JP3740777B2 - 受発光素子、光学ピックアップ装置及び光ディスク装置 - Google Patents
受発光素子、光学ピックアップ装置及び光ディスク装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3740777B2 JP3740777B2 JP03676497A JP3676497A JP3740777B2 JP 3740777 B2 JP3740777 B2 JP 3740777B2 JP 03676497 A JP03676497 A JP 03676497A JP 3676497 A JP3676497 A JP 3676497A JP 3740777 B2 JP3740777 B2 JP 3740777B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- prism
- light receiving
- optical
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、受発光素子、この受発光素子を用いた光学ピックアップ装置及び光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光ディスク、例えばいわゆるピットディスクや光磁気ディスクに対して情報信号を記録再生するための光学ピックアップ装置は、例えば、図２１に示すように構成されている。
【０００３】
この光学ピックアップ装置１は、半導体レーザ素子２、グレーティング３、ビームスプリッタ４、コリメータレンズ５、対物レンズ６、ウォラストンプリズム７、マルチレンズ８及び光検出器９を備えており、これらの各光学部品が個別にマウントされて構成されている。
【０００４】
すなわち、この光学ピックアップ装置１は、上記半導体レーザ素子２から出射される光ビームをグレーティング３を通してビームスプリッタ４に入射し、ビームスプリッタ４で、半導体レーザ素子２から出射された光ビームと光磁気ディスクＭＯの信号記録面からの反射光束とを分離する。
【０００５】
ビームスプリッタ４は、一般に、一対の光学プリズムとこれら一対の光学プリズムの間に蒸着やスパッタリングによって形成された誘電体多層膜とによって構成されている。
【０００６】
上記ビームスプリッタ４により分離されて透過した半導体レーザ素子２からの上記誘電体多層膜に対してＰ偏光成分の光ビームは、コリメータレンズ５に入射され、コリメータレンズ５で平行な光ビームに変換されて上記対物レンズ６に入射される。
【０００７】
対物レンズ６は、入射光を光磁気ディスクＭＯの信号記録面のある一点に収束させて照射する。この対物レンズ６は、図２１中矢印Ｆで示すフォーカス方向及び図２１中矢印Ｔで示すトラッキング方向に駆動される。
【０００８】
光磁気ディスクＭＯの信号記録面に照射された上記光ビームは、カー効果によって、その偏光面が回転される。
【０００９】
光磁気ディスクＭＯの信号記録面からの反射光束は、再び対物レンズ６及びコリメータレンズ５を介してビームスプリッタ４に入射され、ビームスプリッタ４でその反射率に応じた光量の光ビームが反射分離される。
【００１０】
このビームスプリッタ４によって分離された反射光束は、ウォラストンプリズム７に入射され、このウォラストンプリズム７で、複数の光ビームに分割されて、マルチレンズ８に入射される。
【００１１】
上記マルチレンズ８に入射された反射光束は、フォーカスエラー検出のための非点収差が発生されるとともに、光検出器９までの反射光束の光路長の延長が図られている。
【００１２】
光検出器９は、マルチレンズ８を介してウォラストンプリズム７で複数の光ビームに分割された反射光束を受光するために、その受光面が、複数の受光部から構成されており、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号等のエラー信号及び光磁気ディスクＭＯの読み取り信号の基となる信号を出力する。
【００１３】
このように、図２１に示した光学ピックアップ装置１は、個別にマウントされた複数の光学部品により、光磁気ディスクＭＯに書き込まれている記録情報を読み取るようになっており、小型化や高信頼性化が困難であると共に、部品点数が多く、各部品の製造工程，光学ピックアップ装置の組立工程や調整工程が複雑になり、コストが高くなってしまうという問題があった。
【００１４】
これに対して、再生専用の光ディスク、例えば、いわゆる「ＣＤ」（Compact Disc）等の再生装置においては、図２２に示すような、一体型の受発光素子方式の光学ピックアップ装置が採用されている。
【００１５】
この一体型の受発光素子方式の光学ピックアップ装置１０は、対物レンズ１１、光路折曲用ミラー１２，１３及び受発光素子１４を備えており、受発光素子１４から照射された光ビームを光路折曲用ミラー１２，１３及び対物レンズ１１を介して、光ディスク（ＣＤ）の信号記録面に収束合焦させる。
【００１６】
上記受発光素子１４は、図２３に示すように構成され、発光素子と受光素子とを一体の光学ブロックとして、半導体パッケージに封入させたものである。
【００１７】
受発光素子１４は、第１の半導体基板１５上に第２の半導体基板１６が載置され、この第２の半導体基板１６上にレーザダイオードチップ１７が搭載されている。
【００１８】
レーザダイオードチップ１７の前方の第１の半導体基板１５上には、レーザダイオードチップ１７側に傾斜面（光路分岐面）を有した台形形状のプリズム１８が配設されており、この光路分岐面には、ビームスプリッタとしての無偏光半透過膜１８ａが形成されている。また、プリズム１８は、その上面に、全反射膜１８ｂが形成されており、その下面に、無偏光半透過膜１８ｃが形成されている。プリズム１８は、レーザダイオードチップ１７から出射された光ビームを、その光路分岐面により反射して、光ビームを外部に出射する。
【００１９】
この受発光素子１４から出射された光ビームは、図２２に示すように、光路折曲用ミラー１３，１２を介して対物レンズ１１に入射され、この対物レンズ１１により光ディスク（ＣＤ）の信号記録面上に収束合焦される。
【００２０】
光ディスク（ＣＤ）により反射された光ビームは、対物レンズ１１及び光路折曲用ミラー１２，１３を介して受発光素子１４のプリズム１８内に入射し、プリズム１８の底面及び上面で順次に反射されることにより、このプリズム１８の底面の二ヶ所で、プリズム１８の下方に出射するようになっている。
【００２１】
そして、第１の半導体基板１５の上面には、プリズム１８の底面の二ヶ所から出射した光を受光する位置に、光検出器１９ａ，１９ｂが形成されている。
【００２２】
光検出器１９ａ，１９ｂは、図２４に示すように、その中央付近において縦方向に平行に延びる三本の分割ラインによって、それぞれ受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄ及び受光部ｅ，ｆ，ｇ，ｈに４分割されており、光ディスク（ＣＤ）で読み取った情報信号を検出する。また、４分割されたセンサ素子のうち、中央よりの二つのセンサ素子による検出信号の差を取ることにより、すなわち、各受光部ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈからの検出信号Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄ、Ｓｅ、Ｓｆ、Ｓｇ、Ｓｈに基づいて、フォーカスエラー信号ＦＣＳが、図２５にも示すように、
ＦＣＳ＝｛（Ｓａ＋Ｓｄ）−（Ｓｂ＋Ｓｃ）｝−｛（Ｓｅ＋Ｓｈ）−（Ｓｆ＋Ｓｇ）｝
により、検出される。
【００２３】
このように、受発光素子１４は、無偏光光学系を用いることにより、小型化、高性能化が実現されている。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の光学ピックアップ装置１０においては、光学系として、無偏光光学系が用いられた構成となっていたため、「ＣＤ」等の再生専用の光ディスクの再生装置には適用することができるが、光磁気ディスクの記録再生装置の光学ピックアップ装置としては、そのままでは適用することができない。
【００２５】
このため、光磁気ディスクの記録再生用の光学ピックアップ装置に適用するには、例えば、図２６に示すように、プリズム１８とこのプリズム１８の下面の無偏光半透過膜１８ｃとの間に、平行平板状の半波長板１８ｄを設けるとともに、ビームスプリッタとしての無偏光半透過膜１８ｃの代わりに、検光子機能を有するＰビームスプリッタ（ポラライズド・ビームスプリッタ）１８ｅを用いる等の必要がある。
【００２６】
ところが、従来の受発光素子に単に上述のようにビームスプリッタとしてＰビームスプリッタを用いると、Ｐビームスプリッタとなるところに入射する光ビーム線の入射角の中心値が２１°程度と小さな角度になり、多層膜によるビームスプリツタを使用することができず、またプリズム１８の部品点数が多くなってしまい、製造工程が複雑となり、製造コスト及び組立コストが高くなってしまうという問題があった。
【００２７】
本発明は、以上の点に鑑み、光磁気ディスクに適用可能で、小型、軽量、かつ、信頼性の高い受発光素子とこれを利用した光学ピックアップ装置及び光磁気ディスク装置を提供することを目的としている。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
上述のような目的を達成するため、本発明に係る受発光素子は、第１の半導体基板上に形成された受光素子群と、上記第１の半導体基板上に搭載された第２の半導体基板上に形成された発光素子と、複屈折性材料により形成され、互いに平行な第１及び第２の面を有し、上記第１及び第２の面と斜めに交差するように設けられた光路分岐面を備え、この光路分岐面には上記発光素子から出射された光ビームと光ディスクの信号記録面で反射された光ビームとを分岐する光分岐膜が形成され、さらに、上記第１の半導体基板に対向する第１の面に、半透過膜が形成されたプリズムとを備える。ここで、上記受光素子群は、第１、第２及び第３の受光部を備え、上記第１の受光部は、上記光路分岐面から上記プリズムに入射する際に２群に分離された光ビームが上記プリズムから上記半透過膜を透過した位置であって、上記２群に分離された光ビームのそれぞれの群により形成される光スポットを互いにずれながら重なった状態で受光する位置に設けられ、上記第２及び第３の受光部は、上記光路分岐面から上記プリズムに入射する際に２群に分離された光ビームが、上記プリズムを透過して上記半透過膜により反射され、再び上記プリズムを透過し、上記半透過膜が形成された第１の面に対向する第２の面により反射され、再び上記プリズムを透過し、上記プリズムから上記第１の面の上記半透過膜が形成されていない領域を透過した位置であって、上記２群に分離された光ビームのそれぞれの群により形成される光スポットを完全に分離した状態でそれぞれ独立に受光する位置に設けられている。
【００２９】
上記構成によれば、第１の半導体基板上に受光素子が形成され、この第１の半導体基板上に搭載された第２の半導体基板上に発光素子が形成されている。
【００３０】
第１の半導体基板上には、プリズムの半透過膜、そして好ましくは反射防止膜、又はＳ偏光、Ｐ偏光の透過率に差をもたせた誘電体多層膜が形成された互いに平行な第１及び第２の面のうちの一方の面である第１の面が載置されている。プリズムは複屈折性材料により形成され、発光素子から出射された光ビームと光ディスクの信号記録面で反射された光ビームとを分離する光分離膜が形成された光路分岐面を備える。この光路分岐面からプリズム内に入射された光ビームは、複屈折性材料により形成されたプリズムにより２群の光ビームに分離されながら半透過膜が形成された第１の面から第１の受光部に入射される。このとき、分離された２群の光ビームは、光スポットとしては互いにずれながら重なった状態で第１の受光部に入射される。
【００３１】
これにより、光路分岐面から半透過膜の形成された第１の面に入射する光ビームは、その一部が透過して第１の受光部に入射すると共に、その一部が反射されて、第１の面に対向するこの面と平行な第２の面に入射する。第２の面に入射された光ビームは、複屈折性材料により形成されたプリズムによりさらに分離されながら第２の面側に形成された高反射層等により反射され、再び第１の面側に至り、光スポットとしても完全に分離された状態で第２及び第３の受光部にそれぞれ入射する。
【００３２】
光磁気ディスクから反射された光ビームは、複屈折性材料から成るプリズムに入射し進行することにより、複屈折性材料の特性に基づいて、２群の光ビームに分離される。この分離された二つの光ビームが第１の受光部に入射する際には、その分離が僅かであることから、光スポットとしては一つとみなして、第１の受光部のみによって検出され、処理される。そして、プリズムの第１の面側に設けた半透過膜により反射された２つの光ビームは、第２の面で再び反射された後、プリズム内を透過し、プリズム内を進行する光路の長さに伴って、互いの距離が大きく分離され、光スポットとして完全に２つに分離された状態で第２及び第３の受光部に入射し、検出される。
そして、第１の受光部により検出される検出信号と、第２及び第３の受光部の双方から検出される検出信号又は第２及び第３の受光部のいずれか一方で検出される検出信号に基づいてフォーカスエラー信号を得ることができる。
【００３３】
また、本発明は、受発光素子と、この受発光素子から出射された光ビームを光ディスクの信号記録面上に合焦させて照射するとともに光ディスクの信号記録面から反射された光ビームを受発光素子に導入する光学系とを備えた光学ピックアップ装置において、上述した受発光素子を用いたものである。
さらに、本発明は、光ディスクを回転駆動する駆動手段と、回転する光ディスクに対して対物レンズを介して光ビームを照射し、上記光ディスクの信号記録面から反射された光ビームを上記対物レンズを介して光検出器により検出する光学ピックアップ装置と、上記対物レンズを二軸方向に移動可能に支持する手段と、上記光検出器からの検出信号に基づいて再生信号を生成する信号処理回路と、上記光検出器からの検出信号に基づいて上記対物レンズを二軸方向に移動させるサーボ回路とを備えた光ディスク装置において、この光ディスク装置に用いられる光学ピックアップ装置の受発光素子として上述した受発光素子を用いたものである。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００３８】
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
【００３９】
図１０は、この発明の実施の形態に係る受発光素子及びこれを利用した光学ピックアップ装置を組み込んだ光ディスク装置の一実施の形態を示している。
【００４０】
図１０において、光ディスク装置１１０は、光磁気ディスク（ＭＯ）１１１を回転駆動する駆動手段としてのスピンドルモータ１１２と、光学ピックアップ装置１１３と、その駆動手段としての送りモータ１１４と、光磁気ディスク１１１に対して情報記録を行うための磁気へッド１１５とを備えている。
【００４１】
ここで、スピンドルモータ１１２は、システムコントローラ１１６及びサーボ制御回路１１８により駆動制御され、所定の回転数で回転される。
【００４２】
光磁気ディスク１１１としては、複数の種類の光ディスクを選択して、それぞれ記録再生できるようになっている。したがって、例えば光磁気ディスクだけでなく、いわゆる「ＣＤ」等の再生専用の光ディスクを再生することも可能である。
【００４３】
また、光学ピックアップ装置１１３は、この回転する光磁気ディスク１１１の信号記録面に対して、光を照射して、信号変復調器及びＥＣＣ１１７からの信号に基づいて、記録磁気ヘッド１１５とともに、信号の記録を行ない、またはこの信号記録面からの反射光束（戻り光）を検出するために、信号変復調器及びＥＣＣ１１７に対して反射光束に基づく再生信号を出力する。
【００４４】
これにより、信号変復調器及びＥＣＣ１１７の信号復調部にて復調された記録信号は、エラーコレクション部を介して誤り訂正され、コンピュータのデータストレージ用であればインターフェイス１２０を介して、外部コンピュータ等に送出される。これにより、外部コンピュータ等は、光磁気ディスク１１１に記録された信号を、再生信号として受け取ることができるようになっている。
【００４５】
また、光ディスク装置がオーディオ用であれば、Ｄ／Ａ、Ａ／Ｄ変換器１２１のＤ／Ａ変換部でディジタル／アナログ変換され、オーディオ信号を得る。
