JPH04170724A - 光学式ピックアップ装置 - Google Patents
光学式ピックアップ装置Info
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- JPH04170724A JPH04170724A JP2299378A JP29937890A JPH04170724A JP H04170724 A JPH04170724 A JP H04170724A JP 2299378 A JP2299378 A JP 2299378A JP 29937890 A JP29937890 A JP 29937890A JP H04170724 A JPH04170724 A JP H04170724A
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- JP
- Japan
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- light
- plate
- prism
- semiconductor laser
- collimating lens
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- Pending
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 17
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は円板状記録媒体に光学的に各種情報を記録再生
する光学式ピ・ツクアップ装置に関するものである。
する光学式ピ・ツクアップ装置に関するものである。
従来、この種の光学式ピックアップ装置は、第５図及び
第６図に示す様な構成により、半導体レーザ１を出射し
た光束はコリメートレンズ２により平行光とされた後、
前方に配置されたビーム整形プリズム３に入射し、半導
体レーザのＰＮ接合面に平行な方向に２．５倍径度拡大
され円形光束となって偏光ビームスアリツタ４に入射す
る。
第６図に示す様な構成により、半導体レーザ１を出射し
た光束はコリメートレンズ２により平行光とされた後、
前方に配置されたビーム整形プリズム３に入射し、半導
体レーザのＰＮ接合面に平行な方向に２．５倍径度拡大
され円形光束となって偏光ビームスアリツタ４に入射す
る。
この時、偏光ビームスプリッタ４はコリメートレンズ出
射後の光束がＳ偏光で入射する様に配置されているので
、偏光ビームスプリッタ４に入射した光束はその誘電体
多層膜をコートした接合面により１００％反射され、λ
／４板５を透過後円偏光となり対物レンズ６により円板
状記録媒体７上に集光される。
射後の光束がＳ偏光で入射する様に配置されているので
、偏光ビームスプリッタ４に入射した光束はその誘電体
多層膜をコートした接合面により１００％反射され、λ
／４板５を透過後円偏光となり対物レンズ６により円板
状記録媒体７上に集光される。
かかる後に、円板状記録媒体７によって反射された光束
は再び対物レンス６を透過しλ／４板５を透過し、半導
体レーザ１出射後の光束となす方位角か９０°となる直
線偏光となり、再び偏光ビームスプリッタ４に入射する
。
は再び対物レンス６を透過しλ／４板５を透過し、半導
体レーザ１出射後の光束となす方位角か９０°となる直
線偏光となり、再び偏光ビームスプリッタ４に入射する
。
この時、この光束は偏光ビームスプリッタ４に対してＰ
偏光で入射する為、１００％透過しλ／４板５を透過後
、円偏光となり凹面鏡８によって集光されながら反射し
、再びλ／４板５を透過しＳ偏光となり、今度は偏光ビ
ームスプリッタの誘電体多層膜をコートした接合面によ
り１００％反射されビームスプリッタ１３に入射する。
偏光で入射する為、１００％透過しλ／４板５を透過後
、円偏光となり凹面鏡８によって集光されながら反射し
、再びλ／４板５を透過しＳ偏光となり、今度は偏光ビ
ームスプリッタの誘電体多層膜をコートした接合面によ
り１００％反射されビームスプリッタ１３に入射する。
ビームスプリッタ１３に入射した光束はその５０％がコ
リメートレンズ２の光軸と平行な方向に透過し、残り５
０％はそれと直交する方向に反射し、ビームスプリッタ
１３のコリメートレンズ２の光軸と平行な方向に出射し
た光束は前方にあるナイフ１４より更に５０％が遮光さ
れ受光素子１５によって捕えられ、その差動出力により
フォーカシング制御を行ない、残りのコリメートレンズ
２の光軸と直交する方向に出射した光束は受光素子１６
によって捕えられ、トラッキング制御及びＲＦ信号検出
を行っていた。
リメートレンズ２の光軸と平行な方向に透過し、残り５
０％はそれと直交する方向に反射し、ビームスプリッタ
１３のコリメートレンズ２の光軸と平行な方向に出射し
た光束は前方にあるナイフ１４より更に５０％が遮光さ
れ受光素子１５によって捕えられ、その差動出力により
フォーカシング制御を行ない、残りのコリメートレンズ
２の光軸と直交する方向に出射した光束は受光素子１６
によって捕えられ、トラッキング制御及びＲＦ信号検出
を行っていた。
１発明か解決しようとする課題〕
上述した従来の光学式ピックアップ装置では、フォーカ
ス検出系とトラック及びＲＦ検出系にて２つの受光素子
１５．１６を有する為、それぞれについて受光素子の調
整を行なわなければならないばかりでなく、トラック及
びＲＦ検出系の受光素子１６がプリズム群３．４．１３
の下方に配置されている為その取扱いが厄介である。
ス検出系とトラック及びＲＦ検出系にて２つの受光素子
１５．１６を有する為、それぞれについて受光素子の調
整を行なわなければならないばかりでなく、トラック及
びＲＦ検出系の受光素子１６がプリズム群３．４．１３
の下方に配置されている為その取扱いが厄介である。
又、フォーカス検出系にナイフエッチ法を採用している
為にナイフ１４の調整も行なわなければならない。
為にナイフ１４の調整も行なわなければならない。
本発明の装置は、円板状記録媒体に各種情報を記録及び
再生する光学式ピックアップ装置において、 光源の半導体レーザと、 該半導体レーザから出射した光束を平行光とするコリメ
ートレンズと、 該コリメートレンズの前方に配置され、前記コリメート
レンズ出射の光束を前記半導体レーザのＰＮ接合面と平
行な方向に任意の倍率で拡大するビーム整形プリズムと
、 前記コリ２メートレンズの光軸と直交する方向の２つの
出射面にそれぞれ接合されたλ／４板と、該λ／４板の
一方に接合された凹面鏡と、前記コリメートレンズの光
軸と平行な出射面の対角線により４分割された部分のう
ち、前記凹面鏡の光軸と直交する辺を持つ２つの三角形
部分が砂ずり面で、しかも光吸収用の黒色塗装を施した
偏光ビームスプリッタと、 該偏光ビームスプリッタの部分的に黒色塗装を施した面
に接合され、この面を前記半導体レーザのＰＮ接合面に
平行な方向に２分割してそれぞれ接合されたλ／２板と
、 該λ／２板透過後の光束と光学光路長を等しくする為の
光学ガラスと、 この前方に配置され、２つの複屈折の光学軸がそれぞれ
直交する様に接合されているウォラストンプリズムと、 該ウォラス１〜ンブリスムの前方に配置された少なくと
も４分割以上の受光素子とを有する事を特徴とする。
再生する光学式ピックアップ装置において、 光源の半導体レーザと、 該半導体レーザから出射した光束を平行光とするコリメ
ートレンズと、 該コリメートレンズの前方に配置され、前記コリメート
レンズ出射の光束を前記半導体レーザのＰＮ接合面と平
行な方向に任意の倍率で拡大するビーム整形プリズムと
、 前記コリ２メートレンズの光軸と直交する方向の２つの
出射面にそれぞれ接合されたλ／４板と、該λ／４板の
一方に接合された凹面鏡と、前記コリメートレンズの光
軸と平行な出射面の対角線により４分割された部分のう
ち、前記凹面鏡の光軸と直交する辺を持つ２つの三角形
部分が砂ずり面で、しかも光吸収用の黒色塗装を施した
偏光ビームスプリッタと、 該偏光ビームスプリッタの部分的に黒色塗装を施した面
に接合され、この面を前記半導体レーザのＰＮ接合面に
平行な方向に２分割してそれぞれ接合されたλ／２板と
、 該λ／２板透過後の光束と光学光路長を等しくする為の
光学ガラスと、 この前方に配置され、２つの複屈折の光学軸がそれぞれ
直交する様に接合されているウォラストンプリズムと、 該ウォラス１〜ンブリスムの前方に配置された少なくと
も４分割以上の受光素子とを有する事を特徴とする。
〔実施例Ｊ
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は本実施例
を対物レンズ６上より見た図である。
を対物レンズ６上より見た図である。
第１図において、半導体レーザ１を出射した光束はコリ
メートレンズ２により平行光とされた後、前方に配置さ
れたビーム整形プリズム３により半導体レーザ１のＰＮ
接合面に平行な方向に拡大されて円形光束となり、偏光
ビームスプリ・ンタ４に入射する。
メートレンズ２により平行光とされた後、前方に配置さ
れたビーム整形プリズム３により半導体レーザ１のＰＮ
接合面に平行な方向に拡大されて円形光束となり、偏光
ビームスプリ・ンタ４に入射する。
この時、偏光ビームスプリッタ４はコリメートレンズ２
の出射後の光束がＳ偏光にて入射する様に配置されてい
る為、偏光ビームスプリッタ４に入射した光束は、その
誘電体多層膜をコートした接合面により１００％反射さ
れ、λ／４板５を透過後、円偏光となり対物レンズ６に
より円板状記録媒体７上に集光される。
の出射後の光束がＳ偏光にて入射する様に配置されてい
る為、偏光ビームスプリッタ４に入射した光束は、その
誘電体多層膜をコートした接合面により１００％反射さ
れ、λ／４板５を透過後、円偏光となり対物レンズ６に
より円板状記録媒体７上に集光される。
かかる後に、円板状記録媒体７によって反射された光束
は再ひ対物レンスりとλ′４板５を透過し、半導体レー
ザ１出射後の光束となす方位角が９０°となる直線偏光
となり、再び偏光ビームスプリッタ４に入射する為、そ
の誘電体多層膜をコートした接合面を今度は透過し、λ
７′４板５を透過して円偏光となり凹面鏡８に入射する
。
は再ひ対物レンスりとλ′４板５を透過し、半導体レー
ザ１出射後の光束となす方位角が９０°となる直線偏光
となり、再び偏光ビームスプリッタ４に入射する為、そ
の誘電体多層膜をコートした接合面を今度は透過し、λ
７′４板５を透過して円偏光となり凹面鏡８に入射する
。
凹面鏡８に入射した光束は、そのミラー面により集光さ
れなから１００％反射し、λ／４板５を透過し、再びＳ
偏光となる為、偏光ヒームスブリッタ４の誘電体多層膜
をコートした接合面により反射し、λ／２板９及び光学
ガラス１０に入射する。
れなから１００％反射し、λ／４板５を透過し、再びＳ
偏光となる為、偏光ヒームスブリッタ４の誘電体多層膜
をコートした接合面により反射し、λ／２板９及び光学
ガラス１０に入射する。
この時ビームスプリッタ４の出射面は第３図に示す様に
、その２本の対角線により４分割された４つの三角形部
分のうち、鉛直方向の２つの三角形の黒色塗装部分１７
が砂すり処理及び黒色塗装が施しである為、円形光束か
ら２つの扇形の光束となり、λ／２板９及び光学カラス
１０に入射する。
、その２本の対角線により４分割された４つの三角形部
分のうち、鉛直方向の２つの三角形の黒色塗装部分１７
が砂すり処理及び黒色塗装が施しである為、円形光束か
ら２つの扇形の光束となり、λ／２板９及び光学カラス
１０に入射する。
光学ガラス１０は、λ／２板９出射の１つの扇形光束と
もう一方の扇形の光束の光学光路長か合う様に、あらか
じめ厚さが設定されているのて、２つの扇形光束はそれ
ぞれ同時に出射し、前方に配置されたウォラストンプリ
ズム１１に入射する。
もう一方の扇形の光束の光学光路長か合う様に、あらか
じめ厚さが設定されているのて、２つの扇形光束はそれ
ぞれ同時に出射し、前方に配置されたウォラストンプリ
ズム１１に入射する。
つオラストンプリズム１１に入射した２つの扇形光束の
うち、λ／２板９を透過してきた扇形光束と他方の光学
ガラス１０を透過してきた扇形光束では偏光の方位角が
直交している為、ウォラストンプリズム１１に対しそれ
ぞれ常光線及び異常光線に相当して入射し、λ／２板９
を透過した扇形光束は常光線に相当する為、対物レンズ
６側に、又、光学ガラス１０を透過した扇形光束は異常
光線に相当する為凹面鏡８側にそれぞれ屈折して出射し
、前方の受光素子１２によって受光される。
うち、λ／２板９を透過してきた扇形光束と他方の光学
ガラス１０を透過してきた扇形光束では偏光の方位角が
直交している為、ウォラストンプリズム１１に対しそれ
ぞれ常光線及び異常光線に相当して入射し、λ／２板９
を透過した扇形光束は常光線に相当する為、対物レンズ
６側に、又、光学ガラス１０を透過した扇形光束は異常
光線に相当する為凹面鏡８側にそれぞれ屈折して出射し
、前方の受光素子１２によって受光される。
第４図は受光素子１２に入射する２つの扇形光束を示し
ており、同図のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄは４つの受光面である。
ており、同図のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄは４つの受光面である。
フォーカス検出はダブルナイフエッチ法を採用し、例え
は（Ｂ＋ｃ ） −（Ａ＋Ｄ ＞の様な差動出力により
行ない、トラック検出は円板状記録媒体７のグループに
よる回折光部分１８を利用し、Ｂ−Ｃの様な差動出力に
より行ない、ＲＦ信号検出はＡ＋Ｂ＋Ｃ十りの和信号を
利用して行なう。
は（Ｂ＋ｃ ） −（Ａ＋Ｄ ＞の様な差動出力により
行ない、トラック検出は円板状記録媒体７のグループに
よる回折光部分１８を利用し、Ｂ−Ｃの様な差動出力に
より行ない、ＲＦ信号検出はＡ＋Ｂ＋Ｃ十りの和信号を
利用して行なう。
以上述べた様に本発明によれば、偏光ビームスプリッタ
にビーム整形プリズムとλ／４板及び凹面鏡とλ／２板
と光学光路長を合せる為の光学ガラスを一体化して接合
し、つオラストンプリズムの複屈折性を利用した事によ
り、受光素子の削減とナイフ調整の省略が出来るという
効果がある。
にビーム整形プリズムとλ／４板及び凹面鏡とλ／２板
と光学光路長を合せる為の光学ガラスを一体化して接合
し、つオラストンプリズムの複屈折性を利用した事によ
り、受光素子の削減とナイフ調整の省略が出来るという
効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は実施例を
上部の対物レンズ側より見た場合の図、第３図は偏光ヒ
ームスプリツタの出射面の黒色塗装を説明する為の図、
第４図は受光素子の受光状態を説明する為の図、第５図
は従来の装置を説明する為の図、第６図は従来の装置を
上部の対物レンズ側より見た場合の図である。 １・・・半導体し−ザ、２・・・コリメートレンズ、３
・・・ビーム整形プリズム、４・・・偏光ビームスプリ
ッタ、５・・・λ／４板、６・・・対物レンズ、７・・
・円板状記録媒体、８・・・凹面鏡、９・・・λ／２板
、１０・・・光学カラス、１１・・・つオラストンプリ
ズム、１２゜１５．１６・・・受光素子、１３・・・ハ
ーフプリズム、１・・・ナイフ、１７・・・黒色塗装部
分、１８・・・回折光部分。
上部の対物レンズ側より見た場合の図、第３図は偏光ヒ
ームスプリツタの出射面の黒色塗装を説明する為の図、
第４図は受光素子の受光状態を説明する為の図、第５図
は従来の装置を説明する為の図、第６図は従来の装置を
上部の対物レンズ側より見た場合の図である。 １・・・半導体し−ザ、２・・・コリメートレンズ、３
・・・ビーム整形プリズム、４・・・偏光ビームスプリ
ッタ、５・・・λ／４板、６・・・対物レンズ、７・・
・円板状記録媒体、８・・・凹面鏡、９・・・λ／２板
、１０・・・光学カラス、１１・・・つオラストンプリ
ズム、１２゜１５．１６・・・受光素子、１３・・・ハ
ーフプリズム、１・・・ナイフ、１７・・・黒色塗装部
分、１８・・・回折光部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、円板状記録媒体に各種情報を記録及び再生する光学
式ピックアップ装置において、 光源の半導体レーザと、 該半導体レーザから出射した光束を平行光とするコリメ
ートレンズと、 該コリメートレンズの前方に配置され、前記コリメート
レンズ出射の光束を前記半導体レーザのＰＮ接合面と平
行な方向に任意の倍率で拡大するビーム整形プリズムと
、 前記コリメートレンズの光軸と直交する方向の２つの出
射面にそれぞれ接合されたλ／４板と、該λ／４板の一
方に接合された凹面鏡と、 前記コリメートレンズの光軸と平行な出射面の対角線に
より４分割された部分のうち、前記凹面鏡の光軸と直交
する辺を持つ２つの三角形部分が砂ずり面で、しかも光
吸収用の黒色塗装を施した偏光ビームスプリッタと、 該偏光ビームスプリッタの部分的に黒色塗装を施した面
に接合され、この面を前記半導体レーザのＰＮ接合面に
平行な方向に２分割してそれぞれ接合されたλ／２板と
、 該λ／２板透過後の光束と光学光路長を等しくする為の
光学ガラスと、 この前方に配置され、２つの複屈折の光学軸がそれぞれ
直交する様に接合されているウォラストンプリズムと、 該ウォラストンプリズムの前方に配置された少なくとも
４分割以上の受光素子とを有する事を特徴とする光学式
ピックアップ装置。 ２、前記受光素子が４分割されていることを特徴とする
請求項１の光学式ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2299378A JPH04170724A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 光学式ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2299378A JPH04170724A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 光学式ピックアップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04170724A true JPH04170724A (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=17871791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2299378A Pending JPH04170724A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 光学式ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04170724A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06349104A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-12-22 | Samsung Electron Co Ltd | 光ピックアップ |
| WO2007026460A1 (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | 光ピックアップ装置 |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP2299378A patent/JPH04170724A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06349104A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-12-22 | Samsung Electron Co Ltd | 光ピックアップ |
| WO2007026460A1 (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | 光ピックアップ装置 |
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