JPH04222937A - 光ピックアップおよび光ピックアップのレーザビーム出力制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本願各発明は、光ピックアップお
よび光ピックアップのレーザビーム出力制御方法に関し
、詳しくは、トラック検出やフォーカス検出の検出用の
レーザビームの光量低下を防止しつつレーザビームの出
力制御を正確に行なう光ピックアップおよび光ピックア
ップのレーザビーム出力制御方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ピックアップは、レーザビームを用い
て光ディスクや光磁気ディスク等の情報記憶媒体の情報
の読み取りや書き込み、さらには消去等を行なう。この
ような光ピックアップにおいては、トラック検出やフォ
ーカス検出を行なうために、従来、レーザビーム出力手
段である半導体レーザからの光を、２つの偏光ビームス
プリッタを利用して、情報記憶媒体に導入し、情報記憶
媒体で反射されたレーザビームをこれら２つの偏光ビー
ムスプリッタを利用してトラック検出やフォーカス検出
を行なう検出機構に導入している。

【０００３】しかしながら、このような従来の光ピック
アップにあっては、トラック検出やフォーカス検出を行
なうために、２つの偏光ビームスプリッタを用いていた
ため、ガラス部品点数が多くコストが高くつくとともに
、光ピックアップが大型化するという問題があった。 そこで、特開昭６０−１１５０３２号公報に記載されて
いるように、情報記憶媒体に向けて照射される光束を集
光する対物レンズと、情報記憶媒体で反射し再び対物レ
ンズを通過した光束の光路上に配置された投射レンズと
、この投射レンズを通過した光束を光軸に対して非対象
に抜出す光抜出部材と、この光抜出部材により抜出され
た光束を受光して少なくとも焦点ぼけを検出する第１の
光検出器と、上記光抜出部材に固定され、光抜出部材に
より抜出されない光を受光して少なくともトラックずれ
を検出する第２の光検出器と、を具備した光学ヘッドが
提案されている。したがって、この従来の光学ヘッドに
より、ガラス部品点数の減少によるコストの低減化や光
ピックアップの小型化が図られる。また、従来の光ピッ
クアップや光学ヘッドでは、一般に、レーザ出力手段と
して半導体レーザが使用されており、この半導体レーザ
の出力調整を、半導体レーザに内蔵された受光素子で半
導体レーザ後方出射光を受光し、この受光素子の出力に
基づいて行なっていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
光ピックアップにおいても処理の高速化が要請され、デ
ータ転送速度の向上が必要となっている。このデータ転
送速度を向上させるためには、情報記憶媒体の回転数を
速くし、情報の読み取り、書き込みおよび消去速度を速
くする必要がある。情報記憶媒体への情報を高速で読み
取り等行なうためには、レーザ出力手段である半導体レ
ーザ等を従来のものよりも高出力タイプのものを使用す
る必要がある。

【０００５】ところが高出力タイプの半導体レーザを使
用すると、半導体レーザのノイズが増大したり、半導体
レーザ内蔵の受光素子で半導体レーザ後方出射光をモニ
ターして半導体レーザの出力制御を行なった場合に、出
力制御を正確に行なうことができないという問題があっ
た。第１の問題である半導体レーザのノイズが増大する
ことに対しては、半導体レーザを高周波重畳し、発振モ
ードをマルチモードとすることによりノイズの発生を抑
えることができる。

【０００６】第２の問題である半導体レーザの出力制御
を正確に行なえないことに対しては、半導体レーザ内蔵
の受光素子で半導体レーザ後方出射光をモニターして半
導体レーザの出力制御を行なった場合に正確な出力制御
を行なえない原因が、情報記憶媒体で反射されたレーザ
ビームが偏光ビームスプリッタを介して半導体レーザに
戻ってくるいわゆる戻り光の影響により前方出射光パワ
ーと後方出射光パワーとの比が変動することにあること
から、正確な半導体レーザの出力制御を行なうためには
、半導体レーザの前方出射光パワーを直接モニターして
制御する必要がある。すなわち、図６に示すように、半
導体レーザの駆動電流Ｉと前方出射光パワーＰとの関係
および内蔵受光素子電流Ｉｄと前方出射光パワーＰとの
関係は、戻り光がない場合（実線で表示）と、戻り光が
ある場合（破線で表示）と、で異なり、この内蔵受光素
子電流Ｉｄに基づいて半導体レーザの出力制御を行なう
と、正確な制御を行なうことができない。例えば、戻り
光がないとき、内蔵受光素子電流Ｉｄ１のときの前方出
射光パワーＰはＰ１になり、このときの駆動電流Ｉは、
Ｉ１となるが、戻り光があるときには、前方出射光パワ
ーＰと駆動電流Ｉとの関係は、破線に変化するため、前
方出射光パワーＰは、Ｐ２に変化する。したがって、後
方出射パワーを内蔵受光素子でモニターして前方出射光
パワーＰを制御すると、正確な制御が行なえないことと
なる。特に、高出力の半導体レーザを使用した場合、こ
の戻り光による前方出射光パワーと後方出射光パワーと
の比の変動が大きくなり、正確な制御を行なうことがで
きない。

【０００７】そのため従来では、図７に示すように、光
ピックアップ１を、半導体レーザ２、コリメートレンズ
３、偏光ビームスプリッタ４、１／４波長板５、偏光ビ
ームスプリッタ６、対物レンズ７、集光レンズ８、受光
素子９、レーザ制御回路１０および検出機構１１により
構成し、検出機構１１を、集光レンズ１２、ナイフエッ
ジプリズム１３、フォーカス受光素子１４およびトラッ
ク受光素子１５で構成している。

【０００８】この光ピックアップ１では、半導体レーザ
２から発光されたレーザビームをコリメートレンズ３に
より平行光に変換して偏光ビームスプリッタ４に入射し
、偏光ビームスプリッタ４で反射して１／４波長板５を
介して偏光ビームスプリッタ６に入射する。すなわち、
半導体レーザ２からの光は、偏光ビームスプリッタ４に
対してＳ偏光になっており、偏光ビームスプリッタ４で
ほぼ１００％反射される。

【０００９】また、偏光ビームスプリッタ４で反射され
たレーザビームは、偏光ビームスプリッタ６に対しては
、Ｐ偏光となっており、偏光ビームスプリッタ６は、入
射されたレーザビームをほぼ１００％透過し、透過した
レーザビームを対物レンズ７で情報記憶媒体である光デ
ィスク１６に集光させる。ところが偏光ビームスプリッ
タ６は、偏光ビームスプリッタ４から入射されるレーザ
ビームの一部（約１％）を反射し、集光レンズ８で受光
素子９に集光する。光ディスク１６で反射されたレーザ
ビームは、対物レンズ７で平行束に変換されて偏光ビー
ムスプリッタ６および偏光ビームスプリッタ４を介して
検出機構１１に入射され、検出機構１１では、集光レン
ズ１２で収束光にされて、ナイフエッジプリズム１３に
より２分割する。２分割された一方は、フォーカス受光
素子１４に入射され、ナイフエッジ法によるフォーカス
検出が行なわれる。また、２分割された他方は、トラッ
ク受光素子１５に入射され、プッシュプル法によりトラ
ック検出が行なわれる。

【００１０】上記受光素子９には、半導体レーザ２から
出射された前方出射光をコリメートレンズ３、偏光ビー
ムスプリッタ４、１／４波長板５、偏光ビームスプリッ
タ６および集光レンズ８を介して入射されるため、受光
素子９は、半導体レーザ２の前方出射光をモニターする
。この受光素子９の出力に基づいて、レーザ制御回路１
０により半導体レーザ２の発光パワーを制御する。

【００１１】しかしながら、このような従来の光ピック
アップ１では、半導体レーザ２の前方出射光パワーを検
出するために、偏光ビームスプリッタ４と対物レンズ７
との間に偏光ビームスプリッタ６を配設し、半導体レー
ザ２からの出射光の一部を受光素子９に投射していたた
め、この偏光ビームスプリッタ６により光ディスク１６
からの反射光の一部も偏光ビームスプリッタ６により反
射され、再生信号の検出系や検出機構１１に入射される
レーザビームの光量が低下する。したがって、偏光ビー
ムスプリッタ６を必要とすることから、コストが高くな
り、かつ光ピックアップが大型化するだけでなく、再生
信号のＣ／Ｎが低下したり、検出機構１１での検出制度
が悪化して、サーボ系の信頼性が低下するという問題が
あった。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
レーザビームを出射するレーザ出力手段と、レーザ出力
手段からのレーザビームをそのレーザビームの振動面に
応じて透過および所定角度方向に反射するとともに、レ
ーザビームの入射角に応じてその透過率あるいは反射率
が変化する偏光ビームスプリッタと、偏光ビームスプリ
ッタで反射あるいは透過された光を情報記憶媒体に集光
する対物レンズと、対物レンズと偏光ビームスプリッタ
との間に配置されレーザビームの偏光ビームスプリッタ
に対する偏光面を変更する１／４波長板と、を備え、レ
ーザ出力手段から投射されたレーザビームを偏光ビーム
スプリッタにより情報記憶媒体方向に反射あるいは透過
し、１／４波長板および対物レンズを介して情報記憶媒
体にレーザビームを集光して情報記憶媒体から少なくと
も情報を読み取り、情報記憶媒体から反射されたレーザ
ビームを対物レンズおよび１／４波長板を介して偏光ビ
ームスプリッタに入射し、偏光ビームスプリッタを透過
あるいは反射させて、トラック検出やフォーカス検出に
利用する光ピックアップであって、前記偏光ビームスプ
リッタと前記レーザ出力手段との配置位置を該レーザ出
力手段から該偏光ビームスプリッタへのレーザビームの
入射面が所定角度をなす位置に配置し、該レーザ出力手
段からのレーザビームを偏光ビームスプリッタで所定量
だけ透過あるいは反射させ、該偏光ビームスプリッタを
透過あるいは反射した所定量の透過光を受光する受光素
子と、該偏光ビームスプリッタを透過あるいは反射した
所定量の透過光を該受光素子に集光する集光レンズと、
を設け、偏光ビームスプリッタを透過あるいは反射した
一方のレーザビームを集光レンズを介して受光素子に集
光し、該受光素子の出力に基づいてレーザ出力手段のレ
ーザビームの出力制御を行なうことを特徴とし、請求項
２記載の発明は、レーザビームを出射するレーザ出力手
段と、レーザ出力手段からのレーザビームをそのレーザ
ビームの振動面に応じて透過および所定角度方向に反射
するとともに、レーザビームの入射角に応じてその透過
率あるいは反射率が変化する偏光ビームスプリッタと、
偏光ビームスプリッタで反射あるいは透過された光を情
報記憶媒体に集光する対物レンズと、対物レンズと偏光
ビームスプリッタとの間に配置されレーザビームの偏光
ビームスプリッタに対する偏光面を変更する１／４波長
板と、を備え、レーザ出力手段から投射されたレーザビ
ームを偏光ビームスプリッタにより情報記憶媒体方向に
反射あるいは透過し、１／４波長板および対物レンズを
介して情報記憶媒体にレーザビームを集光して情報記憶
媒体から少なくとも情報を読み取り、情報記憶媒体から
反射されたレーザビームを対物レンズおよび１／４波長
板を介して偏光ビームスプリッタに入射し、偏光ビーム
スプリッタを透過あるいは反射させて、トラック検出や
フォーカス検出に利用する光ピックアップのレーザビー
ム出力制御方法であって、前記偏光ビームスプリッタと
前記レーザ出力手段との配置位置を該レーザ出力手段か
ら該偏光ビームスプリッタへのレーザビームの入射面が
所定角度をなす位置に配置し、該レーザ出力手段からの
レーザビームを偏光ビームスプリッタで所定量だけ透過
あるいは反射させ、該偏光ビームスプリッタを透過ある
いは反射した所定量の透過光を受光する受光素子と、該
偏光ビームスプリッタを透過あるいは反射した所定量の
透過光を該受光素子に集光する集光レンズと、を設け、
偏光ビームスプリッタを透過あるいは反射した一方のレ
ーザビームを集光レンズを介して受光素子に集光し、該
受光素子の出力に基づいてレーザ出力手段のレーザビー
ムの出力制御を行なうことを特徴とし、請求項３記載の
発明は、レーザビームを出射するレーザ出力手段と、レ
ーザ出力手段からのレーザビームをそのレーザビームの
振動面に応じて透過および所定角度方向に反射する偏光
ビームスプリッタと、偏光ビームスプリッタで反射ある
いは透過された光を情報記憶媒体に集光する対物レンズ
と、対物レンズと偏光ビームスプリッタとの間に配置さ
れレーザビームの偏光ビームスプリッタに対する偏光面
を変更する１／４波長板と、を備え、レーザ出力手段か
ら投射されたレーザビームを偏光ビームスプリッタによ
り情報記憶媒体方向に反射あるいは透過し、１／４波長
板および対物レンズを介して情報記憶媒体にレーザビー
ムを集光して情報記憶媒体から少なくとも情報を読み取
り、情報記憶媒体から反射されたレーザビームを対物レ
ンズおよび１／４波長板を介して偏光ビームスプリッタ
に入射し、偏光ビームスプリッタを透過あるいは反射さ
せて、トラック検出やフォーカス検出に利用する光ピッ
クアップであって、前記偏光ビームスプリッタとして前
記レーザ出力手段からのレーザビームを所定量だけ透過
させものを使用し、該レーザ出力手段からのレーザビー
ムを偏光ビームスプリッタで所定量だけ透過あるいは反
射させ、該偏光ビームスプリッタを透過あるいは反射し
た所定量の透過光を受光する受光素子と、該偏光ビーム
スプリッタを透過あるいは反射した所定量の透過光を該
受光素子に集光する集光レンズと、を設け、偏光ビーム
スプリッタを透過あるいは反射した一方のレーザビーム
を集光レンズを介して受光素子に集光し、該受光素子の
出力に基づいてレーザ出力手段のレーザビームの出力制
御を行なうことを特徴としている。

【００１３】

【作用】請求項１記載の発明によれば、レーザ出力手段
から投射されたレーザビームを情報記憶媒体方向に反射
あるいは透過する偏光ビームスプリッタを、レーザ出力
手段からのレーザビームの入射面が所定角度をなすよう
に配置し、レーザ出力手段からのレーザビームを偏光ビ
ームスプリッタで所定量だけ透過あるいは反射させ、残
りのレーザビームを反射あるいは透過させる。偏光ビー
ムスプリッタで反射あるいは透過されたレーザビームの
一方を、１／４波長板および対物レンズを介して情報記
憶媒体に集光して、情報記憶媒体から少なくとも情報を
読み取り、情報記憶媒体から反射されたレーザビームを
対物レンズおよび１／４波長板を介して偏光ビームスプ
リッタに入射する。情報記憶媒体から反射されたレーザ
ビームは、１／４波長板を通過することによりその振動
面が変更して、偏光ビームスプリッタをほぼ１００％透
過あるいは反射し、該透過光あるいは反射光をトラック
検出やフォーカス検出に利用する。一方、前記偏光ビー
ムスプリッタを透過あるいは反射した他方を、対物レン
ズを介して、受光素子で受光し、該受光素子の出力に基
づいてレーザ出力手段のレーザビームの出力制御を行な
う。したがって、偏光ビームスプリッタが一つだけです
み、ガラス部品を削減して、光ピックアップのコストを
低減することができるとともに、情報記憶媒体から検出
機構に導入される情報記憶媒体の反射光の光量の減衰を
低減することができ、検出機構によるトラック検出やフ
ォーカス検出の検出精度を向上させて、サーボ機構の制
御精度を向上させることができる。

【００１４】請求項２記載の発明によれば、レーザ出力
手段から投射されたレーザビームを情報記憶媒体方向に
反射あるいは透過する偏光ビームスプリッタを、レーザ
出力手段からのレーザビームの入射面が所定角度をなす
ように配置し、レーザ出力手段からのレーザビームを偏
光ビームスプリッタで所定量だけ透過あるいは反射させ
、残りのレーザビームを反射あるいは透過させる。偏光
ビームスプリッタで反射あるいは透過されたレーザビー
ムの一方を、１／４波長板および対物レンズを介して情
報記憶媒体に集光して、情報記憶媒体から少なくとも情
報を読み取り、情報記憶媒体から反射されたレーザビー
ムを対物レンズおよび１／４波長板を介して偏光ビーム
スプリッタに入射する。情報記憶媒体から反射されたレ
ーザビームは、１／４波長板を通過することによりその
振動面が変更して、偏光ビームスプリッタをほぼ１００
％透過あるいは反射し、該透過光あるいは反射光をトラ
ック検出やフォーカス検出に利用する。一方、前記偏光
ビームスプリッタを透過あるいは反射した他方を、対物
レンズを介して、受光素子で受光し、該受光素子の出力
に基づいてレーザ出力手段のレーザビームの出力制御を
行なう。したがって、偏光ビームスプリッタが一つだけ
ですみ、ガラス部品を削減して、光ピックアップのコス
トを低減することができるとともに、情報記憶媒体から
検出機構に導入される情報記憶媒体の反射光の光量の減
衰を低減することができ、検出機構によるトラック検出
やフォーカス検出の検出精度を向上させて、サーボ機構
の制御精度を向上させることができる。

【００１５】請求項３記載の発明によれば、レーザ出力
手段から投射されたレーザビームを情報記憶媒体方向に
反射あるいは透過する偏光ビームスプリッタとして該レ
ーザ出力手段からのレーザビームを所定量だけ透過ある
いは反射させものを使用し、レーザ出力手段からのレー
ザビームを該偏光ビームスプリッタで所定量だけ透過あ
るいは反射させ、残りのレーザビームを反射あるいは透
過する。偏光ビームスプリッタで反射あるいは透過した
レーザビームの一方を、１／４波長板および対物レンズ
を介して情報記憶媒体に集光し、情報記憶媒体から少な
くとも情報を読み取る。情報記憶媒体から反射されたレ
ーザビームを対物レンズおよび１／４波長板を介して偏
光ビームスプリッタに入射し、１／４波長板を通すこと
によりレーザビームの振動面を変更して、偏光ビームス
プリッタを透過あるいは反射させて、該透過光あるいは
反射光をトラック検出やフォーカス検出に利用する。一
方、前記偏光ビームスプリッタで透過あるいは反射した
レーザビームの他方を、対物レンズを介して、受光素子
で受光し、該受光素子の出力に基づいてレーザ出力手段
のレーザビームの出力制御を行なう。したがって、偏光
ビームスプリッタが一つだけですみ、ガラス部品を削減
して、光ピックアップのコストを低減することができる
とともに、情報記憶媒体から検出機構に導入される情報
記憶媒体の反射光の光量の減衰を低減することができ、
検出機構によるトラック検出やフォーカス検出の検出精
度を向上させて、サーボ機構の制御精度を向上させるこ
とができる。

【００１６】

【実施例】図１、図２は、請求項１および請求項２記載
の発明の光ピックアップの一実施例を示す図である。図
１は、光ピックアップ２０の要部ブロック図であり、光
ピックアップ２０は、半導体レーザ２１、コリメートレ
ンズ２２、偏光ビームスプリッタ２３、１／４波長板２
４、対物レンズ２５、集光レンズ２６、受光素子２７、
レーザ制御回路２８、集光レンズ２９、ナイフエッジプ
リズム３０、フォーカス受光素子３１およびトラック受
光素子３２を備えている。 この集光レンズ２９、ナイフエッジプリズム３０、フォ
ーカス受光素子３１およびトラック受光素子３２は、フ
ォーカス検出やトラック検出を行なう検出機構３３を構
成している。

【００１７】半導体レーザ（レーザ出力手段）２１は、
レーザ制御回路２８の制御下で駆動され、レーザビーム
をコリメートレンズ２２に出射する。半導体レーザ２１
から出射されたレーザビームは、コリメートレンズ２２
で平行光に変換され、偏光ビームスプリッタ２３に入射
される。半導体レーザ２１から出射されるレーザビーム
は、ある振動面をもった直線偏光であり、いま半導体レ
ーザ２１から出射されるレーザビームは、偏光ビームス
プリッタ２３に対してＳ偏光である。偏光ビームスプリ
ッタ２３は、図２に示すように、このレーザビームのＳ
偏光の偏光面に対する角度に対応して反射光量が変化し
、いま図１では、半導体レーザ２１は、偏光ビームスプ
リッタ２３に対して約１８度回転した方位に配設されて
いる。したがって、図２に示すように、偏光ビームスプ
リッタ２３は、入射されるＳ偏光のうち、約１０％を透
過し、残りの約９０％を反射する。

【００１８】偏光ビームスプリッタ２３で反射されたレ
ーザビームは、１／４波長板２４を通過して対物レンズ
２５に入射され、対物レンズ２５で情報記憶媒体である
光ディスク３４に集光される。この光ディスク３４に集
光されたレーザビームにより光ディスク３４から情報の
読み取りを行なったり、光ディスク３４への情報の書き
込みや消去等を行なう。光ディスク３４で反射された光
は、対物レンズ２５で平行光に変換され、１／４波長板
２４を通過して偏光ビームスプリッタ２３に入射される
。偏光ビームスプリッタ２３に入射されたレーザビーム
は、後述するように、偏光ビームスプリッタ２３を通過
して、検出機構３３に入射され、検出機構３３は、集光
レンズ２９で収束光に変換して、ナイフエッジプリズム
３０により収束光をフォーカス受光素子３１およびトラ
ック受光素子３２に分割する。これらフォーカス受光素
子３１およびトラック受光素子３２に入射されたレーザ
ビームにより、公知のナイフエッジ法によるフォーカス
検出を、また、プッシュプル法によるトラック検出を行
なう。

【００１９】一方、半導体レーザ２１から出射されたレ
ーザビームのうち偏光ビームスプリッタ２３を透過した
１０％のレーザビームは、集光レンズ２６により受光素
子２７に集光され、受光素子２７により半導体レーザ２
１の前方出射光パワーがモニターされる。受光素子２７
の検出結果は、レーザ制御回路２８に出力され、レーザ
制御回路２８は、受光素子２７の検出結果に基づいて半
導体レーザ２１の出力制御を行なう。

【００２０】なお、上記半導体レーザ２１と偏光ビーム
スプリッタ２３との配置角度は、上記１８度程度に限る
ものではなく、半導体レーザ２１の出力制御のために必
要なレーザビームの光量および偏光ビームスプリッタ２
３のレーザビーム偏光面角度に対する反射光量との関係
から適宜設定することができる。次に作用を説明する。

【００２１】半導体レーザ２１から出射されたレーザビ
ームは、コリメータレンズ２２により平行光に変換され
て、偏光ビームスプリッタ２３に入射され、このレーザ
ビームは、偏光ビームスプリッタ２３に対してＳ偏光の
直線偏光である。また、半導体レーザ２１は、その偏光
面が偏光ビームスプリッタ２３に対して、約１８度回転
した方位に配設されている。

【００２２】したがって、偏光ビームスプリッタ２３は
、入射されるＳ偏光のうち、約１０％を透過し、約９０
％を反射する。偏光ビームスプリッタ２３で反射された
レーザビームは、Ｐ偏光に変換され、１／４波長板２４
を通過して、対物レンズ２５に入射され、対物レンズ２
５により光ディスク３４に集光される。この１／４波長
板２４によりレーザビームは、直線偏光から面偏光に変
換される。光ディスク３４で反射されたレーザビームは
、対物レンズ２５で平行光に変換された後、１／４波長
板２４に入射され、１／４波長板２４で直線偏光に変換
された後、偏光ビームスプリッタ２３に入射される。し
たがって、偏光ビームスプリッタ２３に入射されるレー
ザビームは、１／４波長板２４を２度通過することによ
り、その振動面が９０度違った直線偏光（Ｐ偏光）にな
り、偏光ビームスプリッタ２３は、このＰ偏光を約１０
０％通過させる。偏光ビームスプリッタ２３を通過した
レーザビームは、検出機構３３に入射され、検出機構３
３により、上述のように、トラック検出およびフォーカ
ス検出が行なわれる。したがって、従来のように、偏光
ビームスプリッタを２つ設けた場合に較べ、光ディスク
３４で反射されたレーザビームを、減衰を抑制しつつ、
検出機構３３に入射することができ、トラック検出およ
びフォーカス検出の検出精度を向上させることができる
。

【００２３】一方、半導体レーザ２１から偏光ビームス
プリッタ２３に出射されたレーザビームのうち、レーザ
ビーム２３を通過したレーザビームは、集光レンズ２６
により受光素子２７に集光され、受光素子２７は、半導
体レーザ２１の前方出射光をモニターすることとなる。 受光素子２７は、この半導体レーザ２１からのレーザビ
ームの検出結果をレーザ制御回路２８に出力し、レーザ
制御回路２８は、受光素子２７の検出結果に基づいて半
導体レーザ２１の出力を制御する。したがって、従来の
ように、２つの偏光ビームスプリッタを設けることなく
、半導体レーザ２１の前方出射光を検出することができ
、戻り光の影響を受けることなく、半導体レーザ２１を
制御することができる。その結果、光ピックアップ２０
のガラス部品の部品点数を削減することができ、光ピッ
クアップ２０のコストを低減することができるとともに
、光ピックアップ２０を小型化することができる。また
、戻る光の影響を受けることなく、半導体レーザ２１の
出力制御を行なうことができ、半導体レーザ２１の出力
制御の制御精度を向上させることができる。

【００２４】図３は、請求項１および請求項２記載の発
明の光ピックアップの他の実施例を示す図である。本実
施例は、半導体レーザから出射されたレーザビームが偏
光ビームスプリッタに対しＰ偏光である場合である。半
導体レーザ４１は、コリメートレンズ４２方向にレーザ
ビームを出射し、コリメートレンズ４２で平行光に変換
して、偏光ビームスプリッタ４３に入射する。この偏光
ビームスプリッタ４３に対して半導体レーザ４１の出射
したレーザビームは、Ｐ偏光となっており、また半導体
レーザ４１は、レーザビームが偏光ビームスプリッタ４
３に対して所定角度回転した方位に配設されている。し
たがって、偏光ビームスプリッタ４３に入射されたレー
ザビームは、その約９０％が透過され、その約１０％が
反射される。偏光ビームスプリッタ４３の半導体レーザ
４１からのレーザビームの透過される方向に１／４波長
板４４が配設されており、レーザビームの反射される方
向に集光レンズ４５が配設されている。偏光ビームスプ
リッタ４３を透過したレーザビームは、１／４波長板４
４を通過して、上記図１の場合と同様に、図示しない対
物レンズにより光ディスクに集光され、光ディスクの情
報の読み取り等を行なって反射される。光ディスクで反
射されたレーザビームは、再び１／４波長板４４を通過
して、９０度違った直線偏光になり、偏光ビームスプリ
ッタ４３で約１００％反射されて、図外の検出機構に入
射される。したがって、上記実施例と同様に、偏光ビー
ムスプリッタを２つ設けた場合に較べ、光ディスクで反
射されたレーザビームを、減衰を抑制しつつ、検出機構
に入射することができ、トラック検出およびフォーカス
検出の検出精度を向上させることができる。

【００２５】一方、半導体レーザ４１から出射され偏光
ビームスプリッタ４３で反射されたレーザビームは、集
光レンズ４５で受光素子４６に集光され、受光素子４６
で半導体レーザ４１の前方出射光のモニターを行なう。 この受光素子４６の検出結果に基づいて、図１の場合と
同様に、図外のレーザ制御回路により半導体レーザ４１
の出力制御を行なう。したがって、上記実施例と同様に
、従来のように、２つの偏光ビームスプリッタを設ける
ことなく、半導体レーザ４１の前方出射光を検出するこ
とができ、戻り光の影響を受けることなく、半導体レー
ザ４１を制御することができる。その結果、光ピックア
ップのガラス部品の部品点数を削減することができ、光
ピックアップのコストを低減することができるとともに
、光ピックアップを小型化することができる。また、戻
る光の影響を受けることなく、半導体レーザ４１の出力
制御を行なうことができ、半導体レーザ４１の制御精度
を向上させることができる。

【００２６】図４は、請求項３記載の発明の光ピックア
ップの一実施例を示す図であり、図１と同一構成部分に
は、同一符号を付してその説明を省略する。図４におい
て、光ピックアップ５０は、半導体レーザ２１、コリメ
ートレンズ２２、偏光ビームスプリッタ５１、１／４波
長板２４、対物レンズ２５、集光レンズ２６、受光素子
２７、レーザ制御回路２８および検出機構３３を備えて
おり、検出機構３３は、集光レンズ２９、ナイフエッジ
プリズム３０、フォーカス受光素子３１およびトラック
受光素子３２を備えている。

【００２７】半導体レーザ２１は、偏光ビームスプリッ
タ５１に対してＳ偏光のレーザビームを出射し、偏光ビ
ームスプリッタ５１は、Ｓ偏光を所定量だけ透過すると
ともに、残りのレーザビームを反射する。この偏光ビー
ムスプリッタ５１のＳ偏光の透過率は、約１０％であり
、反射率は、約９０％である。したがって、図１に示し
たように半導体レーザ２１と偏光ビームスプリッタ５１
との配置位置を、半導体レーザ２１からのレーザビーム
の偏光ビームスプリッタ５１への入射面が所定角度回転
した方位に配置することなく、半導体レーザ２１からの
レーザビームの一部を透過させ、他の部分を反射するこ
とができる。その結果、光ピックアップの製造作業を容
易にすることができ、コストを低減することができる。

【００２８】偏光ビームスプリッタ５１で反射されたレ
ーザビームは、上記同様に、１／４波長板２４および対
物レンズ２５を介して光ディスク３４に照射され、光デ
ィスク３４で反射されたレーザビームは、１／４波長板
２４を通過することにより、９０度違うＰ偏光となり、
偏光ビームスプリッタ５１を約１００％透過して、検出
機構３３に入射される。したがって、図１の場合と同様
に、偏光ビームスプリッタを２つ設けた場合に較べ、光
ディスク３４で反射されたレーザビームを、減衰を抑制
しつつ、検出機構３３に入射することができ、トラック
検出およびフォーカス検出の検出精度を向上させること
ができる。

【００２９】偏光ビームスプリッタ５１を透過したレー
ザビームは、上記同様に、集光レンズ２６により受光素
子２７に集光され、受光素子２７により半導体レーザ２
１の前方出射光パワーをモニターする。受光素子２７の
検出結果は、レーザ制御回路２８に出力され、レーザ制
御回路２８は、受光素子の検出結果に基づいて半導体レ
ーザ２１の出力制御を行なう。したがって、上記図１の
場合と同様に、従来のように、２つの偏光ビームスプリ
ッタを設けることなく、半導体レーザ２１の前方出射光
を検出することができ、戻り光の影響を受けることなく
、半導体レーザ２１を制御することができる。その結果
、光ピックアップ５０のガラス部品の部品点数を削減す
ることができ、光ピックアップ５０のコストを低減する
ことができるとともに、光ピックアップ５０を小型化す
ることができる。また、戻る光の影響を受けることなく
、半導体レーザ５１の出力制御を行なうことができ、半
導体レーザ５１の制御精度を向上させることができる。

【００３０】図５は、請求項３記載の発明の光ピックア
ップの他の実施例を示す図である。本実施例は、半導体
レーザから出射されたレーザビームが偏光ビームスプリ
ッタに対しＰ偏光である場合である。半導体レーザ６１
は、コリメートレンズ６２方向にレーザビームを出射し
、コリメートレンズ６２で平行光に変換して、偏光ビー
ムスプリッタ６３に入射する。この偏光ビームスプリッ
タ６３に対して半導体レーザ６１の出射したレーザビー
ムは、Ｐ偏光となっており、また偏光ビームスプリッタ
６３は、Ｐ偏光を所定量だけ反射するとともに、残りの
レーザビームを透過する。この偏光ビームスプリッタ６
３のＰ偏光の反射率は、約１０％であり、透過率は、約
９０％である。

【００３１】したがって、偏光ビームスプリッタ６３に
入射されたレーザビームは、その約９０％が透過され、
その約１０％が反射される。偏光ビームスプリッタ６３
の半導体レーザ６１からのレーザビームの透過される方
向に１／４波長板６４が配設されており、レーザビーム
の反射される方向に集光レンズ６５が配設されている。 偏光ビームスプリッタ６３を透過したレーザビームは、
１／４波長板６４を通過して、上記図１の場合と同様に
、図示しない対物レンズにより光ディスクに集光され、
光ディスクの情報の読み取り等を行なって反射される。 光ディスクで反射されたレーザビームは、再び１／４波
長板６４を通過して、９０度違った直線偏光になり、偏
光ビームスプリッタ６３で約１００％反射されて、図外
の検出機構に入射される。

【００３２】したがって、上記実施例と同様に、偏光ビ
ームスプリッタを２つ設けた場合に較べ、光ディスクで
反射されたレーザビームを、減衰を抑制しつつ、検出機
構に入射することができ、トラック検出およびフォーカ
ス検出の検出精度を向上させることができる。一方、半
導体レーザ６１から出射され偏光ビームスプリッタ６３
で反射されたレーザビームは、集光レンズ６５で受光素
子６６に集光され、受光素子６６で半導体レーザ６１の
前方出射光のモニターを行なう。この受光素子６６の検
出結果に基づいて、図４の場合と同様に、図外のレーザ
制御回路により半導体レーザ６１の出力制御を行なう。

【００３３】したがって、上記図１の場合と同様に、従
来のように、２つの偏光ビームスプリッタを設けること
なく、半導体レーザ６１の前方出射光を検出することが
でき、戻り光の影響を受けることなく、半導体レーザ６
１を制御することができる。その結果、光ピックアップ
のガラス部品の部品点数を削減することができ、光ピッ
クアップのコストを低減することができるとともに、光
ピックアップを小型化することができる。また、戻る光
の影響を受けることなく、半導体レーザ６１の出力制御
を行なうことができ、半導体レーザ６１の制御精度を向
上させることができる。

【００３４】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、レーザ出
力手段から投射されたレーザビームを情報記憶媒体方向
に反射あるいは透過する偏光ビームスプリッタを、レー
ザ出力手段からのレーザビームの入射面が所定角度をな
すように配置し、レーザ出力手段からのレーザビームを
偏光ビームスプリッタで所定量だけ透過あるいは反射さ
せるとともに、残りのレーザビームを反射あるいは透過
する。この透過あるいは反射したレーザビームの一方を
、１／４波長板および対物レンズを介して情報記憶媒体
に集光して、情報記憶媒体から反射されたレーザビーム
を対物レンズおよび１／４波長板を介して偏光ビームス
プリッタに入射し、偏光ビームスプリッタを透過あるい
は反射させ、該透過光あるいは反射光をトラック検出や
フォーカス検出に利用することができる。また偏光ビー
ムスプリッタで透過あるいは反射したレーザビームの他
方を、対物レンズを介して受光素子で受光し、該受光素
子の出力に基づいてレーザ出力手段のレーザビームの出
力制御を行なうことができる。したがって、偏光ビーム
スプリッタが一つだけですみ、ガラス部品を削減して、
光ピックアップのコストを低減することができるととも
に、情報記憶媒体から検出機構に導入される情報記憶媒
体からの反射光の光量の減衰を低減することができ、検
出機構によるトラック検出やフォーカス検出の検出精度
を向上させて、サーボ機構の制御精度を向上させること
ができる。

【００３５】請求項２記載の発明によれば、レーザ出力
手段から投射されたレーザビームを情報記憶媒体方向に
反射あるいは透過する偏光ビームスプリッタを、レーザ
出力手段からのレーザビームの入射面が所定角度をなす
ように配置し、レーザ出力手段からのレーザビームを偏
光ビームスプリッタで所定量だけ透過あるいは反射させ
るとともに、残りのレーザビームを反射あるいは透過す
る。この透過あるいは反射したレーザビームの一方を、
１／４波長板および対物レンズを介して情報記憶媒体に
集光して、情報記憶媒体から反射されたレーザビームを
対物レンズおよび１／４波長板を介して偏光ビームスプ
リッタに入射し、偏光ビームスプリッタを透過あるいは
反射させ、該透過光あるいは反射光をトラック検出やフ
ォーカス検出に利用することができる。また偏光ビーム
スプリッタで透過あるいは反射したレーザビームの他方
を、対物レンズを介して受光素子で受光し、該受光素子
の出力に基づいてレーザ出力手段のレーザビームの出力
制御を行なうことができる。したがって、偏光ビームス
プリッタが一つだけですみ、ガラス部品を削減して、光
ピックアップのコストを低減することができるとともに
、情報記憶媒体から検出機構に導入される情報記憶媒体
からの反射光の光量の減衰を低減することができ、検出
機構によるトラック検出やフォーカス検出の検出精度を
向上させて、サーボ機構の制御精度を向上させることが
できる。

【００３６】請求項３記載の発明によれば、レーザ出力
手段から投射されたレーザビームを情報記憶媒体方向に
反射あるいは透過する偏光ビームスプリッタとして該レ
ーザ出力手段からのレーザビームを所定量だけ透過ある
いは反射させものを使用し、レーザ出力手段からのレー
ザビームを偏光ビームスプリッタで所定量だけ透過ある
いは反射させるとともに、残りのレーザビームを反射あ
るいは透過する。この透過あるいは反射したレーザビー
ムの一方を、１／４波長板および対物レンズを介して情
報記憶媒体に集光して、情報記憶媒体から反射されたレ
ーザビームを対物レンズおよび１／４波長板を介して偏
光ビームスプリッタに入射し、偏光ビームスプリッタを
透過あるいは反射させ、該透過光あるいは反射光をトラ
ック検出やフォーカス検出に利用することができる。ま
た偏光ビームスプリッタで透過あるいは反射したレーザ
ビームの他方を、対物レンズを介して受光素子で受光し
、該受光素子の出力に基づいてレーザ出力手段のレーザ
ビームの出力制御を行なうことができる。したがって、
偏光ビームスプリッタが一つだけですみ、ガラス部品を
削減して、光ピックアップのコストを低減することがで
きるとともに、情報記憶媒体から検出機構に導入される
情報記憶媒体からの反射光の光量の減衰を低減すること
ができ、検出機構によるトラック検出やフォーカス検出
の検出精度を向上させて、サーボ機構の制御精度を向上
させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１および請求項２記載の発明による光ピ
ックアップおよび光ピックアップのレーザビーム出力制
御方法の一実施例の構成図。

【図２】請求項１および請求項２記載の発明による光ピ
ックアップおよび光ピックアップのレーザビーム出力制
御方法の偏光ビームスプリッタのレーザビームの偏光面
角度と反射光量との関係を示す図。

【図３】請求項１および請求項２記載の発明による光ピ
ックアップおよび光ピックアップのレーザビーム制御方
法の他の実施例の要部構成図。

【図４】請求項３記載の発明による光ピックアップの一
実施例の構成図。

【図５】請求項３記載の発明による光ピックアップの他
の実施例の要部構成図。

【図６】半導体レーザの駆動電流と前方出射光パワーと
の関係および内蔵受光素子電流と前方出射光パワーとの
関係を示す図。

【図７】従来の光ピックアップの構成図。

【符号の説明】

２０、５０　　　　光ピックアップ ２１、４１、６１　　　　半導体レーザ２２、４２、６
２　　　　コリメートレンズ２３、４３、５１、６３　
　　　偏光ビームスプリッタ２４、４４、６４　　　　
１／４波長板２５　　　　対物レンズ ２６、４５、６５　　　　集光レンズ ２７、４６、６６　　　　受光素子 ２８　　　　レーザ制御回路 ２９　　　　集光レンズ ３０　　　　ナイフエッジプリズム ３１　　　　フォーカス受光素子 ３２　　　　トラック受光素子 ３３　　　　検出機構 ３４　　　　光ディスク

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】レーザビームを出射するレーザ出力手段と
   、レーザ出力手段からのレーザビームをそのレーザビー
   ムの振動面に応じて透過および所定角度方向に反射する
   とともに、レーザビームの入射角に応じてその透過率あ
   るいは反射率が変化する偏光ビームスプリッタと、偏光
   ビームスプリッタで反射あるいは透過された光を情報記
   憶媒体に集光する対物レンズと、対物レンズと偏光ビー
   ムスプリッタとの間に配置されレーザビームの偏光ビー
   ムスプリッタに対する偏光面を変更する１／４波長板と
   、を備え、レーザ出力手段から投射されたレーザビーム
   を偏光ビームスプリッタにより情報記憶媒体方向に反射
   あるいは透過し、１／４波長板および対物レンズを介し
   て情報記憶媒体にレーザビームを集光して情報記憶媒体
   から少なくとも情報を読み取り、情報記憶媒体から反射
   されたレーザビームを対物レンズおよび１／４波長板を
   介して偏光ビームスプリッタに入射し、偏光ビームスプ
   リッタを透過あるいは反射させて、トラック検出やフォ
   ーカス検出に利用する光ピックアップであって、前記偏
   光ビームスプリッタと前記レーザ出力手段との配置位置
   を該レーザ出力手段から該偏光ビームスプリッタへのレ
   ーザビームの入射面が所定角度をなす位置に配置し、該
   レーザ出力手段からのレーザビームを偏光ビームスプリ
   ッタで所定量だけ透過あるいは反射させ、該偏光ビーム
   スプリッタを透過あるいは反射した所定量の透過光を受
   光する受光素子と、該偏光ビームスプリッタを透過ある
   いは反射した所定量の透過光を該受光素子に集光する集
   光レンズと、を設け、偏光ビームスプリッタを透過ある
   いは反射した一方のレーザビームを集光レンズを介して
   受光素子に集光し、該受光素子の出力に基づいてレーザ
   出力手段のレーザビームの出力制御を行なうことを特徴
   とする光ピックアップ。
2. 【請求項２】レーザビームを出射するレーザ出力手段と
   、レーザ出力手段からのレーザビームをそのレーザビー
   ムの振動面に応じて透過および所定角度方向に反射する
   とともに、レーザビームの入射角に応じてその透過率あ
   るいは反射率が変化する偏光ビームスプリッタと、偏光
   ビームスプリッタで反射あるいは透過された光を情報記
   憶媒体に集光する対物レンズと、対物レンズと偏光ビー
   ムスプリッタとの間に配置されレーザビームの偏光ビー
   ムスプリッタに対する偏光面を変更する１／４波長板と
   、を備え、レーザ出力手段から投射されたレーザビーム
   を偏光ビームスプリッタにより情報記憶媒体方向に反射
   あるいは透過し、１／４波長板および対物レンズを介し
   て情報記憶媒体にレーザビームを集光して情報記憶媒体
   から少なくとも情報を読み取り、情報記憶媒体から反射
   されたレーザビームを対物レンズおよび１／４波長板を
   介して偏光ビームスプリッタに入射し、偏光ビームスプ
   リッタを透過あるいは反射させて、トラック検出やフォ
   ーカス検出に利用する光ピックアップのレーザビーム出
   力制御方法であって、前記偏光ビームスプリッタと前記
   レーザ出力手段との配置位置を該レーザ出力手段から該
   偏光ビームスプリッタへのレーザビームの入射面が所定
   角度をなす位置に配置し、該レーザ出力手段からのレー
   ザビームを偏光ビームスプリッタで所定量だけ透過ある
   いは反射させ、該偏光ビームスプリッタを透過あるいは
   反射した所定量の透過光を受光する受光素子と、該偏光
   ビームスプリッタを透過あるいは反射した所定量の透過
   光を該受光素子に集光する集光レンズと、を設け、偏光
   ビームスプリッタを透過あるいは反射した一方のレーザ
   ビームを集光レンズを介して受光素子に集光し、該受光
   素子の出力に基づいてレーザ出力手段のレーザビームの
   出力制御を行なうことを特徴とする光ピックアップのレ
   ーザビーム出力制御方法。
3. 【請求項３】レーザビームを出射するレーザ出力手段と
   、レーザ出力手段からのレーザビームをそのレーザビー
   ムの振動面に応じて透過および所定角度方向に反射する
   偏光ビームスプリッタと、偏光ビームスプリッタで反射
   あるいは透過された光を情報記憶媒体に集光する対物レ
   ンズと、対物レンズと偏光ビームスプリッタとの間に配
   置されレーザビームの偏光ビームスプリッタに対する偏
   光面を変更する１／４波長板と、を備え、レーザ出力手
   段から投射されたレーザビームを偏光ビームスプリッタ
   により情報記憶媒体方向に反射あるいは透過し、１／４
   波長板および対物レンズを介して情報記憶媒体にレーザ
   ビームを集光して情報記憶媒体から少なくとも情報を読
   み取り、情報記憶媒体から反射されたレーザビームを対
   物レンズおよび１／４波長板を介して偏光ビームスプリ
   ッタに入射し、偏光ビームスプリッタを透過あるいは反
   射させて、トラック検出やフォーカス検出に利用する光
   ピックアップであって、前記偏光ビームスプリッタとし
   て前記レーザ出力手段からのレーザビームを所定量だけ
   透過あるいは反射させものを使用し、該レーザ出力手段
   からのレーザビームを偏光ビームスプリッタで所定量だ
   け透過あるいは反射させ、該偏光ビームスプリッタを透
   過あるいは反射した所定量の透過光を受光する受光素子
   と、該偏光ビームスプリッタを透過あるいは反射した所
   定量の透過光を該受光素子に集光する集光レンズと、を
   設け、偏光ビームスプリッタを透過あるいは反射した一
   方のレーザビームを集光レンズを介して受光素子に集光
   し、該受光素子の出力に基づいてレーザ出力手段のレー
   ザビームの出力制御を行なうことを特徴とする光ピック
   アップ。