【００２０】さらに第２の発明においては、検光子（７
１）は、Ｐ偏光とＳ偏光との間に180 〔°〕の位相差を
生じる偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）を有する検光
子でなり、光学手段（７２、７３）は、検光子（７１）
の偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）と垂直に配置され
る偏光ビームスプリツタ膜（７２Ａ）を有する光学素子
（７２）と、検光子（７１）及び光学素子（７２）間に
配置された半波長板（７３）とを有するようにした。
１）は、Ｐ偏光とＳ偏光との間に180 〔°〕の位相差を
生じる偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）を有する検光
子でなり、光学手段（７２、７３）は、検光子（７１）
の偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）と垂直に配置され
る偏光ビームスプリツタ膜（７２Ａ）を有する光学素子
（７２）と、検光子（７１）及び光学素子（７２）間に
配置された半波長板（７３）とを有するようにした。
【００２１】さらに第２の発明においては、検光子（７
１）は、偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）を有する検
光子でなり、光学手段は、検光子（７１）の偏光ビーム
スプリツタ膜（７１Ａ）と平行に配置される偏光ビーム
スプリツタ膜（７２Ａ）を有する光学素子（７２）と、
検光子（７１）及び光学素子（７２）間に配置され、発
散収束光（Ｌ４０）の偏光方向回転分布を変化させる位
相板とを有するようにした。
１）は、偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）を有する検
光子でなり、光学手段は、検光子（７１）の偏光ビーム
スプリツタ膜（７１Ａ）と平行に配置される偏光ビーム
スプリツタ膜（７２Ａ）を有する光学素子（７２）と、
検光子（７１）及び光学素子（７２）間に配置され、発
散収束光（Ｌ４０）の偏光方向回転分布を変化させる位
相板とを有するようにした。
【００２２】さらに本発明においては、検光子（７１）
は、Ｐ偏光とＳ偏光との間に180 〔°〕の位相差を生じ
る偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）を有する検光子で
なり、光学手段は、検光子（７１）の偏光ビームスプリ
ツタ膜（７１Ａ）と垂直に配置される偏光ビームスプリ
ツタ膜（７２Ａ）を有する光学素子（７２）と、検光子
（７１）及び光学素子（７２）間に配置され、発散収束
光（Ｌ４０）の偏光方向回転分布を変化させる位相板と
を有するようにした。
は、Ｐ偏光とＳ偏光との間に180 〔°〕の位相差を生じ
る偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）を有する検光子で
なり、光学手段は、検光子（７１）の偏光ビームスプリ
ツタ膜（７１Ａ）と垂直に配置される偏光ビームスプリ
ツタ膜（７２Ａ）を有する光学素子（７２）と、検光子
（７１）及び光学素子（７２）間に配置され、発散収束
光（Ｌ４０）の偏光方向回転分布を変化させる位相板と
を有するようにした。
【００２３】
【作用】第１の発明においては、透過する発散収束光
（Ｌ２）の偏光方向の分布を変化させる偏光回転分布変
換手段（５１）を設けたことにより、光学手段（４）及
び偏光回転分布変換手段（５１）を順次透過する発散収
束光（Ｌ２）が光学手段（４）による偏光回転の影響受
けないようにすることができる。従つてこれを、例えば
光磁気記録媒体再生装置の光ピツクアツプに適用するこ
とによつて、Ｓ分離タイプのものでも光学手段（４）に
よる影響を受けない発散収束光系として形成することが
でき、かくして光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度
を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良
く小型化することのできる偏光成分検出装置を実現でき
る。
（Ｌ２）の偏光方向の分布を変化させる偏光回転分布変
換手段（５１）を設けたことにより、光学手段（４）及
び偏光回転分布変換手段（５１）を順次透過する発散収
束光（Ｌ２）が光学手段（４）による偏光回転の影響受
けないようにすることができる。従つてこれを、例えば
光磁気記録媒体再生装置の光ピツクアツプに適用するこ
とによつて、Ｓ分離タイプのものでも光学手段（４）に
よる影響を受けない発散収束光系として形成することが
でき、かくして光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度
を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良
く小型化することのできる偏光成分検出装置を実現でき
る。
【００２４】また第２の発明においては、透過する発散
収束光（Ｌ４０）に対して、検光子（７１）により生じ
る検波方向の回転分布をキヤンセルする光学手段（７
２、７３）、（７２、７３Ａ、７３Ｂ）を発散収束光
（Ｌ４０）の光路上に配置するようにしたことにより、
検光子（７１）を透過する発散収束光（Ｌ４０）が検光
子（７１）による偏光回転の影響受けないようにするこ
とができ、かくして第１の発明と同様に、光磁気記録媒
体再生装置の設計の自由度を増加させると共に、光磁気
記録媒体再生装置を精度良く小型化することのできる偏
光成分検出装置を実現できる。
収束光（Ｌ４０）に対して、検光子（７１）により生じ
る検波方向の回転分布をキヤンセルする光学手段（７
２、７３）、（７２、７３Ａ、７３Ｂ）を発散収束光
（Ｌ４０）の光路上に配置するようにしたことにより、
検光子（７１）を透過する発散収束光（Ｌ４０）が検光
子（７１）による偏光回転の影響受けないようにするこ
とができ、かくして第１の発明と同様に、光磁気記録媒
体再生装置の設計の自由度を増加させると共に、光磁気
記録媒体再生装置を精度良く小型化することのできる偏
光成分検出装置を実現できる。
【００２５】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００２６】（１）第１実施例 （１−１）第１実施例の原理 図１（Ａ）に示すように、収束するＳ偏光Ｌ１０を偏光
ビームスプリツタ３０の上面３１Ａから光軸を当該上面
３０Ａと垂直に入射させる場合を考える。ここで図１
（Ｄ）のように、Ｓ偏光Ｌ１０の偏光ビームスプリツタ
３０への入射光軸方向をｚ軸の正方向とし、Ｓ偏光の向
きをｙ軸の正方向、ｙ軸及びｚ軸にそれぞれ垂直で、か
つ偏光ビームスプリツタ３０の偏光膜３０Ｂの法線が傾
いている方向をｘ軸の正方向とする。
ビームスプリツタ３０の上面３１Ａから光軸を当該上面
３０Ａと垂直に入射させる場合を考える。ここで図１
（Ｄ）のように、Ｓ偏光Ｌ１０の偏光ビームスプリツタ
３０への入射光軸方向をｚ軸の正方向とし、Ｓ偏光の向
きをｙ軸の正方向、ｙ軸及びｚ軸にそれぞれ垂直で、か
つ偏光ビームスプリツタ３０の偏光膜３０Ｂの法線が傾
いている方向をｘ軸の正方向とする。
【００２７】また図１（Ａ）及び（Ｃ）に示すように、
Ｓ偏光Ｌ１０が偏光ビームスプリツタ３０の上面３０Ａ
に形成するビームスポツト３１のｙ軸と平行な直径の端
部のうち、ｙ座標の大きい方をｃ、小さい方をｄとし、
端部ｄを通る光線の偏光ビームスプリツタ３０上面３０
Ａへの入射角をａ、屈折角をｂ、偏光ビームスプリツタ
３０の屈折率をｎBSとする。この場合入射角ａ、屈折角
ｂ及び屈折率ｎBSの間には次式
Ｓ偏光Ｌ１０が偏光ビームスプリツタ３０の上面３０Ａ
に形成するビームスポツト３１のｙ軸と平行な直径の端
部のうち、ｙ座標の大きい方をｃ、小さい方をｄとし、
端部ｄを通る光線の偏光ビームスプリツタ３０上面３０
Ａへの入射角をａ、屈折角をｂ、偏光ビームスプリツタ
３０の屈折率をｎBSとする。この場合入射角ａ、屈折角
ｂ及び屈折率ｎBSの間には次式
【数７】 が成り立つ。また端部ｄを通る光線を考えたとき、その
屈折後の光線方向の単位ベクトルＩINは、次式
屈折後の光線方向の単位ベクトルＩINは、次式
【数８】 で与えられ、かつ偏光方向の単位ベクトルＳINは次式
【数９】 で与えられる。因に、偏光ビームスプリツタ３０の偏光
膜３０Ｂの法線方向の単位ベクトルｒを次式
膜３０Ｂの法線方向の単位ベクトルｒを次式
【数１０】 で与えられるものとする。
【００２８】いま考えている光線が偏光ビームスプリツ
タ３０の偏光膜３０Ｂに入射するときの当該偏光膜３０
ＢにとつてのＳ偏光方向は、ビームスポツト３１の端部
ｄを通る光線の屈折後の光線方向と、偏光ビームスプリ
ツタ３０の偏光膜３０Ｂの法線方向とにそれぞれ垂直で
あるから、その単位ベクトルＥS は次式
タ３０の偏光膜３０Ｂに入射するときの当該偏光膜３０
ＢにとつてのＳ偏光方向は、ビームスポツト３１の端部
ｄを通る光線の屈折後の光線方向と、偏光ビームスプリ
ツタ３０の偏光膜３０Ｂの法線方向とにそれぞれ垂直で
あるから、その単位ベクトルＥS は次式
【数１１】 で表され、偏光膜３０ＢにとつてのＰ偏光方向は、偏光
膜３０ＢにとつてのＳ偏光方向と、ビームスポツト３１
の端部ｄを通る光線の屈折後の光線方向とにそれぞれ垂
直であるから、その単位ベクトルＥP は次式
膜３０ＢにとつてのＳ偏光方向と、ビームスポツト３１
の端部ｄを通る光線の屈折後の光線方向とにそれぞれ垂
直であるから、その単位ベクトルＥP は次式
【数１２】 で表される。
【００２９】ここでこの光線が偏光ビームスプリツタ３
０を透過する場合を考え、当該偏光ビームスプリツタ３
０のＰ偏光及びＳ偏光に対する透過率をそれぞれＴP1、
ＴS1とすると、ビームスポツト３１の端部ｄを通る光線
の屈折後の偏光方向の単位ベクトルＳINは次式
０を透過する場合を考え、当該偏光ビームスプリツタ３