【００４６】
上記光学ピックアップ装置ｌ１３には、例えば光磁気ディスク１１１上の所定の記録トラックまで、移動させるための送りモータ１１４が接続されている。スピンドルモータ１１２の制御と、送りモータ１１４の制御と、光学ピックアップ装置１１３の対レンズを保持する二軸アクチュエータのフォーカシング方向及びトラッキング方向の制御は、それぞれサーボ制御回路１１８により行われる。
【００４７】
図１は、本発明の受発光素子、光学ピックアップ装置及びフォーカスエラー信号検出方法の好適な実施の形態を示す側面図である。
【００４８】
図１において、光学ピックアップ装置２０は、受発光素子２１と、この受発光素子２１から出射される光ビームを、図１０のスピンドルモータ１１２により回転駆動される光磁気ディスクＭＯの表面に収束させる対物レンズ２２と、受発光素子２１から出射された光ビームを対物レンズ２２に導く２個の光路折曲用ミラー２３，２４と、を有している。
【００４９】
光学ピックアップ装置２０は、受発光素子２１から出射された光ビームを光路折曲用ミラー２３、２４を介して対物レンズ２１に導き、対物レンズ２１により光磁気ディスクＭＯの信号記録面に収束合焦させる。
【００５０】
光磁気ディスクＭＯの信号記録面で反射された光ビームは、対物レンズ２１及び光路折曲用ミラー２４、２３を介して、受発光素子２１に入力される。
【００５１】
上記受発光素子２１は、図２に示すように、発光素子及び受光素子を一体の光学ブロックとして、半導体パッケージに封入されたものである。
【００５２】
すなわち、受発光素子２１は、第１の半導体基板２５上に先出力用の第２の半導体基板２６が載置され、この第２の半導体基板２６上に光源となるレーザダイオードチップ２７が搭載されている。
【００５３】
レーザダイオードチップ２７の前方の第１の半導体基板２５上には、レーザダイオードチップ２７側に略４５度の斜面として形成された光路分岐面２８ａを有するプリズム２８が設置されており、この光路分岐面２８ａには、光分離手段（ビームスプリッタ）としての例えば誘電体多層膜２９が形成されている。
【００５４】
プリズム２８は、例えば一軸性結晶ＬＮ（ＬｉＮｂＯ3 ），二軸性結晶ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ）または一軸性結晶ＹＶＯ４等の複屈折性材料から構成されており、図示の場合上面２８ｂ及び下面２８ｃが互いに平行に形成されている。一軸性結晶は、三次元方向の屈折率をそれぞれｎx，ｎy，ｎzとしたとき、
ｎx＝ｎy＜ｎz
または、
ｎx＜ｎy＝ｎz
が成立している結晶であり、二軸性結晶は、
ｎx＜ｎy＜ｎz
となっている結晶である。
【００５５】
上記誘電体多層膜（ビームスプリッタ）２９は、レーザダイオードチップ２７からの光ビームを反射させると共に、光磁気ディスクＭＯからの反射光束を透過させるように構成される。ここで、誘電体多層膜（ビームスプリッタ）２９が、Ｐ偏光に対する透過率ＴｐがＳ偏光に対する透過率Ｔｓより大きく選定されていると、光磁気信号のエンハンス機能を有することになり、光磁気信号のＳ／Ｎ比が向上し、より正確な光磁気信号の検出が行われることになる。
【００５６】
そして、光磁気ディスクＭＯにより反射された反射光束は、カー効果により偏光面が回転された光磁気信号成分を含んでおり、上記誘電体多層膜２９を透過してプリズム２８の光路分岐面２８ａからプリズム２８内に入射して、このプリズム２８の下面２８ｃに達する。このプリズム２８の光が入射する下面領域には、半透過膜３０が選択的に（第２及び第３の光検出器３３，３４にかさならないように）形成されていると共に、その下方の第１の半導体基板２５の上面部には、受光素子群をなす第１の受光部となる第１の光検出器３１が形成されている。
【００５７】
また、この半透過膜３０により反射され、さらにプリズム２８の上面２８ｂで反射された光ビームが、再びプリズム２８の底面に達する領域には、図４に示すように、光ビームの透過率を促進するために、後述のように、反射防止膜または誘電体多層膜３２が形成されていると共に、その下方の第１の半導体基板２５の上面部には、上記受光素子群をなす第２及び第３の受光部となる第２及び第３の光検出器３３，３４が形成されている。
【００５８】
ここで、各光検出器３１，３３，３４は、詳細には、図３に示すように、実質的に発光点であるレーザダイオードチップ２７と共役な位置（すなわち、図示の場合、プリズム２８の上面で反射される位置、反射光束の集光点）の前後に配設されている。
【００５９】
この場合、プリズム２８が複屈折性材料から構成されていることから、光ビームがプリズム２８内に入射すると、この入射光は二群の光ビームにその光路が分離されることになる。すなわち、プリズム２８が一軸性結晶（ＬＮ（ＬｉＮｂＯ3 ）、ＹＶＯ４）から構成されている場合には、このプリズム２８への入射光は、常光及び異常光の二つの光ビームにその光路が分離されることになる。また、プリズム２８が二軸性結晶（ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ））から構成されている場合には、このプリズム２８への入射光は、三次元方向の屈折率（ｎx，ｎy，ｎz）のうちの中間の屈折率ｎyとの屈折率の差の大きい方（ｎxまたはｎz）の方位に分離した二つの光ビームにその光路が分離されることになる。
【００６０】
そして、プリズム２８の上面で反射された二群の光ビームは、それぞれプリズム２８の下面に分離したまま達する。従って、これら二つの光線をそれぞれ受光するように第２及び第３の光検出器３３、３４が設けられている。
【００６１】
尚、第１の光検出器３１に入射する光ビームは、その分離が僅がであることから、実質的に一つの光束として処理可能であることから、第１の光検出器３１のみが設けられている。
【００６２】
ここで、半透過膜３０で反射された光ビームは、プリズム２８の上面にて、高反射層３５により反射される。この高反射層３５は、例えば反射率９８％程度の誘電体高反射膜から構成されるが、Ａｌ（アルミニウム），Ａｇ（銀）等の金属膜や金属板から構成されていてもよい。また、上記プリズム２８を構成する複屈折材料の屈折率を高く選定すれば、該プリズムの上面は、全反射面として作用させることが可能になるため、高反射層３５は省略することも可能である。
【００６３】
ここで、プリズム２８は、第１の半導体基板２５に対して接着剤により固定されるが、一般に接着剤の屈折率は例えば７８０ｎｍの近赤外域では約１．５であるので、プリズム２８を構成する複屈折性材料と接着剤の屈折率の差が大きい場合には、プリズム２８と接着剤との間に、反射防止膜３２を設けることが望ましい。
【００６４】
さらに、プリズム２８内では、誘電体多層膜２９、半透過膜３１等の特性の角度分布や、プリズム２８を構成する複屈折性材料の結晶の固有偏光方向の光束内分布等によって、入射する光ビームの光束内に光量分布が発生してしまう。このような光量分布は、場合によっては、光磁気再生信号に悪影響を及ぼすだけでなく、サーボ信号にも悪影響を与えることになる。このため、上述した光量分布を補正するために、Ｐ偏光とＳ偏光に対する光学特性に差を有する誘電体多層膜３２が、プリズム２８の下面に設けられていてもよい。
【００６５】
また、プリズム２８は、図２において、その光路分岐面２８ａが、プリズム２８の互いに平行な面である上面２８ｂ（第２の面）から下面２８ｃ（第１の面）まで延びている。このため、図５に示すように、レーザダイオードチップ２７からの光ビームの一部が、光路分岐面２８ａに形成された光分離膜である誘電体多層膜２９を透過して、迷光として直接に第１の検出器３１に入射してしまう場合がある。この場合、第１の光検出器３１の検出信号がこの迷光によって変化してしまう。このため、例えば図６に示すように、プリズム２８の光路分岐面２８ａのうち、光磁気ディスクＭＯからの反射光束が入射する際に、不要な部分２９ｂが面取りされることにより、上述した迷光の第１の光検出器３１への入射が排除される。
【００６６】
また、上記第１の半導体基板２５上には、図１１及び図１２に示すように、上記レーザダイオードチップ２７より見て上記プリズム２８の後方側に位置して、光出力検出器３６となる受光部が形成されている。この光出力検出器３６は、上記レーザダイオードチップ２７より発せられ上記プリズム２８を透過した光束を受光し、該レーザダイオードチップ２７の発光出力を検出する。上記レーザダイオードチップ２７の発光出力は、上記光出力検出器３６より出力される検出出力に応じて、一定の出力に制御される（いわゆるフロントオートパワーコントロール（ＦＡＰＣ））。
【００６７】
上述した各光検出器３１，３３，３４は、それぞれ光磁気ディスクＭＯの半径方向に関して、分割されている。すなわち、第１の光検出器３１は、図７に示すように、四つの分割受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄに分割され、また第２及び第３の光検出器３３，３４は、それぞれ両側と中央の三つの分割受光部ｘ，ｙ，ｘとｗ，ｚ，ｗに分割されている。
【００６８】
そして、各分割受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄとｘ，ｙ，ｗ，ｚからの検出信号Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ及びＳｘ，Ｓｙ，Ｓｗ，Ｓｚは、それぞれ図示しないアンプにより電流−電圧変換された後、例えば受発光素子２１の半導体基板２５に形成された図示しない演算回路もしくは、各分割受光部と接続された受発光素子２１の外部の演算回路により、以下のようにして、光磁気再生信号（ＭＯ信号）、ピット再生信号、フォーカスエラー信号ＦＣＳ及びトラッキングエラー信号ＴＲＫが演算される。
【００６９】
すなわち、本発明に係るフォーカスエラー信号検出方法は、以下のようにして、上記演算回路により実行される。
【００７０】
すなわち、光磁気再生信号ＭＯ・ＲＦは、
ＭＯ・ＲＦ＝（Ｓｘ＋Ｓｙ）−（Ｓｗ＋Ｓｚ）
により得られ、ピット再生信号ＰＩＴ・ＲＦは、
ＰＩＴ・ＲＦ＝（Ｓａ＋Ｓｂ＋Ｓｃ＋Ｓｄ）＋（Ｓｘ＋Ｓｙ）＋（Ｓｗ＋Ｓｚ）により得られる。
【００７１】
尚、ピット再生信号ＰＩＴ・ＲＦは、（Ｓａ＋Ｓｂ＋Ｓｃ＋Ｓｄ）と、（Ｓｘ＋Ｓｙ）及び（Ｓｗ＋Ｓｚ）とのうち、少なくとも一つから得られる。
【００７２】
これに対して、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、各検出部３１，３３，３４の検出信号（Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ）と、（Ｓｘ，Ｓｙ）及び（Ｓｗ，Ｓｚ）のうち、少なくとも一つの検出信号とに基づいて得られる。また、トラッキングエラ一信号ＴＲＫは、上記検出信号（Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ）と、（Ｓｘ，Ｓｙ）及び（Ｓｗ，Ｓｚ）のうち、何れか一組の検出信号を演算すればよい。
【００７３】
ここで、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳに関しては、プリズム２８内で二回反射された反射光束が、二つに分離されていることから、図２２及び図２３で示した「ＣＤ」用の受発光素子１４の場合と同じ演算によっては、フォーカスエラー信号が得られない。このため、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、以下のようにして検出されるようになっている。上記各光検出器３１，３３，３４上における上記反射光束がなすスポットの形状は、図１８に示すように、上記対物レンズ２２の焦点位置と上記光磁気ディスク１１１の信号記録面とのずれに応じて変化する。
【００７４】
すなわち、第１の検出方法においては、第１の光検出器３１に入射する光ビームの分離は僅かであるので、一つの光束として扱うことが可能である。従って、図７に示すように、四つに分割された第１の光検出器３１の各分割受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄからの検出信号Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄと、第２及び第３の光検出器３３，３４のうち、一方の光検出器３３の各分割受光部ｘ，ｙからの検出信号Ｓｘ，Ｓｙに基づいて、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、Ｇを正の定数としたとき、図８にも示すように、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ・（Ｓｙ−Ｓｘ）
により与えられる。ここで、上記第１の光検出器３１からの検出信号Ｓ1は、
Ｓ1＝（Ｓｂ＋Ｓｃ）−（Ｓａ＋Ｓｄ）
であり、上記第２の光検出器３３からの検出信号Ｓ2は、
Ｓ2＝Ｓｙ−Ｓｘ
である。
【００７５】
この場合、上記定数Ｇは、半透過膜３０により分配される光量比に基づいて決定される。これにより、従来の「ＣＤ」（コンパクト・ディスク）用受発光素子１４と同様のフォーカスエラー信号が得られることになる。すなわち、上記定数Ｇは、上記第１の光検出器３１が受光している上記反射光束（反射光束）の強度（Ｐα）と、上記第２の光検出器３３が受光している該反射光束の強度（ＰＩ）との比（Ｐα／ＰＩ）によって定められている。すなわち、
Ｇ＝Ｐα／ＰＩ＝（Ｓｂ＋Ｓｃ＋Ｓａ＋Ｓｄ）／（Ｓｙ＋Ｓｘ）
尚、この場合、第３の光検出器３４の各分割受光部ｗ，ｚからの個々の検出信号Ｓｗ，Ｓｚは、フォーカスエラー信号や他の信号の検出のために利用されないので、第３の光検出器３４は、図９に示すように、分割されずに、一つの受光部を有するように構成されていてもよい。
【００７６】
上記の検出方法においては、上記プリズム２８が複屈折性材料の結晶により形成されているので、上記第１の光検出器３１の受光面に形成される入射光のスポットは２本の光束が僅かにずれて重なって形成されていることから、図１９に示すように、合焦時の電気的バイアスがフォーカスエラー信号の基準レベルからずれてしまったり、スポット位置がずれたとき等において、合焦時の最適な電気的バイアスがずれてしまうことにより、結果としてデフォーカスしてしまうことがある。
【００７７】
すなわち、上記第１の光検出器３１からの検出信号Ｓ1と上記第２の光検出器３３からの検出信号Ｓ2とのバランスがとれているときには、図１５に示すように、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳの変化を示すＳ字カーブ（ＦＣＳ）は、合焦位置で０となる。ところが、上記各検出信号Ｓ1，Ｓ2が、上記第１の光検出器３１の受光面に２つの光スポットが僅かにずれて重なって形成されていることによって、互いにアンバランスになると、図１６に示すように、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳは、合焦位置において０とならなくなる。
【００７８】
このため、第１の光検出器３１及び第２の光検出器３３の内側分割受光部ｂ，ｃ，ｙの検出信号Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｙは対して、外側分割受光部ａ，ｄ，ｘの検出信号Ｓａ，Ｓｄ，Ｓｘにゲインを持たせることにより、上記不具合を除去または抑制することができる。従って、第２の検出方法として、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、上記ゲインとしての定数Ｋ１，Ｋ２として、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｋ１・（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ・（Ｓｙ−Ｋ２・Ｓｘ）
により、与えられる。
【００７９】
さらに、この光学ピックアップ装置においては、上記演算回路は、上記第２の光検出器３３からの検出信号Ｓ2に掛かる定数Ｇを適宜設定された初期値として動作を開始し、後述する対物レンズ駆動機構により上記フォーカスエラー信号ＦＣＳに基づくフォーカスサーボ動作が開始された後に、該定数Ｇを、上記第１の光検出器３１受光している上記反射光束の強度Ｐαと上記第２の光検出器３３が受光している該反射光束の強度ＰＩとの比に応じて、
Ｇ＝Ｐα／ＰＩ＝（Ｓｂ＋Ｓｃ＋Ｓａ＋Ｓｄ）／（Ｓｙ＋Ｓｘ）
となるように再設定するものとすることができる。
【００８０】
さらに、この光学ピックアップ装置においては、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳを、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｋ１・（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｃ・（Ｓｙ−Ｋ２・Ｓｘ）
によって求めることとし、上記第２の光検出器３４からの検出信号Ｓ2に掛かる定数Ｃを、上記対物レンズ２２がこの対物レンズ２２の光軸に直交する方向に移動操作されたとき（視野移動が生じたとき）の、上記第１の光検出器３１が受光している上記反射光束の強度Ｐαの変化ΔＰαと上記第２の光検出器３４が受光している該反射光束の強度ＰＩの変化ΔＰＩとの比によって定めることとしてもよい。視野移動が生じたときの上記強度変化ΔＰα，ΔＰＩの比は、図１７に示すように、該視野移動に対する上記各検出信号Ｓ1，Ｓ2の変化を検出することにより求めることができる。
【００８１】
したがって、この光学ピックアップ装置においては、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳを、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｋ１・（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ・Ｃ・（Ｓｙ−Ｋ２・Ｓｘ）
により求め、上記第２の光検出器３４からの検出信号Ｓ2に掛かる定数を、上記第１の光検出器３１が受光している上記反射光束の強度（Ｐα）及び上記第２の光検出器３３が受光している該反射光束の強度（ＰＩ）との比と、上記視野移動が生じたときの該第１の光検出器３１が受光している上記反射光束の強度の変化ΔＰαと該第２の光検出器３４が受光している該反射光束の強度の変化ΔＰＩとの比とに応じたものとすることができる。
【００８２】
また、上記第２の検出方法をさらに簡略化した第３の検出方法として、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、Ｋ１＝Ｋ２＝０として、
ＦＣＳ＝（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｇ１・Ｓｙ
によっても与えられることになる（Ｇ１は、上記定数Ｇと同様の定数）。
【００８３】
上述した第１乃至第３の検出方法は、何れも第１の光検出器３１及び第２の光検出器３３の各分割受光部からの検出信号に基づいて、フォーカスエラー信号を生成する方法であるが、同様にして、第１の光検出器３１及び第３の光検出器３４の各分割受光部からの検出信号に基づいて、フォーカスエラー信号を生成することも可能である。
【００８４】
すなわち、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、第１の光検出器３１の各分割受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄからの検出信号Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄと、第３の光検出器３４の各分割受光部ｗ，ｚからの検出信号Ｓｗ，Ｓｚに基づいて、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｋ１・（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ２・（Ｓｚ−Ｋ３・Ｓｗ）
により与えられる。また、この検出方法において、Ｋ１＝Ｋ３＝１，Ｋ１＝Ｋ３＝０とすることにより、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ２・（Ｓｚ−Ｓｗ）
あるいは
ＦＣＳ＝（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｇ２・Ｓｚ
により与えられる（Ｇ２は、上記定数Ｇと同様の定数）。
【００８５】
さらに、第１の光検出器３１と第２の光検出器３３，第３の光検出器３４の各分割受光部からの検出信号に基づいて、フォーカスエラー信号を生成することも可能である。
【００８６】
すなわち、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、第１の光検出器３１の各分割受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄからの検出信号Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄと、第２の光検出器３３の各分割受光部ｘ，ｙからの検出信号Ｓｘ，Ｓｙ、そして第３の光検出器３４の各分割受光部ｗ，ｚからの検出信号Ｓｗ，Ｓｚに基づいて、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｋ１・（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ１・（Ｓｙ−Ｋ３・Ｓｘ）−Ｇ２・（Ｓｚ−Ｋ３・Ｓｗ）
により与えられる。また、この検出方法において、Ｋｌ＝Ｋ２＝Ｋ３＝１，Ｋｌ＝Ｋ２＝Ｋ３＝０とすることにより、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ１・（Ｓｙ−Ｓｘ）−Ｇ２・（Ｓｚ−Ｓｗ）
あるいは
ＦＣＳ＝（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｇ１・Ｓｙ−Ｇ２・Ｓｚ
により与えられる。
【００８７】
本実施の形態による光学ピックアップ装置２０は以上のように構成されており、光学ピックアップ装置２０においては、受発光素子２１のレーザダイオードチップ２７から発射された光ビームが、プリズム２８の光路分岐面２８ａに形成された誘電体多層膜２９により反射される。この光路分岐面２８ａでは、誘電体多層膜２９によって、光ビームのうち、例えばＳ偏光成分が多く反射され、光路折曲用ミラー２３，２４を介して対物レンズ２２に入り、この対物レンズ２２により光磁気ディスクＭＯの信号記録面に収束照射される。
【００８８】
光磁気ディスクＭＯの信号記録面からの反射光束である光ビームは、信号記録面にてカー効果により回転され、記録信号を含んだ主としてＰ偏光となる。このＰ偏光成分を含んだ反射光束は、対物レンズ２２及び光路折曲用ミラー２３，２４を介して、受発光素子２１のプリズム２８の光路分岐面２８ａに入射し、誘電体多層膜（ビームスプリッタ）２９を透過する。
【００８９】
このビームスプリッタ２９を透過する反射光束は、透過、屈折時に固有偏光方向が異なる２群に僅かに分離し、このように分離した光ビームは、半透過膜３０に入射して一部が透過すると共に、一部が反射され、プリズム２８の上面に導かれる。
【００９０】
この２群の光ビームは、プリズム２８の上面２８ｂの高反射層３５により、高い反射率にて反射され、それぞれプリズム２８の底面に達して、好ましくはプリズム２８の底面から反射防止膜または偏光依存性ビームスプリッタ３２を介して、光検出器３３，３４に入射する。
【００９１】
このようにして、光検出器３１，３３及び光検出器３４は、各分割受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｘ，ｙ，ｗ，ｚが、それぞれ入射する光ビームの入射光量に基づいて、検出信号Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ，Ｓｘ，Ｓｙ，Ｓｗ及びＳｚを出力する。そして、これらの検出信号がアンプにより増幅され、更に演算回路によってそれぞれ・加減算処理が行われて、上述のように、光磁気再生信号ＭＯ信号，ピット再生信号ＰＩＴとフォーカスエラー信号ＦＣＳ及びトラッキングエラー信号ＴＲＫが得られる。
【００９２】
上記対物レンズ２２は、図１１に示すように、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳ及び上記トラッキングエラー信号ＴＲＫに基づいてこの対物レンズ２２をこの対物レンズ２２の光軸方向及びこの光軸に直交する上記光磁気ディスク１１１の径方向に移動操作する対物レンズ駆動機構（二軸アクチュエータ）３７により支持されている。
【００９３】
この対物レンズ駆動機構３７は、アクチュエータベース４１を有して構成されている。このアクチュエータベース４１は、略々平板状に形成されている。このアクチュエータベース４１は、上記受発光素子２０を収納したケース５０上に固定して配設してもよい。このアクチュエータベース４１の一端側には、支持壁部４２が設けられている。この支持壁部４２には、弾性支持部材４３の基端側が固定されている。この弾性支持部材４３は、金属材料や合成樹脂材料からなる板バネの如き部材であり、弾性変位により、先端側を移動可能としている。この弾性支持部材４３の先端側には、レンズホルダ３８が取付けられている。
【００９４】
上記レンズホルダ３８は、上記弾性支持部材４３の変位により、移動可能となされている。このレンズホルダ３８には、上記対物レンズ２２が両面部を外方側に臨ませた状態で取付けられている。上記アクチュエータベース４１の上記対物レンズ２２に対向する部分には、この対物レンズ２２に入射される光束が通過するための透孔４９が設けられている。
【００９５】
この対物レンズ駆動機構３７は、上記ケース５０の上面部に上記アクチュエータベース４１の底面部を接合させて配設されている。上記対物レンズ２２は、上記第１の半導体基板２５の上方側において支持され、光磁気ディスク１１１の信号記録面に対向される。上記対物レンズ２２は、入射された光束を、上記光磁気ディスク１１１の信号記録面上に集光させる。
【００９６】
そして、上記レンズホルダ３８には、フォーカスコイル３９及びトラッキングコイル４０が取付けられている。上記アクチュエータベース４１上には、上記フォーカスコイル３９及びトラッキングコイル４０に対向して、それぞれマグネット４５，４７が取付けられた一対のヨーク４４，４６が立設されている。これらマグネット４５，４７及びヨーク４４，４６は、上記各コイル３９，４０を、発生する磁界中に位置させている。
【００９７】
この対物レンズ駆動機構３７においては、上記フォーカスコイル３９にフォーカス駆動電流が供給されると、このフォーカスコイル３９が上記マグネット４５，４７の発する磁界より力を受け、図１１及び図１２中矢印Ｆで示すように、上記レンズホルダ３８を上記対物レンズ２２の光軸方向、すなわち、フォーカス方向に移動操作する。上記フォーカス駆動電流が上記フォーカスエラー信号ＦＣＳに基づいて供給されることにより、上記フォーカスサーボ動作が実行される。また、この対物レンズ駆動機構３７においては、上記トラッキングコイル４０にトラッキング駆動電流が供給されると、このトラッキングコイル４０が上記マグネット４５，４７の発する磁界より力を受け、図１１及び図１２中矢印Ｔで示すように、上記レンズホルダ３８を上記対物レンズ２２の光軸に直交する方向であって上記光磁気ディスク１１１の径方向、すなわち、トラッキング方向に移動操作する。上記トラッキング駆動電流が上記トラッキングエラー信号ＴＲＫに基づいて供給されることにより、上記トラッキングサーボ動作が実行される。上記トラッキング方向は、光磁気ディスク１１１上において上記光束が集光されて形成されるビームスポットの記録トラックに沿う方向の径を小さくするために、上記レーザダイオードチップ２７における平行発散角θ//の方向となされている。
【００９８】
上述のように、本実施の形態の受発光素子２１及びこれを用いた光学ピックアップ装置２０によれば、プリズム２８が複屈折性材料から一体に形成されていることにより、光磁気ディスクＭＯからの反射光束がプリズム２８内に入射して分離されると共に、その底面に形成された半透過膜３１により反射された光ビームが、プリズム２８の上面に形成した高反射層３５により反射され、再びプリズム２８の底面に導かれて、第２及び第３の光検出器に入射することになる。
【００９９】
従って、第１の光検出器３１と第２の光検出器３３及び／または第３の光検出器３４からの検出信号に基づいて、第２の光検出器３３及び／または第３の光検出器３４からの検出信号にゲインを持たせることによって、フォーカスエラー信号のオフセットが除去されるので、フォーカスエラー信号の検出精度が向上して、安定したフォーカスサーボが行われることになる。
【０１００】
さらに、上記受発光素子２１は、図９に示した従来の「ＣＤ」（コンパクト・ディスク）用受発光素子１４と比較して、プリズム２８の構成材料を複屈折性材料に変更すると共に、第１の半導体基板２５上に形成される光検出器３１，３３，３４のパターンを変更するだけで、容易に構成される。従って、受発光素子２１及び光学ピックアップ装置２０の製造設備は、従来の「ＣＤ」用のものと共通化することが可能であり、コストが低減されることになる。
【０１０１】
また、本発明に係る光学ピックアップ装置は、図１３に示すように、上記受発光素子を用いずに構成してもよい。すなわち、この光学ピックアップ装置は、光源となるレーザダイオードチップ２７を有している。このレーザダイオードチップ２７は、封入缶５１内に収納され、図示しない光学ブロック部内に固定して配設されている。上記封入缶５１の前面部には、上記レーザダイオードチップ２７より発せられた光束（レーザ光束）が射出されるための、ガラスの如き透明材料により閉蓋された開口部が設けられている。
【０１０２】
上記レーザダイオードチップ２７より発せられる光束は、発散光束であって、断面形状が楕円形となっている。そして、この光学ピックアップ装置は、上記レーザダイオードチップ２７から発せられた光束が入射され、この光束を上記光磁気ディスク１１１の信号記録面１１１ａ上に集光させる対物レンズ２２を有している。すなわち、上記レーザダイオードチップ２７より発せられた光束は、上記光学ブロック部内に配設されたグレーティング（回折格子）５２、光束分岐手段となるビームスプリッタ５３及びコリメータレンズ５４を透過して、該光学ブロック部の上方側に配設された上記対物レンズ２２に導かれる。上記グレーティング５２は、入射光束を０次光及び±１次光に分岐させることにより、後述するトラッキングエラー信号の検出を可能とするものである。
【０１０３】
そして、この光学ピックアップ装置においては、上記信号記録面１１１ａに照射された光束の該信号記録面１１１ａによる反射光を上記光学ブロック部内に配設された第１及び第２の光検出器５８，５９によって検出することにより、上記光磁気ディスク１１１の信号記録層１１１ａに記録された情報信号の読み出しと、上記光束の該信号記録面上への集光を維持するためのエラー信号、すなわち、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳ及びトラッキングエラー信号ＴＲＫの検出とが行われる。
【０１０４】
すなわち、上記反射光は、上記対物レンズ２２及び上記コリメータレンズ５４を経て、上記ビームスプリッタ５３に戻る。この反射光束は、上記信号記録面上に記録された情報信号に応じて、強度を変調されている。この反射光束は、上記ビームスプリッタ５３の反射面により反射されて、第２のビームスプリッタ（ハーフミラープリズム）５７により分岐されて、上記各光検出器５８，５９に入射される。
【０１０５】
以下、本発明に関係するフォーカスエラー信号検出方法に注目して説明する。上記第１の光検出器５８は、図１４に示すように、上記反射光束の集光点の前方側において、この反射光束を受光する。また、上記第２の光検出器５９は、図１４に示すように、上記反射光束の集光点の後方側において、この反射光束を受光する。これら光検出器５８，５９の受光部は、図１４に示すように、それぞれ内側の分割受光部Ａ1，Ｂ1と、外側の分割受光部Ａ2，Ｂ2とから構成されている。上記対物レンズ２２を介して射出される光束が上記信号記録面１１１ａ上に集光されているとき（合焦状態）においては、上記各光検出器５８，５９の受光部上において上記反射光束が形成する光スポットは、互いに略々同一の大きさとなっており、それぞれ上記内側の分割受光部Ａ1，Ｂ1上に形成されている。
【０１０６】
上記フォーカスエラー信号ＦＣＳは、上記光束の集光点と上記信号記録面１１１ａとの、上記対物レンズ２２の光軸方向についての距離を示す信号である。この光学ピックアップ装置においては、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳが０となるように、図１３中矢印Ｆで示すように、上記対物レンズ２２のこの対物レンズ２２の光軸方向への移動操作、すなわち、フォーカスサーボ動作が行われる。
【０１０７】
上記トラッキングエラー信号ＴＲＫは、上記光束の集光点と上記記録トラックとの、この記録トラックの接線及び上記対物レンズ２２の光軸に直交する方向、すなわち、光ディスク１１１の径方向についての距離を示す信号である。上記光学ピックアップ装置においては、上記トラッキングエラー信号ＴＲＫが０となるように、図１３中矢印Ｔで示すように、上記記録トラックの接線方向及び上記対物レンズ２２の光軸に直交する方向への該対物レンズ２２の移動操作、すなわち、トラッキングサーボ動作が行われる（なお、図１３においては、上記対物レンズ駆動機構３７の構成を図示するために、この対物レンズ駆動機構３７のみを上記対物レンズ２２の光軸回りに９０°回転させた状態で図示している）。
【０１０８】
上記フォーカスサーボ動作及びトラッキングサーボ動作は、上記対物レンズ２２を移動操作可能に支持する上述した対物レンズ駆動機構（２軸アクチュエータ）３７において行われる。
【０１０９】
そして、この光学ピックアップ装置においては、上記レーザダイオードチップ２７より発せられて上記ビームスプリッタ５３に入射された光束（すなわち、上記対物レンズ２２に入射される前の光束）の一部は、このビームスプリッタ５３の反射面において反射され、上記コリメータレンズ５４に入射されることなく、光出力検出器（ＦＡＰＣ−ＰＤ）５５に入射されて受光される。この光出力検出器５５は、上記レーザダイオードチップ２７の発光出力をモニタしてこのレーザダイオードチップ２７の発光出力を制御する、いわゆるオート・パワー・コントロール（ＡＰＣ）に使用される光検出出力を得るためのものである。なお、このように、光出力検出器５５を半導体レーザ１の外部に設けてオート・パワー・コントロールを行う方式を、フロント・オート・パワー・コントロール（ＦＡＰＣ）という。
【０１１０】
上記光出力検出器５５は、フォトダイオードの如き受光素子からなり、受光した光の強度に応じた検出出力を出力する。したがって、この光学ピックアップ装置においては、上記光出力検出器５５から出力される検出出力に基づいて、制御回路を介して、上記レーザダイオードチップ２７の発光出力の制御を行う。
【０１１１】
この光学ピックアップ装置において、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳは、上記分割受光部Ａ1より出力される光検出信号をＳａ１、上記分割受光部Ａ2より出力される光検出信号をＳａ２、上記分割受光部Ｂ1より出力される光検出信号をＳｂ１、上記分割受光部Ｂ2より出力される光検出信号をＳｂ２としたとき、
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｓａ２）−（Ｓｂ１−Ｓｂ２）
により求められる。さらに、上述したように、
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｋ１・Ｓａ２）−（Ｓｂ１−Ｋ２・Ｓｂ２）
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｋ１・Ｓａ２）−Ｇ・（Ｓｂ１−Ｋ２・Ｓｂ２）
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｋ１・Ｓａ２）−Ｇ・Ｃ・（Ｓｂ１−Ｋ２・Ｓｂ２）
のように、上記ゲインＫ１，Ｋ２及び上記定数Ｇ、Ｃを用いることにより、オフセットのない正確なフォーカスエラー信号ＦＣＳを求めることができる。
【０１１２】
さらに、本発明に係る光学ピックアップ装置は、図２０に示すように、上記ビームスプリッタや対物レンズとして機能するホログラムレンズ６０を用いて構成することができる。この光学ピックアップ装置においては、上記レーザダイオードチップ２７、上記第１及び第２の光検出器５８，５９は、半導体基板２５上に形成されている。上記レーザダイオードチップ２７は、上記半導体基板２５の主面部に対する垂直上方に光束を発する。上記ホログラムレンズ６０は、上記半導体基板２５の上方に配設されている。
【０１１３】
この光学ピックアップ装置においては、上記レーザダイオードチップ２７より発せられた光束は、上記ホログラムレンズ６０に入射され、このホログラムレンズ６０により、光ディスク１１１の信号記録面１１１ａ上に集光される。この信号記録面１１１ａにより反射された反射光束は、上記ホログラムレンズ６０に戻り、このホログラムレンズ６０により、上記第１及び第２の光検出器５８，５９の受光面上に照射される。このとき、これら第１及び第２の光検出器５８，５９の受光面上には、図１４に示すように、上記反射光束の集光点の前方側に相当する反射光束と、該反射光束の集光点の後方側に相当する反射光束とが照射される。
【０１１４】
これら光検出器５８，５９の受光部は、図１４に示すように、それぞれ内側の分割受光部Ａ1，Ｂ1と、外側の分割受光部Ａ2，Ｂ2とから構成されている。上記ホログラムレンズ６０を介して射出される光束が上記信号記録面１１１ａ上に集光されているとき（合焦状態）においては、上記各光検出器５８，５９の受光部上において上記反射光束が形成する光スポットは、互いに略々同一の大きさとなっており、それぞれ上記内側の分割受光部Ａ1，Ｂ1上に形成されている。
【０１１５】
この光学ピックアップ装置においても、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳは、上記分割受光部Ａ1より出力される光検出信号をＳａ１、上記分割受光部Ａ2より出力される光検出信号をＳａ２、上記分割受光部Ｂ1より出力される光検出信号をＳｂ１、上記分割受光部Ｂ2より出力される光検出信号をＳｂ２としたとき、ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｓａ２）−（Ｓｂ１−Ｓｂ２）
により求められる。さらに、上述したように、
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｋ１・Ｓａ２）−（Ｓｂ１−Ｋ２・Ｓｂ２）
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｋ１・Ｓａ２）−Ｇ・（Ｓｂ１−Ｋ２・Ｓｂ２）
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｋ１・Ｓａ２）−Ｇ・Ｃ・（Ｓｂ１−Ｋ２・Ｓｂ２）
のように、上記ゲインＫ１，Ｋ２及び上記定数Ｇ、Ｃを用いることにより、オフセットのない正確なフォーカスエラー信号ＦＣＳを求めることができる。
【０１１６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明は、光磁気ディスクの記録再生に用いられ、小型で、軽量であり、信頼性の高い受発光素子、光学ピックアップ装置及び光ディスク装置を提供することができる。、
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による受発光素子の一実施の形態を組み込んだ光学ピックアップ装置の構成を示す側面図である。
【図２】上記受発光素子の側面図及び平面図である。
【図３】上記受発光素子における発光点と光検出器の共役関係を示す側面図である。
【図４】上記受発光素子におけるプリズムの構成を示す側面図である。
【図５】上記受発光素子におけるプリズム内の迷光を示す側面図である。
【図６】上記受発光素子におけるプリズムの変形例での迷光を示す側面図である。
【図７】上記受発光素子の光検出器の構成を示す側面図及び平面図である。
【図８】上記受発光素子を用いた光学ピックアップ装置によるフォーカスエラー検出の様子を示す信号波形図である。
【図９】上記受発光素子の光検出器の他の構成を示す側面図及び平面図である。
【図１０】上記受発光素子を利用した光ディスク装置の全体構成を示すブロック図である。
【図１１】上記光学ピックアップ装置の対物レンズ駆動機構の構成を示す縦断面図である。
【図１２】上記光学ピックアップ装置における受発光素子と対物レンズ駆動機構との位置関係を示す平面図である。
【図１３】本発明に係る光学ピックアップ装置の構成の他の例を示す縦断面図である。
【図１４】上記図１３に示した光学ピックアップ装置における光検出器の受光部の構成を示す正面図である。
【図１５】上記光学ピックアップ装置において得られるフォーカスエラー信号のデフォーカス量に対する変化を示すグラフである。
【図１６】上記光学ピックアップ装置においてオフセットが含まれているフォーカスエラー信号のデフォーカス量に対する変化を示すグラフである。
【図１７】上記光学ピックアップ装置における視野移動に対する検出信号のレベルの変化を示すグラフである。
【図１８】上記光学ピックアップ装置においてデフォーカス量に対する光検出器上のスポット形状の変化を示す平面図である。
【図１９】基準レベルからのずれを有するフォーカスエラー信号の時間の経過に対する変化を示すグラフである。
【図２０】ホログラムレンズを用いて構成した本発明に係る光学ピックアップ装置の構成を示す縦断面図である。
【図２１】従来の光磁気ディスクの光学ピックアップ装置の構成を示す縦断面図である。
【図２２】従来のＣＤ用の光学ピックアップの構成を示す側面図である。
【図２３】図２２に示した光学ピックアップ装置における受発光素子の拡大縦断面図である。
【図２４】図２２に示した光学ピックアップ装置における受発光素子における受光素子の平面図である。
【図２５】図２４に示した受光素子に基づいたフォーカスエラー信号の波形を示すグラフである。
【図２６】図２２に示した受発光素子の変形例を示す拡大縦断面図である。
【符号の説明】
２０ 光学ピックアップ装置、２１ 受発光素子、２２ 対物レンズ、２３，２４ 光路折曲用ミラー、２５ 第１の半導体基板、２６ 第２の半導体基板、２７ レーザダイオードチップ、２８ プリズム、２８ａ 光路分岐面、２９ 誘電体多層膜、３０ 半透過膜、３Ｉ 第１の光検出器、３２ 反射防止膜または偏光依存性ビームスプリッタ、３３ 第２の光検出器、３４ 第３の光検出器、３５ 高反射層
【発明の属する技術分野】
本発明は、受発光素子、この受発光素子を用いた光学ピックアップ装置及び光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光ディスク、例えばいわゆるピットディスクや光磁気ディスクに対して情報信号を記録再生するための光学ピックアップ装置は、例えば、図２１に示すように構成されている。
【０００３】
この光学ピックアップ装置１は、半導体レーザ素子２、グレーティング３、ビームスプリッタ４、コリメータレンズ５、対物レンズ６、ウォラストンプリズム７、マルチレンズ８及び光検出器９を備えており、これらの各光学部品が個別にマウントされて構成されている。
【０００４】
すなわち、この光学ピックアップ装置１は、上記半導体レーザ素子２から出射される光ビームをグレーティング３を通してビームスプリッタ４に入射し、ビームスプリッタ４で、半導体レーザ素子２から出射された光ビームと光磁気ディスクＭＯの信号記録面からの反射光束とを分離する。
【０００５】
ビームスプリッタ４は、一般に、一対の光学プリズムとこれら一対の光学プリズムの間に蒸着やスパッタリングによって形成された誘電体多層膜とによって構成されている。
【０００６】
上記ビームスプリッタ４により分離されて透過した半導体レーザ素子２からの上記誘電体多層膜に対してＰ偏光成分の光ビームは、コリメータレンズ５に入射され、コリメータレンズ５で平行な光ビームに変換されて上記対物レンズ６に入射される。
【０００７】
対物レンズ６は、入射光を光磁気ディスクＭＯの信号記録面のある一点に収束させて照射する。この対物レンズ６は、図２１中矢印Ｆで示すフォーカス方向及び図２１中矢印Ｔで示すトラッキング方向に駆動される。
【０００８】
光磁気ディスクＭＯの信号記録面に照射された上記光ビームは、カー効果によって、その偏光面が回転される。
【０００９】
光磁気ディスクＭＯの信号記録面からの反射光束は、再び対物レンズ６及びコリメータレンズ５を介してビームスプリッタ４に入射され、ビームスプリッタ４でその反射率に応じた光量の光ビームが反射分離される。
【００１０】
このビームスプリッタ４によって分離された反射光束は、ウォラストンプリズム７に入射され、このウォラストンプリズム７で、複数の光ビームに分割されて、マルチレンズ８に入射される。
【００１１】
上記マルチレンズ８に入射された反射光束は、フォーカスエラー検出のための非点収差が発生されるとともに、光検出器９までの反射光束の光路長の延長が図られている。
【００１２】
光検出器９は、マルチレンズ８を介してウォラストンプリズム７で複数の光ビームに分割された反射光束を受光するために、その受光面が、複数の受光部から構成されており、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号等のエラー信号及び光磁気ディスクＭＯの読み取り信号の基となる信号を出力する。
【００１３】
このように、図２１に示した光学ピックアップ装置１は、個別にマウントされた複数の光学部品により、光磁気ディスクＭＯに書き込まれている記録情報を読み取るようになっており、小型化や高信頼性化が困難であると共に、部品点数が多く、各部品の製造工程，光学ピックアップ装置の組立工程や調整工程が複雑になり、コストが高くなってしまうという問題があった。
【００１４】
これに対して、再生専用の光ディスク、例えば、いわゆる「ＣＤ」（Compact Disc）等の再生装置においては、図２２に示すような、一体型の受発光素子方式の光学ピックアップ装置が採用されている。
【００１５】
この一体型の受発光素子方式の光学ピックアップ装置１０は、対物レンズ１１、光路折曲用ミラー１２，１３及び受発光素子１４を備えており、受発光素子１４から照射された光ビームを光路折曲用ミラー１２，１３及び対物レンズ１１を介して、光ディスク（ＣＤ）の信号記録面に収束合焦させる。
【００１６】
上記受発光素子１４は、図２３に示すように構成され、発光素子と受光素子とを一体の光学ブロックとして、半導体パッケージに封入させたものである。
【００１７】
受発光素子１４は、第１の半導体基板１５上に第２の半導体基板１６が載置され、この第２の半導体基板１６上にレーザダイオードチップ１７が搭載されている。
【００１８】
レーザダイオードチップ１７の前方の第１の半導体基板１５上には、レーザダイオードチップ１７側に傾斜面（光路分岐面）を有した台形形状のプリズム１８が配設されており、この光路分岐面には、ビームスプリッタとしての無偏光半透過膜１８ａが形成されている。また、プリズム１８は、その上面に、全反射膜１８ｂが形成されており、その下面に、無偏光半透過膜１８ｃが形成されている。プリズム１８は、レーザダイオードチップ１７から出射された光ビームを、その光路分岐面により反射して、光ビームを外部に出射する。
【００１９】
この受発光素子１４から出射された光ビームは、図２２に示すように、光路折曲用ミラー１３，１２を介して対物レンズ１１に入射され、この対物レンズ１１により光ディスク（ＣＤ）の信号記録面上に収束合焦される。
【００２０】
光ディスク（ＣＤ）により反射された光ビームは、対物レンズ１１及び光路折曲用ミラー１２，１３を介して受発光素子１４のプリズム１８内に入射し、プリズム１８の底面及び上面で順次に反射されることにより、このプリズム１８の底面の二ヶ所で、プリズム１８の下方に出射するようになっている。
【００２１】
そして、第１の半導体基板１５の上面には、プリズム１８の底面の二ヶ所から出射した光を受光する位置に、光検出器１９ａ，１９ｂが形成されている。
【００２２】
光検出器１９ａ，１９ｂは、図２４に示すように、その中央付近において縦方向に平行に延びる三本の分割ラインによって、それぞれ受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄ及び受光部ｅ，ｆ，ｇ，ｈに４分割されており、光ディスク（ＣＤ）で読み取った情報信号を検出する。また、４分割されたセンサ素子のうち、中央よりの二つのセンサ素子による検出信号の差を取ることにより、すなわち、各受光部ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈからの検出信号Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄ、Ｓｅ、Ｓｆ、Ｓｇ、Ｓｈに基づいて、フォーカスエラー信号ＦＣＳが、図２５にも示すように、
ＦＣＳ＝｛（Ｓａ＋Ｓｄ）−（Ｓｂ＋Ｓｃ）｝−｛（Ｓｅ＋Ｓｈ）−（Ｓｆ＋Ｓｇ）｝
により、検出される。
【００２３】
このように、受発光素子１４は、無偏光光学系を用いることにより、小型化、高性能化が実現されている。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の光学ピックアップ装置１０においては、光学系として、無偏光光学系が用いられた構成となっていたため、「ＣＤ」等の再生専用の光ディスクの再生装置には適用することができるが、光磁気ディスクの記録再生装置の光学ピックアップ装置としては、そのままでは適用することができない。
【００２５】
このため、光磁気ディスクの記録再生用の光学ピックアップ装置に適用するには、例えば、図２６に示すように、プリズム１８とこのプリズム１８の下面の無偏光半透過膜１８ｃとの間に、平行平板状の半波長板１８ｄを設けるとともに、ビームスプリッタとしての無偏光半透過膜１８ｃの代わりに、検光子機能を有するＰビームスプリッタ（ポラライズド・ビームスプリッタ）１８ｅを用いる等の必要がある。
【００２６】
ところが、従来の受発光素子に単に上述のようにビームスプリッタとしてＰビームスプリッタを用いると、Ｐビームスプリッタとなるところに入射する光ビーム線の入射角の中心値が２１°程度と小さな角度になり、多層膜によるビームスプリツタを使用することができず、またプリズム１８の部品点数が多くなってしまい、製造工程が複雑となり、製造コスト及び組立コストが高くなってしまうという問題があった。
【００２７】
本発明は、以上の点に鑑み、光磁気ディスクに適用可能で、小型、軽量、かつ、信頼性の高い受発光素子とこれを利用した光学ピックアップ装置及び光磁気ディスク装置を提供することを目的としている。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
上述のような目的を達成するため、本発明に係る受発光素子は、第１の半導体基板上に形成された受光素子群と、上記第１の半導体基板上に搭載された第２の半導体基板上に形成された発光素子と、複屈折性材料により形成され、互いに平行な第１及び第２の面を有し、上記第１及び第２の面と斜めに交差するように設けられた光路分岐面を備え、この光路分岐面には上記発光素子から出射された光ビームと光ディスクの信号記録面で反射された光ビームとを分岐する光分岐膜が形成され、さらに、上記第１の半導体基板に対向する第１の面に、半透過膜が形成されたプリズムとを備える。ここで、上記受光素子群は、第１、第２及び第３の受光部を備え、上記第１の受光部は、上記光路分岐面から上記プリズムに入射する際に２群に分離された光ビームが上記プリズムから上記半透過膜を透過した位置であって、上記２群に分離された光ビームのそれぞれの群により形成される光スポットを互いにずれながら重なった状態で受光する位置に設けられ、上記第２及び第３の受光部は、上記光路分岐面から上記プリズムに入射する際に２群に分離された光ビームが、上記プリズムを透過して上記半透過膜により反射され、再び上記プリズムを透過し、上記半透過膜が形成された第１の面に対向する第２の面により反射され、再び上記プリズムを透過し、上記プリズムから上記第１の面の上記半透過膜が形成されていない領域を透過した位置であって、上記２群に分離された光ビームのそれぞれの群により形成される光スポットを完全に分離した状態でそれぞれ独立に受光する位置に設けられている。
【００２９】
上記構成によれば、第１の半導体基板上に受光素子が形成され、この第１の半導体基板上に搭載された第２の半導体基板上に発光素子が形成されている。
【００３０】
第１の半導体基板上には、プリズムの半透過膜、そして好ましくは反射防止膜、又はＳ偏光、Ｐ偏光の透過率に差をもたせた誘電体多層膜が形成された互いに平行な第１及び第２の面のうちの一方の面である第１の面が載置されている。プリズムは複屈折性材料により形成され、発光素子から出射された光ビームと光ディスクの信号記録面で反射された光ビームとを分離する光分離膜が形成された光路分岐面を備える。この光路分岐面からプリズム内に入射された光ビームは、複屈折性材料により形成されたプリズムにより２群の光ビームに分離されながら半透過膜が形成された第１の面から第１の受光部に入射される。このとき、分離された２群の光ビームは、光スポットとしては互いにずれながら重なった状態で第１の受光部に入射される。
【００３１】
これにより、光路分岐面から半透過膜の形成された第１の面に入射する光ビームは、その一部が透過して第１の受光部に入射すると共に、その一部が反射されて、第１の面に対向するこの面と平行な第２の面に入射する。第２の面に入射された光ビームは、複屈折性材料により形成されたプリズムによりさらに分離されながら第２の面側に形成された高反射層等により反射され、再び第１の面側に至り、光スポットとしても完全に分離された状態で第２及び第３の受光部にそれぞれ入射する。
【００３２】
光磁気ディスクから反射された光ビームは、複屈折性材料から成るプリズムに入射し進行することにより、複屈折性材料の特性に基づいて、２群の光ビームに分離される。この分離された二つの光ビームが第１の受光部に入射する際には、その分離が僅かであることから、光スポットとしては一つとみなして、第１の受光部のみによって検出され、処理される。そして、プリズムの第１の面側に設けた半透過膜により反射された２つの光ビームは、第２の面で再び反射された後、プリズム内を透過し、プリズム内を進行する光路の長さに伴って、互いの距離が大きく分離され、光スポットとして完全に２つに分離された状態で第２及び第３の受光部に入射し、検出される。
そして、第１の受光部により検出される検出信号と、第２及び第３の受光部の双方から検出される検出信号又は第２及び第３の受光部のいずれか一方で検出される検出信号に基づいてフォーカスエラー信号を得ることができる。
【００３３】
また、本発明は、受発光素子と、この受発光素子から出射された光ビームを光ディスクの信号記録面上に合焦させて照射するとともに光ディスクの信号記録面から反射された光ビームを受発光素子に導入する光学系とを備えた光学ピックアップ装置において、上述した受発光素子を用いたものである。
さらに、本発明は、光ディスクを回転駆動する駆動手段と、回転する光ディスクに対して対物レンズを介して光ビームを照射し、上記光ディスクの信号記録面から反射された光ビームを上記対物レンズを介して光検出器により検出する光学ピックアップ装置と、上記対物レンズを二軸方向に移動可能に支持する手段と、上記光検出器からの検出信号に基づいて再生信号を生成する信号処理回路と、上記光検出器からの検出信号に基づいて上記対物レンズを二軸方向に移動させるサーボ回路とを備えた光ディスク装置において、この光ディスク装置に用いられる光学ピックアップ装置の受発光素子として上述した受発光素子を用いたものである。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００３８】
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
【００３９】
図１０は、この発明の実施の形態に係る受発光素子及びこれを利用した光学ピックアップ装置を組み込んだ光ディスク装置の一実施の形態を示している。
【００４０】
図１０において、光ディスク装置１１０は、光磁気ディスク（ＭＯ）１１１を回転駆動する駆動手段としてのスピンドルモータ１１２と、光学ピックアップ装置１１３と、その駆動手段としての送りモータ１１４と、光磁気ディスク１１１に対して情報記録を行うための磁気へッド１１５とを備えている。
【００４１】
ここで、スピンドルモータ１１２は、システムコントローラ１１６及びサーボ制御回路１１８により駆動制御され、所定の回転数で回転される。
【００４２】
光磁気ディスク１１１としては、複数の種類の光ディスクを選択して、それぞれ記録再生できるようになっている。したがって、例えば光磁気ディスクだけでなく、いわゆる「ＣＤ」等の再生専用の光ディスクを再生することも可能である。
【００４３】
また、光学ピックアップ装置１１３は、この回転する光磁気ディスク１１１の信号記録面に対して、光を照射して、信号変復調器及びＥＣＣ１１７からの信号に基づいて、記録磁気ヘッド１１５とともに、信号の記録を行ない、またはこの信号記録面からの反射光束（戻り光）を検出するために、信号変復調器及びＥＣＣ１１７に対して反射光束に基づく再生信号を出力する。
【００４４】
これにより、信号変復調器及びＥＣＣ１１７の信号復調部にて復調された記録信号は、エラーコレクション部を介して誤り訂正され、コンピュータのデータストレージ用であればインターフェイス１２０を介して、外部コンピュータ等に送出される。これにより、外部コンピュータ等は、光磁気ディスク１１１に記録された信号を、再生信号として受け取ることができるようになっている。
【００４５】
また、光ディスク装置がオーディオ用であれば、Ｄ／Ａ、Ａ／Ｄ変換器１２１のＤ／Ａ変換部でディジタル／アナログ変換され、オーディオ信号を得る。
【００４６】
上記光学ピックアップ装置ｌ１３には、例えば光磁気ディスク１１１上の所定の記録トラックまで、移動させるための送りモータ１１４が接続されている。スピンドルモータ１１２の制御と、送りモータ１１４の制御と、光学ピックアップ装置１１３の対レンズを保持する二軸アクチュエータのフォーカシング方向及びトラッキング方向の制御は、それぞれサーボ制御回路１１８により行われる。
【００４７】
図１は、本発明の受発光素子、光学ピックアップ装置及びフォーカスエラー信号検出方法の好適な実施の形態を示す側面図である。
【００４８】
図１において、光学ピックアップ装置２０は、受発光素子２１と、この受発光素子２１から出射される光ビームを、図１０のスピンドルモータ１１２により回転駆動される光磁気ディスクＭＯの表面に収束させる対物レンズ２２と、受発光素子２１から出射された光ビームを対物レンズ２２に導く２個の光路折曲用ミラー２３，２４と、を有している。
【００４９】
光学ピックアップ装置２０は、受発光素子２１から出射された光ビームを光路折曲用ミラー２３、２４を介して対物レンズ２１に導き、対物レンズ２１により光磁気ディスクＭＯの信号記録面に収束合焦させる。
【００５０】
光磁気ディスクＭＯの信号記録面で反射された光ビームは、対物レンズ２１及び光路折曲用ミラー２４、２３を介して、受発光素子２１に入力される。
【００５１】
上記受発光素子２１は、図２に示すように、発光素子及び受光素子を一体の光学ブロックとして、半導体パッケージに封入されたものである。
【００５２】
すなわち、受発光素子２１は、第１の半導体基板２５上に先出力用の第２の半導体基板２６が載置され、この第２の半導体基板２６上に光源となるレーザダイオードチップ２７が搭載されている。
【００５３】
レーザダイオードチップ２７の前方の第１の半導体基板２５上には、レーザダイオードチップ２７側に略４５度の斜面として形成された光路分岐面２８ａを有するプリズム２８が設置されており、この光路分岐面２８ａには、光分離手段（ビームスプリッタ）としての例えば誘電体多層膜２９が形成されている。
【００５４】
プリズム２８は、例えば一軸性結晶ＬＮ（ＬｉＮｂＯ3 ），二軸性結晶ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ）または一軸性結晶ＹＶＯ４等の複屈折性材料から構成されており、図示の場合上面２８ｂ及び下面２８ｃが互いに平行に形成されている。一軸性結晶は、三次元方向の屈折率をそれぞれｎx，ｎy，ｎzとしたとき、
ｎx＝ｎy＜ｎz
または、
ｎx＜ｎy＝ｎz
が成立している結晶であり、二軸性結晶は、
ｎx＜ｎy＜ｎz
となっている結晶である。
【００５５】
上記誘電体多層膜（ビームスプリッタ）２９は、レーザダイオードチップ２７からの光ビームを反射させると共に、光磁気ディスクＭＯからの反射光束を透過させるように構成される。ここで、誘電体多層膜（ビームスプリッタ）２９が、Ｐ偏光に対する透過率ＴｐがＳ偏光に対する透過率Ｔｓより大きく選定されていると、光磁気信号のエンハンス機能を有することになり、光磁気信号のＳ／Ｎ比が向上し、より正確な光磁気信号の検出が行われることになる。
【００５６】
そして、光磁気ディスクＭＯにより反射された反射光束は、カー効果により偏光面が回転された光磁気信号成分を含んでおり、上記誘電体多層膜２９を透過してプリズム２８の光路分岐面２８ａからプリズム２８内に入射して、このプリズム２８の下面２８ｃに達する。このプリズム２８の光が入射する下面領域には、半透過膜３０が選択的に（第２及び第３の光検出器３３，３４にかさならないように）形成されていると共に、その下方の第１の半導体基板２５の上面部には、受光素子群をなす第１の受光部となる第１の光検出器３１が形成されている。
【００５７】
また、この半透過膜３０により反射され、さらにプリズム２８の上面２８ｂで反射された光ビームが、再びプリズム２８の底面に達する領域には、図４に示すように、光ビームの透過率を促進するために、後述のように、反射防止膜または誘電体多層膜３２が形成されていると共に、その下方の第１の半導体基板２５の上面部には、上記受光素子群をなす第２及び第３の受光部となる第２及び第３の光検出器３３，３４が形成されている。
【００５８】
ここで、各光検出器３１，３３，３４は、詳細には、図３に示すように、実質的に発光点であるレーザダイオードチップ２７と共役な位置（すなわち、図示の場合、プリズム２８の上面で反射される位置、反射光束の集光点）の前後に配設されている。
【００５９】
この場合、プリズム２８が複屈折性材料から構成されていることから、光ビームがプリズム２８内に入射すると、この入射光は二群の光ビームにその光路が分離されることになる。すなわち、プリズム２８が一軸性結晶（ＬＮ（ＬｉＮｂＯ3 ）、ＹＶＯ４）から構成されている場合には、このプリズム２８への入射光は、常光及び異常光の二つの光ビームにその光路が分離されることになる。また、プリズム２８が二軸性結晶（ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ））から構成されている場合には、このプリズム２８への入射光は、三次元方向の屈折率（ｎx，ｎy，ｎz）のうちの中間の屈折率ｎyとの屈折率の差の大きい方（ｎxまたはｎz）の方位に分離した二つの光ビームにその光路が分離されることになる。
【００６０】
そして、プリズム２８の上面で反射された二群の光ビームは、それぞれプリズム２８の下面に分離したまま達する。従って、これら二つの光線をそれぞれ受光するように第２及び第３の光検出器３３、３４が設けられている。
【００６１】
尚、第１の光検出器３１に入射する光ビームは、その分離が僅がであることから、実質的に一つの光束として処理可能であることから、第１の光検出器３１のみが設けられている。
【００６２】
ここで、半透過膜３０で反射された光ビームは、プリズム２８の上面にて、高反射層３５により反射される。この高反射層３５は、例えば反射率９８％程度の誘電体高反射膜から構成されるが、Ａｌ（アルミニウム），Ａｇ（銀）等の金属膜や金属板から構成されていてもよい。また、上記プリズム２８を構成する複屈折材料の屈折率を高く選定すれば、該プリズムの上面は、全反射面として作用させることが可能になるため、高反射層３５は省略することも可能である。
【００６３】
ここで、プリズム２８は、第１の半導体基板２５に対して接着剤により固定されるが、一般に接着剤の屈折率は例えば７８０ｎｍの近赤外域では約１．５であるので、プリズム２８を構成する複屈折性材料と接着剤の屈折率の差が大きい場合には、プリズム２８と接着剤との間に、反射防止膜３２を設けることが望ましい。
【００６４】
さらに、プリズム２８内では、誘電体多層膜２９、半透過膜３１等の特性の角度分布や、プリズム２８を構成する複屈折性材料の結晶の固有偏光方向の光束内分布等によって、入射する光ビームの光束内に光量分布が発生してしまう。このような光量分布は、場合によっては、光磁気再生信号に悪影響を及ぼすだけでなく、サーボ信号にも悪影響を与えることになる。このため、上述した光量分布を補正するために、Ｐ偏光とＳ偏光に対する光学特性に差を有する誘電体多層膜３２が、プリズム２８の下面に設けられていてもよい。
【００６５】
また、プリズム２８は、図２において、その光路分岐面２８ａが、プリズム２８の互いに平行な面である上面２８ｂ（第２の面）から下面２８ｃ（第１の面）まで延びている。このため、図５に示すように、レーザダイオードチップ２７からの光ビームの一部が、光路分岐面２８ａに形成された光分離膜である誘電体多層膜２９を透過して、迷光として直接に第１の検出器３１に入射してしまう場合がある。この場合、第１の光検出器３１の検出信号がこの迷光によって変化してしまう。このため、例えば図６に示すように、プリズム２８の光路分岐面２８ａのうち、光磁気ディスクＭＯからの反射光束が入射する際に、不要な部分２９ｂが面取りされることにより、上述した迷光の第１の光検出器３１への入射が排除される。
【００６６】
また、上記第１の半導体基板２５上には、図１１及び図１２に示すように、上記レーザダイオードチップ２７より見て上記プリズム２８の後方側に位置して、光出力検出器３６となる受光部が形成されている。この光出力検出器３６は、上記レーザダイオードチップ２７より発せられ上記プリズム２８を透過した光束を受光し、該レーザダイオードチップ２７の発光出力を検出する。上記レーザダイオードチップ２７の発光出力は、上記光出力検出器３６より出力される検出出力に応じて、一定の出力に制御される（いわゆるフロントオートパワーコントロール（ＦＡＰＣ））。
【００６７】
上述した各光検出器３１，３３，３４は、それぞれ光磁気ディスクＭＯの半径方向に関して、分割されている。すなわち、第１の光検出器３１は、図７に示すように、四つの分割受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄに分割され、また第２及び第３の光検出器３３，３４は、それぞれ両側と中央の三つの分割受光部ｘ，ｙ，ｘとｗ，ｚ，ｗに分割されている。
【００６８】
そして、各分割受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄとｘ，ｙ，ｗ，ｚからの検出信号Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ及びＳｘ，Ｓｙ，Ｓｗ，Ｓｚは、それぞれ図示しないアンプにより電流−電圧変換された後、例えば受発光素子２１の半導体基板２５に形成された図示しない演算回路もしくは、各分割受光部と接続された受発光素子２１の外部の演算回路により、以下のようにして、光磁気再生信号（ＭＯ信号）、ピット再生信号、フォーカスエラー信号ＦＣＳ及びトラッキングエラー信号ＴＲＫが演算される。
【００６９】
すなわち、本発明に係るフォーカスエラー信号検出方法は、以下のようにして、上記演算回路により実行される。
【００７０】
すなわち、光磁気再生信号ＭＯ・ＲＦは、
ＭＯ・ＲＦ＝（Ｓｘ＋Ｓｙ）−（Ｓｗ＋Ｓｚ）
により得られ、ピット再生信号ＰＩＴ・ＲＦは、
ＰＩＴ・ＲＦ＝（Ｓａ＋Ｓｂ＋Ｓｃ＋Ｓｄ）＋（Ｓｘ＋Ｓｙ）＋（Ｓｗ＋Ｓｚ）により得られる。
【００７１】
尚、ピット再生信号ＰＩＴ・ＲＦは、（Ｓａ＋Ｓｂ＋Ｓｃ＋Ｓｄ）と、（Ｓｘ＋Ｓｙ）及び（Ｓｗ＋Ｓｚ）とのうち、少なくとも一つから得られる。
【００７２】
これに対して、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、各検出部３１，３３，３４の検出信号（Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ）と、（Ｓｘ，Ｓｙ）及び（Ｓｗ，Ｓｚ）のうち、少なくとも一つの検出信号とに基づいて得られる。また、トラッキングエラ一信号ＴＲＫは、上記検出信号（Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ）と、（Ｓｘ，Ｓｙ）及び（Ｓｗ，Ｓｚ）のうち、何れか一組の検出信号を演算すればよい。
【００７３】
ここで、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳに関しては、プリズム２８内で二回反射された反射光束が、二つに分離されていることから、図２２及び図２３で示した「ＣＤ」用の受発光素子１４の場合と同じ演算によっては、フォーカスエラー信号が得られない。このため、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、以下のようにして検出されるようになっている。上記各光検出器３１，３３，３４上における上記反射光束がなすスポットの形状は、図１８に示すように、上記対物レンズ２２の焦点位置と上記光磁気ディスク１１１の信号記録面とのずれに応じて変化する。
【００７４】
すなわち、第１の検出方法においては、第１の光検出器３１に入射する光ビームの分離は僅かであるので、一つの光束として扱うことが可能である。従って、図７に示すように、四つに分割された第１の光検出器３１の各分割受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄからの検出信号Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄと、第２及び第３の光検出器３３，３４のうち、一方の光検出器３３の各分割受光部ｘ，ｙからの検出信号Ｓｘ，Ｓｙに基づいて、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、Ｇを正の定数としたとき、図８にも示すように、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ・（Ｓｙ−Ｓｘ）
により与えられる。ここで、上記第１の光検出器３１からの検出信号Ｓ1は、
Ｓ1＝（Ｓｂ＋Ｓｃ）−（Ｓａ＋Ｓｄ）
であり、上記第２の光検出器３３からの検出信号Ｓ2は、
Ｓ2＝Ｓｙ−Ｓｘ
である。
【００７５】
この場合、上記定数Ｇは、半透過膜３０により分配される光量比に基づいて決定される。これにより、従来の「ＣＤ」（コンパクト・ディスク）用受発光素子１４と同様のフォーカスエラー信号が得られることになる。すなわち、上記定数Ｇは、上記第１の光検出器３１が受光している上記反射光束（反射光束）の強度（Ｐα）と、上記第２の光検出器３３が受光している該反射光束の強度（ＰＩ）との比（Ｐα／ＰＩ）によって定められている。すなわち、
Ｇ＝Ｐα／ＰＩ＝（Ｓｂ＋Ｓｃ＋Ｓａ＋Ｓｄ）／（Ｓｙ＋Ｓｘ）
尚、この場合、第３の光検出器３４の各分割受光部ｗ，ｚからの個々の検出信号Ｓｗ，Ｓｚは、フォーカスエラー信号や他の信号の検出のために利用されないので、第３の光検出器３４は、図９に示すように、分割されずに、一つの受光部を有するように構成されていてもよい。
【００７６】
上記の検出方法においては、上記プリズム２８が複屈折性材料の結晶により形成されているので、上記第１の光検出器３１の受光面に形成される入射光のスポットは２本の光束が僅かにずれて重なって形成されていることから、図１９に示すように、合焦時の電気的バイアスがフォーカスエラー信号の基準レベルからずれてしまったり、スポット位置がずれたとき等において、合焦時の最適な電気的バイアスがずれてしまうことにより、結果としてデフォーカスしてしまうことがある。
【００７７】
すなわち、上記第１の光検出器３１からの検出信号Ｓ1と上記第２の光検出器３３からの検出信号Ｓ2とのバランスがとれているときには、図１５に示すように、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳの変化を示すＳ字カーブ（ＦＣＳ）は、合焦位置で０となる。ところが、上記各検出信号Ｓ1，Ｓ2が、上記第１の光検出器３１の受光面に２つの光スポットが僅かにずれて重なって形成されていることによって、互いにアンバランスになると、図１６に示すように、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳは、合焦位置において０とならなくなる。
【００７８】
このため、第１の光検出器３１及び第２の光検出器３３の内側分割受光部ｂ，ｃ，ｙの検出信号Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｙは対して、外側分割受光部ａ，ｄ，ｘの検出信号Ｓａ，Ｓｄ，Ｓｘにゲインを持たせることにより、上記不具合を除去または抑制することができる。従って、第２の検出方法として、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、上記ゲインとしての定数Ｋ１，Ｋ２として、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｋ１・（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ・（Ｓｙ−Ｋ２・Ｓｘ）
により、与えられる。
【００７９】
さらに、この光学ピックアップ装置においては、上記演算回路は、上記第２の光検出器３３からの検出信号Ｓ2に掛かる定数Ｇを適宜設定された初期値として動作を開始し、後述する対物レンズ駆動機構により上記フォーカスエラー信号ＦＣＳに基づくフォーカスサーボ動作が開始された後に、該定数Ｇを、上記第１の光検出器３１受光している上記反射光束の強度Ｐαと上記第２の光検出器３３が受光している該反射光束の強度ＰＩとの比に応じて、
Ｇ＝Ｐα／ＰＩ＝（Ｓｂ＋Ｓｃ＋Ｓａ＋Ｓｄ）／（Ｓｙ＋Ｓｘ）
となるように再設定するものとすることができる。
【００８０】
さらに、この光学ピックアップ装置においては、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳを、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｋ１・（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｃ・（Ｓｙ−Ｋ２・Ｓｘ）
によって求めることとし、上記第２の光検出器３４からの検出信号Ｓ2に掛かる定数Ｃを、上記対物レンズ２２がこの対物レンズ２２の光軸に直交する方向に移動操作されたとき（視野移動が生じたとき）の、上記第１の光検出器３１が受光している上記反射光束の強度Ｐαの変化ΔＰαと上記第２の光検出器３４が受光している該反射光束の強度ＰＩの変化ΔＰＩとの比によって定めることとしてもよい。視野移動が生じたときの上記強度変化ΔＰα，ΔＰＩの比は、図１７に示すように、該視野移動に対する上記各検出信号Ｓ1，Ｓ2の変化を検出することにより求めることができる。
【００８１】
したがって、この光学ピックアップ装置においては、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳを、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｋ１・（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ・Ｃ・（Ｓｙ−Ｋ２・Ｓｘ）
により求め、上記第２の光検出器３４からの検出信号Ｓ2に掛かる定数を、上記第１の光検出器３１が受光している上記反射光束の強度（Ｐα）及び上記第２の光検出器３３が受光している該反射光束の強度（ＰＩ）との比と、上記視野移動が生じたときの該第１の光検出器３１が受光している上記反射光束の強度の変化ΔＰαと該第２の光検出器３４が受光している該反射光束の強度の変化ΔＰＩとの比とに応じたものとすることができる。
【００８２】
また、上記第２の検出方法をさらに簡略化した第３の検出方法として、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、Ｋ１＝Ｋ２＝０として、
ＦＣＳ＝（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｇ１・Ｓｙ
によっても与えられることになる（Ｇ１は、上記定数Ｇと同様の定数）。
【００８３】
上述した第１乃至第３の検出方法は、何れも第１の光検出器３１及び第２の光検出器３３の各分割受光部からの検出信号に基づいて、フォーカスエラー信号を生成する方法であるが、同様にして、第１の光検出器３１及び第３の光検出器３４の各分割受光部からの検出信号に基づいて、フォーカスエラー信号を生成することも可能である。
【００８４】
すなわち、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、第１の光検出器３１の各分割受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄからの検出信号Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄと、第３の光検出器３４の各分割受光部ｗ，ｚからの検出信号Ｓｗ，Ｓｚに基づいて、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｋ１・（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ２・（Ｓｚ−Ｋ３・Ｓｗ）
により与えられる。また、この検出方法において、Ｋ１＝Ｋ３＝１，Ｋ１＝Ｋ３＝０とすることにより、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ２・（Ｓｚ−Ｓｗ）
あるいは
ＦＣＳ＝（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｇ２・Ｓｚ
により与えられる（Ｇ２は、上記定数Ｇと同様の定数）。
【００８５】
さらに、第１の光検出器３１と第２の光検出器３３，第３の光検出器３４の各分割受光部からの検出信号に基づいて、フォーカスエラー信号を生成することも可能である。
【００８６】
すなわち、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、第１の光検出器３１の各分割受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄからの検出信号Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄと、第２の光検出器３３の各分割受光部ｘ，ｙからの検出信号Ｓｘ，Ｓｙ、そして第３の光検出器３４の各分割受光部ｗ，ｚからの検出信号Ｓｗ，Ｓｚに基づいて、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｋ１・（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ１・（Ｓｙ−Ｋ３・Ｓｘ）−Ｇ２・（Ｓｚ−Ｋ３・Ｓｗ）
により与えられる。また、この検出方法において、Ｋｌ＝Ｋ２＝Ｋ３＝１，Ｋｌ＝Ｋ２＝Ｋ３＝０とすることにより、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、
ＦＣＳ＝｛（Ｓｂ＋Ｓｃ）−（Ｓａ＋Ｓｄ）｝−Ｇ１・（Ｓｙ−Ｓｘ）−Ｇ２・（Ｓｚ−Ｓｗ）
あるいは
ＦＣＳ＝（Ｓｂ＋Ｓｃ）−Ｇ１・Ｓｙ−Ｇ２・Ｓｚ
により与えられる。
【００８７】
本実施の形態による光学ピックアップ装置２０は以上のように構成されており、光学ピックアップ装置２０においては、受発光素子２１のレーザダイオードチップ２７から発射された光ビームが、プリズム２８の光路分岐面２８ａに形成された誘電体多層膜２９により反射される。この光路分岐面２８ａでは、誘電体多層膜２９によって、光ビームのうち、例えばＳ偏光成分が多く反射され、光路折曲用ミラー２３，２４を介して対物レンズ２２に入り、この対物レンズ２２により光磁気ディスクＭＯの信号記録面に収束照射される。
【００８８】
光磁気ディスクＭＯの信号記録面からの反射光束である光ビームは、信号記録面にてカー効果により回転され、記録信号を含んだ主としてＰ偏光となる。このＰ偏光成分を含んだ反射光束は、対物レンズ２２及び光路折曲用ミラー２３，２４を介して、受発光素子２１のプリズム２８の光路分岐面２８ａに入射し、誘電体多層膜（ビームスプリッタ）２９を透過する。
【００８９】
このビームスプリッタ２９を透過する反射光束は、透過、屈折時に固有偏光方向が異なる２群に僅かに分離し、このように分離した光ビームは、半透過膜３０に入射して一部が透過すると共に、一部が反射され、プリズム２８の上面に導かれる。
【００９０】
この２群の光ビームは、プリズム２８の上面２８ｂの高反射層３５により、高い反射率にて反射され、それぞれプリズム２８の底面に達して、好ましくはプリズム２８の底面から反射防止膜または偏光依存性ビームスプリッタ３２を介して、光検出器３３，３４に入射する。
【００９１】
このようにして、光検出器３１，３３及び光検出器３４は、各分割受光部ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｘ，ｙ，ｗ，ｚが、それぞれ入射する光ビームの入射光量に基づいて、検出信号Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ，Ｓｘ，Ｓｙ，Ｓｗ及びＳｚを出力する。そして、これらの検出信号がアンプにより増幅され、更に演算回路によってそれぞれ・加減算処理が行われて、上述のように、光磁気再生信号ＭＯ信号，ピット再生信号ＰＩＴとフォーカスエラー信号ＦＣＳ及びトラッキングエラー信号ＴＲＫが得られる。
【００９２】
上記対物レンズ２２は、図１１に示すように、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳ及び上記トラッキングエラー信号ＴＲＫに基づいてこの対物レンズ２２をこの対物レンズ２２の光軸方向及びこの光軸に直交する上記光磁気ディスク１１１の径方向に移動操作する対物レンズ駆動機構（二軸アクチュエータ）３７により支持されている。
【００９３】
この対物レンズ駆動機構３７は、アクチュエータベース４１を有して構成されている。このアクチュエータベース４１は、略々平板状に形成されている。このアクチュエータベース４１は、上記受発光素子２０を収納したケース５０上に固定して配設してもよい。このアクチュエータベース４１の一端側には、支持壁部４２が設けられている。この支持壁部４２には、弾性支持部材４３の基端側が固定されている。この弾性支持部材４３は、金属材料や合成樹脂材料からなる板バネの如き部材であり、弾性変位により、先端側を移動可能としている。この弾性支持部材４３の先端側には、レンズホルダ３８が取付けられている。
【００９４】
上記レンズホルダ３８は、上記弾性支持部材４３の変位により、移動可能となされている。このレンズホルダ３８には、上記対物レンズ２２が両面部を外方側に臨ませた状態で取付けられている。上記アクチュエータベース４１の上記対物レンズ２２に対向する部分には、この対物レンズ２２に入射される光束が通過するための透孔４９が設けられている。
【００９５】
この対物レンズ駆動機構３７は、上記ケース５０の上面部に上記アクチュエータベース４１の底面部を接合させて配設されている。上記対物レンズ２２は、上記第１の半導体基板２５の上方側において支持され、光磁気ディスク１１１の信号記録面に対向される。上記対物レンズ２２は、入射された光束を、上記光磁気ディスク１１１の信号記録面上に集光させる。
【００９６】
そして、上記レンズホルダ３８には、フォーカスコイル３９及びトラッキングコイル４０が取付けられている。上記アクチュエータベース４１上には、上記フォーカスコイル３９及びトラッキングコイル４０に対向して、それぞれマグネット４５，４７が取付けられた一対のヨーク４４，４６が立設されている。これらマグネット４５，４７及びヨーク４４，４６は、上記各コイル３９，４０を、発生する磁界中に位置させている。
【００９７】
この対物レンズ駆動機構３７においては、上記フォーカスコイル３９にフォーカス駆動電流が供給されると、このフォーカスコイル３９が上記マグネット４５，４７の発する磁界より力を受け、図１１及び図１２中矢印Ｆで示すように、上記レンズホルダ３８を上記対物レンズ２２の光軸方向、すなわち、フォーカス方向に移動操作する。上記フォーカス駆動電流が上記フォーカスエラー信号ＦＣＳに基づいて供給されることにより、上記フォーカスサーボ動作が実行される。また、この対物レンズ駆動機構３７においては、上記トラッキングコイル４０にトラッキング駆動電流が供給されると、このトラッキングコイル４０が上記マグネット４５，４７の発する磁界より力を受け、図１１及び図１２中矢印Ｔで示すように、上記レンズホルダ３８を上記対物レンズ２２の光軸に直交する方向であって上記光磁気ディスク１１１の径方向、すなわち、トラッキング方向に移動操作する。上記トラッキング駆動電流が上記トラッキングエラー信号ＴＲＫに基づいて供給されることにより、上記トラッキングサーボ動作が実行される。上記トラッキング方向は、光磁気ディスク１１１上において上記光束が集光されて形成されるビームスポットの記録トラックに沿う方向の径を小さくするために、上記レーザダイオードチップ２７における平行発散角θ//の方向となされている。
【００９８】
上述のように、本実施の形態の受発光素子２１及びこれを用いた光学ピックアップ装置２０によれば、プリズム２８が複屈折性材料から一体に形成されていることにより、光磁気ディスクＭＯからの反射光束がプリズム２８内に入射して分離されると共に、その底面に形成された半透過膜３１により反射された光ビームが、プリズム２８の上面に形成した高反射層３５により反射され、再びプリズム２８の底面に導かれて、第２及び第３の光検出器に入射することになる。
【００９９】
従って、第１の光検出器３１と第２の光検出器３３及び／または第３の光検出器３４からの検出信号に基づいて、第２の光検出器３３及び／または第３の光検出器３４からの検出信号にゲインを持たせることによって、フォーカスエラー信号のオフセットが除去されるので、フォーカスエラー信号の検出精度が向上して、安定したフォーカスサーボが行われることになる。
【０１００】
さらに、上記受発光素子２１は、図９に示した従来の「ＣＤ」（コンパクト・ディスク）用受発光素子１４と比較して、プリズム２８の構成材料を複屈折性材料に変更すると共に、第１の半導体基板２５上に形成される光検出器３１，３３，３４のパターンを変更するだけで、容易に構成される。従って、受発光素子２１及び光学ピックアップ装置２０の製造設備は、従来の「ＣＤ」用のものと共通化することが可能であり、コストが低減されることになる。
【０１０１】
また、本発明に係る光学ピックアップ装置は、図１３に示すように、上記受発光素子を用いずに構成してもよい。すなわち、この光学ピックアップ装置は、光源となるレーザダイオードチップ２７を有している。このレーザダイオードチップ２７は、封入缶５１内に収納され、図示しない光学ブロック部内に固定して配設されている。上記封入缶５１の前面部には、上記レーザダイオードチップ２７より発せられた光束（レーザ光束）が射出されるための、ガラスの如き透明材料により閉蓋された開口部が設けられている。
【０１０２】
上記レーザダイオードチップ２７より発せられる光束は、発散光束であって、断面形状が楕円形となっている。そして、この光学ピックアップ装置は、上記レーザダイオードチップ２７から発せられた光束が入射され、この光束を上記光磁気ディスク１１１の信号記録面１１１ａ上に集光させる対物レンズ２２を有している。すなわち、上記レーザダイオードチップ２７より発せられた光束は、上記光学ブロック部内に配設されたグレーティング（回折格子）５２、光束分岐手段となるビームスプリッタ５３及びコリメータレンズ５４を透過して、該光学ブロック部の上方側に配設された上記対物レンズ２２に導かれる。上記グレーティング５２は、入射光束を０次光及び±１次光に分岐させることにより、後述するトラッキングエラー信号の検出を可能とするものである。
【０１０３】
そして、この光学ピックアップ装置においては、上記信号記録面１１１ａに照射された光束の該信号記録面１１１ａによる反射光を上記光学ブロック部内に配設された第１及び第２の光検出器５８，５９によって検出することにより、上記光磁気ディスク１１１の信号記録層１１１ａに記録された情報信号の読み出しと、上記光束の該信号記録面上への集光を維持するためのエラー信号、すなわち、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳ及びトラッキングエラー信号ＴＲＫの検出とが行われる。
【０１０４】
すなわち、上記反射光は、上記対物レンズ２２及び上記コリメータレンズ５４を経て、上記ビームスプリッタ５３に戻る。この反射光束は、上記信号記録面上に記録された情報信号に応じて、強度を変調されている。この反射光束は、上記ビームスプリッタ５３の反射面により反射されて、第２のビームスプリッタ（ハーフミラープリズム）５７により分岐されて、上記各光検出器５８，５９に入射される。
【０１０５】
以下、本発明に関係するフォーカスエラー信号検出方法に注目して説明する。上記第１の光検出器５８は、図１４に示すように、上記反射光束の集光点の前方側において、この反射光束を受光する。また、上記第２の光検出器５９は、図１４に示すように、上記反射光束の集光点の後方側において、この反射光束を受光する。これら光検出器５８，５９の受光部は、図１４に示すように、それぞれ内側の分割受光部Ａ1，Ｂ1と、外側の分割受光部Ａ2，Ｂ2とから構成されている。上記対物レンズ２２を介して射出される光束が上記信号記録面１１１ａ上に集光されているとき（合焦状態）においては、上記各光検出器５８，５９の受光部上において上記反射光束が形成する光スポットは、互いに略々同一の大きさとなっており、それぞれ上記内側の分割受光部Ａ1，Ｂ1上に形成されている。
【０１０６】
上記フォーカスエラー信号ＦＣＳは、上記光束の集光点と上記信号記録面１１１ａとの、上記対物レンズ２２の光軸方向についての距離を示す信号である。この光学ピックアップ装置においては、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳが０となるように、図１３中矢印Ｆで示すように、上記対物レンズ２２のこの対物レンズ２２の光軸方向への移動操作、すなわち、フォーカスサーボ動作が行われる。
【０１０７】
上記トラッキングエラー信号ＴＲＫは、上記光束の集光点と上記記録トラックとの、この記録トラックの接線及び上記対物レンズ２２の光軸に直交する方向、すなわち、光ディスク１１１の径方向についての距離を示す信号である。上記光学ピックアップ装置においては、上記トラッキングエラー信号ＴＲＫが０となるように、図１３中矢印Ｔで示すように、上記記録トラックの接線方向及び上記対物レンズ２２の光軸に直交する方向への該対物レンズ２２の移動操作、すなわち、トラッキングサーボ動作が行われる（なお、図１３においては、上記対物レンズ駆動機構３７の構成を図示するために、この対物レンズ駆動機構３７のみを上記対物レンズ２２の光軸回りに９０°回転させた状態で図示している）。
【０１０８】
上記フォーカスサーボ動作及びトラッキングサーボ動作は、上記対物レンズ２２を移動操作可能に支持する上述した対物レンズ駆動機構（２軸アクチュエータ）３７において行われる。
【０１０９】
そして、この光学ピックアップ装置においては、上記レーザダイオードチップ２７より発せられて上記ビームスプリッタ５３に入射された光束（すなわち、上記対物レンズ２２に入射される前の光束）の一部は、このビームスプリッタ５３の反射面において反射され、上記コリメータレンズ５４に入射されることなく、光出力検出器（ＦＡＰＣ−ＰＤ）５５に入射されて受光される。この光出力検出器５５は、上記レーザダイオードチップ２７の発光出力をモニタしてこのレーザダイオードチップ２７の発光出力を制御する、いわゆるオート・パワー・コントロール（ＡＰＣ）に使用される光検出出力を得るためのものである。なお、このように、光出力検出器５５を半導体レーザ１の外部に設けてオート・パワー・コントロールを行う方式を、フロント・オート・パワー・コントロール（ＦＡＰＣ）という。
【０１１０】
上記光出力検出器５５は、フォトダイオードの如き受光素子からなり、受光した光の強度に応じた検出出力を出力する。したがって、この光学ピックアップ装置においては、上記光出力検出器５５から出力される検出出力に基づいて、制御回路を介して、上記レーザダイオードチップ２７の発光出力の制御を行う。
【０１１１】
この光学ピックアップ装置において、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳは、上記分割受光部Ａ1より出力される光検出信号をＳａ１、上記分割受光部Ａ2より出力される光検出信号をＳａ２、上記分割受光部Ｂ1より出力される光検出信号をＳｂ１、上記分割受光部Ｂ2より出力される光検出信号をＳｂ２としたとき、
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｓａ２）−（Ｓｂ１−Ｓｂ２）
により求められる。さらに、上述したように、
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｋ１・Ｓａ２）−（Ｓｂ１−Ｋ２・Ｓｂ２）
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｋ１・Ｓａ２）−Ｇ・（Ｓｂ１−Ｋ２・Ｓｂ２）
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｋ１・Ｓａ２）−Ｇ・Ｃ・（Ｓｂ１−Ｋ２・Ｓｂ２）
のように、上記ゲインＫ１，Ｋ２及び上記定数Ｇ、Ｃを用いることにより、オフセットのない正確なフォーカスエラー信号ＦＣＳを求めることができる。
【０１１２】
さらに、本発明に係る光学ピックアップ装置は、図２０に示すように、上記ビームスプリッタや対物レンズとして機能するホログラムレンズ６０を用いて構成することができる。この光学ピックアップ装置においては、上記レーザダイオードチップ２７、上記第１及び第２の光検出器５８，５９は、半導体基板２５上に形成されている。上記レーザダイオードチップ２７は、上記半導体基板２５の主面部に対する垂直上方に光束を発する。上記ホログラムレンズ６０は、上記半導体基板２５の上方に配設されている。
【０１１３】
この光学ピックアップ装置においては、上記レーザダイオードチップ２７より発せられた光束は、上記ホログラムレンズ６０に入射され、このホログラムレンズ６０により、光ディスク１１１の信号記録面１１１ａ上に集光される。この信号記録面１１１ａにより反射された反射光束は、上記ホログラムレンズ６０に戻り、このホログラムレンズ６０により、上記第１及び第２の光検出器５８，５９の受光面上に照射される。このとき、これら第１及び第２の光検出器５８，５９の受光面上には、図１４に示すように、上記反射光束の集光点の前方側に相当する反射光束と、該反射光束の集光点の後方側に相当する反射光束とが照射される。
【０１１４】
これら光検出器５８，５９の受光部は、図１４に示すように、それぞれ内側の分割受光部Ａ1，Ｂ1と、外側の分割受光部Ａ2，Ｂ2とから構成されている。上記ホログラムレンズ６０を介して射出される光束が上記信号記録面１１１ａ上に集光されているとき（合焦状態）においては、上記各光検出器５８，５９の受光部上において上記反射光束が形成する光スポットは、互いに略々同一の大きさとなっており、それぞれ上記内側の分割受光部Ａ1，Ｂ1上に形成されている。
【０１１５】
この光学ピックアップ装置においても、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳは、上記分割受光部Ａ1より出力される光検出信号をＳａ１、上記分割受光部Ａ2より出力される光検出信号をＳａ２、上記分割受光部Ｂ1より出力される光検出信号をＳｂ１、上記分割受光部Ｂ2より出力される光検出信号をＳｂ２としたとき、ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｓａ２）−（Ｓｂ１−Ｓｂ２）
により求められる。さらに、上述したように、
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｋ１・Ｓａ２）−（Ｓｂ１−Ｋ２・Ｓｂ２）
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｋ１・Ｓａ２）−Ｇ・（Ｓｂ１−Ｋ２・Ｓｂ２）
ＦＣＳ＝（Ｓａ１−Ｋ１・Ｓａ２）−Ｇ・Ｃ・（Ｓｂ１−Ｋ２・Ｓｂ２）
のように、上記ゲインＫ１，Ｋ２及び上記定数Ｇ、Ｃを用いることにより、オフセットのない正確なフォーカスエラー信号ＦＣＳを求めることができる。
【０１１６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明は、光磁気ディスクの記録再生に用いられ、小型で、軽量であり、信頼性の高い受発光素子、光学ピックアップ装置及び光ディスク装置を提供することができる。、
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による受発光素子の一実施の形態を組み込んだ光学ピックアップ装置の構成を示す側面図である。
【図２】上記受発光素子の側面図及び平面図である。
【図３】上記受発光素子における発光点と光検出器の共役関係を示す側面図である。
【図４】上記受発光素子におけるプリズムの構成を示す側面図である。
【図５】上記受発光素子におけるプリズム内の迷光を示す側面図である。
【図６】上記受発光素子におけるプリズムの変形例での迷光を示す側面図である。
【図７】上記受発光素子の光検出器の構成を示す側面図及び平面図である。
【図８】上記受発光素子を用いた光学ピックアップ装置によるフォーカスエラー検出の様子を示す信号波形図である。
【図９】上記受発光素子の光検出器の他の構成を示す側面図及び平面図である。
【図１０】上記受発光素子を利用した光ディスク装置の全体構成を示すブロック図である。
【図１１】上記光学ピックアップ装置の対物レンズ駆動機構の構成を示す縦断面図である。
【図１２】上記光学ピックアップ装置における受発光素子と対物レンズ駆動機構との位置関係を示す平面図である。
【図１３】本発明に係る光学ピックアップ装置の構成の他の例を示す縦断面図である。
【図１４】上記図１３に示した光学ピックアップ装置における光検出器の受光部の構成を示す正面図である。
【図１５】上記光学ピックアップ装置において得られるフォーカスエラー信号のデフォーカス量に対する変化を示すグラフである。
【図１６】上記光学ピックアップ装置においてオフセットが含まれているフォーカスエラー信号のデフォーカス量に対する変化を示すグラフである。
【図１７】上記光学ピックアップ装置における視野移動に対する検出信号のレベルの変化を示すグラフである。
【図１８】上記光学ピックアップ装置においてデフォーカス量に対する光検出器上のスポット形状の変化を示す平面図である。
【図１９】基準レベルからのずれを有するフォーカスエラー信号の時間の経過に対する変化を示すグラフである。
【図２０】ホログラムレンズを用いて構成した本発明に係る光学ピックアップ装置の構成を示す縦断面図である。
【図２１】従来の光磁気ディスクの光学ピックアップ装置の構成を示す縦断面図である。
【図２２】従来のＣＤ用の光学ピックアップの構成を示す側面図である。
【図２３】図２２に示した光学ピックアップ装置における受発光素子の拡大縦断面図である。
【図２４】図２２に示した光学ピックアップ装置における受発光素子における受光素子の平面図である。
【図２５】図２４に示した受光素子に基づいたフォーカスエラー信号の波形を示すグラフである。
【図２６】図２２に示した受発光素子の変形例を示す拡大縦断面図である。
【符号の説明】
２０ 光学ピックアップ装置、２１ 受発光素子、２２ 対物レンズ、２３，２４ 光路折曲用ミラー、２５ 第１の半導体基板、２６ 第２の半導体基板、２７ レーザダイオードチップ、２８ プリズム、２８ａ 光路分岐面、２９ 誘電体多層膜、３０ 半透過膜、３Ｉ 第１の光検出器、３２ 反射防止膜または偏光依存性ビームスプリッタ、３３ 第２の光検出器、３４ 第３の光検出器、３５ 高反射層
Claims (9)
- 第１の半導体基板上に形成された受光素子群と、
上記第１の半導体基板上に搭載された第２の半導体基板上に形成された発光素子と、
複屈折性材料により形成され、互いに平行な第１及び第２の面を有し、上記第１及び第２の面と斜めに交差するように設けられた光路分岐面を備え、この光路分岐面には上記発光素子から出射された光ビームと光ディスクの信号記録面で反射された光ビームとを分岐する光分岐膜が形成され、さらに、上記第１の半導体基板に対向する第１の面に、半透過膜が形成されたプリズムとを備え、
上記受光素子群は、第１、第２及び第３の受光部を備え、
上記第１の受光部は、上記光路分岐面から上記プリズムに入射する際に２群に分離された光ビームが上記プリズムから上記半透過膜を透過した位置であって、上記２群に分離された光ビームのそれぞれの群により形成される光スポットを互いにずれながら重なった状態で受光する位置に設けられ、
上記第２及び第３の受光部は、上記光路分岐面から上記プリズムに入射する際に２群に分離された光ビームが、上記プリズムを透過して上記半透過膜により反射され、再び上記プリズムを透過し、上記半透過膜が形成された第１の面に対向する第２の面により反射され、再び上記プリズムを透過し、上記プリズムから上記第１の面の上記半透過膜が形成されていない領域を透過した位置であって、上記２群に分離された光ビームのそれぞれの群により形成される光スポットを完全に分離した状態でそれぞれ独立に受光する位置に設けられていることを特徴とする受発光素子。 - 上記第１の受光部からの検出信号と、上記第２の受光部及び／又は第３の受光部からの検出信号とに基づいて、フォーカスエラー信号を得る構成としたことを特徴とする請求項１記載の受発光素子。
- 上記第２及び第３の受光部からの検出信号に基づいて、光磁気信号を得る構成としたことを特徴とする請求項２記載の受発光素子。
- 上記第１の受光部からの検出信号と、第２の受光部及び／又は第３の受光部からの検出信号の定数倍の信号との差信号により、フォーカスエラー信号を得る構成としたことを特徴とする請求項２記載の受発光素子。
- 上記第１の受光部からの検出信号の定数倍の信号と、第２の受光部及び／又は第３の受光部からの検出信号との差信号により、フォーカスエラー信号を得る構成としたことを特徴とする請求項２記載の受発光素子。
- 上記各受光部が、それぞれ内側受光部と外側受光部とに分割され、各受光部からの検出信号として、それぞれ内側受光部からの検出信号から外側受光部からの検出信号の定数倍の信号を引いた差信号が用いられることを特徴とする請求項２記載の受発光素子。
- 上記プリズムは、複屈折性材料として、一軸性結晶ＬｉＮｂＯ３、二軸性結晶ＫＴｉＯＰＯ４、又は、一軸性結晶ＹＶＯ４から形成されていることを特徴とする請求項１記載の受発光素子。
- 受発光素子と、
上記受発光素子から出射された光ビームを光ディスクの信号記録面上に合焦させて照射するとともに上記光ディスクの信号記録面から反射された光ビームを上記受発光素子に導入する光学系とを備えた光学ピックアップ装置であって、
上記受発光素子は、
第１の半導体基板上に形成された受光素子群と、
上記第１の半導体基板上に搭載された第２の半導体基板上に形成された発光素子と、
複屈折性材料により形成され、互いに平行な第１及び第２の面を有し、上記第１及び第２の面と斜めに交差するように設けられた光路分岐面を備え、この光路分岐面には上記発光素子から出射された光ビームと光ディスクの信号記録面で反射された光ビームとを分岐する光分岐膜が形成され、さらに、上記第１の半導体基板に対向する第１の面に、半透過膜が形成されたプリズムとを備え、
上記受光素子群は、第１、第２及び第３の受光部を備え、
上記第１の受光部は、上記光路分岐面から上記プリズムに入射する際に２群に分離された光ビームが上記プリズムから上記半透過膜を透過した位置であって、上記２群に分離された光ビームのそれぞれの群により形成される光スポットを互いにずれながら重なった状態で受光する位置に設けられ、
上記第２及び第３の受光部は、上記光路分岐面から上記プリズムに入射する際に２群に分離された光ビームが、上記プリズムを透過して上記半透過膜により反射され、再び上記プリズムを透過し、上記半透過膜が形成された第１の面に対向する第２の面により反射され、再び上記プリズムを透過し、上記プリズムから上記第１の面の上記半透過膜が形成されていない領域を透過した位置であって、上記２群に分離された光ビームのそれぞれの群により形成される光スポットを完全に分離した状態でそれぞれ独立に受光する位置に設けられていることを特徴とする光学ピックアップ装置 - 光ディスクを回転駆動する駆動手段と、
回転する光ディスクに対して対物レンズを介して光ビームを照射し、上記光ディスクの信号記録面から反射された光ビームを上記対物レンズを介して光検出器により検出する光学ピックアップ装置と、
上記対物レンズを二軸方向に移動可能に支持する手段と、
上記光検出器からの検出信号に基づいて再生信号を生成する信号処理回路と、
上記光検出器からの検出信号に基づいて上記対物レンズを二軸方向に移動させるサーボ回路とを備えた光ディスク装置において、
上記光学ピックアップ装置は、受発光素子と、この受発光素子から出射された光ビームを光ディスクの信号記録面上に合焦させて照射するとともに上記光ディスクの信号記録面から反射された光ビームを上記受発光素子に導入する光学系とを備え、
上記受発光素子は、
第１の半導体基板上に形成された受光素子群と、
上記第１の半導体基板上に搭載された第２の半導体基板上に形成された発光素子と、
複屈折性材料により形成され、互いに平行な第１及び第２の面を有し、上記第１及び第２の面と斜めに交差するように設けられた光路分岐面を備え、この光路分岐面には上記発光素子から出射された光ビームと光ディスクの信号記録面で反射された光ビームとを分岐する光分岐膜が形成され、さらに、上記第１の半導体基板に対向する第１の面に、半透過膜が形成されたプリズムとを備え、
上記受光素子群は、第１、第２及び第３の受光部を備え、
上記第１の受光部は、上記光路分岐面から上記プリズムに入射する際に２群に分離された光ビームが上記プリズムから上記半透過膜を透過した位置であって、上記２群に分離された光ビームのそれぞれの群により形成される光スポットを互いにずれながら重なった状態で受光する位置に設けられ、
上記第２及び第３の受光部は、上記光路分岐面から上記プリズムに入射する際に２群に分離された光ビームが、上記プリズムを透過して上記半透過膜により反射され、再び上記プリズムを透過し、上記半透過膜が形成された第１の面に対向する第２の面により反射され、再び上記プリズムを透過し、上記プリズムから上記第１の面の上記半透過膜が形成されていない領域を透過した位置であって、上記２群に分離された光ビームのそれぞれの群により形成される光スポットを完全に分離した状態でそれぞれ独立に受光する位置に設けられていることを特徴とする光ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03676497A JP3740777B2 (ja) | 1996-02-20 | 1997-02-20 | 受発光素子、光学ピックアップ装置及び光ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5678996 | 1996-02-20 | ||
| JP8-231052 | 1996-08-30 | ||
| JP23105296 | 1996-08-30 | ||
| JP8-56789 | 1996-08-30 | ||
| JP03676497A JP3740777B2 (ja) | 1996-02-20 | 1997-02-20 | 受発光素子、光学ピックアップ装置及び光ディスク装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004296990A Division JP4123217B2 (ja) | 1996-02-20 | 2004-10-08 | 光学ピックアップ装置、光ディスク装置及びフォーカスエラー信号検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10124887A JPH10124887A (ja) | 1998-05-15 |
| JP3740777B2 true JP3740777B2 (ja) | 2006-02-01 |
Family
ID=27289217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03676497A Expired - Fee Related JP3740777B2 (ja) | 1996-02-20 | 1997-02-20 | 受発光素子、光学ピックアップ装置及び光ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3740777B2 (ja) |
-
1997
- 1997-02-20 JP JP03676497A patent/JP3740777B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10124887A (ja) | 1998-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100613737B1 (ko) | 집적 광학 소자 및 광학 픽업 및 광 디스크 장치 | |
| KR100691661B1 (ko) | 광 헤드, 수발광 소자 및 광 기록 매체 기록 재생 장치 | |
| KR100477275B1 (ko) | 광학픽업장치및디스크플레이어장치 | |
| JP3438482B2 (ja) | 受発光素子とこれを用いた光学ピックアップ | |
| JP3106047B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP3740777B2 (ja) | 受発光素子、光学ピックアップ装置及び光ディスク装置 | |
| JPH09138967A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH01171129A (ja) | 光学ヘッド及びトラッキング方法 | |
| JP4123217B2 (ja) | 光学ピックアップ装置、光ディスク装置及びフォーカスエラー信号検出方法 | |
| JPH10222856A (ja) | 光学式情報記録再生装置 | |
| JP2001110082A (ja) | 光学ピックアップ及び光ディスク装置 | |
| JP3533813B2 (ja) | 受発光素子及びこれを用いた光学ピックアップ | |
| JPH0264917A (ja) | 光磁気記録装置用光学ヘッド構造 | |
| JPH0863778A (ja) | 光学ピックアップ | |
| JP2933396B2 (ja) | 偏光分離光学系 | |
| JPS60129943A (ja) | 光学ピツクアツプ装置 | |
| JPH10124923A (ja) | 光学ピックアップ装置及びディスクプレーヤ装置 | |
| JPH10124922A (ja) | 光学ピックアップ装置及びディスクプレーヤ装置 | |
| US5532477A (en) | Optical pickup apparatus having lens group for determining paths of an incident beam and a reflected & beam | |
| JPH103690A (ja) | 光学ピックアップ | |
| JP2005063572A (ja) | 光ピックアップおよび光ディスク再生装置 | |
| JPH02185750A (ja) | 光ピックアップ | |
| JPH10186135A (ja) | 偏光素子及びこれを利用した光学ピックアップ | |
| JPH1040572A (ja) | 光学ピックアップ装置及びディスクプレーヤ装置 | |
| JPH02292736A (ja) | 光ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040727 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040810 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041012 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051018 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051031 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091118 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |