JPH0567364A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光ピックアップ装置の小型化，軽量化，低廉
化を図りかつ高いＳ／Ｎ比を得る。 【構成】 半導体レーザ11と，コリメート・レンズ12お
よび対物レンズ13からなる集光光学系との間に，光軸に
対して傾いて配置されたガラス板14，15を設ける。半導
体レーザ11の発散する出射光は集光光学系によって光磁
気ディスク20上に集光される。光磁気ディスク20からの
反射光は集光光学系によって集光されながら，ガラス板
14，15でそれぞれ反射され，検光子31，32を通して光検
出器21，22に受光される。光検出器21，22の出力信号に
基づいて，データ読取信号，トラッキング・エラー信号
およびフォーカシング・エラー信号が作成される。集光
光学系には１／２波長板17が設けられる。この１／２波
長板17によって光磁気ディスク20上に投射される光の偏
光方向が調整される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は，光磁気ディスク，光
磁気カード等の光磁気記録媒体に情報を記録／再生する
ための光ピックアップ装置に関する。

【０００２】この発明において情報の記録／再生とは，
光磁気記録媒体に情報を記録すること，光磁気記録媒体
に記録されている情報を再生すること，ならびに記録お
よび再生することを含む。

【０００３】

【従来の技術】従来の光ピックアップ装置は，半導体レ
ーザからの発散光をコリメートする第１の光学系，コリ
メートされた光を光学的記録媒体上に集光させるととも
に光学的記録媒体からの反射光をコリメートする第２の
光学系，第２の光学系によってコリメートされた反射光
を偏光分離するための第１の偏光ビーム・スプリッタ，
偏光分離された光をさらにトラッキング制御用光とフォ
ーカシング制御用光とに分離するための第２の偏光ビー
ム・スプリッタ，分離された光をさらにトラッキング制
御用光検出器の受光面上に集光させるための第３の光学
系，分離された光をフォーカシング制御用光検出器の受
光面上に集光させるための第４の光学系，第３または第
４の光学系に設けられ，読取信号を得るための光検出器
に光を導くための第５の光学系等から構成されている。

【０００４】このような従来の光ピックアップ装置は数
多くの光学部品を使用しているのでその重量が大きく，
したがってアクセス・タイムが遅いという問題がある。
また，数多くの光学部品を使用しているので，部品のコ
ストが高くなるとともに，その組立て調整に手間と時間
がかかりこの点からも最終コストが高くなるという問題
点がある。

【０００５】また，光磁気ディスクは一般に複屈折率を
もつ材料で形成されているので，その反射光が複屈折率
特性に影響を受けると高いＳ／Ｎ比の信号を得ることが
できない。ＪＩＳ規格によると，半導体レーザからの投
射光のもつ直線偏光方向が光磁気ディスクのトラックに
平行または直交する方向と一致すると，光磁気ディスク
の複屈折率特性の影響を受けないまたは受けにくいとさ
れている。

【０００６】

【発明の目的，構成，作用および効果】この発明は光ピ
ックアップ装置の大幅な小型化，軽量化，低コスト化を
図るとともに，光磁気記録媒体のもつ複屈折率特性の影
響を受けないようにするまたは受けにくくすることを目
的とする。

【０００７】この発明は，発光素子と発光素子から出射
される発散光を光磁気記録媒体上に集光させるとともに
光磁気記録媒体からの反射光を集光させる集光光学系と
を備えた光ピックアップ装置において，上記発光素子と
上記集光光学系との間の上記発散光の光路上に，上記集
光光学系の光軸に対して傾けて配置され，入射する光の
一部を透過しかつ一部を反射する少なくとも２枚１組の
透明板（たとえば誘電体板），および光磁気記録媒体に
よって反射されかつ上記集光光学系によって集光される
光のうち上記透明板によって反射された光をそれぞれ受
光する少なくとも２個の光検出器を備え，上記１組の透
明板が，上記光軸に垂直な平面がこれらの透明板と交わ
ることによって生じる線分が互いにほぼ直交する方向に
傾いて配置されており，上記集光光学系に１／２波長板
が配置されていることを特徴とする。

【０００８】好ましくは，上記透明板の傾き角は，特定
の偏光面をもつ偏光成分を完全に透過させるブリュース
ター角に設定される。

【０００９】必要ならば上記光検出器の前方に，偏光方
向が互いに90°異なる検光子が配置される。

【００１０】上記発光素子から出射される発散光は上記
集光光学系によって光磁気記録媒体上に集光される。光
磁気記録媒体からの反射光は上記集光光学系によって集
光され，その一部が上記透明板によって反射して少なく
とも２つの光検出器によって受光される。

【００１１】光磁気記録媒体に記録された情報の読取り
は，光磁気記録媒体からの反射光の偏光面回転角の変化
（カー効果）を検出することによって行なわれる。

【００１２】透明板の一面に斜めに光が入射すると，そ
の反射率および透過率は偏光面選択性をもち，特定の偏
光成分の光に対して反射率が０％，透過率が100 ％とな
る入射角（ブリュースター角）がある。

【００１３】２枚の透明板の傾き方向を上記のように設
定することにより２枚の透明板の反射光が互いに直交す
る偏光成分のみを含むように，または多く含むようにす
ることができる。

【００１４】したがって，上記検光子を用いることな
く，または補助的に用いることにより，上記光検出器に
よって，光磁気記録媒体からの反射光に含まれる互いに
直交する偏光面をもつ光成分を検出することができるの
で，２つの光検出器の出力信号に基づいて情報の読取信
号を作成することができる。

【００１５】また，上記の少なくとも２つの光検出器か
らトラッキング・エラー信号およびフォーカシング・エ
ラー信号が得られる。

【００１６】この発明はまた，発光素子と発光素子から
出射される発散光を光磁気記録媒体上に集光させるとと
もに光磁気記録媒体からの反射光を集光させる集光光学
系とを備えた光ピックアップ装置において，上記発光素
子と上記集光光学系との間の上記発散光の光路上に，上
記集光光学系の光軸に対して傾けて配置され，入射する
光の一部を透過しかつ一部を反射する少なくとも２枚の
透明板，光磁気記録媒体によって反射されかつ上記集光
光学系によって集光される光のうち上記透明板を透過し
たまたは上記透明板によって反射された光を受光する少
なくとも２個の光検出器，上記光検出器とそれに対応す
る透明板との間に配置され，上記発光素子から出射され
る光の偏光方向とそれぞれ45度の角度をなしかつ相互に
直交する偏光方向の光をそれぞれ透過する検光子，およ
び上記集光光学系に配置された１／２波長板を備えてい
ることを特徴とする。

【００１７】上記発光素子から出射される発散光は上記
集光光学系によって光磁気記録媒体上に集光される。光
磁気記録媒体からの反射光は上記集光光学系によって集
光され，その一部が上記透明板を透過してまたは上記透
明板によって反射し，上記検光子を通して少なくとも２
つの光検出器によって受光される。上記の少なくとも２
の光検出器からトラッキング・エラー信号およびフォー
カシング・エラー信号が得られる。上記の少なくとも２
つの光検出器の前面に，偏光方向が互いに90度異なる検
光子が置かれているので，上記光検出器の出力信号の差
をとることによって記録情報による反射光の偏光面回転
角が検出される。

【００１８】この発明においては上記集光光学系に１／
２波長板が配置されているので，この１／２波長板を回
転させることにより光の旋光角を調整し，光磁気記録媒
体に投射される光の偏光面方向を容易に調整することが
できる。とくに，上記１／２波長板によって，光磁気記
録媒体に投射される光の偏光方向が光磁気記録媒体のト
ラック方向と平行または垂直になるように調整すること
ができる。光磁気記録媒体からの反射光は上記１／２波
長板を逆方向に通ることによってその偏光面が投射光と
反対方向に同じ角度旋光されるので，１／２波長板にお
ける旋光は相殺される。

【００１９】この発明によると，発光素子と集光光学系
との間に少なくとも２枚の透明板を配置することにより
最低限必要な光学的構成をもつ光ピックアップ装置が実
現されるので，その小型化，軽量化を図ることができ
る。

【００２０】この発明の光ピックアップ装置において不
可欠の光学部品は，発光素子，集光光学系，透明板およ
び光検出器であり，要すれば検光子を設ければ足りるの
で，大幅な低廉化を図ることができる。

【００２１】さらに上記１／２波長板の調整により，光
磁気記録媒体に投射される光の偏光方向を光磁気記録媒
体のトラック方向と平行または直交するように設定する
ことができるので，光磁気記録媒体のもつ複屈折率特性
の影響を受けないまたは受けにくくすることができ，高
いＳ／Ｎ比の各種信号を得ることが可能となる。

【００２２】

【実施例】図１および図２はこの発明の実施例を示して
いる。

【００２３】光ピックアップ装置は，半導体レーザ11
と，この半導体レーザ11から出射する発散光を光磁気デ
ィスク20上に集光する集光光学系とを含んでいる。集光
光学系は，発散光をコリメートするコリメート・レンズ
12と，コリメート光を集光する対物レンズ13と，これら
のレンズ12，13間に配置された１／２波長板または半波
長板（旋光子）17とを含んでいる。

【００２４】半導体レーザ11とコリメート・レンズ12と
の間の上記発散光の光路上に，２枚のガラス板14および
15が，半導体レーザ11および集光光学系の光軸に対して
傾けた状態で配置されている。

【００２５】半導体レーザ11から出射する発散光は２枚
のガラス板14および15を透過して，集光光学系によって
光磁気ディスク20上に集光される。半導体レーザ11から
出射する発散光の一部はガラス板14で反射して光検出器
23によって受光される。光検出器23の受光信号に基づい
て半導体レーザ11の出射光強度が制御される。

【００２６】光磁気ディスク20からの反射光は集光光学
系によって集光される。この集光される反射光は，その
一部がガラス板15によって反射され光検出器22に入射
し，このガラス板15を透過した光の一部はさらにガラス
板14で反射され光検出器21に入射する。

【００２７】光磁気ディスク20からの反射光は集光光学
系によって集光されているのでガラス板15と光検出器22
との間，およびガラス板14と光検出器21との間に集光レ
ンズ等を設ける必要は必ずしもない。

【００２８】図３は，ガラス板（屈折率＝1.5 ）の面に
光が斜めに入射した場合における，その光の反射係数と
透過係数の入射角依存性を示している。

【００２９】Ｔ_p はＰ偏光成分の透過係数，Ｔ_s はＳ偏
光成分の透過係数，Ｒ_p はＰ偏光成分の反射係数，Ｒ_s
はＳ偏光成分の反射係数である。ガラス面に平行な成分
がＳ偏光成分，垂直な成分がＰ偏光成分である。

【００３０】図３から分るように，ある角度α_B （これ
をブリュースター角という）において，Ｒ_p が０％とな
り，Ｔ_p が100 ％となる。このときＲ_s ，Ｔ_s は０また
は100 ％以外の値をとる。

【００３１】したがって，ガラス板を入射光に対してブ
リュースター角α_Bで傾けておけば，ガラス板からの反
射光はＳ偏光成分のみとなる。ガラス板の傾き角がブリ
ュースター角以外であってもガラス板からの反射光には
Ｐ偏光成分よりもＳ偏光成分がより多く含まれるように
なる。

【００３２】ガラス板14と15とを，集光光学系の光軸に
垂直な面がこれらのガラス板14および15と交叉すること
により形成される線分が互いに直交するように配置し，
かつ集光光学系によって集光される反射光の入射角がブ
リュースター角になるように傾けておけば，ガラス板14
および15からの反射光は互いに直交する偏光成分のみを
含むものとなり，これらの光のみが光検出器21および22
によってそれぞれ検知される。すなわち，光検出器21に
よって受光されるガラス板14の反射光はＳ偏光成分（ガ
ラス板14を基準とする）であり，これは光検出器22によ
って受光されるガラス板15の反射光であるＳ偏光成分
（ガラス板15を基準とする）と偏光方向が直交する。ガ
ラス板14のＳ偏光成分はガラス板15のＰ偏光成分と偏光
方向が一致し，ガラス板14のＰ偏光成分はガラス板15の
Ｓ偏光成分と偏光方向が一致する。

【００３３】ガラス板14と15のその入射光に対する傾き
角がブリュースター角以外であっても，ガラス板14と15
からの反射光は互いに直交する偏光成分をより多く含む
ようになる。これらの互いに直交する偏光成分のみがそ
れぞれ通過するように，偏光方向が互いに直交するよう
に配置された検光子31および32を光検出器21および22の
前方に設けることにより，互いに直交する偏光成分のみ
が光検出器21および22によってそれぞれ検知される。

【００３４】半導体レーザ11から出射する直線偏光の偏
光方向はこれらの互いに直交する偏光方向（検光子31，
32を通過する光の偏光方向）と，ともに45度の角度をな
している。

【００３５】半導体レーザ11から出射する直線偏光の偏
光方向は集光光学系に設けられた１／２波長板17によっ
て角度ψ旋回させられる。この旋回角ψは１／２波長板
17の角度位置（光軸と１／２波長板17の中心とを一致さ
せておいて１／２波長板17を回転させて位置決めしたと
きのその主軸方位を基準とする角度位置）によって調整
することができる。

【００３６】この実施例では１／２波長板17によって旋
回された偏光方向が光磁気ディスク20のトラック方向と
平行または直交するように１／２波長板17が調整されて
いるものとする。

【００３７】光磁気ディスク20からの反射光は再び１／
２波長板17を通ることによってその偏光方向が角度−ψ
旋回させられる。したがって，ガラス板15の位置から集
光光学系をみたときに１／２波長板17はあたかも存在し
ていないのと等価である。このようにして１／２波長板
17は光磁気ディスク20への投射光の偏光方向を特定の方
向（たとえば上述のようにトラック方向と平行な方向ま
たは直交する方向）に調整する作用をなすにとどまり，
光磁気ディスク20とガラス板14，15，検光子31，32，光
検出器21，22との間の光学的関係には何らの影響も及ぼ
さない。

【００３８】図４に示すように光検出器21は３つに分割
されかつ相互に電気的に絶縁されたフォトダイオード21
ａ，21ｂおよび21ｃを備えている。中央のフォトダイオ
ード21ｂの幅が狭くつくられている。そして，３つのフ
ォトダイオード21ａ〜21ｃの分割線（境界線）は光磁気
ディスク20のトラック方向にのびている。光磁気ディス
ク20のトラック方向とは，光磁気ディスク20からの反射
光によって光検出器21の受光面上に形成されるトラック
の像の方向である。

【００３９】光検出器22も同じように３つに分割されか
つ相互に電気的に絶縁されたフォトダイオード22ａ，22
ｂおよび22ｃを備えている。中央のフォトダイオード22
ｂの幅が狭い。３つのフォトダイオード22ａ〜22ｃの分
割線（境界線）は光磁気ディスク20のトラック方向と平
行である。

【００４０】フォトダイオード21ａ，21ｂ，21ｃ，22
ａ，22ｂおよび22ｃの出力信号をそれぞれ同じ符号21
ａ，21ｂ，21ｃ，22ａ，22ｂおよび22ｃを用いて表わ
す。ガラス板14，15からの反射光により光検出器21，22
上に形成される光スポットをＰ₁ ，Ｐ₂ で表わす。

【００４１】まずトラッキング・エラー信号の作成につ
いて述べる。トラッキング・エラー信号は光検出器21の
フォトダイオード21ａと21ｃの出力信号を用いて，減算
器41によって21ａ−21ｃが演算されることにより作成さ
れる（プッシュプル法）。光検出器22のフォトダイオー
ド22ａと22ｃの出力信号を用いて，22ａ−22ｃの演算に
よりトラッキング・エラー信号を作成することもでき
る。

【００４２】次にフォーカシング・エラー信号の作成に
ついて述べる。

【００４３】図２に最もよく示されているように，光検
出器21はその受光面が，正しくフォーカシングが行われ
ているときにおいて，ガラス板14からの反射光の焦点位
置の少し後方に位置するように配置されている。光検出
器22はその受光面が，正しくフォーカシングが行われて
いるときにおいて，ガラス板15からの反射光の焦点位置
の少し前方に位置するように配置されている。また，両
検出器21，22の光スポットＰ₁ とＰ₂ の光強度がほぼ同
じ程度になるようにガラス板14，15の透過率または反射
率が調整されることが好ましい。

【００４４】加算器42，44，減算器43，45，46を用い
て，

【数１】 ［（21ａ＋21ｃ）−21ｂ］−［（22ａ＋22ｃ）−22ｂ］ が演算されることにより，フォーカシング・エラー信号
が作成される（ダブル・ビーム・サイズ法）。

【００４５】読取信号は図示しない演算器によって，

【数２】（21ａ＋21ｂ＋21ｃ）−（22ａ＋22ｂ＋22ｃ） が演算されることにより作成される。

【００４６】図５は光検出器21の他の構成例を示してい
る。光検出器21は，相互に独立した６個のフォトダイオ
ード21ａ〜21ｆによって構成されている。ガラス板14の
表面からの反射光Ｐ₁₁がフォトダイオード21ａ〜21ｃに
よって，ガラス板15の裏面からの反射光Ｐ₁₂がフォトダ
イオード21ｄ〜21ｆによってそれぞれ受光される。光検
出器22も同じように構成される。

【００４７】この構成においては，ガラス板の表面から
の反射光によって作成される信号と裏面からの反射光に
よって作成される対応する信号との和をそれぞれとるこ
とにより，トラッキング・エラー信号，フォーカシング
・エラー信号および読取信号が得られるので，これらの
各種信号のレベルが大きくなり，Ｓ／Ｎ比が向上する。

【００４８】図６は光検出器21のさらに他の例を示して
いる。この光検出器21はトラック方向にそう分割線によ
って分割された２つのフォトダイオード21ｄ，21ｅと，
トラック方向に直交する方向にそう分割線によって分割
された３つのフォトダイオード21ａ，21ｂ，21ｃとの５
個のフォトダイオードから構成されている。

【００４９】トラッキング・エラー信号は演算21ｄ−21
ｅにより得られる。光検出器22も同じ構成であり，フォ
ーカシング・エラー信号は上述したダブル・ビーム・サ
イズ法により検出される。読取信号は光検出器21の全フ
ォトダイオードの出力信号の和と光検出器22の全フォト
ダイオードの出力信号の和との差として求められる。

【００５０】図４，５および６において，同じ符号21，
21ａ〜21ｆ等が用いられているが，相互に関連性はな
い。

【００５１】必要ならば３枚以上のガラス板を配置し，
各ガラス板に対応してフォーカシング・エラー検出用，
トラッキング・エラー検出用等の光検出器を設けるよう
にしてもよい。

【００５２】ガラス板の反射率，透過率は必要に応じて
適切にあらかじめ調整される。この調整において，ガラ
ス板の少なくとも一面に無反射コート，半鏡面コート等
のコーティングを施すとよい。無反射コートは，とくに
ガラス板の両面のうちいずれか一方の面のみからの反射
光を得ることが必要な場合に有用である。

【００５３】さらに必要であれば，ガラス板の厚さを，
光磁気ディスク20上において波面収差の影響が無視でき
る程度にまで薄く（たとえば100 μｍ程度以下）する。
または，コリメート・レンズ12等の形状を，光磁気ディ
スク20上に形成される光スポットに波面収差の影響がほ
とんど生じないような形状（たとえば非球面，非対称レ
ンズとする）とするとよい。

【００５４】また，半導体レーザ11と集光光学系のコリ
メート・レンズ12との間に，半導体レーザ11から出射す
る楕円形断面の光を円形断面の光に修正する光ビーム整
形光学系を設けることもできる。また，半導体レーザ11
とガラス板14との間に，半導体レーザ11の出射光を通過
させ，光磁気ディスク20からの反射光の半導体レーザ11
への入射を阻止するアイソレータ光学系を設けてもよ
い。もし必要ならばガラス板と光検出器との間に集光光
学系を設けることもできる。

【００５５】図７は変形例を示している。

【００５６】図１および図２に示すものと比較すると，
ガラス板の代わりに反射率が比較的高く，透過率が比較
的低いハーフミラー14が配置されている。また，半導体
レーザ11と光検出器21の位置が交換されている。１／２
波長板17はガラス板15とコリメート・レンズ12との間に
配置されている。

【００５７】半導体レーザ11の出射光はハーフミラー14
によって反射して集光光学系に導かれ，光磁気ディスク
20上に焦点を結ぶように集光される。光磁気ディスク20
からの反射光のうち，ガラス板15を透過した光のさらに
一部はハーフミラー16を透過して光検出器21に入射す
る。

【００５８】さらに図４においては，ハーフミラー14と
ガラス板15とは，光軸に垂直な平面と交わることにより
生じる線分が互いに平行になるように配置されている。
この構成によっても，互いに直交する偏光方向成分を多
く含む光がガラス板15で反射しおよびハーフミラー14を
透過する。そして，これらの光が互いに直交する偏光方
向の光の通過を許す検光子31および32をそれぞれ通して
光検出器21および22に入射する。

【００５９】図８はさらに他の変形例を示している。

【００６０】集光光学系からコリメート・レンズ12が除
かれ，一層の小型化が図られている。対物レンズ13は半
導体レーザ11の発散する出射光を光磁気ディスク20上に
集光する。また，光磁気ディスク20からの反射光は対物
レンズ13によって集光される。１／２波長板17はガラス
板15とレンズ13との間に配置されている。

【００６１】図９はさらに他の変形例を示している。

【００６２】ガラス板14および15は，これらのガラス板
14，15が光軸に垂直な平面と交わることにより生じる線
分が互いに平行になるように配置されている（必ずしも
このように配置する必要はない）。ガラス板14，15にお
いてはＰ偏光成分，Ｓ偏光成分の両方が反射するので，
検光子31，32を光検出器21，22の前面に配置することが
必要となる。これらの検光子31，32は相互に直交しかつ
半導体レーザ11の出射光の偏光方向に対してそれぞれ45
°の角度をもつ偏光方向の光のみの通過をそれぞれ許
す。

【００６３】図10は，図９においてコリメート・レンズ
12を省略した変形例を示す。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による光ピックアップ装置の実施例を
示すものであり，光ピックアップ装置の光学的構成の平
面図である。

【図２】この発明による光ピックアップ装置の実施例を
示すものであり，図１に示す光学系の一部を示す斜視図
である。

【図３】ガラス板の反射係数および透過係数の入射角依
存性を示すグラフである。

【図４】トラッキング・エラー信号およびフォーカシン
グ・エラー信号を作成する回路を示すブロック図であ
る。

【図５】光検出器の構成の他の例を示す。

【図６】光検出器の構成のさらに他の例を示す。

【図７】光ピックアップ装置の変形例を示すものであ
る。

【図８】光ピックアップ装置の他の変形例を示すもので
ある。

【図９】光ピックアップ装置のさらに他の変形例を示す
ものである。

【図１０】光ピックアップ装置のさらに他の変形例を示
すものである。

【符号の説明】

11 半導体レーザ 12 コリメート・レンズ 13 対物レンズ 14，15 ガラス板 17 １／２波長板 20 光磁気ディスク 21，22 光検出器 21ａ〜21ｆ，22ａ〜22ｃ フォトダイオード 31，32 検光子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清本 浩伸 京都市右京区花園土堂町10番地 オムロン 株式会社内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光素子と発光素子から出射される発散
   光を光磁気記録媒体上に集光させるとともに光磁気記録
   媒体からの反射光を集光させる集光光学系とを備えた光
   ピックアップ装置において， 上記発光素子と上記集光光学系との間の上記発散光の光
   路上に，上記集光光学系の光軸に対して傾けて配置さ
   れ，入射する光の一部を透過しかつ一部を反射する少な
   くとも２枚１組の透明板，および光磁気記録媒体によっ
   て反射されかつ上記集光光学系によって集光される光の
   うち上記透明板によって反射された光をそれぞれ受光す
   る少なくとも２個の光検出器を備え， 上記１組の透明板が，上記光軸に垂直な平面がこれらの
   透明板と交わることによって生じる線分が互いにほぼ直
   交する方向に傾いて配置されており， 上記集光光学系に１／２波長板が配置されていることを
   特徴とする光ピックアップ装置。
2. 【請求項２】 発光素子と発光素子から出射される発散
   光を光磁気記録媒体上に集光させるとともに光磁気記録
   媒体からの反射光を集光させる集光光学系とを備えた光
   ピックアップ装置において， 上記発光素子と上記集光光学系との間の上記発散光の光
   路上に，上記集光光学系の光軸に対して傾けて配置さ
   れ，入射する光の一部を透過しかつ一部を反射する少な
   くとも２枚１組の透明板，および光磁気記録媒体によっ
   て反射されかつ上記集光光学系によって集光される光の
   うち一方の透明板によって反射された光を受光する光検
   出器と他方の透明板を透過した光を受光する光検出器を
   備え， 上記１組の透明板が，上記光軸に垂直な平面がこれらの
   透明板と交わることによって生じる線分が互いにほぼ平
   行となる方向に傾いて配置されており， 上記集光光学系に１／２波長板が配置されていることを
   特徴とする光ピックアップ装置。
3. 【請求項３】 上記透明板が，光磁気記録媒体からの反
   射光の入射角がブリュースター角に等しくなる角度に配
   置されている，請求項１または２に記載の光ピックアッ
   プ装置。
4. 【請求項４】 上記光検出器とそれに対応する透明板と
   の間に検光子が配置されている，請求項１または２に記
   載の光ピックアップ装置。
5. 【請求項５】 発光素子と発光素子から出射される発散
   光を光磁気記録媒体上に集光させるとともに光磁気記録
   媒体からの反射光を集光させる集光光学系とを備えた光
   ピックアップ装置において， 上記発光素子と上記集光光学系との間の上記発散光の光
   路上に，上記集光光学系の光軸に対して傾けて配置さ
   れ，入射する光の一部を透過しかつ一部を反射する少な
   くとも２枚の透明板， 光磁気記録媒体によって反射されかつ上記集光光学系に
   よって集光される光のうち上記透明板を透過したまたは
   上記透明板によって反射された光を受光する少なくとも
   ２個の光検出器， 上記光検出器とそれに対応する透明板との間に配置さ
   れ，上記発光素子から出射される光の偏光方向とそれぞ
   れ45度の角度をなしかつ相互に直交する偏光方向の光を
   それぞれ透過する検光子，および上記集光光学系に配置
   された１／２波長板， を備えた光ピックアップ装置。
6. 【請求項６】 上記１／２波長板によって，光磁気記録
   媒体に投射される光の偏光方向が光磁気記録媒体のトラ
   ック方向と平行または垂直になるように調整されている
   請求項１から５のいずれか一項に記載の光ピックアップ
   装置。
7. 【請求項７】 上記光検出器の出力信号を用いて，トラ
   ッキング・エラー信号を作成する手段およびフォーカシ
   ング・エラー信号を作成する手段を備えている，請求項
   １から６のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。
8. 【請求項８】 上記光検出器の出力信号を用いて読取信
   号を作成する手段を備えている，請求項１から７のいず
   れか一項に記載の光ピックアップ装置。
9. 【請求項９】 上記発光素子から出射されかつ上記透明
   板によって反射された光を受光し，上記発光素子の発光
   強度を制御するための信号を出力する光検出器が設けら
   れている，請求項１から８のいずれか一項に記載の光ピ
   ックアップ装置。
10. 【請求項１０】 上記透明板の少なくとも一面に反射率
    を調整するためのコーティングが施されている，請求項
    １から９のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。