JP3370487B2 - 情報読取装置 - Google Patents
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Description
置において光磁気ディスクに記録されている情報を読み
取るための情報読取装置に関する。
上の磁性膜に形成された磁区の磁化方向を、エネルギー
レーザ光と外部磁界装置を用いて適宜反転させることに
より、情報をデジタルに記録する装置である。この光磁
気ディスク装置において光磁気ディスク上に記録された
情報を読み取る場合には、一定方向の偏光面を有する直
線偏光光としてのレーザ光を各磁区に照射する。する
と、反射したレーザ光の偏光面の方向は、カー効果によ
り、各磁区の磁化方向に応じて+方向又は−方向に回転
(旋光)する。従って、反射光の偏光面の方向の変化を
検出することにより、情報を電気信号として読み出すこ
とができるのである。このような磁気情報の読み取りを
行うための情報読取装置は、一般に、半導体レーザから
出射されたレーザ光を透過するとともに光磁気ディスク
によって反射されたレーザ光を分離する偏光ビームスプ
リッタ,この偏光ビームスプリッタで分離されたレーザ
光の偏光面を回転させるλ/2板,等から構成されてい
る。
置においてλ/2板透過後におけるレーザ光の偏光状態
を示す。図3の横軸(P軸)は、光磁気ディスクに照射
されるレーザ光の偏光面方向を示し、軸P’はこの偏光
面がλ/2板によって45度回転された方向を示す。従
って、λ/2板透過後におけるレーザ光の偏光面の方向
は、このレーザ光が反射を受けた磁区の磁化方向に依っ
て、軸P’を中心に−θk度又は+θk度(カー回転角)
回転した方向となる。即ち、レーザ光は、その振幅を一
定に保ちながら、読み出される記録情報に応じて2つの
角度((45+θk)度,(45−θk)度)の間でその
偏光面方向を適宜回転するのである。従って、このレー
ザ光をP軸方向成分及びS軸偏光成分に分離して、各方
向成分の強度変化の差分を検出することによって、情報
を読み出すことができるのである。
素子が位相差(即ち、P軸方向とS軸方向の屈折率の
差)を有さないのであれば、受光素子によって受光され
る際におけるレーザ光の偏光状態は、図3に示すような
完全な直線偏光となる。しかし、各光学素子は不可避的
に位相差を有するので、これら各光学素子を透過又は反
射する毎に、レーザ光の偏光状態は位相差の影響を受け
るようになり、図4に示すように楕円偏光となってしま
う。直線偏光の偏光面内において同じエネルギーの直線
偏光の振幅と楕円偏光の振幅とを比較すると、楕円偏光
の振幅は直線偏光の振幅よりも小さい。従って、楕円偏
光となったレーザ光の各軸方向成分の強度変化幅も、直
線偏光のときよりも小さくなってしまい、S/N比低下
の原因となっていた。
差を除去するための手段が種々採られていた。例えば、
各光学素子に施されるコーティングの材料や厚さを適宜
調整して、部品レベルで位相差を除去する努力がなされ
ていた。また、バビネーソレイユ位相補償器やエーリン
グハウス補償板のような位相補償専用の光学素子を光路
中に配置して、一旦発生してしまった位相差を、これら
の光学素子の調整により補償していた。
素子毎に位相差を除去するためには、部品の精度を極端
に向上させなければならない。例えば、個々の光学素子
の位相差を+/−5度程度に抑えるのだとしても、いき
おい歩留まりが悪くなり、コストアップにつながってい
た。
配置すると、部品点数の増加となって、装置全体のサイ
ズが大きくなるとともに、コスト高となっていた。な
お、バビネーソレイユ位相補償器には、位相補償量を可
変とするための調整装置が備わっているが、一旦調整が
完了して位相補償がなされた後では、この調整装置は無
用となってしまう。そのため、サイズを無駄に大きくし
ているとともに、無用なコストを強いる結果となってい
た。
ものであり、部品点数やコストを増やすことなく、従来
から用いられていた光学部品の一部を用いて位相補償を
行い、高いS/N比を得ることができる情報読取装置を
提供することを課題とする。
置は、上記課題を解決するため、光磁気ディスクの磁化
膜に直線偏光光スポットを照射する照射手段と、前記磁
化膜において反射された偏光光の光軸に対して傾いて交
わる様配置された前記偏光光を旋光させるλ/2板と、
このλ/2板を透過した前記偏光光の所定方向における
偏向成分のみを分離する分離光学素子と、この分離光学
素子によって分離された偏光成分を受光する受光手段と
を備えたことを特徴とする。
実施の形態を説明する。実施の形態の詳細な説明を行う
前に、本発明の各構成要件の概念を説明する。 (旋光板)旋光板の平行平面の光軸に対する角度は、こ
の旋光板内における偏光光の光路長が照射手段からから
受光手段に至る光学系全体の位相差に対応する長さとな
る角度(請求項2に対応),又は、この旋光板内におけ
る偏光光の光路長に対応する位相差が、照射手段から受
光手段に至る光学系全体の位相差に対応する位相差を1
80度から減算した値となる角度(請求項3に対応)と
すれば、位相差を完全に補償することができる。
とができるが、旋光板を光軸に垂直に挿入したときの位
相差が完全に180度となる厚さよりも薄い旋光板でも
良い。このような旋光板でも、光軸に対して傾斜して挿
入することにより、λ/2としての作用を生じるからで
ある。旋光板をλ/2板として用いる場合には、このλ
/2板による偏光面の旋光角度は、その光学軸の偏光面
に対する角度の2倍である。この角度は何度であっても
良いが、照射手段によって照射される直線偏光光の偏光
面を45度回転させるようにλ/2を配置すれば、同一
基板上に各光学素子を配置することができる(請求項7
に対応)。
入射側面とを接合しておけば、分離光学素子ごとλ/2
板を回転させることができるので、回転操作がやりやす
くなる(請求項8に対応)。 (分離光学素子)分離光学系は、一方向の偏光成分のみ
を分離する構成としても良いし、複数方向の偏光成分を
分離する構成としても良い。前者の場合には、例えば、
特定の方向の偏光成分のみを透過する偏光フィルターと
して構成することができる。後者の場合には、偏光光を
互いに直交する方向の2つの偏光成分に分離するように
構成することができる。この場合、受光手段は、この分
離光学素子により分離された偏光成分を夫々受光する
(請求項5に対応)。この場合、分離光学素子を、入射
する偏光光のS偏光成分とP偏光成分とを分離する偏光
ビームスプリッタとする。
光成分の方向は、任意であるが、互いに直交する方向の
2成分を分離する場合には、前記偏光光の偏光面方向の
平均に対して45度をなす方向に分離するのが望まし
い。このようにすると、各偏光成分が同強度逆相になる
ので、これらの受光信号の差分をとることにより、同相
のノイズをキャンセルすることができる。
する。本第1実施形態は、λ/2波長板と分光光学素子
としての第2偏光ビームスプリッタとを分離して配置し
た例を示すものである。 <実施形態の構成>図1は、光磁気ディスク装置のピッ
クアップ装置のうち、情報読取装置に対応する構成のみ
を示した光学構成図である。従って、図1では、光ディ
スクDに情報を記録するための書込装置の図示が省略さ
れている。但し、以下の説明では、図1に示す光ディス
クDには、この図示せぬ書込装置により既にデジタル情
報が記録されており、このデジタル情報の各ビットに対
応して各磁区が厚さ方向の下向き又は上向きに磁化され
ているものとする。
射されたレーザ光は、コリメータレンズ2,第1偏光ビ
ームスプリッタ3,立ち上げミラー4,対物レンズ5を
通って、光磁気ディスクD上に収束する。光磁気ディス
クDからの反射光は、同じ光路を第1偏光ビームスプリ
ッタ3まで戻り、λ/2板6を通って、第2偏光ビーム
スプリッタ7に入射し、2つのビームに分離される。一
方のビームは、そのまま、コンデンサレンズ9を通って
第1のフォトダイオード10aに入射する。他方のビー
ムは、一旦光学クサビ8内に入ってから再度第2偏光ビ
ームスプリッタ7内に戻り、一方のビームの光路とは別
の光路に沿って、コンデンサレンズ9を通って第2のフ
ォトダイオード10bに入射する。これら各光学素子の
うち、立ち上げミラー4及び対物レンズ5以外は、基板
B上に固定されている。なお、第1偏光ビームスプリッ
タ3の入射面は、図1の紙面の方向と平行である。従っ
て、この読取装置内の全ての箇所の説明において、この
紙面の方向に偏光面を有する直線偏光成分をP偏光とい
い、紙面に直交する方向に偏光面を有する直線偏光成分
をS偏光という。以下、各光学素子の説明を行う。
るレーザ光を出射する。コリメータレンズ2は、このレ
ーザ光を平行光にするための光学系である。第1偏光ビ
ームスプリッタ3は、図1に示すような平面台形の角柱
形状を有している。この第1偏光ビームスプリッタ3の
コリメータレンズ2側の面は、レーザ光が入射する面で
あり、このレーザ光のビーム形状を真円に整形するため
に、光軸lに対して傾いている。この第1偏光ビームス
プリッタ3の偏光分離面3aは、P偏光を80パーセン
ト,S偏光を2パーセント、夫々透過する。従って、コ
リメータレンズ2を介して入射してきたP偏光の大部分
を、光磁気ディスクDに向けて透過することができる。
なお、この偏光分離面3aは、また、光磁気ディスクD
から戻ってきてこの第1偏光ビームスプリッタ3に再入
射したレーザ光のうち、P偏光成分を20パーセント,
S偏光成分を98パーセント、夫々反射する。
リッタ3から出射されたレーザ光を紙面に直交する方向
に曲げて、光磁気ディスクDに対して垂直方向からレー
ザ光を照射する反射鏡である(図1では、便宜上、反射
鏡4の前後の光軸を、同一面上に描いている。)。この
反射鏡4は、光軸l方向にスライドして光磁気ディスク
Dに対するトラッキングを行う。
て反射されたレーザ光を収束して、光磁気ディスクDの
磁化膜上にスポットを形成するためのレンズである。こ
の対物レンズ5は、図示せぬサーボ系によって合焦駆動
される。また、この対物レンズ5は、立ち上げミラー4
と一体に、光軸方向lに移動する。以上説明したレーザ
ダイオード1,コリメータレンズ2,第1偏光ビームス
プリッタ3,立ち上げミラー4,及び対物レンズ5か
ら、照射手段が構成される。
ザ光の偏光面は、そのスポットが形成された磁区の磁化
の方向に依り、P偏光面から所定の角度の回転(カー回
転)を受ける。即ち、横軸をP偏光面方向,縦軸をS偏
光面方向とする座標系を想定したときに、磁区の磁化方
向が上向きの時には、P軸から+θ'k度回転し、磁区の
磁化方向が下向きの時には、P軸から−θ'k度回転す
る。このようなカー回転を受けたレーザ光は、第1偏光
ビームスプリッタ3の偏光分離面3aにおいて反射され
るが、この際、上述した通り、P偏光方向成分の強度の
み20パーセントに縮小される。この結果、反射後にお
いては、レーザ光の偏光面のP偏光平面に対するカー回
転角が見かけ上大きなっている。偏光分離面3aで反射
により拡大されたカー回転角を、+Aθ'k度=+θk度,
−Aθ'k度=−θk度とする。
がP偏光面に対して22.5度をなすような方向で光軸
中に配置されている。このλ/2板6は、レーザ光が入
出射する平行平板の水晶板からなり、平行面に対して垂
直方向から入射するレーザ光の位相差が180度になる
ように、その厚さが定められている。従って、このλ/
2板6は、入射したレーザ光の偏光面を、この偏光面と
光学軸とがなす角度の2倍だけ回転させる。その結果、
図3に示した通り、入射前のP偏光面は出射後には45
度回転して、図3における軸P’の向きの面となる。ま
た、磁区の磁化方向が上向きの時のカー回転角は(45
−θk)度となり、磁区の磁化方向が下向きの時のカー
回転角は(45+θk)度となる。
リッタ7は、平面2等辺三角形の三角柱形状を有してお
り、その入射側面は光軸lに対して直交している。この
第2偏光プリズム7の斜面は偏光分離面7aとなってい
る。この偏光分離面7aは、互いに直交する方向の2つ
の偏光成分であるP偏光成分を100%透過するととも
に、S偏光成分を100%反射する。即ち、偏光光の偏
光面方向の平均(P’方向)に対して、45度をなす方
向に各偏光成分を分離するのである。なお、ここにいう
P偏光成分,S偏光成分とは、λ/2板6透過後の偏光
面方向成分を指す。この偏光分離面7aの外側には、λ
/2板6から離れるほど薄くなる光学クサビ8が貼り付
けられている。この光学クサビ8の外側面には、全ての
光を100%反射するコーティングがなされている。従
って、この光学クサビ8に入射したP偏光成分は、再度
第2偏光ビームスプリッタ7内に入射する。このように
して分離されたS方向成分とP方向成分とは、夫々異な
る光軸に沿って、フォトダイオード側の面を通って第2
偏光ビームスプリッタ7から出射する。
ダイオード側の面には、コンデンサレンズ9が貼り付け
られている。従って、各光軸に沿ってこのコンデンサレ
ンズ9に入射した各方向成分のビームは、夫々コンデン
サレンズ9によって収束される。
10aは、S偏光成分のビームを受光し、その強度変化
に対応した電気信号を出力する。この第1のフォトダイ
オード10aから出力された電気信号は、磁区の磁化方
向が上向きの時には低レベル状態となり、磁区の磁化方
向が下向きの時には高レベル状態となる。一方、受光手
段としての第2のフォトダイオード10bは、P偏光成
分のビームを受光し、その強度変化に対応した電気信号
を出力する。この第2のフォトダイオード10bから出
力された電気信号は、磁区の磁化方向が上向きの時には
高レベル状態となり、磁区の磁化方向が下向きの時には
低レベル状態となる。即ち、第1のフォトダイオード1
0aの出力と第2のフォトダイオード10bの出力とを
比較すると、その変化幅が同じであるとともに、その変
化が逆相となる。従って、それらの差分をとることによ
り、カー回転角の変化に対応する電気信号の変化幅を大
きくとることができる。また、フォトダイオード10
a,10bの暗電流のような同相のノイズをキャンセル
することができる。この差分をとるために、第1のフォ
トダイオード10aの出力と第2のフォトダイオード1
0bの出力とは、差動増幅器11に入力されている。
プリッタ7に至る光路内の各光学素子2,3,4,5,
7は、予めある程度の位相差除去はなされているが、コ
ストを抑えるために完全な位相差除去はなされていな
い。従って、第2偏光ビームスプリッタ7においてP偏
光成分とS偏光成分とに分離される時点では、相当量の
位相差が蓄積している。この位相差を補償するために、
本実施例では、λ/2板6の平行平面を光軸lに対して
P偏光面内で傾斜させる構成を採用している。即ち、λ
/2板6の材料は、その内部における光路長の長短に応
じて位相差を可変する材料である。このλ/2板6を光
軸lに対して適宜傾斜させると、その内部における光軸
lの光路長が可変する。そのため、光軸lに対する位相
差を可変(180度〜[λ/2〜])することができる
のである。従って、このλ/2板6は、レーザダイオー
ド1から第2偏光ビームスプリッタ7に至る光学系全体
の位相差(−ψ)に合わせて、その光軸l上の位相差が
(180+ψ)度になるような角度で光軸lに対して傾
けられて、基板B上に接着されているのである。即ち、
このλ/2板6内における光路lの光路長がレーザダイ
オード1から第2偏光ビームスプリッタ7に至る光学系
全体の位相差に対応する長さとなるように、回転されて
接着されているのである。なお、λ/2板6を予めその
位相差が180度以下となるような厚さとしておけば、
このλ/2板6を傾けることにより、180度前後で位
相差補償を行うことができる。 <実施形態の作用>本実施形態においてλ/2板6を基
板Bに接着する際には、光学系全体の位相差を測定して
この位相差を補償するためのλ/2板6の角度を算出す
ることは、必らずしも必要ない。即ち、レーザダイオー
ド1からレーザ光を照射した状態で、λ/2板6を光軸
lに対して傾けながら、差動増幅器11の出力を観察す
る。そして、差動増幅器11の出力が最大になったとき
には、位相補償がなされていると考えることができる。
そこで、その時点でλ/a板6の回転を止めて、このλ
・2板6を基板Bに接着するのである。
においても用いられていたλ/2板6を、この光軸lに
おける位相差が光学系全体の位相差を補償する値となる
ように回転させるだけで、位相補償ができるので、特別
な位相補償素子を設ける必要がない。よって、装置全体
の大きさや重さが大きくなることがなく、部品点数の増
加に伴うコスト増加もない。そればかり、λ/2板6一
カ所で位相補償するために、他の光学素子の位相差の精
度を低くできるので、コストをむしろ低くすることがで
きる。
する。本第2実施形態は、λ/2波長板6を分光光学素
子としての第2偏光ビームスプリッタ7の入射側面に貼
り付けた例を示すものである。図2は、この第2実施形
態の情報読取装置の要部のみを示した光学構成図であ
る。この図2において、図1と同じ構成には同じ引用番
号を付した。
は、第2偏光ビームスプリッタ7の入射側面に貼り付け
られている。そのため、本題2実施例では、第2変調ビ
ームスプリッタ7(及び,光学クサビ8,コンデンサレ
ンズ9)をP偏光面面内で回転させて、λ/2板6を光
軸lに対して傾けるようにした。
第1実施形態のものと同一であるので、重複説明を省略
する。
装置によると、部品点数やコストを増やすことなく、従
来から用いられていた光学部品の一部を用いて位相補償
を行うことができ、その結果高いS/N比を得ることが
できる。
要部を示す光学構成図
要部を示す光学構成図
レーザ光の偏光状態を示す座標図
光の偏光状態を示す座標図
Claims (7)
- 【請求項1】光磁気ディスクの磁化膜に直線偏光光スポ
ットを照射する照射手段と、 前記磁化膜において反射された偏光光の光軸に対して傾
いて交わる様配置された前記偏光光を旋光させるλ/2
板と、 このλ/2板を透過した前記偏光光の所定方向における
偏向成分のみを分離する分離光学素子と、 この分離光学素子によって分離された偏光成分を受光す
る受光手段とを備えたことを特徴とする情報読取装置。 - 【請求項2】前記λ/2板の前記光軸に対する角度は、
このλ/2板内における前記偏光光の光路長が、前記照
射手段から前記受光手段に至る光学系全体の位相差に対
応する長さとなる角度であることを特徴とする請求項1
記載の情報読取装置。 - 【請求項3】前記λ/2板の平行平面の前記光軸に対す
る角度は、このλ/2板内における前記偏光光の光路長
に対応する位相差が、前記照射手段から前記受光手段に
至る光学系全体の位相差に相当する位相差を180度か
ら減算した値となる角度であることを特徴とする請求項
1記載の情報読取装置。 - 【請求項4】前記分離光学素子は前記偏光光を互いに直
交する方向の2つの偏光成分に分離し、 前記受光手段はこの分離光学素子により分離された偏光
成分を夫々受光することを特徴とする請求項1記載の情
報読取装置。 - 【請求項5】前記分離光学素子が前記偏光光から分離す
る前記偏光成分の方向は、前記偏光光の偏光面方向の平
均に対して45度をなす方向であることを特徴とする請
求項4記載の情報読取装置。 - 【請求項6】前記λ/2板は、前記照射手段によって照
射される前記直線偏光光の偏光面を45度回転させる向
きに配置されていることを特徴とする請求項1又は5記
載の情報読取装置。 - 【請求項7】前記λ/2板の出射側面と前記分離光学素
子の入射側面とが接合されていることを特徴とする請求
項1記載の情報読取装置。
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