JP2000268386A

JP2000268386A - 光ピックアップ装置

Info

Publication number: JP2000268386A
Application number: JP11069141A
Authority: JP
Inventors: Takashi Nakayama; 尚中山
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1999-03-15
Filing date: 1999-03-15
Publication date: 2000-09-29

Abstract

(57)【要約】【課題】ミニディスク用光ピックアップ装置にあっ
て、対物レンズが移動しても射出光量の変化を小さく
し、ディスクの隣接トラックの影響を抑えるための良好
な再生信号等を得る。【解決手段】光ディスク３０の情報記録面にビームス
ポットを照射するための可動可能な対物レンズ１６と、
半導体レーザから出射されたレーザ光を対物レンズ１６
に平行光として導くコリメータレンズ１４を有し、情報
記録面で反射された反射光を再び対物レンズ１６及びコ
リメータレンズ１４を介して受光素子２０に入射させ、
光ディスク３０の半径方向と半導体レーザ１１の電界振
動方向とを一致させるとともに、光ディスク３０の半径
方向に半導体レーザ１１のレーザ光の幅広な光量分布方
向を一致させるように光路に１／２波長板１５を配置し
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録再生装
置の一部を構成する光ピックアップ装置に関し、特にミ
ニディスク装置に最適な光ピックアップ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のミニディスク用光ピックアップ装
置５０は、図示しない金属製のキャリッジに載置され、
図６に示すように、レーザ光を出射する半導体レーザ５
１と、この半導体レーザ５１から出たレーザ光を反射す
るビームスプリッター５２と、このビームスプリッター
５２から出射したレーザ光を平行光に変換するコリメー
タレンズ５３と、この平行光を一点に結像するように、
上下左右に可動するガラスまたは樹脂製の対物レンズ５
４とから構成されていて、この対物レンズ５４から出射
したレーザ光を光ディスク（ミニディスク）５５上にビ
ームスポットを結ぶようにしたものである。ここで、半
導体レーザ５１とビームスプリッター５２間には、回折
格子５６が配置されている。上記光ディスク５５上に
は、回折格子５６によってメインビーム１つとサブビー
ム２つの少なくとも３つの光に分離されたビームスポッ
トが結ぶようになっている。この方式は３ビーム方式と
いわれ、上記対物レンズ５４を光ピックアップ装置にお
ける光ディスクの半径方向に駆動するための制御に用い
られている。

【０００３】そして、これらビームスポットのうち、メ
インビームを光ディスク５５上に略螺旋状に形成された
複数本のグルーブ（溝部）間に入射させて、このグルー
ブ間の記録層に入射し、ここで反射されたメインビーム
の戻り光を再び対物レンズ５４、コリメータレンズ５
３、ビームスプリッター５２に入射するようになってい
る。このメインビームの戻り光は、光ディスク５５上の
磁性体に当たって反射するとき、この磁性体が信号情報
に応じて予め２つの異なる磁気記録されたことによっ
て、２つの異なる偏光角度をもって反射される。そし
て、偏光角度をもった戻り光は、ビームスプリッター５
２にてほぼ直角に反射し、偏光検出プリズム５８及び受
光レンズ５７を介して集光して、受光素子６０に入射す
る。受光素子６０では、反射光の光量に応じた光を電気
信号に変換する。このようにして、光ディスク５５に記
録された情報を再生することができる。

【０００４】２つのサブビームは、メインビームと同様
に光ディスク面で反射して、受光素子６０に入射する。
対物レンズ５４が光ディスクの半径方向（トラッキング
方向）に移動するときに、そのサブビームの光量が変化
するので、受光素子６０で位置検出して、その検出信号
をよって対物レンズ５４を駆動制御する。また、対物レ
ンズ５４の光ディスク５５上の焦点位置を調整するに
は、受光素子６０に結ぶ反射光の光量を検出して行う。

【０００５】上記半導体レーザ５１から外部に向けて放
出されたレーザ光強度分布は、図３に示すように、電界
振動方向である幅（水平）方向と厚さ（垂直）方向では
異なっている。このレーザ光強度分布は、円錐形状では
なくて、一般に電界振動方向である幅（水平）方向より
も上下（垂直）方向に大きく広がっている。これは、光
を放出する活性層の厚さが幅と比較して極めて薄いた
め、射出口端面における光の回折角度が異なるためであ
る。したがって、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、横軸
にレーザ光の広がり角度、縦軸に光強度（Ｐ0）をと
り、それぞれファーフィールドパターン（遠視野像）の
１／２の強度の点の幅（半値全角）を水平（θ‖）方向
と垂直（θ⊥）方向に分けて示すと、光量の分布は、略
正規分布状となり、水平（θ‖）方向の半値全角が狭
く、垂直（θ⊥）方向の半値全角は広くなっている。こ
こで、図中、レーザ光の光強度（Ｐ0）を３段階、すな
わち５ｍＷ、１０ｍＷ、１５ｍＷの場合が示されている
が、光強度を弱くした場合には読み込み（再生）に、光
強度を強くした場合には書き込み（記録）に使用され
る。

【０００６】また、半導体レーザ５１のレーザ光は一種
の電磁波であり、電場波と磁場波とが直交する一組の横
波である。進行方向をＺ軸にとると、電場がｘ、ｙ平面
に平行な面内で、その振動の大きさと方向を変化させな
がら伝搬していく波である。また、記録すべき情報に対
応し、光信号として光ディスク５５に記録するには、光
ディスク５５に半導体レーザ５１の光出力を数十倍まで
上げて、情報に応じて半導体レーザ５１から出射された
レーザ光が部分的に熱を加えることにより、ディスク記
録層の保磁力を低下させ、かつ磁気ヘッド６１により光
ディスク５５面上の磁化方向を変えて上記グルーブ間に
情報を記録するようになっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
ミニディスク用光ピックアップ装置５０では、光ディス
ク５５上に磁気記録又は再生する際、規格上ディスク半
径方向とディスク面に照射されたレーザ光の電界振動方
向（Ｅベクトル）とを一致させる必要があった。そのた
め、半導体レーザ５１は電界振動方向Ｅをキャリッジの
底板に対してほぼ平行となるように取付け固定される。
しかしながら、上述したように半導体レーザ５１は、そ
の電界振動方向と、それと直交する方向では光量分布の
広がり角度が異なり、電界振動方向がそれと直交する方
向よりも狭くなっているため、光ディスク５５のディス
ク半径方向に可動する対物レンズ５４は、中立位置から
半径方向にシフトすると、光量分布が中立位置をピーク
値とする略正規分布状であるため、シフト量が大きくな
るにつれて、光量が減少してしまうという問題があっ
た。

【０００８】このようにレーザ光の光ディスクからの反
射光の光量が減少すると、良好な再生信号が得られない
おそれがあった。本発明は、以上の点に鑑みてなされた
ものであり、対物レンズのディスク半径方向の移動が生
じても反射光量の変動を抑制して良好な再生信号等が得
られる光ピックアップ装置を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の第１の解決手段として、半導体レーザで発生するレー
ザ光の電界振動方向をキャリッジの取付面に対して垂直
となるように、半導体レーザがキャリッジに取付け固定
されるとともに、光路の途中に１／２波長板を介在させ
て、電界振動の方向を変えて、光ディスクのディスク半
径方向に一致させたものである。

【００１０】また、第２の解決手段として、対物レンズ
とビームスプリッタとの間にコリメータレンズを配置
し、対物レンズに入射するレーザ光を略平行光とすると
共に、この光路間に１／２波長板を介在させたものであ
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態であるミニデ
ィスク用光ピックアップ装置９は、金属板からなり、底
板部１０ａを有するキャリッジ１０（図２参照）に、図
１に示すように、レーザ光を発生する半導体レーザ１１
と、この半導体レーザ１１から水平に出射されて、入射
したレーザ光を内部で略直角に反射させ、鉛直方向（図
中上下方向）に出射するビームスプリッター１２と、こ
のビームスプリッター１２から鉛直方向に出射された発
散光であるレーザ光を平行光にするコリメータレンズ１
４と、コリメータレンズ１４からの光の偏光方向を９０
度回転する１／２波長板１５と、図示しないアクチュエ
ータに取付けられ、鉛直方向及び後述する光ディスクの
半径方向に移動可能な対物レンズ１６と、ビームスプリ
ッター１２の真下に配された偏光検出プリズム１７と、
一面を円筒面、他面を凹面にした受光レンズ１８と、受
光レンズ１８の真下に配置されて、レーザ光を受光する
受光素子２０とを収納して、構成されている。さらに、
半導体レーザ１１とビームスプリッタ１２の光路間に
は、回折格子１３が配設されていて、ビームスプリッタ
１２の入射面にこの回折格子１３が接着剤などによって
貼り付け固定されている。ここで、半導体レーザ１１そ
れ自体は、後述する筐体への取付けを除けば、半導体レ
ーザ５１と同じである。

【００１２】そして、光ピックアップ装置９の対物レン
ズ１６の真上には、ミニディスクである光ディスク３０
が配置されている。光ディスク３０は、樹脂製の矩形状
をしたケース（図示せず）と、このケース内に収納され
たディスクとからなり、このディスクは円盤状をした透
明な樹脂製の基板と、この基板内に形成された磁性体の
反射膜である記録層３０ａとからなっている。そして、
ミニディスク装置に搭載されたときに、ケースから、こ
のディスクの一部が露出可能となっていて、半導体レー
ザ１１のレーザ光があたり、ディスクがケース内で軸中
心に回転できるようになっている。

【００１３】上記半導体レーザ１１は、図２に示すよう
に、ガリウム砒素（GaAs）等の半導体材料からなる活性
層１１ａと呼ばれる極めて薄い発光層と、この活性層１
１ａの上下に積層された(GaAl)As等のクラッド層１１ｂ
とからなり、活性層１１ａの一部分である出射口１１ｄ
から外部に向けてレーザ光を放射するようになってい
る。この半導体レーザ１１は、さらに各クラッド層１１
ｂの両側にそれぞれ電極１１ｅ、１１ｆが設けられてい
る。そして、半導体レーザ１１は熱の発散をよくするた
めに金属製のヒートシンク１１ｇないしはシリコン基板
（図示せず）等に取り付けられている。

【００１４】レーザ光の広がり角度は、図２及び図３に
示すように、図中レーザｘ（水平）方向とｙ（垂直）方
向では異なっている。このレーザ光の広がりは、円錐形
状ではなくて、一般にレーザｘ（水平）方向よりもｙ
（垂直）方向に大きく広がっている。これは、レーザ光
を放出する出射口１１ｄの厚さ（約０．２μｍ）が幅
（約２μｍ）と比較して極めて薄いため、端面における
光の回折角度が異なるためである。図４Ａ及び図４Ｂに
示すように、半導体レーザ１１は、従来の半導体レーザ
５１と同じく、レーザ光の断面の光強度分布を略正規分
布状として、水平（θ‖）方向の半値全角が狭く、垂直
（θ⊥）方向の半値全角は広くなっている。そして、半
導体レーザ１１は、従来の光ピックアップ装置の場合と
違って、光ディスク３０に焦点を結ぶビームスポットに
ついて、このディスク半径方向に幅広の光量分布となる
ように、取り付け位置を光軸方向（ｚ軸）を軸として９
０度回転させて取り付け固定している。すなわち、図２
における半導体レーザｘ方向が光ディスク３０面のトラ
ック接線方向と平行になり、それと垂直なｙ方向が光デ
ィスク３０面に水平で、且つディスク半径方向と平行と
なる。このようにして、図示しない筐体に半導体レーザ
１１が取り付け固定されていて、後述する光ディスクの
ディスク半径方向にそのレーザ光の幅広な光強度分布と
なっている。

【００１５】また、半導体レーザ１１のレーザ光は、一
種の電磁波であり、電場波と磁場波とが直交する一組の
横波である。進行方向をＺ軸にとると、電場がｘ、ｙ平
面に平行な面内で、その振動の大きさと方向を変化させ
ながら伝搬していく波である。また、このレーザ光は、
半導体レーザ１１の活性層に略平行な直線偏光である。
また、半導体レーザ１１は、通常数ｍＷの出力で使用す
るが、光ディスク３０に情報を記録するために、その出
力を数十ｍＷまで上げて、出射されたレーザ光を光ディ
スク３０の記録層３０ａに照射・加熱することにより、
記録層３０ａを有する光ディスク３０の真上に配された
図示しない磁気ヘッドにて、記録層３０ａの磁化方向を
変化させて信号情報を記録するようになっている。

【００１６】上記回折格子１３は、図１に示すように、
光学ガラス等からなり、連続した矩形状のスリットを形
成していて、この回折格子１３を通過した光は、直進す
る方向で光量が一番強く（零次光）、その両側に、位
置、光量がほぼ対称に現れる一次光となる。そして、こ
の回折格子１３を光路内に入れると、光ディスク３０上
にメインビーム１つとサブビーム２つの少なくとも３つ
の光に分離されたビームスポットを結ぶようになる。こ
の方式は３ビーム方式といわれ、光ピックアップ装置９
における対物レンズを駆動制御する際に、光ディスク３
０の半径方向の駆動制御、いわゆるトラッキング誤差検
出用の制御に用いられている。

【００１７】上記ビームスプリッタ１２は、三角柱をし
た２つの光学ガラスを傾斜面を互いに貼り合わせて形成
したものであり、この貼り合わせ面には、多層構造をし
た半透過膜１２ｃで構成されている。また、この半透過
膜１２ｃは光の偏光方向により透過率ないしは反射率が
異なる性質をもつ。ビームスプリッタ１２の入射面１２
ａは、半導体レーザ１１と対向し、この入射面１２ａに
は回折格子１３が貼り付け固定されている。他方、ビー
ムスプリッタ１２の出射面１２ｂは、コリメータレンズ
１４と対向配置されている。このビームスプリッタ１４
は、半導体レーザ１１からのレーザ光を半透過膜１２ｃ
で反射し、光ディスク３０からの戻り光を同じ半透過膜
１２ｃで透過するようになっている。

【００１８】上記コリメータレンズ１４は、２枚の研磨
ガラスレンズないしは１枚の成型レンズからなり、光を
平行光にしている。そして、半導体レーザ１から出射し
た拡がりをもったレーザ光は、このコリメータレンズ１
４によって平行光に変換され、対物レンズ１５が光ディ
スク３０面と平行に移動しても収差が生じないようにし
ている。以上のように説明してきた半導体レーザ１１、
ビームスプリッタ１２，コリメータレンズ１４により、
いわゆる無限系といわれる光学系を構成している。

【００１９】上記１／２波長板１５は、矩形状をした水
晶板等からなり、互いに垂直な２つの偏光成分に１／２
波長の位相差を生じさせる。この１／２波長板１５は、
コリメータレンズ１４と対物レンズ１６の光路間に所定
の角度で配置されて、半導体レーザ１１から出射された
直線偏光のレーザ光を９０度偏光方向を変えるようにな
っている。なお、１／２波長板１５はその表面反射光の
悪影響を防ぐために光軸に対して若干傾けてもよい。

【００２０】上記対物レンズ１６は、光学ガラスや樹脂
部材からなり、レーザ光を集光させて、光ディスク３０
にビームスポットを結ぶようにしている。対物レンズ１
６は図示しないアクチュエータに取り付けられて、回転
する光ディスク３０の記録層３０ａに精度良くビームス
ポットを結ぶために、光ディスク３０の半径方向（トラ
ッキング方向）及び接離方向（フォーカス方向）に動け
るように駆動制御されている。ビームスポットは、その
中央部が光強度分布のピーク値が位置するように、対物
レンズ１６の中立位置が規定されている。ここで、トラ
ッキング方向の駆動制御には、上述した３ビーム方式が
使用されている。

【００２１】上記偏光プリズム１７はビームスプリッタ
１２を透過した光ディスク３０からの戻り光を偏光方向
に応じて３つの光に分離する。通常はウォラストンプリ
ズムが用いられる。上記受光素子２０は、フォトダイオ
ード等の半導体素子からなり、光ディスク３０で反射さ
れた反射光を偏光検出プリズム１７により３つに分離
し、電気信号に変換する。トラッキングサーボに３ビー
ム方式を用いる場合、この受光素子２０には、メインビ
ーム、サブビームに対応するフォトダイオードが設けら
れている。また、偏光検出プリズム１７を通過すること
により、光は３分割され、このうち１つは主として対物
レンズ１６のフォーカス方向ないしは光ディスク３０の
ディスク回転方向の制御に用いられ、残る２つはその光
の強度差を検出することにより、ディスク情報の再生に
用いられる。そのために、上記受光素子２０は、８個の
フォトダイオードが設けられている。このようにして、
これらフォトダイオードは、光ディスク３０の記録層３
０ａに記録された情報に対応して、再生した信号再生を
行うとともに、フォーカス誤差検出及びトラッキング誤
差検出を行っている。

【００２２】以上の構成からなるミニディスク用光ピッ
クアップ装置は、次のように動作する。１）光ディスク３０上の信号情報の再生：図１におい
て、半導体レーザ１１の出力を数ｍＷにして、出射され
たレーザ光は、偏光方向（Ｅベクトル振動方向）を図の
垂直方向になるようにして、回折格子１３及びビームス
プリッタ１２に入射する。回折格子１３によって、メイ
ンビーム、サブビームの少なくとも３つのレーザ光に分
離されて、ビームスプリッタ１２の入射面１２ａにこれ
らメインビーム及びサブビームが入射する。さらに、メ
インビーム及びサブビームは、ビームスプリッタ１２の
半透過膜１２ｃで略直角に曲げられ、出射面１２ｂから
出射されて、コリメータレンズ１４に入射する。コリメ
ータレンズ１４では、これらメインビーム及びサブビー
ムは、略平行光に変換され、続いて１／２波長板１５に
入射する。コリメータレンズ１４を出たメインビーム及
びサブビームは、ビームスプリッタ１２を出たときと同
じく直線偏光であるが、この１／２波長板１５を透過し
た後、１／２波長（１８０度）位相がずれる。したがっ
て、偏光方向は９０度回転して、図の水平方向になる。
そして、対物レンズ１６によって、これらメインビーム
及びサブビームは、光ディスク３０の記録層３０ａにそ
れぞれ焦点（ビームスポット）を結ぶ。

【００２３】図５には、光ディスク３０の記録層３０ａ
に設けられたグルーブ（溝部）間にメインビームが照射
した状態を示す模式図が示されている。メインビーム
は、光ディスク３０のディスク半径方向ＸｒがＹｔより
僅かに狭くなった楕円状をしたビームスポットを結ぶ。
これは、半導体レーザ１１が図示しない筐体に固定する
際に、半導体レーザ１１のレーザ接合面方向が筐体の水
平面と垂直に取付け固定されて、レーザ光の幅広な光強
度分布を持つ方向が光ディスク３０のディスク半径方向
Ｘｒと一致させたからである。ここで、１／２波長板１
５で１８０度位相をずらしたことにより、半導体レーザ
１１の電界振動方向（偏光方向）を９０度回転させて、
規格で規定されたように、この電界振動方向と光ディス
ク半径方向とを一致させることができる。このように、
従来の光ピックアップ装置５０と比較すると、従来の光
ピックアップ装置はディスク半径方向のビームスポット
が幅広な光強度分布となるのに対し、本発明の光ピック
アップ装置９では光ディスク半径方向とレーザ光の電界
振動方向を一致させた状態で、ディスク半径方向に幅狭
なレーザ光の光強度分布をもつビームスポットを得るこ
とが出来る。

【００２４】一方、メインビームのビームスポットは、
信号記録情報に対応してＮ極又はＳ極に磁化された記録
層３０ａにあたって反射する。この反射光は、これら異
なる磁極に対応した異なる偏光回転角をもった状態で再
び対物レンズ１６を介して１／２波長板１５に戻る。さ
らに、この反射光は、コリメータレンズ１４を透過し
て、ビームスプリッタ１２の出射面１２ｂから入射し
て、このビームスプリッタ１２の半透過膜１２ｃに至
る。この反射光は、半透過膜１２ｃを透過する。この半
透過膜１２は、偏光方向により透過率が異なるように設
計されていて、見かけの偏光回転角を拡大する機能を有
する。ビームスプリッタ１２を通過することにより見か
けの偏光回転角を拡大された光は偏光検出プリズム１７
により３つに分離される。これらの光は受光レンズ１８
を介して受光素子２０に入射する。受光素子２０では、
この反射光を電気信号に変換して、光ディスクに記録さ
れた信号情報を再生する。また、この受光素子２０は、
回折格子１３により生じた２つのサブビームからトラッ
キング誤差を電気信号として検出して、図示しないアク
チュエータに搭載された対物レンズ１６の駆動制御を行
うとともに、メインビームの受光素子２０でのスポット
形状変化を検出して、対物レンズ１６の焦点方向（光デ
ィスク３０の接離方向）の駆動制御を行う。

【００２５】２）光ディスク３０への信号情報の記録：
次に、光ディスク３０への信号情報の記録は、基本的な
原理は上述した光ディスク３０の再生と同じであるが、
半導体レーザ１１の光出力を数十ｍＷに上げて行う。こ
のレーザ光によって、光ディスク３０の記録層３０ａ面
に部分的に加熱し、保磁力が低下し、光ディスク３０の
上部にある図示しない磁気ヘッドにより磁化の方向を反
転し、記録する。

【００２６】このような光ピックアップ装置９では、光
ディスク９０のディスク半径方向のビームスポット径を
小さくできることにより、光ディスク９０の隣接したト
ラックからの影響を極力抑えることが可能となる。ここ
で、トラック方向のビームスポット径は、光ディスク９
０の短い記録長に対応した信号レベルを再生するときに
は、図示しない波形等価回路の利得（ゲイン）を最適化
して行われる。なお、本発明の光ピックアップ装置９の
ように無限形の光学系でなく、有限系の対物レンズ１６
を用いた有限系の光学系にしてもよい。このとき、コリ
メータレンズ１４は省略することができ、さらに簡単な
構造にすることができる。また、半導体レーザ１１は、
レーザ光の強度分布が緩やかな方向（θ⊥）が光ディス
ク３０のディスク半径方向となるように、キャリッジ１
０の底板部１０ａに垂直に取付けられたことにより、対
物レンズ１６が光ディスク３０のディスク半径方向へ移
動しても、レーザ光の光強度の減少が抑制されるので、
良好な誤差検出信号及び再生信号を得ることができる。
そして、対物レンズ１６を駆動制御する電気信号上での
精度の許容値を広げることができるとともに、組み立て
がし易くなり、コストダウンを図ることができる。

【００２７】

【発明の効果】以上説明してきたように本発明の光ピッ
クアップ装置は、キャリッジに載置されて、レーザ光を
発生する半導体レーザと、該レーザ光の光路を変換する
ビームスプリッタと、レーザ光を光ディスクに照射する
可動可能な対物レンズとを有し、光ディスクから反射さ
れた反射光を再び対物レンズ及びビームスプリッタを介
して受光素子に入射させる光ピックアップ装置におい
て、半導体レーザで発生するレーザ光の電界振動方向を
キャリッジの取付面に対して垂直となるように、半導体
レーザがキャリッジに取付け固定されるとともに、光路
の途中に１／２波長板を介在させて、電界振動の方向を
変えて光ディスクのディスク半径方向に一致させたこと
により、対物レンズが光ディスクのディスク半径方向へ
移動しても、レーザ光の光強度が減少するのを抑制する
ことができる。また、光ディスク上において、ディスク
半径方向のビームスポット径が小さくなるので、隣接ト
ラックからのクロストークノイズも小さくなり、良好な
誤差検出信号及び再生信号を得ることができる。また、
レーザ光の反射光に対応して、対物レンズを駆動制御す
る電気信号の精度の許容値を広げることができるので、
組み立てがし易くなり、コストダウンを図ることができ
る。

【００２８】また、対物レンズとビームスプリッタとの
間にコリメータレンズを配置し、対物レンズに入射する
レーザ光を略平行光とすると共に、この光路間に１／２
波長板配置したことにより、対物レンズに入射するレー
ザ光が無限系の平行光となるため、１／２波長板の偏光
角度の位置調整が容易になり、取付けを簡単に行うこと
ができ、作業効率を上げることができ、さらにコストダ
ウンを図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ピックアップ装置の光路図である。

【図２】本発明の光ピックアップ装置を構成する半導体
レーザをキャリッジに取付けたときの状態を上方から見
た要部模式図である。

【図３】該半導体レーザのレーザ光の広がりを示す模式
図である。

【図４】該半導体レーザの放射特性を示す図であり、図
４Ａは水平方向の放射特性を、図４Ｂは垂直方向の放射
特性を示す図である。

【図５】本発明の光ピックアップ装置において、光ディ
スクにレーザ光を照射した状態を示す図である。

【図６】従来の光ピックアップ装置の光路図である。

【符号の説明】

１１半導体レーザ１２ビームスプリッタ１３回折格子１４コリメータレンズ１５１／２波長板１６対物レンズ１７偏光検出プリズム１８受光レンズ２０受光素子３０光ディスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】キャリッジに載置されて、レーザ光を発
生する半導体レーザと、該レーザ光の光路を変換するビ
ームスプリッタと、前記レーザ光を光ディスクに照射す
る可動可能な対物レンズとを有し、前記光ディスクから
反射された反射光を再び前記対物レンズ及び前記ビーム
スプリッタを介して受光素子に入射させる光ピックアッ
プ装置において、前記半導体レーザで発生する前記レー
ザ光の電界振動方向を前記キャリッジの取付面に対して
垂直となるように、該半導体レーザが前記キャリッジに
取付け固定されるとともに、前記光路の途中に１／２波
長板を介在させて、前記電界振動の方向を変えて、前記
光ディスクのディスク半径方向に一致させたことを特徴
とする光ピックアップ装置。
【請求項２】前記対物レンズと前記ビームスプリッタ
との間にコリメータレンズを配置し、前記対物レンズに
入射する前記レーザ光を略平行光とすると共に、この光
路間に前記１／２波長板を介在させたことを特徴とする
請求項１記載の光ピックアップ装置。