JPH05314532A - 光ピックアップ - Google Patents
光ピックアップInfo
- Publication number
- JPH05314532A JPH05314532A JP4113510A JP11351092A JPH05314532A JP H05314532 A JPH05314532 A JP H05314532A JP 4113510 A JP4113510 A JP 4113510A JP 11351092 A JP11351092 A JP 11351092A JP H05314532 A JPH05314532 A JP H05314532A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- beam splitter
- receiving element
- optical pickup
- objective lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高精度な光出力制御が可能な光ピックアップを
提供する。 【構成】光源１からの出射光をビームスプリッタ３によ
り対物レンズ６と受光素子４とに振り分け、受光素子４
の出力により、前記出射光のパワ−を制御する。ビ−ム
スプリッタ３の光分割面３ａは、部分的に反射率と透過
率が異なる構成とした。偏光ビームスプリッタを用いる
代わりに、上記のようなビームスプリッタ３を用いたの
で、ビームスプリッタ３の振り分け比は、光源１からの
出射光の波長変動の影響を受けることがない。
提供する。 【構成】光源１からの出射光をビームスプリッタ３によ
り対物レンズ６と受光素子４とに振り分け、受光素子４
の出力により、前記出射光のパワ−を制御する。ビ−ム
スプリッタ３の光分割面３ａは、部分的に反射率と透過
率が異なる構成とした。偏光ビームスプリッタを用いる
代わりに、上記のようなビームスプリッタ３を用いたの
で、ビームスプリッタ３の振り分け比は、光源１からの
出射光の波長変動の影響を受けることがない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的記録再生装置等
に用いる光ピックアップに関するものである。
に用いる光ピックアップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光記録媒体（たとえば、光デ
ィスクや光磁気ディスク）に、レ−ザ光を照射し媒体上
に微小なスポットを形成することによって、情報を記録
し、また、媒体からの反射光あるいは透過光によって、
記録された情報を再生する、光学的記録再生装置が実用
化されていた。
ィスクや光磁気ディスク）に、レ−ザ光を照射し媒体上
に微小なスポットを形成することによって、情報を記録
し、また、媒体からの反射光あるいは透過光によって、
記録された情報を再生する、光学的記録再生装置が実用
化されていた。
【０００３】この種の装置の光ピックアップ、すなわち
レ−ザ光を光記録媒体に照射し、その反射光を受光する
部分は、図５に示すような構成であった。図５におい
て、半導体レーザ１の出射光は、コリメータレンズ２に
より平行光となった後、ミラー５により反射され、対物
レンズ６により光記録媒体７に光スポットを集光させ
る。ここで、光スポットの光強度を所定量に制御するた
め、偏光ビームスプリッタ８を用いて半導体レーザ１の
出射光の一部を受光素子４に導き、受光素子４の出力に
応じて、半導体レーザ１の駆動電流を制御していた。こ
のようにすることによって、半導体レーザ１からの出射
光の強度を制御し、その結果として、光記録媒体７に集
光される光スポットの光強度を所定量に制御する。
レ−ザ光を光記録媒体に照射し、その反射光を受光する
部分は、図５に示すような構成であった。図５におい
て、半導体レーザ１の出射光は、コリメータレンズ２に
より平行光となった後、ミラー５により反射され、対物
レンズ６により光記録媒体７に光スポットを集光させ
る。ここで、光スポットの光強度を所定量に制御するた
め、偏光ビームスプリッタ８を用いて半導体レーザ１の
出射光の一部を受光素子４に導き、受光素子４の出力に
応じて、半導体レーザ１の駆動電流を制御していた。こ
のようにすることによって、半導体レーザ１からの出射
光の強度を制御し、その結果として、光記録媒体７に集
光される光スポットの光強度を所定量に制御する。
【０００４】偏光ビ−ムスプリッタ８は、２個の直角プ
リズムを接着したものであり、斜面８ａに偏光膜が施さ
れている。この偏光膜によって、入射光のＰ偏光成分と
Ｓ偏光成分を振り分ける。一般に、この偏光膜は、Ｐ偏
光成分に対しては透過率が高く反射率が小さい。また、
Ｓ偏光成分に対しては反射率が大きく、透過率が小さ
い。したがって、Ｐ偏光成分の大部分が対物レンズ６側
へ振り分けられ、Ｓ偏光成分の大部分が受光素子４側に
振り分けられる。
リズムを接着したものであり、斜面８ａに偏光膜が施さ
れている。この偏光膜によって、入射光のＰ偏光成分と
Ｓ偏光成分を振り分ける。一般に、この偏光膜は、Ｐ偏
光成分に対しては透過率が高く反射率が小さい。また、
Ｓ偏光成分に対しては反射率が大きく、透過率が小さ
い。したがって、Ｐ偏光成分の大部分が対物レンズ６側
へ振り分けられ、Ｓ偏光成分の大部分が受光素子４側に
振り分けられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の技
術においては、光源からの出射光の波長の変化によって
偏光ビームスプリッタ８の振り分け比が変化する。これ
は、偏光ビームスプリッタ８の各偏光成分に対する透過
率および反射率が、入射光の波長によって変化するから
である。ここで、振り分け比とは、各偏光成分が対物レ
ンズ６側と受光素子４側とにどれだけの比率で振り分け
られるかを示すもので、各偏光成分に対する透過率、反
射率によって決まる。
術においては、光源からの出射光の波長の変化によって
偏光ビームスプリッタ８の振り分け比が変化する。これ
は、偏光ビームスプリッタ８の各偏光成分に対する透過
率および反射率が、入射光の波長によって変化するから
である。ここで、振り分け比とは、各偏光成分が対物レ
ンズ６側と受光素子４側とにどれだけの比率で振り分け
られるかを示すもので、各偏光成分に対する透過率、反
射率によって決まる。
【０００６】たとえば、光源である半導体レーザ１の発
振波長は、温度変化等によっても変化する。半導体レ−
ザ１の温度は、レ−ザ光出力の影響を受けて変化する。
すなわち、受光素子４の出力によりレ−ザ光出力を変化
させると半導体レーザ１の発振波長が変化し、その結果
偏向ビームスプリッタ８の振り分け比が変化する。する
と、受光素子４に入射する光量の割合も変化する。した
がって、正しくレ−ザ光出力を制御することができない
という問題点が生じる。
振波長は、温度変化等によっても変化する。半導体レ−
ザ１の温度は、レ−ザ光出力の影響を受けて変化する。
すなわち、受光素子４の出力によりレ−ザ光出力を変化
させると半導体レーザ１の発振波長が変化し、その結果
偏向ビームスプリッタ８の振り分け比が変化する。する
と、受光素子４に入射する光量の割合も変化する。した
がって、正しくレ−ザ光出力を制御することができない
という問題点が生じる。
【０００７】そこで本発明は、高精度な光出力制御が可
能な光ピックアップを提供することを目的とする。
能な光ピックアップを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点の解決のため
に本発明は、光源と、前記光源からの出射光を振り分け
るビームスプリッタと、前記ビ−ムスプリッタにより振
り分けられた一方の光を入射する対物レンズと、前記ビ
−ムスプリッタにより振り分けられた他方の光を受光す
る受光素子とを有し、前記受光素子の出力により、前記
出射光のパワ−を制御する光ピックアップにおいて、前
記ビ−ムスプリッタの光分割面は、部分的に反射率と透
過率が異なる構成とした。
に本発明は、光源と、前記光源からの出射光を振り分け
るビームスプリッタと、前記ビ−ムスプリッタにより振
り分けられた一方の光を入射する対物レンズと、前記ビ
−ムスプリッタにより振り分けられた他方の光を受光す
る受光素子とを有し、前記受光素子の出力により、前記
出射光のパワ−を制御する光ピックアップにおいて、前
記ビ−ムスプリッタの光分割面は、部分的に反射率と透
過率が異なる構成とした。
【０００９】
【作用】本発明は、偏光ビームスプリッタを用いる代わ
りに、部分的に反射率と透過率の異なるビームスプリッ
タを用いて、光源からの出射光を対物レンズと受光素子
に振り分ける。したがって、ビームスプリッタの振り分
け比は、光源からの出射光の波長変動の影響を受けるこ
とがない。
りに、部分的に反射率と透過率の異なるビームスプリッ
タを用いて、光源からの出射光を対物レンズと受光素子
に振り分ける。したがって、ビームスプリッタの振り分
け比は、光源からの出射光の波長変動の影響を受けるこ
とがない。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の実施例による光ピックアッ
プの構成図である。半導体レ−ザ１，コリメ−タレンズ
２，受光素子４，ミラ−５，対物レンズ６，光記録媒体
７は、従来と同様のものであるから、説明を省略する。
本実施例においては、半導体レ−ザ１からの出射光を、
ビームスプリッタ３により、受光素子４に向う光と、光
記録媒体７に向う光とに振り分けている。ビ−ムスプリ
ッタ３は、２個の直角プリズムを接着して構成したもの
である。斜面３ａが入射光を分割する働きをする。以
下、この面を振り分け面という。本実施例においては、
この振り分け面のある部分にアルミニウムを蒸着させる
ことにより、この蒸着した部分に当たった光を反射さ
せ、受光素子４側に導く。
プの構成図である。半導体レ−ザ１，コリメ−タレンズ
２，受光素子４，ミラ−５，対物レンズ６，光記録媒体
７は、従来と同様のものであるから、説明を省略する。
本実施例においては、半導体レ−ザ１からの出射光を、
ビームスプリッタ３により、受光素子４に向う光と、光
記録媒体７に向う光とに振り分けている。ビ−ムスプリ
ッタ３は、２個の直角プリズムを接着して構成したもの
である。斜面３ａが入射光を分割する働きをする。以
下、この面を振り分け面という。本実施例においては、
この振り分け面のある部分にアルミニウムを蒸着させる
ことにより、この蒸着した部分に当たった光を反射さ
せ、受光素子４側に導く。
【００１１】受光素子４側に振り分けられた光強度を受
光素子４で検出し、受光素子４の出力に応じて、半導体
レーザ１の駆動電流を制御する。従来と同様、このよう
にすることによって、半導体レーザ１からの出射光の強
度を制御し、その結果として、光記録媒体７に集光され
る光スポットの光強度を所定量に制御することができ
る。
光素子４で検出し、受光素子４の出力に応じて、半導体
レーザ１の駆動電流を制御する。従来と同様、このよう
にすることによって、半導体レーザ１からの出射光の強
度を制御し、その結果として、光記録媒体７に集光され
る光スポットの光強度を所定量に制御することができ
る。
【００１２】図２は、本実施例の光ピックアップにおけ
るビームスプリッタ３の振り分け面の形状の第１の例を
示したものである。図２において、振り分け面３ａの３
r1部にはアルミニウムを蒸着させ、反射面としている。
この３r1部に当たる光を受光素子４側に反射させてい
る。３p1部に当たった光は透過し、光記録媒体７側に進
む。図２の例では、反射面３r1を、振り分け面３ａの中
心に円形に設けている。このことによって、対物レンズ
６へ振り分けられる光は、入射光束のうちの外側の部分
となる。
るビームスプリッタ３の振り分け面の形状の第１の例を
示したものである。図２において、振り分け面３ａの３
r1部にはアルミニウムを蒸着させ、反射面としている。
この３r1部に当たる光を受光素子４側に反射させてい
る。３p1部に当たった光は透過し、光記録媒体７側に進
む。図２の例では、反射面３r1を、振り分け面３ａの中
心に円形に設けている。このことによって、対物レンズ
６へ振り分けられる光は、入射光束のうちの外側の部分
となる。
【００１３】ここで、対物レンズ６に、外側の光を振り
分けた場合、光記録媒体７に照射される光の傾斜角が大
きくなる。これに対して、内側の光を対物レンズ６に振
り分けた場合、光記録媒体７に照射される光の傾斜角
は、外側の光の場合よりも小さくなる。大きい照射角で
照射された場合の方が、対物レンズ６の開口数ＮＡが見
かけ上大きくなる。ＮＡを大きくすることにより、解像
度が上がり、光記録媒体７に照射する光スポットを小さ
くすることができる。したがって、なるべく外側の光を
対物レンズ４側へ振り分けられるように反射面を形成し
た方が、光スポットを小さくでき、高密度の記録を行う
上で有利である。
分けた場合、光記録媒体７に照射される光の傾斜角が大
きくなる。これに対して、内側の光を対物レンズ６に振
り分けた場合、光記録媒体７に照射される光の傾斜角
は、外側の光の場合よりも小さくなる。大きい照射角で
照射された場合の方が、対物レンズ６の開口数ＮＡが見
かけ上大きくなる。ＮＡを大きくすることにより、解像
度が上がり、光記録媒体７に照射する光スポットを小さ
くすることができる。したがって、なるべく外側の光を
対物レンズ４側へ振り分けられるように反射面を形成し
た方が、光スポットを小さくでき、高密度の記録を行う
上で有利である。
【００１４】図３は振り分け面の形状の第２の例を示し
たものである。第１の例と同様、３r2部は反射面、３p2
部は透過面である。この例においても、外側の光をなる
べく多く対物レンズ６に振り分けるようにしている。以
上のような、第１の例および第２の例によれば、受光素
子４に振り分ける光は、光束の中心付近の光を多くし、
対物レンズ６側に振り分ける光は、光束の外側を多くす
ることにより、光スポットが小さくでき、解像力が向上
するという効果がある。
たものである。第１の例と同様、３r2部は反射面、３p2
部は透過面である。この例においても、外側の光をなる
べく多く対物レンズ６に振り分けるようにしている。以
上のような、第１の例および第２の例によれば、受光素
子４に振り分ける光は、光束の中心付近の光を多くし、
対物レンズ６側に振り分ける光は、光束の外側を多くす
ることにより、光スポットが小さくでき、解像力が向上
するという効果がある。
【００１５】図４は振り分け面の形状の第３例を示した
ものである。反射面である３r3部は、振り分け面３ａ上
のランダムな位置にアルミニウムを蒸着させたものであ
る。なお、図１では、ビ−ムスプリッタ３の透過光を対
物レンズ４に入れ、反射光を受光素子４に入れている
が、反射光を対物レンズ４に入れ、透過光を受光素子４
に入れる構成にしてもよい。この場合、図２〜図４の反
射面、透過面の関係を逆にしてもよい。
ものである。反射面である３r3部は、振り分け面３ａ上
のランダムな位置にアルミニウムを蒸着させたものであ
る。なお、図１では、ビ−ムスプリッタ３の透過光を対
物レンズ４に入れ、反射光を受光素子４に入れている
が、反射光を対物レンズ４に入れ、透過光を受光素子４
に入れる構成にしてもよい。この場合、図２〜図４の反
射面、透過面の関係を逆にしてもよい。
【００１６】図２〜図４の構成において、振り分け面全
体に対して、反射面の占める割合を小さくしている。た
とえば、光磁気ディスク等に情報の記録を行う場合、記
録時には、再生時と比べて大きいレ−ザ光出力が必要と
なる。そのため、対物レンズ６へ振り分ける光量を大き
くするために反射面の面積を小さくしている。しかしな
がら、記録時に必要なレ−ザ光出力が十分に得られるの
であれば、上記のように反射面の割合を小さくする必要
はない。受光素子４、対物レンズ６へそれぞれ振り分け
る光量は、ビ−ムスプリッタ３の振り分け面３ａにアル
ミニウムを蒸着する面積を変えることにより、必要に応
じて調整すればよい。
体に対して、反射面の占める割合を小さくしている。た
とえば、光磁気ディスク等に情報の記録を行う場合、記
録時には、再生時と比べて大きいレ−ザ光出力が必要と
なる。そのため、対物レンズ６へ振り分ける光量を大き
くするために反射面の面積を小さくしている。しかしな
がら、記録時に必要なレ−ザ光出力が十分に得られるの
であれば、上記のように反射面の割合を小さくする必要
はない。受光素子４、対物レンズ６へそれぞれ振り分け
る光量は、ビ−ムスプリッタ３の振り分け面３ａにアル
ミニウムを蒸着する面積を変えることにより、必要に応
じて調整すればよい。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光源の波
長の変動により振分け比が変化する偏光ビームスプリッ
タの代わりに、部分的に反射率と透過率の異なるビーム
スプリッタを用いることにより、振り分け比の波長依存
性がなくなり、光ピックアップの光出射量の制御を高精
度にすることができる。
長の変動により振分け比が変化する偏光ビームスプリッ
タの代わりに、部分的に反射率と透過率の異なるビーム
スプリッタを用いることにより、振り分け比の波長依存
性がなくなり、光ピックアップの光出射量の制御を高精
度にすることができる。
【図１】本発明の実施例による光ピックアップの構成
図。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図。
図。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図。
【図２】本発明で実施例による光ピックアップのビーム
スプリッタの振り分け面の形状の第１の例を示す図。
スプリッタの振り分け面の形状の第１の例を示す図。
【図３】本発明で実施例による光ピックアップのビーム
スプリッタの振り分け面の形状の第２の例を示す図
スプリッタの振り分け面の形状の第２の例を示す図
【図４】本発明で実施例による光ピックアップのビーム
スプリッタの振り分け面の形状の第３の例を示す図。
スプリッタの振り分け面の形状の第３の例を示す図。
【図５】従来の光ピックアップの構成図。（ａ）は正面
図、（ｂ）は側面図。
図、（ｂ）は側面図。
１ 半導体レーザ ２ コリメータレンズ ３ ビームスプリッタ ３ａ 振り分け面 ４ 受光素子 ５ はねあげミラー ６ 対物レンズ ７ 光記録媒体
Claims (1)
- 【請求項１】光源と、前記光源からの出射光を振り分け
るビームスプリッタと、前記ビ−ムスプリッタにより振
り分けられた一方の光を入射する対物レンズと、前記ビ
−ムスプリッタにより振り分けられた他方の光を受光す
る受光素子とを有し、前記受光素子の出力により、前記
出射光のパワ−を制御する光ピックアップにおいて、 前記ビ−ムスプリッタの光分割面は、部分的に反射率と
透過率が異なることを特徴とする光ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4113510A JPH05314532A (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 光ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4113510A JPH05314532A (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 光ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05314532A true JPH05314532A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14614167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4113510A Pending JPH05314532A (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 光ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05314532A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073171A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-03-16 | Konica Minolta Opto Inc | モニタ用光学素子およびその製造方法ならびに光ピックアップ |
| WO2012098859A1 (ja) * | 2011-01-20 | 2012-07-26 | 三菱電機株式会社 | 光ピックアップ装置及び光ディスク装置 |
-
1992
- 1992-05-06 JP JP4113510A patent/JPH05314532A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073171A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-03-16 | Konica Minolta Opto Inc | モニタ用光学素子およびその製造方法ならびに光ピックアップ |
| WO2012098859A1 (ja) * | 2011-01-20 | 2012-07-26 | 三菱電機株式会社 | 光ピックアップ装置及び光ディスク装置 |
| CN103329202A (zh) * | 2011-01-20 | 2013-09-25 | 三菱电机株式会社 | 光拾取装置及光盘装置 |
| JP5398924B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2014-01-29 | 三菱電機株式会社 | 光ピックアップ装置及び光ディスク装置 |
| US8787137B2 (en) | 2011-01-20 | 2014-07-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical pickup device and optical disc device |
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