０のＰ偏光及びＳ偏光に対する透過率をそれぞれＴP1、
ＴS1とすると、ビームスポツト３１の端部ｄを通る光線
の屈折後の偏光方向の単位ベクトルＳINは次式
【数１３】 で表されるのに対して、ここでは光電場として扱つてい
るので、光線が偏光ビームスプリツタ３０を透過した後
の偏光方向の単位ベクトルＳOUT は、次式
るので、光線が偏光ビームスプリツタ３０を透過した後
の偏光方向の単位ベクトルＳOUT は、次式
【数１４】 で表される。
【００３０】実際に計算すると、単位ベクトルＥS は
（８）式及び（10）式から次式
（８）式及び（10）式から次式
【数１５】 となり、単位ベクトルＥP は（８）式及び（11）式から
次式
次式
【数１６】 となることから、定数Ａは（９）式及び（15）式から次
式
式
【数１７】 のように算出でき、定数Ｂは（９）式及び（16）式から
次式
次式
【数１８】 のように算出できる。
【００３１】また単位ベクトルＳOUT は、（14）式ない
し（18）式から次式
し（18）式から次式
【数１９】 のように算出できる。ここで偏光ビームスプリツタ３０
の透過光Ｌ１１のＰ偏光成分Ｐ1 は、単位ベクトルＳ
OUT のＸ成分だから次式
の透過光Ｌ１１のＰ偏光成分Ｐ1 は、単位ベクトルＳ
OUT のＸ成分だから次式
【数２０】 であり、Ｓ偏光成分Ｓ1 は単位ベクトルＳOUT のＳIN方
向の成分だから次式
向の成分だから次式
【数２１】 で与えられる。
【００３２】従つてＳ偏光Ｌ１０が偏光ビームスプリツ
タ３０を透過したときに当該Ｓ偏光Ｌ１０の偏光方向の
各端部に生じる偏光回転角αBS（図１（Ｄ））は、（2
0）式及び（21）式から次式
タ３０を透過したときに当該Ｓ偏光Ｌ１０の偏光方向の
各端部に生じる偏光回転角αBS（図１（Ｄ））は、（2
0）式及び（21）式から次式
【数２２】 を満足する。このとき光線が端部ｃ、ｄを通るとき、Ｓ
偏光Ｌ１０の開口率をＮＡとすると、次式
偏光Ｌ１０の開口率をＮＡとすると、次式
【数２３】 であるから、次式
【数２４】 が出射光の偏光方向回転量となる。
【００３３】同様にして、Ｐ偏光を偏光ビームスプリツ
タ３０に入射させる場合についても偏光回転角が求めら
れる。この場合任意の偏光は、Ｓ偏光及びＰ偏光の１次
結合として表されるから、任意の偏光に対して偏光回転
角を求めることができる。次に、図２（Ａ）〜（Ｄ）に
示すように、一面４０Ａに対して光学軸Ｋ１を角度θだ
け傾けた位相板４０に、入射光Ｌ２０として発散収束光
でなる直線偏光をその一面４０Ａに垂直に入射させる場
合を考える。このときも上述の偏光ビームスプリツタ３
０の場合と同様に、出射光Ｌ２１の偏光回転分布は入射
時とは異なつたものとなる。
タ３０に入射させる場合についても偏光回転角が求めら
れる。この場合任意の偏光は、Ｓ偏光及びＰ偏光の１次
結合として表されるから、任意の偏光に対して偏光回転
角を求めることができる。次に、図２（Ａ）〜（Ｄ）に
示すように、一面４０Ａに対して光学軸Ｋ１を角度θだ
け傾けた位相板４０に、入射光Ｌ２０として発散収束光
でなる直線偏光をその一面４０Ａに垂直に入射させる場
合を考える。このときも上述の偏光ビームスプリツタ３
０の場合と同様に、出射光Ｌ２１の偏光回転分布は入射
時とは異なつたものとなる。
【００３４】ここで一般的に位相板の特性は、屈折率楕
円体を用いて表すことができる。実際上、屈折率楕円体
として、次式
円体を用いて表すことができる。実際上、屈折率楕円体
として、次式
【数２５】 を考え、この屈折率楕円体を図３に示すように、ｙ軸の
回りに角度θだけ回転させた楕円体４５を用いることに
よつて光学軸が角度θ傾いた位相板の特性を表すことが
できる。この楕円体４５を原点Ｏを通り入射光Ｌ２０の
光線方向に垂直な平面で切つたときにできる楕円の２つ
の軸のうち、一方の径をｎ0 （これは常光線の屈折率に
対応する）とし、他方の径をｎe （これは異常光線の屈
折率に対応する）とすると、次式
回りに角度θだけ回転させた楕円体４５を用いることに
よつて光学軸が角度θ傾いた位相板の特性を表すことが
できる。この楕円体４５を原点Ｏを通り入射光Ｌ２０の
光線方向に垂直な平面で切つたときにできる楕円の２つ
の軸のうち、一方の径をｎ0 （これは常光線の屈折率に
対応する）とし、他方の径をｎe （これは異常光線の屈
折率に対応する）とすると、次式
【数２６】 で与えられる屈折率の差Δｎと、位相板４０の厚さｔと
を用いて、出射時における常光線と異常光線との位相差
を次式
を用いて、出射時における常光線と異常光線との位相差
を次式
【数２７】 のように表すことができる。
【００３５】これをｘｙ平面上、ｚ軸となす角度ａで入
射する光線について考える。この光線は結晶内では位相
板４０の屈折率をｎWPとして、次式
射する光線について考える。この光線は結晶内では位相
板４０の屈折率をｎWPとして、次式
【数２８】 を満たす角度ｂの方向の光線となる。まずΔｎを求め
る。ｂが微小であると考えると（実際の用途を考えると
ｂはあまり大きくしないはず）、光線に垂直な平面で切
つたときの楕円は、（19）式の楕円体をｙ軸の回りに角
度θだけ回転することにより得られた楕円体４３（図
３）をｘｙ平面で切つたときの楕円で近似できる。
る。ｂが微小であると考えると（実際の用途を考えると
ｂはあまり大きくしないはず）、光線に垂直な平面で切
つたときの楕円は、（19）式の楕円体をｙ軸の回りに角
度θだけ回転することにより得られた楕円体４３（図
３）をｘｙ平面で切つたときの楕円で近似できる。
【００３６】実際上例えばθ回転によつて次式
【数２９】 で与えられる点ｘ1 が次式
【数３０】 で与えられる点Ｘ1 に移つたとすると、点ｘ1 は次式
【数３１】 と表される。従つて点ｘ1 を先の（25）式に代入して、
ｚ＝０とおくことによつて、求める楕円（すなわち（2
5）式の楕円体をｙ軸の回りに角度θだけ回転すること
により得られた楕円体をｘｙ平面で切つたときの楕円）
が次式
ｚ＝０とおくことによつて、求める楕円（すなわち（2
5）式の楕円体をｙ軸の回りに角度θだけ回転すること
により得られた楕円体をｘｙ平面で切つたときの楕円）
が次式
【数３２】 のように得られる。
【００３７】従つてこの（32）式からｎe 及びｎ0 はそ
れぞれ次式
れぞれ次式
【数３３】
【数３４】 として与えられることから、位相差Δｎは次式
【数３５】 のように表すことができる。
【００３８】一方、入射光Ｌ２０の入射方向の単位ベク
トルＩは、次式
トルＩは、次式
【数３６】 で与えられ、結晶の光軸方向の単位ベクトルＣは次式
【数３７】 で与えられ、かつ入射光の偏光方向Ｓの単位ベクトルは
次式
次式
【数３８】 で与えられる。
【００３９】ここで、原点Ｏを通り、単位ベクトルＩに
垂直な平面で切つた楕円体４５の切り口の楕円の主軸
（ｎ0 ＝ｎ1 に対応する軸を主軸、他方を副軸と呼ぶこ
ととする）は、単位ベクトルＩに垂直な平面上にあり、
また常にＣに垂直で原点を通る平面上にあることから、
副軸方向の単位ベクトルＥC は次式
垂直な平面で切つた楕円体４５の切り口の楕円の主軸
（ｎ0 ＝ｎ1 に対応する軸を主軸、他方を副軸と呼ぶこ
ととする）は、単位ベクトルＩに垂直な平面上にあり、
また常にＣに垂直で原点を通る平面上にあることから、
副軸方向の単位ベクトルＥC は次式
【数３９】 と表される。また先に求めた（35）式の位相差Δｎは、
角度ｂが小さい間はほとんど変わらないと考えられる。
角度ｂが小さい間はほとんど変わらないと考えられる。
【００４０】従つて、ｍを整数として次式
【数４０】 を満たすｔの値を求め、位相板４０をその厚さにすれば
この位相板４０を半波長板として機能させることができ
る。ここでこの位相板４０を半波長板として用いたとき
（すなわち位相板４０の厚さを（40）式を満たすｔに設
定したとき）、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、先の
主軸方向の単位ベクトルＥC （（39）式）と、入射光Ｌ
２０（図３）の偏光方向Ｓ（（38）式）とのなす角をα
HWP （但しθが正のときに正、負のときに負とする）と
すると、この位相板４０を透過した後の光線の偏光回転
角は２αHWPで与えられる。
この位相板４０を半波長板として機能させることができ
る。ここでこの位相板４０を半波長板として用いたとき
（すなわち位相板４０の厚さを（40）式を満たすｔに設
定したとき）、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、先の
主軸方向の単位ベクトルＥC （（39）式）と、入射光Ｌ
２０（図３）の偏光方向Ｓ（（38）式）とのなす角をα
HWP （但しθが正のときに正、負のときに負とする）と
すると、この位相板４０を透過した後の光線の偏光回転
角は２αHWPで与えられる。
【００４１】実際に計算すると、次式
【数４１】 及び次式
【数４２】 から次式
【数４３】 が得られる。位相板４０内部における光線の角度ｂを常
に０以上としておくと、次式
に０以上としておくと、次式
【数４４】 及び図５のｃ′、ｄ′を通つた光線に対しては、次式
【数４５】 のように、光学軸Ｋ１を傾けた位相板４０によつても偏
光回転分布が生じることが分かる。
光回転分布が生じることが分かる。
【００４２】ここで位相板４０によつて偏光回転分布が
生じたのは、副軸の方向が光の入射方向によつて変化し
たためであり、従つて予め偏光回転分布を有する光をこ
の位相板４０に入射すると共に、この際副軸の方向を、
光学軸Ｋ１の傾きθを変化させるようにして最適化して
おくことによつて、当該位相板４０によつて入射光Ｌ２
０（図２及び図３）の偏光回転分布をなくさせる（キヤ
ンセルさせる）ことができる。
生じたのは、副軸の方向が光の入射方向によつて変化し
たためであり、従つて予め偏光回転分布を有する光をこ
の位相板４０に入射すると共に、この際副軸の方向を、
光学軸Ｋ１の傾きθを変化させるようにして最適化して
おくことによつて、当該位相板４０によつて入射光Ｌ２
０（図２及び図３）の偏光回転分布をなくさせる（キヤ
ンセルさせる）ことができる。
【００４３】従つて例えば図１及び図２との対応部分に
同一符号を付した図５に示すように、偏光ビームスプリ
ツタ３０と位相板４０とを順次配置した場合、先に求め
たαBS及びαHWP の式を用いて、次式
同一符号を付した図５に示すように、偏光ビームスプリ
ツタ３０と位相板４０とを順次配置した場合、先に求め
たαBS及びαHWP の式を用いて、次式
【数４６】
【数４７】
【数４８】 を満足するように位相板４０の光学軸Ｋ１の傾きθを選
定することにより、偏光ビームスプリツタ３０において
生じた入射光Ｌ１０の偏光回転を位相板４０によつてキ
ヤンセルすることができる。
定することにより、偏光ビームスプリツタ３０において
生じた入射光Ｌ１０の偏光回転を位相板４０によつてキ
ヤンセルすることができる。
【００４４】（１−２）第１実施例の構成 図１６との対応部分に同一符号を付して示す図６におい
て、５０は全体として光磁気記録媒体再生装置の光ピツ
クアツプを示し、光磁気デイスク７からの反射戻り光Ｌ
２の光路上のうち、偏光ビームスプリツタ４の後段位置
に位相板５１が配置されていることを除いてＳ分離タイ
プの光ピツクアツプ２０（図１６）と同様に構成されて
いる。この場合位相板５１の光学軸Ｋ５０は、入射する
反射戻り光Ｌ２の光軸と偏光ビームスプリツタ４の偏光
面４Ａとで形成される平面内において、反射戻り光Ｌ２
が偏光ビームスプリツタ４を透過することによつて当該
反射戻り光Ｌ２に生じる回転偏光をキヤンセルし得るよ
うに傾き角θが選定されている。
て、５０は全体として光磁気記録媒体再生装置の光ピツ
クアツプを示し、光磁気デイスク７からの反射戻り光Ｌ
２の光路上のうち、偏光ビームスプリツタ４の後段位置
に位相板５１が配置されていることを除いてＳ分離タイ
プの光ピツクアツプ２０（図１６）と同様に構成されて
いる。この場合位相板５１の光学軸Ｋ５０は、入射する
反射戻り光Ｌ２の光軸と偏光ビームスプリツタ４の偏光
面４Ａとで形成される平面内において、反射戻り光Ｌ２
が偏光ビームスプリツタ４を透過することによつて当該
反射戻り光Ｌ２に生じる回転偏光をキヤンセルし得るよ
うに傾き角θが選定されている。
【００４５】実際上、位相板５１の光軸軸５０の傾き角
θは、光磁気デイスク７における反射戻り光Ｌ２の偏光
ビームスプリツタ４による偏光回転角をαBS、位相板５
１による偏光回転角を２αHWP 、反射戻り光Ｌ２の開口
率をＮＡ、偏光ビームスプリツタ４のＰ偏光及びＳ偏光
の透過率をそれぞれＴP1及びＴS1、偏光ビームスプリツ
タ４及び位相板５１の屈折率をそれぞれｎBS及びｎHWP
として、（46）式ないし（48）式を満足するように選定
されている。
θは、光磁気デイスク７における反射戻り光Ｌ２の偏光
ビームスプリツタ４による偏光回転角をαBS、位相板５
１による偏光回転角を２αHWP 、反射戻り光Ｌ２の開口
率をＮＡ、偏光ビームスプリツタ４のＰ偏光及びＳ偏光
の透過率をそれぞれＴP1及びＴS1、偏光ビームスプリツ
タ４及び位相板５１の屈折率をそれぞれｎBS及びｎHWP
として、（46）式ないし（48）式を満足するように選定
されている。
【００４６】以上の構成において、この光ピツクアツプ
５０では、反射戻り光Ｌ２が偏光ビームスプリツタ４の
偏光膜４Ａを透過することにより当該反射戻り光Ｌ２に
生じた偏光回転を、当該反射戻り光Ｌ２が位相板５１を
透過することにより生じる偏光回転によつてキヤンセル
する。従つてフオトデイテクタ１０の受光面に、偏光ビ
ームスプリツタ４の偏光膜４Ａによる偏光回転の影響の
ない反射戻り光Ｌ２を入射させることができ、かくして
正確なＭＯ信号を得ることができるＳ分離タイプの光ピ
ツクアツプ５０を構成することができる。
５０では、反射戻り光Ｌ２が偏光ビームスプリツタ４の
偏光膜４Ａを透過することにより当該反射戻り光Ｌ２に
生じた偏光回転を、当該反射戻り光Ｌ２が位相板５１を
透過することにより生じる偏光回転によつてキヤンセル
する。従つてフオトデイテクタ１０の受光面に、偏光ビ
ームスプリツタ４の偏光膜４Ａによる偏光回転の影響の
ない反射戻り光Ｌ２を入射させることができ、かくして
正確なＭＯ信号を得ることができるＳ分離タイプの光ピ
ツクアツプ５０を構成することができる。
【００４７】以上の構成によれば、光磁気デイスク７か
らの反射戻り光Ｌ２の光路上に偏光ビームスプリツタ４
による偏光回転をキヤンセルさせる位相板５１を配置す
るようにしたことにより、正確なＭＯ信号を得ることの
できるＳ分離タイプの光ピツクアツプを形成でき、かく
して光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させ
ると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化す
ることができる。また偏光ビームスプリツタ４に発散収
束光を入射した際に当該発散収束光に生じる偏光回転を
キヤンセルできるようになるため、偏光ビームスプリツ
タ４自体の適用範囲を広げることもできる。
らの反射戻り光Ｌ２の光路上に偏光ビームスプリツタ４
による偏光回転をキヤンセルさせる位相板５１を配置す
るようにしたことにより、正確なＭＯ信号を得ることの
できるＳ分離タイプの光ピツクアツプを形成でき、かく
して光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させ
ると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化す
ることができる。また偏光ビームスプリツタ４に発散収
束光を入射した際に当該発散収束光に生じる偏光回転を
キヤンセルできるようになるため、偏光ビームスプリツ
タ４自体の適用範囲を広げることもできる。
【００４８】（２）第２実施例 （２−１）第２実施例の原理 図７（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、偏光ビームスプリツ
タ差動検光子６０に45〔°〕偏光（すなわちＰ偏光及び
Ｓ偏光の大きさが等しい偏光）Ｌ３０を収束光として、
かつ光軸を偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の上面
６０Ａに垂直に入射させた場合に生じる検波方向の回転
角を求める。ここで図７（Ｃ）のように、偏光Ｌ３０の
偏光ビームスプリツタ差動検光子６０への入射方向をｚ
軸の正方向とし、当該ｚ軸と垂直で、かつ偏光ビームス
プリツタ差動検光子６０の偏光膜６０Ｂと平行な方向の
うち、偏光Ｌ３０の向いている側をｙ軸の正方向とする
と共に、ｙ軸及びｚ軸と垂直で、かつ偏光ビームスプリ
ツタ差動検光子６０の偏光膜６０Ｂによる偏光Ｌ３０の
反射方向をｘ軸の正方向とする。
タ差動検光子６０に45〔°〕偏光（すなわちＰ偏光及び
Ｓ偏光の大きさが等しい偏光）Ｌ３０を収束光として、
かつ光軸を偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の上面
６０Ａに垂直に入射させた場合に生じる検波方向の回転
角を求める。ここで図７（Ｃ）のように、偏光Ｌ３０の
偏光ビームスプリツタ差動検光子６０への入射方向をｚ
軸の正方向とし、当該ｚ軸と垂直で、かつ偏光ビームス
プリツタ差動検光子６０の偏光膜６０Ｂと平行な方向の
うち、偏光Ｌ３０の向いている側をｙ軸の正方向とする
と共に、ｙ軸及びｚ軸と垂直で、かつ偏光ビームスプリ
ツタ差動検光子６０の偏光膜６０Ｂによる偏光Ｌ３０の
反射方向をｘ軸の正方向とする。
【００４９】また図７（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、
偏光Ｌ３０が偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の上
面６０Ａに形成するビームスポツト６１のｙ軸と平行な
方向の端部のうち、ｙ座標の大きい側をｇ、小さい方を
ｈとし、端部ｇ及び端部ｈを通る光線の偏光ビームスプ
リツタ差動検光子６０上面６０Ａへの入射角をｅ、屈折
角をｆ、偏光ビームスプリツタ検光子６０のＰ偏光及び
Ｓ偏光の透過率をそれぞれＴP2、ＴS2とする。このとき
偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の上面に形成され
るビームスポツト６１の端部ｇ側及びｈ側からそれぞれ
入射する光線に対して、それぞれがＰ偏光及びＳ偏光で
あつた場合の当該偏光ビームスプリツタ差動検光子６０
からの透過光のＰ偏光成分及びＳ偏光成分の大きさは、
第１実施例と同様の手順により算出することができる。
これらを表にして図８に示す。
偏光Ｌ３０が偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の上
面６０Ａに形成するビームスポツト６１のｙ軸と平行な
方向の端部のうち、ｙ座標の大きい側をｇ、小さい方を
ｈとし、端部ｇ及び端部ｈを通る光線の偏光ビームスプ
リツタ差動検光子６０上面６０Ａへの入射角をｅ、屈折
角をｆ、偏光ビームスプリツタ検光子６０のＰ偏光及び
Ｓ偏光の透過率をそれぞれＴP2、ＴS2とする。このとき
偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の上面に形成され
るビームスポツト６１の端部ｇ側及びｈ側からそれぞれ
入射する光線に対して、それぞれがＰ偏光及びＳ偏光で
あつた場合の当該偏光ビームスプリツタ差動検光子６０
からの透過光のＰ偏光成分及びＳ偏光成分の大きさは、
第１実施例と同様の手順により算出することができる。
これらを表にして図８に示す。
【００５０】ここで、偏光ビームスプリツタ差動検光子
６０にその上面６０Ａのビームスポツト６１の端部ｇ側
から45〔°〕偏光が入射し、出射した場合を考えると、
出射後の偏光のＰ偏光成分Ｐ2 は次式
６０にその上面６０Ａのビームスポツト６１の端部ｇ側
から45〔°〕偏光が入射し、出射した場合を考えると、
出射後の偏光のＰ偏光成分Ｐ2 は次式
【数４９】 のように与えられ、Ｓ偏光成分Ｓ2 は次式
【数５０】 のように与えられる。
【００５１】ここで偏光ビームスプリツタ差動検光子だ
からＴP2＝１、ＴS2＝０として、出射光の回転角β
g （図７（Ｄ））は、次式
からＴP2＝１、ＴS2＝０として、出射光の回転角β
g （図７（Ｄ））は、次式
【数５１】 で表される。同様にして、偏光ビームスプリツタ差動検
光子上面に端部ｈ側から入射した光線に対する出射光の
回転角βh （図７（Ｄ））は、次式
光子上面に端部ｈ側から入射した光線に対する出射光の
回転角βh （図７（Ｄ））は、次式
【数５２】 で表される。
【００５２】次に入射光Ｌ３０に対する出射光の大きさ
を考えると、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０上面
６０Ａのビームスポツト６１の端部ｇ側で次式
を考えると、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０上面
６０Ａのビームスポツト６１の端部ｇ側で次式
【数５３】 倍、中央部で次式
【数５４】 倍、端部ｈ側で次式
【数５５】 倍となる。
【００５３】この変化は、入射光Ｌ３０に対する出射光
の偏光回転分布が図９に示すように検波方向（矢印）が
変化したため、図１０に示すように、偏光ビームスプリ
ツタ差動検光子６０にとつてのＰ偏光成分の大きさが変
化したからである。ここで偏光ビームスプリツタ差動検
光子６０にとつてのＰ偏光成分の大きさが図９に示すよ
うに変化するとすれば、偏光ビームスプリツタ差動検光
子６０上面６０Ａに形成されるビームスポツト６１の端
部ｇ側及び端部ｈ側からの入射光線に対する出射光の大
きさは、それぞれ次式
の偏光回転分布が図９に示すように検波方向（矢印）が
変化したため、図１０に示すように、偏光ビームスプリ
ツタ差動検光子６０にとつてのＰ偏光成分の大きさが変
化したからである。ここで偏光ビームスプリツタ差動検
光子６０にとつてのＰ偏光成分の大きさが図９に示すよ
うに変化するとすれば、偏光ビームスプリツタ差動検光
子６０上面６０Ａに形成されるビームスポツト６１の端
部ｇ側及び端部ｈ側からの入射光線に対する出射光の大
きさは、それぞれ次式
【数５６】
【数５７】 のようになる。
【００５４】これは、先に示した式と一致し、このこと
からも検波方向が回転していることが分かる。この検波
方向の回転の影響をなくすためには、図１１に示すよう
に、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０に光を入射さ
せる際に、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０上面６
０Ａに形成されるビームスポツト６１の端部ｇ側で角度
βg 、端部ｈ側で角度βh だけ入射光Ｌ３０に偏光回転
分布をもたせれば良い。
からも検波方向が回転していることが分かる。この検波
方向の回転の影響をなくすためには、図１１に示すよう
に、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０に光を入射さ
せる際に、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０上面６
０Ａに形成されるビームスポツト６１の端部ｇ側で角度
βg 、端部ｈ側で角度βh だけ入射光Ｌ３０に偏光回転
分布をもたせれば良い。
【００５５】実際上偏光ビームスプリツタ差動検光子６
０への入射光Ｌ３０にこのような偏光回転分布をもたせ
るための１つの方法としては、第１に、上述の第１実施
例においても説明したように、偏光ビームスプリツタに
対して収束光を入射させると出射光に偏向回転を生じる
こと、第２に、通常、偏光ビームスプリツタ差動検光子
が半波長板によつて偏向方向を45〔°〕回転して用いる
ことの２点を考慮して、偏光ビームスプリツタ差動検光
子６０に入射する入射光Ｌ３０の光路上に、偏光ビーム
スプリツタと位相板とをそれぞれの屈折率を最適化して
配置すれば良い。
０への入射光Ｌ３０にこのような偏光回転分布をもたせ
るための１つの方法としては、第１に、上述の第１実施
例においても説明したように、偏光ビームスプリツタに
対して収束光を入射させると出射光に偏向回転を生じる
こと、第２に、通常、偏光ビームスプリツタ差動検光子
が半波長板によつて偏向方向を45〔°〕回転して用いる
ことの２点を考慮して、偏光ビームスプリツタ差動検光
子６０に入射する入射光Ｌ３０の光路上に、偏光ビーム
スプリツタと位相板とをそれぞれの屈折率を最適化して
配置すれば良い。
【００５６】すなわち一般的に半波長板は、何度回転さ
せるかに依らず、斜めに入射する光線の垂直に入射した
場合に対する偏光回転方向を反転させ、その回転角の大
きさを変化させない特性を有している。また上述のよう
に、偏光ビームスプリツタの偏光回転角αBSがその屈折
率ｎ0に対して端部で（47）式のようになり、一方偏光
ビームスプリツタ差動検光子による検波方向のずれβ
（＝｜βg ｜＝｜βh ｜）は、その屈折率ｎ1 に対して
次式
せるかに依らず、斜めに入射する光線の垂直に入射した
場合に対する偏光回転方向を反転させ、その回転角の大
きさを変化させない特性を有している。また上述のよう
に、偏光ビームスプリツタの偏光回転角αBSがその屈折
率ｎ0に対して端部で（47）式のようになり、一方偏光
ビームスプリツタ差動検光子による検波方向のずれβ
（＝｜βg ｜＝｜βh ｜）は、その屈折率ｎ1 に対して
次式
【数５８】 となる。
【００５７】従つて偏光ビームスプリツタの屈折率と、
偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の屈折率とを、こ
れら偏光ビームスプリツタ及び半波長板を透過した光が
偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の検波方向の回転
をキヤンセルするような偏向回転分布をもつように選定
し、設定することによつて、偏光ビームスプリツタ差動
検光子６０に入射する入射光Ｌ３０に上述したような偏
光回転分布をもたせることができる。
偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の屈折率とを、こ
れら偏光ビームスプリツタ及び半波長板を透過した光が
偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の検波方向の回転
をキヤンセルするような偏向回転分布をもつように選定
し、設定することによつて、偏光ビームスプリツタ差動
検光子６０に入射する入射光Ｌ３０に上述したような偏
光回転分布をもたせることができる。
【００５８】（２−２）第２実施例の構成 図１２において、７０は全体として偏光成分検出装置を
示し、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１に入射する
収束光Ｌ４０の光路上に偏光ビームスプリツタ７２がそ
の偏光膜７２Ａが偏光ビームスプリツタ差動検光子７１
の偏光膜７１Ｂと平行になるように配置されると共に、
当該偏光ビームスプリツタ７２及び偏光ビームスプリツ
タ差動検光子７１間に半波長板７３が配置されている。
この場合偏光ビームスプリツタ７２の屈折率ｎ0 は、偏
光ビームスプリツタ差動検光子７１の屈折率ｎ1 に対し
て、（47）式のtan αBSと（58）式のtan βとが一致す
るように、すなわち次式
示し、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１に入射する
収束光Ｌ４０の光路上に偏光ビームスプリツタ７２がそ
の偏光膜７２Ａが偏光ビームスプリツタ差動検光子７１
の偏光膜７１Ｂと平行になるように配置されると共に、
当該偏光ビームスプリツタ７２及び偏光ビームスプリツ
タ差動検光子７１間に半波長板７３が配置されている。
この場合偏光ビームスプリツタ７２の屈折率ｎ0 は、偏
光ビームスプリツタ差動検光子７１の屈折率ｎ1 に対し
て、（47）式のtan αBSと（58）式のtan βとが一致す
るように、すなわち次式
【数５９】 を満足するように選定されている。
【００５９】実施例の場合、偏光ビームスプリツタ差動
検光子７１の屈折率ｎ1 、偏光ビームスプリツタ７２の
Ｐ偏光の透過ＴP 、Ｓ偏光の透過率ＴS 及び収束光Ｌ４
０の開口率ＮＡがそれぞれ、ｎ1 ＝1.766 、ＴP ＝99.
1、ＴS ＝26.5及びＮＡ＝0.132 のように選定されてい
るのに対して、偏光ビームスプリツタ７２の屈折率ｎ0
は1.636 に選定されている。これによりこの偏光成分検
出装置７０では、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１
による検波方向のずれβが、β＝4.27〔°〕となるのに
対して、偏光ビームスプリツタ７２による偏光回転角α
BSが、αBS＝4.26〔°〕となるように設定されており、
かくして偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の検波方
向の回転を偏光ビームスプリツタ７２による偏光回転に
よつてキヤンセルし得るようになされている。
検光子７１の屈折率ｎ1 、偏光ビームスプリツタ７２の
Ｐ偏光の透過ＴP 、Ｓ偏光の透過率ＴS 及び収束光Ｌ４
０の開口率ＮＡがそれぞれ、ｎ1 ＝1.766 、ＴP ＝99.
1、ＴS ＝26.5及びＮＡ＝0.132 のように選定されてい
るのに対して、偏光ビームスプリツタ７２の屈折率ｎ0
は1.636 に選定されている。これによりこの偏光成分検
出装置７０では、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１
による検波方向のずれβが、β＝4.27〔°〕となるのに
対して、偏光ビームスプリツタ７２による偏光回転角α
BSが、αBS＝4.26〔°〕となるように設定されており、
かくして偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の検波方
向の回転を偏光ビームスプリツタ７２による偏光回転に
よつてキヤンセルし得るようになされている。
【００６０】以上の構成において、従来の光磁気記録媒
体再生装置では、図７に示すような偏光ビームスプリツ
タ差動検光子６０を用いてＭＯ信号を検出していること
が多く、このような状況下において光ピツクアツプの低
コスト化及び小型化を考えて当該光ピツクアツプを発散
収束光学系で形成しようとしても、上述のように収束光
が偏光ビームスプリツタ差動検光子６０を透過したとき
に透過光に検波方向の回転分布が生じることにより、現
実的に偏光ビームスプリツタ差動検光子６０を用いて発
光収束光学系の光ピツクアツプを形成し難い問題があつ
た。
体再生装置では、図７に示すような偏光ビームスプリツ
タ差動検光子６０を用いてＭＯ信号を検出していること
が多く、このような状況下において光ピツクアツプの低
コスト化及び小型化を考えて当該光ピツクアツプを発散
収束光学系で形成しようとしても、上述のように収束光
が偏光ビームスプリツタ差動検光子６０を透過したとき
に透過光に検波方向の回転分布が生じることにより、現
実的に偏光ビームスプリツタ差動検光子６０を用いて発
光収束光学系の光ピツクアツプを形成し難い問題があつ
た。
【００６１】これに対して、この偏光成分検出装置７０
では、収束光として入射する図１３（Ａ）のような直線
偏光に対して、偏光ビームスプリツタ７２において図１
３（Ｂ）のように当該直線偏光の偏光方向を所定量回転
させた後、図１３（Ｃ）に示すように半波長板７３にお
いて各部の偏光方向を45〔°〕回転させ、この後図１３
（Ｄ）に示すように偏光ビームスプリツタ差動検光子７
１の偏光膜７１Ａにおいてこの直線偏光Ｌ４０の各部の
偏光方向を回転させることにより、対称な位置の偏光成
分の大きさが等しい光を得ることができる。
では、収束光として入射する図１３（Ａ）のような直線
偏光に対して、偏光ビームスプリツタ７２において図１
３（Ｂ）のように当該直線偏光の偏光方向を所定量回転
させた後、図１３（Ｃ）に示すように半波長板７３にお
いて各部の偏光方向を45〔°〕回転させ、この後図１３
（Ｄ）に示すように偏光ビームスプリツタ差動検光子７
１の偏光膜７１Ａにおいてこの直線偏光Ｌ４０の各部の
偏光方向を回転させることにより、対称な位置の偏光成
分の大きさが等しい光を得ることができる。
【００６２】従つてこの偏光成分検出装置７０を、光磁
気記録媒体再生装置の光ピツクアツプに適用することに
よつて、偏光ビームスプリツタ差動検光子による偏光回
転分布の影響を受け難い光ピツクアツプを実現すること
ができ、かくして光磁気記録媒体再生装置の設計の自由
度を増加させることができる。またこの場合に用いてい
るのは、偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３だ
けであり、従つて低コストで正確なＭＯ信号を得ること
ができるようにすることができる。
気記録媒体再生装置の光ピツクアツプに適用することに
よつて、偏光ビームスプリツタ差動検光子による偏光回
転分布の影響を受け難い光ピツクアツプを実現すること
ができ、かくして光磁気記録媒体再生装置の設計の自由
度を増加させることができる。またこの場合に用いてい
るのは、偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３だ
けであり、従つて低コストで正確なＭＯ信号を得ること
ができるようにすることができる。
【００６３】以上の構成によれば、偏光ビームスプリツ
タ差動検光子７１に入射する光の光路上に偏光ビームス
プリツタ７２及び半波長板７３を配置すると共に、当該
偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３の光学特性
を偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の光学特性に応
じて、当該偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による
入射光Ｌ４０の偏光回転をキヤンセルするように設定す
るようにしたことにより、偏光ビームスプリツタ差動検
光子７１による偏光回転分布の影響のない光を出射する
ことができ、かくして光磁気記録媒体再生装置の設計の
自由度を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を
精度良く小型化することができる。
タ差動検光子７１に入射する光の光路上に偏光ビームス
プリツタ７２及び半波長板７３を配置すると共に、当該
偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３の光学特性
を偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の光学特性に応
じて、当該偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による
入射光Ｌ４０の偏光回転をキヤンセルするように設定す
るようにしたことにより、偏光ビームスプリツタ差動検
光子７１による偏光回転分布の影響のない光を出射する
ことができ、かくして光磁気記録媒体再生装置の設計の
自由度を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を
精度良く小型化することができる。
【００６４】（３）他の実施例 なお上述の第１実施例においては、本発明を光磁気記録
媒体再生装置の光ピツクアツプ５０に適用するようにし
た場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この
他種々の装置に適用できる。
媒体再生装置の光ピツクアツプ５０に適用するようにし
た場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この
他種々の装置に適用できる。
【００６５】また上述の第１実施例においては、位相板
４０を偏光ビームスプリツタ４による偏光回転をキヤン
セルするために使用するようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、この位相板４０は、偏光ビ
ームスプリツタ以外の偏光回転分布をもつ光を出射する
あらゆる素子、物体及び物質に対して適用でき、この結
果として位相板４０から出射する光の偏光回転分布を意
識することなく使用できるようにすることができる。従
つてこのように位相板４０を使用することによつて、よ
り光学設計を容易にすることができる。
４０を偏光ビームスプリツタ４による偏光回転をキヤン
セルするために使用するようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、この位相板４０は、偏光ビ
ームスプリツタ以外の偏光回転分布をもつ光を出射する
あらゆる素子、物体及び物質に対して適用でき、この結
果として位相板４０から出射する光の偏光回転分布を意
識することなく使用できるようにすることができる。従
つてこのように位相板４０を使用することによつて、よ
り光学設計を容易にすることができる。
【００６６】同様にして、上述の第２実施例において
は、偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３を偏光
ビームスプリツタ差動検光子７２による検波方向の回転
分布を補正するために使用するようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、この偏光ビームスプ
リツタ７２及び半波長板７３は、透過光に検波方向に回
転分布を生じさせる偏光ビームスプリツタ差動検光子以
外のあらゆる検光子に対して使用することができる。
は、偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３を偏光
ビームスプリツタ差動検光子７２による検波方向の回転
分布を補正するために使用するようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、この偏光ビームスプ
リツタ７２及び半波長板７３は、透過光に検波方向に回
転分布を生じさせる偏光ビームスプリツタ差動検光子以
外のあらゆる検光子に対して使用することができる。
【００６７】さらに上述の第２実施例においては、偏光
ビームスプリツタ差動検光子７１への入射光Ｌ４０の光
路上に偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３を配
置すると共に、当該偏光ビームスプリツタ７２の屈折率
ｎ0 及び偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の屈折率
ｎ1 を、当該偏光ビームスプリツタ差動検光子７１によ
る入射光Ｌ４０の偏光回転をキヤンセルするように設定
するようにした場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による偏
光回転を偏光ビームスプリツタ７２だけではキヤンセル
しきれないようなときには、半波長板７３に加えて例え
ば光学軸が傾けられた位相板４０（図２）のような光学
素子を偏光ビームスプリツタ７２及び偏光ビームスプリ
ツタ差動検光子７１間に配置するようにしても良い。
ビームスプリツタ差動検光子７１への入射光Ｌ４０の光
路上に偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３を配
置すると共に、当該偏光ビームスプリツタ７２の屈折率
ｎ0 及び偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の屈折率
ｎ1 を、当該偏光ビームスプリツタ差動検光子７１によ
る入射光Ｌ４０の偏光回転をキヤンセルするように設定
するようにした場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による偏
光回転を偏光ビームスプリツタ７２だけではキヤンセル
しきれないようなときには、半波長板７３に加えて例え
ば光学軸が傾けられた位相板４０（図２）のような光学
素子を偏光ビームスプリツタ７２及び偏光ビームスプリ
ツタ差動検光子７１間に配置するようにしても良い。
【００６８】さらに上述の第２実施例においては、偏光
成分検出装置７０を図１２のように構成するようにした
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば
図１４に示すように、偏光成分検出装置８０を構成する
ようにしても良い。実際上この偏光成分検出装置８０で
は、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１への入射光Ｌ
４０の光路上に偏光ビームスプリツタ７２をその偏光膜
７２Ａが偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の偏光膜
７１Ａと垂直になるように配置すると共に、当該偏光ビ
ームスプリツタ７２及び偏光ビームスプリツタ差動検光
子７１間に半波長板７３Ａ、７３Ｂを水平方向にずらし
て２枚配置し、偏光ビームスプリツタ７２の屈折率ｎ0
と、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の屈折率ｎ1
とを偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による入射光
Ｌ４０の偏光回転をキヤンセルし得るように設定されて
いる。
成分検出装置７０を図１２のように構成するようにした
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば
図１４に示すように、偏光成分検出装置８０を構成する
ようにしても良い。実際上この偏光成分検出装置８０で
は、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１への入射光Ｌ
４０の光路上に偏光ビームスプリツタ７２をその偏光膜
７２Ａが偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の偏光膜
７１Ａと垂直になるように配置すると共に、当該偏光ビ
ームスプリツタ７２及び偏光ビームスプリツタ差動検光
子７１間に半波長板７３Ａ、７３Ｂを水平方向にずらし
て２枚配置し、偏光ビームスプリツタ７２の屈折率ｎ0
と、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の屈折率ｎ1
とを偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による入射光
Ｌ４０の偏光回転をキヤンセルし得るように設定されて
いる。
【００６９】従つてこの偏光成分検出装置８０では、偏
光ビームスプリツタ７２に入射する図１３（Ａ）のよう
な偏光分布をもつ入射光Ｌ４０は、偏光ビームスプリツ
タ７２を透過することにより図１３（Ｅ）のように偏光
回転分布が生じ、第１の半波長板７３Ａによつて図１３
（Ｆ）のように偏光方向が回転させられた後、第２の半
波長板７３Ｂによつて図１３（Ｃ）ように偏光方向が再
び回転させられ、この後偏光ビームスプリツタ差動検光
子７１によつて図１３（Ｄ）のように偏光方向が回転さ
せられる。従つてこのように構成された偏光成分検出装
置８０を用いても、第２実施例の偏光成分検出装置７０
と同様に、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による
偏光回転分布の影響のない光を出射することができ、か
くして光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加さ
せると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化
することができる。
光ビームスプリツタ７２に入射する図１３（Ａ）のよう
な偏光分布をもつ入射光Ｌ４０は、偏光ビームスプリツ
タ７２を透過することにより図１３（Ｅ）のように偏光
回転分布が生じ、第１の半波長板７３Ａによつて図１３
（Ｆ）のように偏光方向が回転させられた後、第２の半
波長板７３Ｂによつて図１３（Ｃ）ように偏光方向が再
び回転させられ、この後偏光ビームスプリツタ差動検光
子７１によつて図１３（Ｄ）のように偏光方向が回転さ
せられる。従つてこのように構成された偏光成分検出装
置８０を用いても、第２実施例の偏光成分検出装置７０
と同様に、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による
偏光回転分布の影響のない光を出射することができ、か
くして光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加さ
せると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化
することができる。
【００７０】また偏光ビームスプリツタ７２の偏光膜７
２Ａの膜設計によつては、Ｐ偏光とＳ偏光との間に180
〔°〕の位相差を生じさせることができる。この場合18
0 〔°〕の位相差を生じさせるということは、偏光膜７
２ＡのＳ偏光に対する透過率ＴS2の正の平方根を負の平
方根に置き換えることと同様であるから、次式
２Ａの膜設計によつては、Ｐ偏光とＳ偏光との間に180
〔°〕の位相差を生じさせることができる。この場合18
0 〔°〕の位相差を生じさせるということは、偏光膜７
２ＡのＳ偏光に対する透過率ＴS2の正の平方根を負の平
方根に置き換えることと同様であるから、次式
【数６０】 のように仮定すると、偏光ビームスプリツタ７２による
偏光回転角αBSの符号が反転することから、図１４のよ
うに偏光ビームスプリツタ７２の偏光膜７２Ａと、偏光
ビームスプリツタ差動検光子７１の偏光膜７１Ａとが垂
直になるように偏光ビームスプリツタ７２及び偏光ビー
ムスプリツタ差動検光子７１が配列された場合において
も、半波長板７３Ａ、７３Ｂを１枚にすることができ
る。
偏光回転角αBSの符号が反転することから、図１４のよ
うに偏光ビームスプリツタ７２の偏光膜７２Ａと、偏光
ビームスプリツタ差動検光子７１の偏光膜７１Ａとが垂
直になるように偏光ビームスプリツタ７２及び偏光ビー
ムスプリツタ差動検光子７１が配列された場合において
も、半波長板７３Ａ、７３Ｂを１枚にすることができ
る。
【００７１】実際上、例えば偏光ビームスプリツタ７１
の膜設計により、偏光ビームスプリツタ７１の屈折率ｎ
0 、Ｐ偏光及びＳ偏光に対する透過率ＴP2、ＴS2をそれ
ぞれｎ0 ＝2.009 、ＴP2＝ＴS2とし、偏光ビームスプリ
ツタ差動検光子７１の屈折率ｎ1 を１とし、収束光Ｌ４
０の開口率ＮＡを0.132 とすることによつて、αBS＝−
7.52〔°〕、β＝7.52〔°〕となることから、次式
の膜設計により、偏光ビームスプリツタ７１の屈折率ｎ
0 、Ｐ偏光及びＳ偏光に対する透過率ＴP2、ＴS2をそれ
ぞれｎ0 ＝2.009 、ＴP2＝ＴS2とし、偏光ビームスプリ
ツタ差動検光子７１の屈折率ｎ1 を１とし、収束光Ｌ４
０の開口率ＮＡを0.132 とすることによつて、αBS＝−
7.52〔°〕、β＝7.52〔°〕となることから、次式
【数６１】 とすることができる。さらにこの図１４において半波長
板７３Ａ、７３Ｂに代えて位相板を配置するようにして
良い。
板７３Ａ、７３Ｂに代えて位相板を配置するようにして
良い。
【００７２】さらに上述の第１実施例においては、反射
戻り光Ｌ２の偏光ビームスプリツタ４による偏光回転を
位相板５１によつてキヤンセルするようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、要は、光学特性
を調整することによつて反射戻り光Ｌ２の偏光ビームス
プリツタ４による偏光回転分布をキヤンセルし得るよう
に当該反射戻り光Ｌ２を偏光回転させることができるの
であれば、反射戻り光Ｌ２を偏光回転させる手段として
は、この他種々の手段を適用できる。
戻り光Ｌ２の偏光ビームスプリツタ４による偏光回転を
位相板５１によつてキヤンセルするようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、要は、光学特性
を調整することによつて反射戻り光Ｌ２の偏光ビームス
プリツタ４による偏光回転分布をキヤンセルし得るよう
に当該反射戻り光Ｌ２を偏光回転させることができるの
であれば、反射戻り光Ｌ２を偏光回転させる手段として
は、この他種々の手段を適用できる。
【００７３】さらに上述の第１実施例においては、位相
板５１の光学軸Ｋ５０の傾き角θを調整することによつ
て反射戻り光Ｌ２の偏光ビームスプリツタ４による偏光
回転を位相板５１でキヤンセルするようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、要は、（46）式
ないし（48）式を満足するように位相板５１の光学特性
を調整するようにするのであれば、位相板５１の光学軸
Ｋ５０の傾き角θ以外の光学定数を調整選定するように
しても良い。
板５１の光学軸Ｋ５０の傾き角θを調整することによつ
て反射戻り光Ｌ２の偏光ビームスプリツタ４による偏光
回転を位相板５１でキヤンセルするようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、要は、（46）式
ないし（48）式を満足するように位相板５１の光学特性
を調整するようにするのであれば、位相板５１の光学軸
Ｋ５０の傾き角θ以外の光学定数を調整選定するように
しても良い。
【００７４】同様に、上述の第２実施例においては、偏
光ビームスプリツタ差動検光子７１を透過する収束光Ｌ
４０の当該偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による
偏光回転を補正する手段として、偏光ビームスプリツタ
７２の屈折率ｎ1 を選択設定するようにした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、偏光ビームスプリ
ツタ７２のこの他の光学定数及び又は偏光ビームスプリ
ツタ差動検光子７１の調整可能な光学定数を選択設定す
るようにしても良い。
光ビームスプリツタ差動検光子７１を透過する収束光Ｌ
４０の当該偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による
偏光回転を補正する手段として、偏光ビームスプリツタ
７２の屈折率ｎ1 を選択設定するようにした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、偏光ビームスプリ
ツタ７２のこの他の光学定数及び又は偏光ビームスプリ
ツタ差動検光子７１の調整可能な光学定数を選択設定す
るようにしても良い。
【００７５】さらに上述の第１実施例においては、偏光
ビームスプリツタ４による戻り光Ｌ２の偏光回転分布を
補正する手段として戻り光Ｌ２の光路上に位相板５１を
単に光学軸Ｋ５０を傾けて配置するようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、戻り光Ｌ２の光
路上に位相板５０を光学軸Ｋ５０を傾けて配置すると共
に、この際位相板５０を光学軸Ｋ５０の回りに所定角度
回転させて半波長板の機能をもたせるようにしても良
く、このようにしても第１実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
ビームスプリツタ４による戻り光Ｌ２の偏光回転分布を
補正する手段として戻り光Ｌ２の光路上に位相板５１を
単に光学軸Ｋ５０を傾けて配置するようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、戻り光Ｌ２の光
路上に位相板５０を光学軸Ｋ５０を傾けて配置すると共
に、この際位相板５０を光学軸Ｋ５０の回りに所定角度
回転させて半波長板の機能をもたせるようにしても良
く、このようにしても第１実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
【００７６】さらに上述の第２実施例においては、偏光
ビームスプリツタ差動検光子７１を透過する発散収束光
Ｌ４０に生じる検波方向の回転分布を補正する手段とし
て、発散収束光Ｌ４０の光路上に偏光ビームスプリツタ
７２及び半波長板７３を配置するようにした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、半波長板７３に代
えて位相板を配置するようにしても良い。このようにし
ても第２実施例と同様の効果を得ることができる。
ビームスプリツタ差動検光子７１を透過する発散収束光
Ｌ４０に生じる検波方向の回転分布を補正する手段とし
て、発散収束光Ｌ４０の光路上に偏光ビームスプリツタ
７２及び半波長板７３を配置するようにした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、半波長板７３に代
えて位相板を配置するようにしても良い。このようにし
ても第２実施例と同様の効果を得ることができる。
【００７７】
【発明の効果】上述のように第１の発明によれば、透過
する発散収束光に偏光回転分布を生じさせる光学手段を
有する偏光成分検出装置において、発散収束光の光路上
に、発散収束光の光学手段による偏光回転分布をキヤン
セルするように、透過する発散収束光の偏光方向を分布
を変化させる偏光回転分布変換手段を配置するようにし
たことにより、偏光回転分布変換手段及び光学手段を透
過する発散収束光が光学手段による偏光回転の影響を受
けないようにすることができる。従つて光磁気記録媒体
再生装置のＳ分離タイプの光ピツクアツプのものでも偏
光ビームスプリツタによる影響を受けない発散収束光学
系として形成することができることにより、光磁気記録
媒体再生装置の設計の自由度を増加させると共に、光磁
気記録媒体再生装置を精度良く小型化することのできる
偏光成分検出装置を実現できる。
する発散収束光に偏光回転分布を生じさせる光学手段を
有する偏光成分検出装置において、発散収束光の光路上
に、発散収束光の光学手段による偏光回転分布をキヤン
セルするように、透過する発散収束光の偏光方向を分布
を変化させる偏光回転分布変換手段を配置するようにし
たことにより、偏光回転分布変換手段及び光学手段を透
過する発散収束光が光学手段による偏光回転の影響を受
けないようにすることができる。従つて光磁気記録媒体
再生装置のＳ分離タイプの光ピツクアツプのものでも偏
光ビームスプリツタによる影響を受けない発散収束光学
系として形成することができることにより、光磁気記録
媒体再生装置の設計の自由度を増加させると共に、光磁
気記録媒体再生装置を精度良く小型化することのできる
偏光成分検出装置を実現できる。
【００７８】また第２の発明によれば、透過する発散収
束光に検波方向の回転分布を有する検光子を用いた偏光
成分検出装置において、発散収束光の光路上に、透過す
る発散収束光に対して、検光子により生じる検波方向の
回転分布をキヤンセルするように偏光回転分布を生じさ
せる光学手段を配置するようにしたことにより、検光子
を透過する発散収束光が検光子による検波方向の回転分
布の影響を受けないようにすることができ、かくして第
１の発明と同様に光磁気記録媒体再生装置の設計の自由
度を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度
良く小型化することのできる偏光成分検出装置を実現で
きる。
束光に検波方向の回転分布を有する検光子を用いた偏光
成分検出装置において、発散収束光の光路上に、透過す
る発散収束光に対して、検光子により生じる検波方向の
回転分布をキヤンセルするように偏光回転分布を生じさ
せる光学手段を配置するようにしたことにより、検光子
を透過する発散収束光が検光子による検波方向の回転分
布の影響を受けないようにすることができ、かくして第
１の発明と同様に光磁気記録媒体再生装置の設計の自由
度を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度
良く小型化することのできる偏光成分検出装置を実現で
きる。
【図１】第１実施例の原理の説明に供する略線的な斜視
図である。
図である。
【図２】第１実施例の原理の説明に供する略線的な斜視
図である。
図である。
【図３】第１実施例の原理の説明に供する略線的な斜視
図である。
図である。
【図４】第１実施例の原理の説明に供する平面図であ
る。
る。
【図５】第１実施例の原理の説明に供する略線的な斜視
図である。
図である。
【図６】第１実施例による光ピツクアツプの構成を示す
平面図である。
平面図である。
【図７】第２実施例の原理の説明に供する略線的な斜視
図である。
図である。
【図８】偏光ビームスプリツタ差動検光子を透過するＰ
偏光成分及びＳ偏光成分の大きさを示す図表である。
偏光成分及びＳ偏光成分の大きさを示す図表である。
【図９】第２実施例の原理の説明に供する平面図であ
る。
る。
【図１０】第２実施例の原理の説明に供する平面図であ
る。
る。
【図１１】第２実施例の原理の説明に供する平面図であ
る。
る。
【図１２】第２実施例による偏光検出装置の構成を示す
平面図である。
平面図である。
【図１３】第２実施例及び他の実施例の動作の説明に供
する平面図である。
する平面図である。
【図１４】他の実施例を示す平面図である。
【図１５】従来の光磁気記録媒体再生装置に適用されて
いるＰ分離タイプの光ピツクアツプの構成を示す平面図
である。
いるＰ分離タイプの光ピツクアツプの構成を示す平面図
である。
【図１６】従来の光磁気記録媒体再生装置に適用されて
いるＳ分離タイプの光ピツクアツプの構成を示す平面図
である。
いるＳ分離タイプの光ピツクアツプの構成を示す平面図
である。
【図１７】フオトデイテクタの受光面の構成を示す平面
図である。
図である。
【図１８】Ｐ分離タイプ及びＳ分離タイプの各光ピツク
アツプがそれぞれ光磁気デイスクに形成するビームスポ
ツトにおける偏光方向の説明に供する平面図である。
アツプがそれぞれ光磁気デイスクに形成するビームスポ
ツトにおける偏光方向の説明に供する平面図である。
４、７２……偏光ビームスプリツタ、４Ａ、７２Ａ……
偏光膜、７……光磁気デイスク、１０……フオトデイテ
クタ、５０……光ピツクアツプ、５１……位相板、７
０、８０……偏光成分検出装置、７１……偏光ビームス
プリツタ差動検光子、７１Ａ……偏光膜、７３、７３
Ａ、７３Ｂ……半波長板、Ｌ２……反射戻り光、Ｌ４０
……入射光、Ｋ１、Ｋ５０……光学軸。
偏光膜、７……光磁気デイスク、１０……フオトデイテ
クタ、５０……光ピツクアツプ、５１……位相板、７
０、８０……偏光成分検出装置、７１……偏光ビームス
プリツタ差動検光子、７１Ａ……偏光膜、７３、７３
Ａ、７３Ｂ……半波長板、Ｌ２……反射戻り光、Ｌ４０
……入射光、Ｋ１、Ｋ５０……光学軸。
Claims (11)
- 【請求項１】透過する発散収束光に偏光回転分布を生じ
させる光学手段を有する偏光成分検出装置において、 上記発散収束光の光路上に配置され、上記光学手段によ
る上記発散収束光の上記偏光回転分布をキヤンセルする
ように、透過する上記発散収束光の偏光方向を変化させ
る偏光回転分布変換手段を具えることを特徴とする偏光
成分検出装置。 - 【請求項２】上記偏光回転分布変換手段は、上記光学手
段による上記発散収束光の上記偏光回転分布をキヤンセ
ルするように光学特性が選定された位相板でなることを
特徴とする請求項１に記載の偏光成分検出装置。 - 【請求項３】上記光学手段は、偏光ビームスプリツタ膜
を有する光学素子でなり、 上記位相板は、上記光学特性として、入射する上記発散
収束光の光軸と上記偏光ビームスプリツタ膜に対する法
線とで形成される平面内において、上記光学素子による
上記発散収束光の上記偏光回転分布をキヤンセルするよ
うに光学軸が傾けられたことを特徴とする請求項２に記
載の偏光成分検出装置。 - 【請求項４】上記光学手段は、偏光ビームスプリツタ膜
を有する光学素子でなり、 上記位相板は、上記光学特性として、入射する上記発散
収束光の光軸と上記偏光ビームスプリツタ膜に対する法
線とで形成される平面内において、上記光学素子による
上記発散収束光の上記偏光回転分布をキヤンセルするよ
うに光学軸が傾けられると共に、上記光学軸の回りに所
定角度回転させて半波長板の機能をもたせたことを特徴
とする請求項２に記載の偏光成分検出装置。 - 【請求項５】上記偏光ビームスプリツタ膜を有する光学
素子の屈折率をｎBS、上記位相板の屈折率をｎHWP 、上
記光学素子のＰ偏光及びＳ偏光に対する透過率をそれぞ
れＴS 、ＴP 、発散収束光の開口率をＮＡ、上記位相板
に入射する上記発散収束光の光学軸に垂直な平面と上記
位相板の上記光学軸とがなす角をθとしたとき、ｎBS、
ｎHWP 、ＴS 、ＴP 、ＮＡ及びθが次の３つの式 【数１】 【数２】 【数３】 を満足するようにそれぞれ選定されたことを特徴とする
請求項２に記載の偏光成分検出装置。 - 【請求項６】透過する発散収束光に検波方向の回転分布
を有する検光子を用いた偏光成分検出装置において、 上記発散収束光の光路上に配置され、透過する上記発散
収束光に対して、上記検光子により生じる上記検波方向
の回転分布をキヤンセルするように偏光回転分布を生じ
させる光学手段を具えることを特徴とする偏光成分検出
装置。 - 【請求項７】上記検光子は、偏光ビームスプリツタ膜を
有する検光子でなり、 上記光学手段は、 上記検光子の上記偏光ビームスプリツタ膜と平行に配置
される偏光ビームスプリツタ膜を有する光学素子と、 上記検光子及び上記光学素子間に配置された半波長板と
を有することを特徴とする請求項６に記載の偏光成分検
出装置。 - 【請求項８】上記検光子は、偏光ビームスプリツタ膜を
有する検光子でなり、 上記光学手段は、 上記検光子の上記偏光ビームスプリツタ膜と垂直に配置
される偏光ビームスプリツタ膜を有する光学素子と、 上記検光子及び上記光学素子間に、互いに光学軸をずら
して配置された第１及び第２の半波長板とを有すること
を特徴とする請求項６に記載の偏光成分検出装置。 - 【請求項９】上記検光子は、Ｐ偏光とＳ偏光との間に18
0 〔°〕の位相差を生じる偏光ビームスプリツタ膜を有
する検光子でなり、 上記光学手段は、 上記検光子の上記偏光ビームスプリツタ膜と垂直に配置
される偏光ビームスプリツタ膜を有する光学素子と、 上記検光子及び上記光学素子間に配置された半波長板と
を有することを特徴とする請求項６に記載の偏光成分検
出装置。 - 【請求項１０】上記検光子は、偏光ビームスプリツタ膜
を有する検光子でなり、 上記光学手段は、 上記検光子の上記偏光ビームスプリツタ膜と平行に配置
される偏光ビームスプリツタ膜を有する光学素子と、 上記検光子及び上記光学素子間に配置され、上記発散収
束光の偏光方向回転分布を変化させる位相板とを有する
ことを特徴とする請求項６に記載の偏光成分検出装置。 - 【請求項１１】上記検光子は、Ｐ偏光とＳ偏光との間に
180 〔°〕の位相差を生じる偏光ビームスプリツタ膜を
有する検光子でなり、 上記光学手段は、 上記検光子の上記偏光ビームスプリツタ膜と垂直に配置
される偏光ビームスプリツタ膜を有する光学素子と、 上記検光子及び上記光学素子間に配置され、上記発散収
束光の偏光方向回転分布を変化させる位相板とを有する
ことを特徴とする請求項６に記載の偏光成分検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03151795A JP3582668B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 偏光成分検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03151795A JP3582668B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 偏光成分検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203150A true JPH08203150A (ja) | 1996-08-09 |
| JP3582668B2 JP3582668B2 (ja) | 2004-10-27 |
Family
ID=12333401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03151795A Expired - Fee Related JP3582668B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 偏光成分検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3582668B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100551115B1 (ko) * | 1998-10-08 | 2006-05-22 | 엘지전자 주식회사 | 광픽업장치 |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP03151795A patent/JP3582668B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100551115B1 (ko) * | 1998-10-08 | 2006-05-22 | 엘지전자 주식회사 | 광픽업장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3582668B2 (ja) | 2004-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS618744A (ja) | 光デイスク装置のフオ−カス誤差検出装置 | |
| JPS6227456B2 (ja) | ||
| US6266313B1 (en) | Optical pickup for recording or reproducing system | |
| JP2616018B2 (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JPS62200541A (ja) | 情報記録再生装置 | |
| JPH06168478A (ja) | ビーム整形及びビーム分離装置 | |
| US4954702A (en) | Process for detecting a focal point in an optical head | |
| JPH08203150A (ja) | 偏光成分検出装置 | |
| JPH07121899A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPS59121639A (ja) | 光磁気光学装置 | |
| JPS60217535A (ja) | フオ−カス検出装置 | |
| JPH07169071A (ja) | 焦点エラー検出用光ピックアップシステム | |
| JP2581779B2 (ja) | 光磁気記録媒体からの信号検出装置 | |
| JP2578203B2 (ja) | 光ヘッド | |
| JPH0215434A (ja) | 光ピックアップ | |
| JP2878510B2 (ja) | 光ヘッド | |
| KR0135859B1 (ko) | 광헤드 | |
| JP2707361B2 (ja) | 光ピックアップの光学装置 | |
| JP2748052B2 (ja) | 光分離素子とこれを使用した受光光学装置 | |
| JPH0120498B2 (ja) | ||
| JPH04170724A (ja) | 光学式ピックアップ装置 | |
| JPH0673202B2 (ja) | 光磁気再生装置 | |
| JPH0798896A (ja) | 光磁気記録再生用ピックアップ装置 | |
| JPH0191327A (ja) | 光学ヘッド | |
| JPH0242641A (ja) | 光学ヘッド構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040430 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040610 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040615 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040709 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040722 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080806 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090806 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100806 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110806 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110806 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120806 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |