JPH04163746A - 光学式ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光学式ピックアップ、特に光磁気記録媒体に光
学的に各種情報を記録・再生する光学式ピックアップに
関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の光学式ピックアップは、第４図および第
５図にそれぞれ平面図および側面図を示すように、半導
体レーザ１を出射した光束はコリメートレンズ２により
平行光とされた後、前方に配置されたビーム整形プリズ
ム３に入射し、半導体レーザ１のＰＮ接合面に平行な方
向に２．５倍程度拡大され、円形光束となって第１の偏
光ビームスプリッタ４に入射する。第１の偏光ビームス
プリッタ４は半導体レーザ１からの出射の光束に対して
例えばＰ偏光を５０％透過、Ｓ偏光を１００％反射する
ような特性を持たせて配置しであるので、第１の偏光ビ
ームスプリッタ４に入射した光束はその誘電体多層膜を
コートした接合面によりＰ偏光は５０％透過して前方に
ある第１のハーフミラ−５に入射し、さらに５０％が透
過して三角プリズム８により反射され、対物レンズ７に
入射し、フォーカシング制御およびトラッキング制御さ
れながら光磁気記録媒体８上に集光される。光磁気記録
媒体８上に集光した光束は光磁気記録媒体８によって反
射され、反射光束は再び対物レンズ７を透過し三角プリ
ズム６により反射され、再び第１のハーフミラ−５に入
射する。このとき、光束は５０％が透過して再び第１の
偏光ビームスプリッタ４に、残りの５０％は第２の偏光
ビームスプリッタ９に入射する。第２の偏光ビームスプ
リッタ９に入射した光束は、バイアス磁界コイル１９に
よって与えられた記録・消去のそれぞれの状態によって
回転された偏光面により任意の割合で透過および反射し
、透過および反射の二つの出射面の前方に配置された検
光子１０および１１を透過して、それぞれ第１の受光素
子１２および第２の受光素子１３に入力され、二つの受
光素子の作動出力により記録情報再生信号の検出を行う
。また、再び第１の偏光ビームスプリッタ４に入射した
光束は、その５０％の光束が反射し平凸レンズ１４によ
って集光されながら第２のハーフミラ−１５に入射し、
５０％は透過して２分割以上形式の第３の受光素子１６
に入力され、その作動出力によりトラッキング制御を行
い、残り５０％の光束は反射されて前方に配置されたナ
イフ１７によりさらに５０％が遮光され２分割以上形式
の第４の受光素子１８に入力され、その作動出力により
フォーカシング制御を行っている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の光学式ピックアップでは、プリズムの部
品点数が多く装置の外形が大きくなるばかりでなく、受
光素子の調整として第１の受光素子１２および第２の受
光素子１３、さらに第３の受光素子１６および第４の受
光素子１８の調整を行わなければならず、装置の組立に
多くの時間を要するという欠点がある。また、フォーカ
シング制御の検出系にナイフェツジ法を採用しているた
め、ナイフ１７の調整も行わなければならないという欠
点がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の光学式ピックアップは、光磁気記録媒体に光学
的に各種情報を記録・再生する光学式ピックアップにお
いて、光源の半導体レーザと、この半導体レーザから出
射した光束を平行光とするコリメートレンズと、このコ
リメートレンズの前方に配置され、このコリメートレン
ズからの出射の光束を前記半導体レーザのＰＮ接合面と
平行な方向に任意の倍率で拡大するビーム整形プリズム
と、このビーム整形プリズムに接合されその誘電体多層
膜をコートした接合面により光束のＰ偏光成分とＳ偏光
成分とを任意の割合で分割する偏光ビームスプリッタと
、この偏光ビームスプリッタに接合されこの偏光ビーム
スプリッタから前記コリメートレンズの光軸と平行に出
射した光束を前記半導体レーザのＰＮ接合面に垂直な方
向に１゜Ｏ％反射させる三角プリズムと、この三角プリ
ズムにより反射された光束を光磁気記録媒体上に集光す
る対物レンズと光磁気記録媒体により反射され前記対物
レンズを透過し、再び前記三角プリズムにより反射され
前記偏光ビームスプリッタの誘電体多層膜をコートした
接合面により前記コリメートレンズの光軸と直交する方
向に反射された光束を集光する平凸レンズが接合され、
この平凸レンズの光軸に平行な方向に５０％透過し、こ
の先軸に直交する方向に５０％反射するハーフミラ−と
、このハーフミラ−の前記平凸レンズの光軸と平行に光
束を出射させる出射面に接合された全反射ミラーと、前
記ハーフミラ−の前記平凸レンズの光軸と直交方向に光
束を出射させる二つの出射面にそれぞれ接合されたサバ
ール板および４分割プリズムと、この４分割プリズムの
前方に配置された少なくとも６分割以上形式の受光素子
と、前記サバール板の前方に配置された少なくとも２分
割以上形式の受光素子とを配置したことにより構成され
る。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は第１
図の実施例を対物レンズの光軸に直交する方向より眺め
た場合の側面図である。第１図および第２図において、
半導体レーザ１を出射した光束はコリメートレンズ２に
よって平行光とされた後、前方に配置されたビーム整形
プリズム３に入射し、半導体レーザ１のＰＮ接合面に平
行な方向に２．５倍程度拡大され、円形光束となって偏
光ビームスプリッタ２５に入射する。このとき、偏光ビ
ームスプリッタ２５は半導体レーザ１からの出射の光束
に対しては、例えばＰ偏光を５０％透過し、Ｓ偏光を１
００％反射するような特性を持たせて配置しであるので
偏光ビームスプリッタ２５に入射した光束はその誘電体
多層膜をコートした接合面により、Ｐ偏光は５０％透過
し、前方にある三角プリズム６に入射して全反射され対
物レンズ７に入射し、フォーカシング制御及びトラッキ
ング制御されながら光磁気記録媒体８上に集光される。

光磁気記録媒体８に集光した光束は光磁気記録媒体８に
よって反射され、反射した光束は再び対物レンズ７を透
過し、三角プリズム６により反射され前方にある平凸レ
ンズ１４によって集光されながらハーフミラ−２６に入
射する。このとき、光束の５０％はその誘電体多層膜を
コートした接合面により反射され、前方のサバール板２
０に入射する。サバール板２０は二つの複屈折体のそれ
ぞれの光学軸が互いに逆向きになるように接合してあり
、しかも光学軸に対して斜めに光束が入射するように配
置されているため、入射光は全く平行な二つの集光され
た光束としてサバール板２０から入射し、２分割形式の
受光素子２１に入射する。受光素子２１の受光部ｇおよ
びｈではバイアス磁界コイル１９によって与えられた記
録・消去のそれぞれの状態によって回転させられた光束
の偏光面の違いにより、それぞれの受光量に差が生じる
ので、その差動出力により記録情報再生信号の検出を行
う。

次に、ハーフミラ−２６の誘電体多層膜をコートした接
合面を透過した光束は、前方に接合された全反射ミラー
２２により反射され、再びノーーフミラー２６の接合面
にて５０％の光量が反射して前方の４分割プリズム２３
に入射する。４分割プリズム２３に入射した光束は任意
の角度で出射させることができるが、この実施例では第
３図に示すような状態で前方の６分割受光素子２４に入
射される。そして、受光素子２４の受光部による（ａ＋
ｂ）−（ｃ＋ｄ）の差動出力によってフォーカシング制
御を、同じく受光部による（ｅ−ｆ）の差動出力によっ
てトラッキング制御を行う。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、プリズム及び受光素
子の削減により装置の小型軽量化、および装置の組立時
間の大幅な短縮ができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は第１
図の実施例を対物レンズの光軸に直交する方向より眺め
た場合の側面図である。第３図は第１図の受光素子２４
の受光状態を説明するための図、第４図は従来の光学式
ピックアップを説明するための平面図、第５図は第４図
の平面図を対物レンズの光軸に直交する方向より眺めた
場合の側面図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・コリメートレンズ、３
・・・ビーム整形プリズム、４・・・第１の偏光ビーム
スプリッタ、５・・・第１のハーフミラ−１６・・・三
角プリズム、７・・・対物レンズ、８・・・光磁気記録
媒体、９・・・第２の偏光ビームスプリッタ、１０．１
１・・・検光子、１２・・・第１の受光素子、１３・・
・第２の受光素子、１４・・・平凸レンズ、１５・・・
第２のハーフミラ−１１６・・・第４の受光素子、１７
・・・ナイフ、工８・・・第５の受光素子、１９・・・
バイアス磁界コイル、２０・・・サバール板、２１．２
４・・・受光素子、２２・・・全反射ミラー、２３・・
・４分割プリズム、２５・・・偏光ビームスプリッタ、
２６・・・ハーフミラ−〇

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光磁気記録媒体に光学的に各種情報を記録・再生する光
   学式ピックアップにおいて、光源の半導体レーザと、こ
   の半導体レーザから出射した光束を平行光とするコリメ
   ートレンズと、このコリメートレンズの前方に配置され
   、このコリメートレンズからの出射の光束を前記半導体
   レーザのＰＮ接合面と平行な方向に任意の倍率で拡大す
   るビーム整形プリズムと、このビーム整形プリズムに接
   合されその誘電体多層膜をコートした接合面により光束
   のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを任意の割合で分割する偏
   光ビームスプリッタと、この偏光ビームスプリッタに接
   合されこの偏光ビームスプリッタから前記コリメートレ
   ンズの光軸と平行に出射した光束を前記半導体レーザの
   ＰＮ接合面に垂直な方向に１００％反射させる三角プリ
   ズムと、この三角プリズムにより反射された光束を光磁
   気記録媒体上に集光する対物レンズと光磁気記録媒体に
   より反射され前記対物レンズを透過し、再び前記三角プ
   リズムにより反射され前記偏光ビームスプリッタの誘電
   体多層膜をコートした接合面により前記コリメートレン
   ズの光軸と直交する方向に反射された光束を集光する平
   凸レンズが接合され、この平凸レンズの光軸に平行な方
   向に５０％透過し、この光軸に直交する方向に５０％反
   射するハーフミラーと、このハーフミラーの前記平凸レ
   ンズの光軸と平行に光束を出射させる出射面に接合され
   た全反射ミラーと、前記ハーフミラーの前記平凸レンズ
   の光軸と直交方向に光束を出射させる二つの出射面にそ
   れぞれ接合されたサバール板および４分割プリズムと、
   この４分割プリズムの前方に配置された少なくとも６分
   割以上形式の受光素子と、前記サバール板の前方に配置
   された少なくとも２分割以上形式の受光素子とを配置し
   たことを特徴とする光学式ピックアップ。