JPH03104033A - 光学式読み取り装置 - Google Patents
光学式読み取り装置Info
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- JPH03104033A JPH03104033A JP1240038A JP24003889A JPH03104033A JP H03104033 A JPH03104033 A JP H03104033A JP 1240038 A JP1240038 A JP 1240038A JP 24003889 A JP24003889 A JP 24003889A JP H03104033 A JPH03104033 A JP H03104033A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract description 3
- 206010041662 Splinter Diseases 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1356—Double or multiple prisms, i.e. having two or more prisms in cooperation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10541—Heads for reproducing
- G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光ディスク、光磁気ディスク等の光学式記
録媒体に記録された情報を読み取る光学式読み取り装置
に関する。
録媒体に記録された情報を読み取る光学式読み取り装置
に関する。
従来の光学式読み取り装置として、例えば第ｌ２図Ａお
よびＢに示すようなものが提案されている。
よびＢに示すようなものが提案されている。
この光学式読み取り装置は分離回動形のもので、半導体
レーザ１から出射された光は、コリメータレンズ２で平
行光とされてビームスプリンタ３を透過した後、回動可
能な光伝導部材４および対物レンズ５を経て光磁気ディ
スク６に投射される。
レーザ１から出射された光は、コリメータレンズ２で平
行光とされてビームスプリンタ３を透過した後、回動可
能な光伝導部材４および対物レンズ５を経て光磁気ディ
スク６に投射される。
光磁気ディスク６での反射光は、対物レンズ５および光
伝導部材４を経てビームスプリンタ３で反射された後、
検光子７および集光レンズ８を経て光検出器９に入射さ
れ、その出力信号に基づいて再生信号を得るようになっ
ている。
伝導部材４を経てビームスプリンタ３で反射された後、
検光子７および集光レンズ８を経て光検出器９に入射さ
れ、その出力信号に基づいて再生信号を得るようになっ
ている。
光伝導部材４は、光磁気ディスク６からの戻り光に対す
る該光伝導部材４でのＰ偏光成分およびＳ偏光成分の位
相差をキャンセルするため、第１２図Ｂに平面図を示す
ように、互いに平行な同一構戒より或る反射面４ａ，４
ｂおよび４ｃ，４ｄを、反射面４ａに対して反射面４ｃ
が、また反射面４ｂに対して反射面４ｄがそれぞれ９０
゜回転した向きとなるように設けて構威されている。
る該光伝導部材４でのＰ偏光成分およびＳ偏光成分の位
相差をキャンセルするため、第１２図Ｂに平面図を示す
ように、互いに平行な同一構戒より或る反射面４ａ，４
ｂおよび４ｃ，４ｄを、反射面４ａに対して反射面４ｃ
が、また反射面４ｂに対して反射面４ｄがそれぞれ９０
゜回転した向きとなるように設けて構威されている。
〔発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上述した従来の光学式読み取り装置にあ
っては、光伝導部材４を４つの反射面４ａ〜４ｄをもっ
て構威するようにしているため、装置が大形になると共
に、コスト高になるという問題がある。また、光伝導部
材４においては、ある波長での位相差はキャンセルでき
ても、位相差には波長依存性があり、またビームスプリ
ッタ３での位相差およびその波長依存性については何ら
考慮されていないため、半導体レーザ１の発振パワーや
温度変化による波長変動があると、再生信号のＣ／Ｎに
悪影響を及ぼすという問題がある。すなわち、再生信号
のＣ／Ｎは、光学系の情報信号或分の反射率をＲｓ、光
学系の位相差をδ、光磁気ディスク６でのカー回転角を
θｋ、光磁気ディスク６を含む光学系の初期の位相差を
δｅとすると、Ｃ／ＮＱＣ ，ｒ１］（０３ （δ＋θ
ｋ＋δｅ）で表されるので、δが大きいはどＣ／Ｎが低
下することになる。
っては、光伝導部材４を４つの反射面４ａ〜４ｄをもっ
て構威するようにしているため、装置が大形になると共
に、コスト高になるという問題がある。また、光伝導部
材４においては、ある波長での位相差はキャンセルでき
ても、位相差には波長依存性があり、またビームスプリ
ッタ３での位相差およびその波長依存性については何ら
考慮されていないため、半導体レーザ１の発振パワーや
温度変化による波長変動があると、再生信号のＣ／Ｎに
悪影響を及ぼすという問題がある。すなわち、再生信号
のＣ／Ｎは、光学系の情報信号或分の反射率をＲｓ、光
学系の位相差をδ、光磁気ディスク６でのカー回転角を
θｋ、光磁気ディスク６を含む光学系の初期の位相差を
δｅとすると、Ｃ／ＮＱＣ ，ｒ１］（０３ （δ＋θ
ｋ＋δｅ）で表されるので、δが大きいはどＣ／Ｎが低
下することになる。
この発明は、このような従来の問題点に着目してなされ
たもので、小形かつ安価にできると共に、光源の波長変
動に影響されることなく常にほぼ一定のＣ／Ｎの再生信
号が得られるよう適切に構威した光学式読み取り装置を
提供することを目的とする。
たもので、小形かつ安価にできると共に、光源の波長変
動に影響されることなく常にほぼ一定のＣ／Ｎの再生信
号が得られるよう適切に構威した光学式読み取り装置を
提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段および作用〕上記目的を達
戒するため、この発明では、記録媒体に読み取り光を投
射し、その反射光を複数の反射面を経て再生信号の検出
光学系に入射させて、記録媒体に記録された情報を再生
するようにした光学式読み取り装置において、前記検出
光学系に入射する光の波長の変化に対する位相差変化を
補償するように、前記複数の反射面の少なくとも一つに
薄膜構造体を設ける。
戒するため、この発明では、記録媒体に読み取り光を投
射し、その反射光を複数の反射面を経て再生信号の検出
光学系に入射させて、記録媒体に記録された情報を再生
するようにした光学式読み取り装置において、前記検出
光学系に入射する光の波長の変化に対する位相差変化を
補償するように、前記複数の反射面の少なくとも一つに
薄膜構造体を設ける。
第１図ＡおよびＢはこの発明の第１実施例を示すもので
ある。この実施例では、半導体レーザ１１からの光をコ
リメートレンズ１２で平行光とした後、整形プリズム１
３でビーム整形し、そのビーム整形された光をビームス
プリッタ１４および１５を透過させた後、全反射ミラー
１６で反射させて立ち上げ、これを対物レンズ１７によ
り光磁気ディスク１８上に集光させる。
ある。この実施例では、半導体レーザ１１からの光をコ
リメートレンズ１２で平行光とした後、整形プリズム１
３でビーム整形し、そのビーム整形された光をビームス
プリッタ１４および１５を透過させた後、全反射ミラー
１６で反射させて立ち上げ、これを対物レンズ１７によ
り光磁気ディスク１８上に集光させる。
光磁気ディスク１８での反射光は、逆の経路を通ってビ
ームスプリンタ１５および１４でそれぞれ反射させ、ビ
ームスプリッタ１５で反射された光を１／２波長板１９
を透過させることにより偏光方向を４５゜回転させた後
、集光レンズ２０により収束して光磁気信号検出光学系
２１に導くようにする。光磁気信号検出光学系２１は、
入射光をＰ偏光或分およびＳ偏光戒分に分離する偏光ビ
ームスプリンタ２２と、その分離されたＰ偏光威分およ
びＳ偏光戒分を受光する光検出器２３．２４とをもって
構威し、光検出器２３．２４の出ノノ差を検出すること
により光磁気ディスクｌ８に記録された情報の再生信号
を得るようにする。
ームスプリンタ１５および１４でそれぞれ反射させ、ビ
ームスプリッタ１５で反射された光を１／２波長板１９
を透過させることにより偏光方向を４５゜回転させた後
、集光レンズ２０により収束して光磁気信号検出光学系
２１に導くようにする。光磁気信号検出光学系２１は、
入射光をＰ偏光或分およびＳ偏光戒分に分離する偏光ビ
ームスプリンタ２２と、その分離されたＰ偏光威分およ
びＳ偏光戒分を受光する光検出器２３．２４とをもって
構威し、光検出器２３．２４の出ノノ差を検出すること
により光磁気ディスクｌ８に記録された情報の再生信号
を得るようにする。
また、ビームスプリンタ１４で反射された光は、ビーム
スプリソタ１５で透過光と反射光とに分割し、これらを
エラー信号検出光学系２５に導くようにする。エラー信
号検出光学系２５は、臨界角プリズム２６と、２分割受
光領域を有するフォーカスエラー倹出用の光検出器２７
と、４分割受光領域を有するトラッキングエラー検出用
および光軸の傾き等によるビームのオフセット検出用の
光検出器２８とをもって構成し、ビームスブリッタ１５
での透過光を臨界角プリズム２６を経て光検出器２７に
入射させ、反射光を光検出器２８に入射させて、光検出
器２７および２８の出力に基づいてフォーカスエラー信
号を、光検出器２８の出力に基づいてトラッキングエラ
ー信号を検出するようにする。
スプリソタ１５で透過光と反射光とに分割し、これらを
エラー信号検出光学系２５に導くようにする。エラー信
号検出光学系２５は、臨界角プリズム２６と、２分割受
光領域を有するフォーカスエラー倹出用の光検出器２７
と、４分割受光領域を有するトラッキングエラー検出用
および光軸の傾き等によるビームのオフセット検出用の
光検出器２８とをもって構成し、ビームスブリッタ１５
での透過光を臨界角プリズム２６を経て光検出器２７に
入射させ、反射光を光検出器２８に入射させて、光検出
器２７および２８の出力に基づいてフォーカスエラー信
号を、光検出器２８の出力に基づいてトラッキングエラ
ー信号を検出するようにする。
上記構成において、この実施例では、光磁気信号検出光
学系２１に入射する戻り光の位相差の波長依存性が、半
導体レーザ１１から出射される光の波長の変動範囲内で
ほぼ零となるように、全反射ξラー１６およびビームス
プリッタ１５にそれぞれ薄膜構造体３１および３２を設
けて、これら全反射ミラー１６およびビームスプリッタ
ｌ５における位相差の波長依存性を相殺する。
学系２１に入射する戻り光の位相差の波長依存性が、半
導体レーザ１１から出射される光の波長の変動範囲内で
ほぼ零となるように、全反射ξラー１６およびビームス
プリッタ１５にそれぞれ薄膜構造体３１および３２を設
けて、これら全反射ミラー１６およびビームスプリッタ
ｌ５における位相差の波長依存性を相殺する。
このため、この実施例では、全反射ミラー１６に設ける
薄膜構造体３１を、例えば全反射ミラー１６の硝材がＢ
Ｋ７の場合には、その表面の反射面にＴｉＯｚと、Ｓｉ
ｎｇまたはＭｇＦ ｚとの誘電体物質を交互に多層渾着
して構威して、例えば第２図Ａに示すように初期波長（
８３０ｎｍ）で位相差が零となる位相差δ？波長依存性
をもたせる。なお、位相差δ１はＰ偏光成分の位相から
Ｓ偏光威分の位相を引いたもので、以下（Ｐ−Ｓ）で表
す。
薄膜構造体３１を、例えば全反射ミラー１６の硝材がＢ
Ｋ７の場合には、その表面の反射面にＴｉＯｚと、Ｓｉ
ｎｇまたはＭｇＦ ｚとの誘電体物質を交互に多層渾着
して構威して、例えば第２図Ａに示すように初期波長（
８３０ｎｍ）で位相差が零となる位相差δ？波長依存性
をもたせる。なお、位相差δ１はＰ偏光成分の位相から
Ｓ偏光威分の位相を引いたもので、以下（Ｐ−Ｓ）で表
す。
また、ビームスブリッタ１５に設ける薄膜構造体３２は
、全反射ミラー１６の位相差δ１の波長依存性を相殺す
るように、ビームスブリッタｌ５の硝材がＢＫ７の場合
には、例えば第３図に示すようにＴｉＯ■およびＳｉＯ
ｚの誘電体物質を交互に１１層蒸着して構成して、第２
図Ｂに示すように初期波長（８３０ｎｍ）で位相差が零
となる全反射ミラー１６におけると同様の位相差δｚ（
Ｐ − Ｓ）の波長依存性をもたせる．このようにすれ
ば、全反射ミラーｌ６に対してビームスプリッタ１５は
９０°回転した向きにあるので、光磁気信号検出光学系
２１に入射する戻り光の位相差δ３（Ｐ−Ｓ）の波長依
存性は第２図Ｃに示すように位相差零でほぼフラットに
なる。したがって、半導体レーザ１１の発振パワーや温
度変化による波長変動が生じても、それに影響されるこ
となく再生信号のＣ／Ｎを常にほぼ一定とすることがで
きる．また、薄膜構造体３１．３２は位相差の波長依存
性を補償するように設ければよく、光学部品単体で位相
差の波長依存性を抑える必要がないので、設計の自由度
を向上できると共に、装置全体を小形かつ安価にできる
。
、全反射ミラー１６の位相差δ１の波長依存性を相殺す
るように、ビームスブリッタｌ５の硝材がＢＫ７の場合
には、例えば第３図に示すようにＴｉＯ■およびＳｉＯ
ｚの誘電体物質を交互に１１層蒸着して構成して、第２
図Ｂに示すように初期波長（８３０ｎｍ）で位相差が零
となる全反射ミラー１６におけると同様の位相差δｚ（
Ｐ − Ｓ）の波長依存性をもたせる．このようにすれ
ば、全反射ミラーｌ６に対してビームスプリッタ１５は
９０°回転した向きにあるので、光磁気信号検出光学系
２１に入射する戻り光の位相差δ３（Ｐ−Ｓ）の波長依
存性は第２図Ｃに示すように位相差零でほぼフラットに
なる。したがって、半導体レーザ１１の発振パワーや温
度変化による波長変動が生じても、それに影響されるこ
となく再生信号のＣ／Ｎを常にほぼ一定とすることがで
きる．また、薄膜構造体３１．３２は位相差の波長依存
性を補償するように設ければよく、光学部品単体で位相
差の波長依存性を抑える必要がないので、設計の自由度
を向上できると共に、装置全体を小形かつ安価にできる
。
第４図ＡおよびＢはこの発明の第２実施例を示すもので
ある。この実施例は、第１実施例において全反射ミラー
１６の代わりに反射プリズム３５を用いると共に、この
反射プリズム３５とビームスプリッタ１５との反射面に
それぞれ薄膜構造体３６および３７を設けて、ビームス
プリッタ１５で反射される戻り光に、波長変動に対して
常にほぼ一定の位相差をもたせるようにしたものである
。
ある。この実施例は、第１実施例において全反射ミラー
１６の代わりに反射プリズム３５を用いると共に、この
反射プリズム３５とビームスプリッタ１５との反射面に
それぞれ薄膜構造体３６および３７を設けて、ビームス
プリッタ１５で反射される戻り光に、波長変動に対して
常にほぼ一定の位相差をもたせるようにしたものである
。
このため、この実施例では反射プリズム３５の薄膜構造
体３６を、反射プリズム３５の硝材がＢＫ７の場合には
、例えば第５図に示すようにＴｉＯｚとＭｇＦ２との誘
電体物質を交互に３層蒸着して構成して、第６図Ａに示
すように初期波長（８３０ｎｍ）で位相差（ｐ−ｓ）が
α（０゜≦α＜ ３６０’ ）となる波長依存性をもた
せる。また、ビームスプリッタ１５ノ薄膜構造体３７は
、ビームスプリッタ１５の硝材がＢＫ７？場合には、例
えば第３図に示したようにＴｔＯｚおよびＳｉＯ■の誘
電体物質を交互に１１層蒸着して構或して、第６図Ｂに
示すように初期波長（８３０ｎｍ）で位相差（ｐ−ｓ）
がβ（ ０’≦β〈３６０°）となる波長依存性をもた
せる。
体３６を、反射プリズム３５の硝材がＢＫ７の場合には
、例えば第５図に示すようにＴｉＯｚとＭｇＦ２との誘
電体物質を交互に３層蒸着して構成して、第６図Ａに示
すように初期波長（８３０ｎｍ）で位相差（ｐ−ｓ）が
α（０゜≦α＜ ３６０’ ）となる波長依存性をもた
せる。また、ビームスプリッタ１５ノ薄膜構造体３７は
、ビームスプリッタ１５の硝材がＢＫ７？場合には、例
えば第３図に示したようにＴｔＯｚおよびＳｉＯ■の誘
電体物質を交互に１１層蒸着して構或して、第６図Ｂに
示すように初期波長（８３０ｎｍ）で位相差（ｐ−ｓ）
がβ（ ０’≦β〈３６０°）となる波長依存性をもた
せる。
このようにすれば、反射プリズム３５の反射面に対して
ビームスプリッタ１５の反射面は９０’回転した向きに
あるので、ビームスプリッタｌ５で反射される戻り光に
、第６図Ｃに示すように、波長変動に対して常にほぼ一
定の位相差ω（Ｐ−Ｓ）をもたせることができる。した
がって、ω−０゜とする場合には、第１実施例と同様に
、ビームスプリッタ１５で反射される戻り光を１／２波
長板ｌ９および集光レンズ２０を経て光磁気信号検出光
学系２１に導くことにより、波長変動に影響されること
なく常にほぼ一定のＣ／Ｎの再生信号を得ることができ
る。
ビームスプリッタ１５の反射面は９０’回転した向きに
あるので、ビームスプリッタｌ５で反射される戻り光に
、第６図Ｃに示すように、波長変動に対して常にほぼ一
定の位相差ω（Ｐ−Ｓ）をもたせることができる。した
がって、ω−０゜とする場合には、第１実施例と同様に
、ビームスプリッタ１５で反射される戻り光を１／２波
長板ｌ９および集光レンズ２０を経て光磁気信号検出光
学系２１に導くことにより、波長変動に影響されること
なく常にほぼ一定のＣ／Ｎの再生信号を得ることができ
る。
また、ω＝９０゜とする場合には、ビームスプリッタ１
５で反射される戻り光は、光磁気ディスク１８でのカー
回転の方向に応じて、大きさが等しい右回りと左回りの
楕円偏光となるので、これを１７４波長板および集光レ
ンズを経て光磁気信号検出光学系２１に導くことにより
、楕円偏光の回転の方向に応じて長袖の方向が直交する
同一方向に回転する楕円偏光となる。したがって、この
場合には光学系の調整誤差による再生信号のＣ／Ｎの低
下を大幅に軽減できると共に、そのＣ／Ｎを波長変動に
影響されることなく常にほぼ一定とすることができる。
５で反射される戻り光は、光磁気ディスク１８でのカー
回転の方向に応じて、大きさが等しい右回りと左回りの
楕円偏光となるので、これを１７４波長板および集光レ
ンズを経て光磁気信号検出光学系２１に導くことにより
、楕円偏光の回転の方向に応じて長袖の方向が直交する
同一方向に回転する楕円偏光となる。したがって、この
場合には光学系の調整誤差による再生信号のＣ／Ｎの低
下を大幅に軽減できると共に、そのＣ／Ｎを波長変動に
影響されることなく常にほぼ一定とすることができる。
また、光学系の調整誤差による再生信号のＣ／Ｎの低下
を軽減できることから、光学系の組立て調整を容易にで
き、より安価にできる。
を軽減できることから、光学系の組立て調整を容易にで
き、より安価にできる。
なお、このようにω−９０゜とする場合には、反射プリ
ズム３５の薄膜構造体３６を第５図に示す３層構造とし
て、例えば第７図Ａに示すような位相差（ｐ−ｓ）の波
長依存性をもたせ、またビームスプリッタ１５の薄膜構
造体３７は、第３図に示す１１層構造として、例えば第
７図Ｂに示すような位相差（Ｐ−Ｓ）の波長依存性をも
たせることにより、ビームスプリンタ１５で反射される
戻り光の位相差（ｐ−ｓ）の波長依存性を、第７図Ｃに
示すように、波長変動に対して常にほぼ９０’とするこ
とができる。
ズム３５の薄膜構造体３６を第５図に示す３層構造とし
て、例えば第７図Ａに示すような位相差（ｐ−ｓ）の波
長依存性をもたせ、またビームスプリッタ１５の薄膜構
造体３７は、第３図に示す１１層構造として、例えば第
７図Ｂに示すような位相差（Ｐ−Ｓ）の波長依存性をも
たせることにより、ビームスプリンタ１５で反射される
戻り光の位相差（ｐ−ｓ）の波長依存性を、第７図Ｃに
示すように、波長変動に対して常にほぼ９０’とするこ
とができる。
さらに、この第２実施例においても、光学部品単体で位
相差の波長依存性を抑える必要がないので、設計の自由
度を向上でき、装置全体を小形にできる。
相差の波長依存性を抑える必要がないので、設計の自由
度を向上でき、装置全体を小形にできる。
第８図ＡおよびＢはこの発明の第３実施例を示すもので
ある。この実施例は、ビームスプリッタ１５で反射され
る光磁気ディスク１８からの戻り光を、ビームスプリッ
タ４ｌで２分割し、その一方の光束を再生信号の検出用
として用い、他方の光束を反射プリズム４２および臨界
角プリズム２６を経てフォーカスエラー検出用光検出器
２７に導くようにした点が、第２実施例と基本的に異な
るものである。
ある。この実施例は、ビームスプリッタ１５で反射され
る光磁気ディスク１８からの戻り光を、ビームスプリッ
タ４ｌで２分割し、その一方の光束を再生信号の検出用
として用い、他方の光束を反射プリズム４２および臨界
角プリズム２６を経てフォーカスエラー検出用光検出器
２７に導くようにした点が、第２実施例と基本的に異な
るものである。
かかる構戒において、この実施例では反射プリズム３５
に薄膜構造体４３を設けて、戻り光に対して例えば第９
図八に示すように初期波長（８３０ｎｍ）で位相差（ｐ
−ｓ）がα（０゜≦ｏ：＜ ３６０’ ）となる波長依
在性をもたせ、またビームスプリンタ１５には薄膜構造
体４４を設けて、第９図Ｂに示すように初期波長（８３
０ｎｍ）で位相差（Ｐ−Ｓ）がβ（ ０”≦β＜ ３６
０”） となる波長依存性をもたせ、さらにビームスプ
リッタ４１には薄膜構造体４５を設けて、第９図Ｃに示
すように初期波長（８３０ｎｍ）で位相差（ｐ−ｓ）が
ｒ（０’≦γ＜３６０゜）となる波長依存性をもたせる
。
に薄膜構造体４３を設けて、戻り光に対して例えば第９
図八に示すように初期波長（８３０ｎｍ）で位相差（ｐ
−ｓ）がα（０゜≦ｏ：＜ ３６０’ ）となる波長依
在性をもたせ、またビームスプリンタ１５には薄膜構造
体４４を設けて、第９図Ｂに示すように初期波長（８３
０ｎｍ）で位相差（Ｐ−Ｓ）がβ（ ０”≦β＜ ３６
０”） となる波長依存性をもたせ、さらにビームスプ
リッタ４１には薄膜構造体４５を設けて、第９図Ｃに示
すように初期波長（８３０ｎｍ）で位相差（ｐ−ｓ）が
ｒ（０’≦γ＜３６０゜）となる波長依存性をもたせる
。
このようにすれば、反射プリズム３５の反射面に対して
ビームスプリッタ１５およびビームスプリンタ４１の反
射面は９０゜回転した向きにあるので、ビームスプリッ
タ４１を経た戻り光に、第９図Ｄに示すように、波長変
動に対して常にほぼ一定の位相差ω（ｐ−ｓ）をもたせ
ることができ、上述した実施例と同様な効果を得ること
ができる。
ビームスプリッタ１５およびビームスプリンタ４１の反
射面は９０゜回転した向きにあるので、ビームスプリッ
タ４１を経た戻り光に、第９図Ｄに示すように、波長変
動に対して常にほぼ一定の位相差ω（ｐ−ｓ）をもたせ
ることができ、上述した実施例と同様な効果を得ること
ができる。
第１０図はこの発明の第４実施例を示すものである。こ
の実施例は、半導体レーザ１１からの光をコリメートレ
ンズ１２で平行光とした後、整形プリズム１３でビーム
整形し、そのビーム整形された光をビームスプリッタ５
０を透過させて対物レンズｌ７により光磁気ディスク■
８上に集光させる。また、光磁気ディスク１８での反射
光は、逆の経路を通ってビームスプリッタ５０で反射さ
せた後ビームスプリノタ５１て２分割し、その一方の光
束を再生信号を検出するための光束として用い、他方の
光束をエラー信号を検出するための光束として用いるよ
うにする。
の実施例は、半導体レーザ１１からの光をコリメートレ
ンズ１２で平行光とした後、整形プリズム１３でビーム
整形し、そのビーム整形された光をビームスプリッタ５
０を透過させて対物レンズｌ７により光磁気ディスク■
８上に集光させる。また、光磁気ディスク１８での反射
光は、逆の経路を通ってビームスプリッタ５０で反射さ
せた後ビームスプリノタ５１て２分割し、その一方の光
束を再生信号を検出するための光束として用い、他方の
光束をエラー信号を検出するための光束として用いるよ
うにする。
かかる構或において、この実施例ではビームスブリソタ
５０に薄膜構造体５２を設けて、戻り光に対して例えば
第１１図Ａに示すように初期波長（８３０ｎｍ）で位相
差（Ｐ−Ｓ）がα（０゜≦α＜ ３６０’ ）となる波
長依存性をもたせ、またビームスプリッタ５ｌには薄脱
構造体５３を設けて、第１１図Ｂに示すように初！ｔＪ
Ｉ ＄２長（８３０ｎｍ）で位相差（Ｐ−Ｓ）がβ（０
゜≦β＜３６０゜）となる波長依存性をもたせる。
５０に薄膜構造体５２を設けて、戻り光に対して例えば
第１１図Ａに示すように初期波長（８３０ｎｍ）で位相
差（Ｐ−Ｓ）がα（０゜≦α＜ ３６０’ ）となる波
長依存性をもたせ、またビームスプリッタ５ｌには薄脱
構造体５３を設けて、第１１図Ｂに示すように初！ｔＪ
Ｉ ＄２長（８３０ｎｍ）で位相差（Ｐ−Ｓ）がβ（０
゜≦β＜３６０゜）となる波長依存性をもたせる。
このようにすれば、ビームスブリッタ５０の反射面とビ
ームスプリンタ５ｌの反射面とが平行に配置されている
ので、ビームスブリッタ５ｌを経た戻り光に、第ＩＸ図
Ｃに示すように、波長変動に対して常にほぼ一定の位相
差ω（Ｐ−Ｓ）をもたせることができ、上述した実施例
と同様な効果を得ることができる。
ームスプリンタ５ｌの反射面とが平行に配置されている
ので、ビームスブリッタ５ｌを経た戻り光に、第ＩＸ図
Ｃに示すように、波長変動に対して常にほぼ一定の位相
差ω（Ｐ−Ｓ）をもたせることができ、上述した実施例
と同様な効果を得ることができる。
なお、この発明は上述した実施例にのみ限定されるもの
ではなく、幾多の変形または変更が可能である。例えば
、上述した実施例では、光磁気信号検出光学系に入射す
る戻り光の光路に配置される反射面の全てに薄膜構造体
を設けるようにしたが、任意の一つの反射面に戻り光の
位相差の波長依存性を補償するように薄膜構造体を設け
るようにしてもよい。また、上述した実施例では、光源
の初期波長を８３０ｎｍとしたが、それ以外の波長を用
いる場合にもこの発明を有効に適用することができると
共に、記録媒体も光磁気ディスクに限らず、光ディスク
やその他の光学式記録媒体を用いる場合にもこの発明を
有効に適用することができる。
ではなく、幾多の変形または変更が可能である。例えば
、上述した実施例では、光磁気信号検出光学系に入射す
る戻り光の光路に配置される反射面の全てに薄膜構造体
を設けるようにしたが、任意の一つの反射面に戻り光の
位相差の波長依存性を補償するように薄膜構造体を設け
るようにしてもよい。また、上述した実施例では、光源
の初期波長を８３０ｎｍとしたが、それ以外の波長を用
いる場合にもこの発明を有効に適用することができると
共に、記録媒体も光磁気ディスクに限らず、光ディスク
やその他の光学式記録媒体を用いる場合にもこの発明を
有効に適用することができる。
以上述べたように、この発明によれば、記録媒体からの
戻り光を再生信号の検出光学系に入射させる光路中に設
けられる複数の反射面の少なくとも一つに、戻り光の波
長の変化に対する位相差変化を補償するように薄膜構造
体を設けるようにしたので、光源の波長変動が生しても
、それに影響されることなく常にほぼ一定のＣ／Ｎの再
生信号を得ることができる。また、薄膜構造体は位相差
変化の波長依存性を補償するように設ければよく、光学
部品単体で位｛目差の波長依存性を抑える必要がないの
で、設計の自由度を向上できると共に、装置全体を小形
かつ安価にできる。
戻り光を再生信号の検出光学系に入射させる光路中に設
けられる複数の反射面の少なくとも一つに、戻り光の波
長の変化に対する位相差変化を補償するように薄膜構造
体を設けるようにしたので、光源の波長変動が生しても
、それに影響されることなく常にほぼ一定のＣ／Ｎの再
生信号を得ることができる。また、薄膜構造体は位相差
変化の波長依存性を補償するように設ければよく、光学
部品単体で位｛目差の波長依存性を抑える必要がないの
で、設計の自由度を向上できると共に、装置全体を小形
かつ安価にできる。
第１図ＡおよびＢはこの発明の第１実施例を示す図、
第２図Ａ−Ｃはその各部の薄膜構造体の位相差の波長依
存性の一例を示す図、 第３図は第１図Ａに示すビームスプリンタに設ける薄膜
構造体の一例の構成を示す図、第４図ＡおよびＢはこの
発明の第２実施例を示す図、 第５図は第４図Ａ，Ｂに示す反射プリズムに設ける薄膜
構造体の一例の構戒を示す図、第６図Ａ−Ｃは第２実施
例における各部の薄膜構造体の位相差の波長依存性の一
例を示す図、第７図Ａ〜Ｃは第２実施例において９０’
の位相差をもたせる場合の各部の薄膜構造体の位相差の
波長依存性の一例を示す図、 第８図ＡおよびＢはこの発明の第３実施例を示す図、 第９図Ａ−Ｄはその各部の薄膜構造体の位相差の波長依
存性の一例を示す図、 第１０図はこの発明の第４実施例を示す図、第１１図Ａ
−Ｃはその各部の薄膜構造体の位相差の波長依存性の一
例を示す図、 第１２図ＡおよびＢは従来の技術を説明するための図で
ある。 １１一半導体レーザ １２− コリメートレンズｌ３
一整形プリズム １４．１５−ビームスブリッタ１６
一全反射ミラー １７一対物レンズ１８−一光磁気デ
ィスク １９−４／２波長板２０−・一集光レンズ
２１−光磁気信号検出光学系２２−偏光ビームスプリ
ンタ ２３．２４・−・光検出器 ２５− エラー信号検出
光学系２６−・臨界角プリズム ２７．２８−光検出器
３１．３２ −−一薄膜構造体 ３６．３７ −一薄膜構造体 ４２一反射プリズム ５０．５１ −−ビームスプリ ５２．５３ −一薄膜構造体 ３５一反射プリズム ４１−ビームスプリッタ ４３．４４．４５ −−薄膜構造体 ツタ 第２図 Ａ Ｂ ｇＬ長ｃ問ノ 方え長（ｒｒｍノ Ｃ ：ＩＺ＋（ｎｓノ 第３図 第４図 Ａ Ｂ Ａ Ｂ Ｃ 汲長ＵＩＩＢ） 浚黍（＃Ｒ） ′Ｊ長（ｎＭノ 第７ 図 Ａ Ｂ 沃畏（ｎＭ） 第９図 Ａ Ｂ Ｃ ９ ″７ＩＬ長（ｎｍノ 汲長（ｎｍ） 第ｌＯ図 第ＩＩ図 Ａ Ｂ Ｃ 浪畏（ｎｌｌｌ） デＸ長Ｄｒｍ） 品でイ？ｔｎ．胛ノ
存性の一例を示す図、 第３図は第１図Ａに示すビームスプリンタに設ける薄膜
構造体の一例の構成を示す図、第４図ＡおよびＢはこの
発明の第２実施例を示す図、 第５図は第４図Ａ，Ｂに示す反射プリズムに設ける薄膜
構造体の一例の構戒を示す図、第６図Ａ−Ｃは第２実施
例における各部の薄膜構造体の位相差の波長依存性の一
例を示す図、第７図Ａ〜Ｃは第２実施例において９０’
の位相差をもたせる場合の各部の薄膜構造体の位相差の
波長依存性の一例を示す図、 第８図ＡおよびＢはこの発明の第３実施例を示す図、 第９図Ａ−Ｄはその各部の薄膜構造体の位相差の波長依
存性の一例を示す図、 第１０図はこの発明の第４実施例を示す図、第１１図Ａ
−Ｃはその各部の薄膜構造体の位相差の波長依存性の一
例を示す図、 第１２図ＡおよびＢは従来の技術を説明するための図で
ある。 １１一半導体レーザ １２− コリメートレンズｌ３
一整形プリズム １４．１５−ビームスブリッタ１６
一全反射ミラー １７一対物レンズ１８−一光磁気デ
ィスク １９−４／２波長板２０−・一集光レンズ
２１−光磁気信号検出光学系２２−偏光ビームスプリ
ンタ ２３．２４・−・光検出器 ２５− エラー信号検出
光学系２６−・臨界角プリズム ２７．２８−光検出器
３１．３２ −−一薄膜構造体 ３６．３７ −一薄膜構造体 ４２一反射プリズム ５０．５１ −−ビームスプリ ５２．５３ −一薄膜構造体 ３５一反射プリズム ４１−ビームスプリッタ ４３．４４．４５ −−薄膜構造体 ツタ 第２図 Ａ Ｂ ｇＬ長ｃ問ノ 方え長（ｒｒｍノ Ｃ ：ＩＺ＋（ｎｓノ 第３図 第４図 Ａ Ｂ Ａ Ｂ Ｃ 汲長ＵＩＩＢ） 浚黍（＃Ｒ） ′Ｊ長（ｎＭノ 第７ 図 Ａ Ｂ 沃畏（ｎＭ） 第９図 Ａ Ｂ Ｃ ９ ″７ＩＬ長（ｎｍノ 汲長（ｎｍ） 第ｌＯ図 第ＩＩ図 Ａ Ｂ Ｃ 浪畏（ｎｌｌｌ） デＸ長Ｄｒｍ） 品でイ？ｔｎ．胛ノ
Claims (1)
- １、記録媒体に読み取り光を投射し、その反射光を複数
の反射面を経て再生信号の検出光学系に入射させて、記
録媒体に記録された情報を再生するようにした光学式読
み取り装置において、前記検出光学系に入射する光の波
長の変化に対する位相差変化を補償するように、前記複
数の反射面の少なくとも一つに薄膜構造体を設けたこと
を特徴とする光学式読み取り装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1240038A JP2982965B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 光学式読み取り装置 |
| US07/582,384 US5307335A (en) | 1989-09-18 | 1990-09-14 | Optical information reading apparatus with multi film elements to compensate for wavelength fluctuation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1240038A JP2982965B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 光学式読み取り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03104033A true JPH03104033A (ja) | 1991-05-01 |
| JP2982965B2 JP2982965B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=17053547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1240038A Expired - Lifetime JP2982965B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 光学式読み取り装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5307335A (ja) |
| JP (1) | JP2982965B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293569A (en) * | 1990-09-13 | 1994-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording/reproducing apparatus including an optical head with an optical element having a plurality of prisms |
| JP2006134535A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Konica Minolta Opto Inc | ビームスプリッタ及び光ピックアップ装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03116567A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Canon Inc | 光磁気情報再生装置 |
| US5577018A (en) * | 1992-02-07 | 1996-11-19 | Sony Corporation | Phase changing apparatus and optical pickup apparatus for magneto-optic storage device using same |
| WO1995000873A1 (en) * | 1993-06-25 | 1995-01-05 | Philips Electronics N.V. | Polarizing beam splitter and magneto-optic reading device using the same |
| JPH08212612A (ja) * | 1994-11-17 | 1996-08-20 | Canon Inc | 光学的情報記録再生装置及び該装置用光ヘッド |
| JPH08287511A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Sony Corp | 光ピックアップ装置及び光検出装置 |
| JP2001201615A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Sony Corp | 光学素子および光ピックアップ |
| CN100452193C (zh) * | 2004-12-31 | 2009-01-14 | 上海乐金广电电子有限公司 | 光拾取装置 |
| JP2010238274A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
| WO2011013484A1 (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | コニカミノルタオプト株式会社 | 光ピックアップ装置 |
Citations (3)
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| JP2504734B2 (ja) * | 1983-11-08 | 1996-06-05 | シャープ株式会社 | 光磁気記憶装置の光学装置 |
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| JP2606257B2 (ja) * | 1988-03-01 | 1997-04-30 | 松下電器産業株式会社 | 光磁気記録再生用光学ヘッド |
| EP0331476A1 (en) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical information reproducing apparatus having a polarizing beam splitter disposed with an inclination of 45 |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP1240038A patent/JP2982965B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-14 US US07/582,384 patent/US5307335A/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2006134535A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Konica Minolta Opto Inc | ビームスプリッタ及び光ピックアップ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5307335A (en) | 1994-04-26 |
| JP2982965B2 (ja) | 1999-11-29 |
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| JPH03292651A (ja) | 光磁気再生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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