JP3106047B2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学式情報再生装置に
関し、より詳しくは、光学系の小型集積化が図れ、光磁
気ディスク装置等に好適に用いられ得る光ピックアップ
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】高密度で多大の情報を記録することがで
きる光ディスクは、近年多くの分野において利用が進め
られている。このような光ディスクを情報記録媒体とす
る光学式情報再生装置においては、光ピックアップ装置
（以下光ピックアップと称する）の小型軽量化が特に重
要な課題である。この課題を解決するために、光ピック
アップの光学系に回折素子を用いることは非常に有効で
あり、これまでにも幾つかの提案がなされている。

【０００３】図６は光学系に回折素子を用いた光ピック
アップの第１の従来例を示す。ここに示された光ピック
アップは、Y.Yoshida et al.:'' Three Beam CD Optica
l Pickup using a Holographic Optical Element, ''Pr
oc. Optical Data Strage Technologies, SPIE 1401,(1
990),p58. に記載されたものである。

【０００４】この光ピックアップにおいては、半導体レ
ーザ１０１から出射される発散光が、第１の回折素子１
０２によって０次回折光（メインビーム）と、トラッキ
ングずれを検出するための±１次回折光（サブビーム）
とに分割される。分割された発散光は、第２の回折素子
１０３を透過し、コリメートレンズ１０４、対物レンズ
１０５によって光ディスク１０６の情報記録面上に集光
される。そして、発散光の中のメインビームは、光ディ
スク１０６上に集光スポット１０８ａを形成し、サブビ
ームは２個の集光スポット１０８ｂ、１０８ｃを形成す
る。

【０００５】一方、光ディスク１０６からの反射光は、
対物レンズ１０５によって再び光学系に取り込まれ、コ
リメートレンズ１０４を通過した後、第２の回折素子１
０３に回折され、その回折光は光検出器１０７上に集光
される。

【０００６】ここで、図６に示すように、第１の回折素
子１０２のパターンは直線が一定の間隔で並設されたも
のになっている。また、第２の回折素子１０３のパター
ンは反射光を光検出器１０７に集光するのに適した曲線
を並設したものになっている。

【０００７】現状の光学式情報再生装置では、対物レン
ズ１０５によって円盤状の光ディスク１０６上で光束を
直径１μｍ程度のスポット光に集光し、かつ、その情報
トラック１１２に追従させる必要がある。このため、フ
ォーカス制御用の信号を検出するフォーカス検出機構
と、トラッキング制御用の信号を検出するトラッキング
検出機構とが必要不可欠なものになる。以下に、これら
の検出機構の詳細を説明する。

【０００８】（フォーカス検出機構）まず、フォーカス
検出機構について説明する。前述した第２の回折素子１
０３はほぼ円形であり、分割線ＤＬで２分割された２個
の半円形領域１０３ａ、１０３ｂを有する。一方、光検
出器１０７は、４本の分割線Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄによって分
割された５個の光検出部１０７ａ、１０７ｂ、１０７
ｃ、１０７ｄおよび１０７ｅを有する。

【０００９】第１の回折素子１０２によって回折され、
光ディスク１０６に集光された後、反射されるメインビ
ームの反射光のうち、第２の回折素子１０３の一方の半
円形領域１０３ａによって回折された光は、光検出器１
０７に集光され、分割線Ａ上に集光スポット１１１ａを
形成する。これに対して、他方の半円形領域１０３ｂに
よって回折された光は、光検出部１０７ｃ上に集光スポ
ット１１１ａ′を形成する。

【００１０】また、光ディスク１０６に集光され、集光
点１０８ｂを形成した後、反射されるサブビームの反射
光は、光検出部１０７ｄ上に２つの集光スポット１１１
ｂ′，１１１ｂ′を形成する。光ディスク１０６に集光
され、集光点１０８ｃを形成した後、反射されるサブビ
ームの反射光は、光検出部１０７ｅ上に２つの集光スポ
ット１１１ｃ、１１１ｃ′を形成する。

【００１１】このような構成においては、半導体レーザ
１０１からの発散光が対物レンズ１０５によって光ディ
スク１０６上に正確に焦点を結んでいるとき、即ち合焦
点状態のときには、第２の回折素子１０３の半円形領域
１０３ａからの回折光の集光スポット１１１ａが、図７
（ｂ）に示すように、光検出器１０７の分割線Ａ上の１
点に形成される。このため、光検出部１０７ａ及び１０
７ｂの出力が等しくなる。

【００１２】一方、何らかの理由で光ディスク１０６が
対物レンズ１０５に接近したときには、回折光の集光点
は光検出器１０７の後方に形成される。そのため、この
ときには、図７（ａ）に示すように、集光スポット１１
１ａは光検出部１０７ａにおいて半円形状に広がる。逆
に、光ディスク１０６が対物レンズ１０５から遠ざかっ
たときには、回折光の集光点は光検出器１０７の前方に
形成される。そのため、このときには、図７（ｃ）に示
すように、集光スポット１１１ａは光検出部１０７ｂに
おいて半円形状に広がる。

【００１３】従って、光検出部１０７ａ、１０７ｂの出
力信号をそれぞれＳ１、Ｓ２とすると、フォーカス誤差
信号ＦＥＳは、下記式の演算を行えば得られる。この
演算は、具体的には引算器によって行われる。

【００１４】ＦＥＳ＝Ｓ１−Ｓ２… このようにしてフォーカス誤差信号ＦＥＳが得られる
と、このサーボ信号に基づき、図示されないアクチュエ
ータが対物レンズ１０５を駆動し、これにより情報トラ
ック１１２上に集光スポット１０８ａが結ばれるように
制御される。

【００１５】（トラッキング検出機構）次に、上記光ピ
ックアップにおけるトラッキング検出機構について説明
する。図８は光ディスク１０６上の集光スポットと情報
トラック１１２の位置関係を示す。図８（ｂ）に示すよ
うに、２つのサブビームの集光スポット１０８ｂ、１０
８ｃはメインビームの集光スポット１０８ａを中央にし
て情報トラック１１２の方向において対称な位置関係に
あり、かつ情報トラック１１２に対して互いに反対の方
向に僅かにずれて位置している。

【００１６】もし、図８（ａ）に示すように、何らかの
理由で情報トラック１１２が集光スポット１０８ａに対
して図上左側にずれたときには、集光スポット１０８ｂ
はほぼ情報トラック１１２の上に位置するので、その反
射光の強度は低下する。これに対して、集光スポット１
０８ｃは情報トラック１１２から離れるので、その反射
光の強度は増加する。

【００１７】一方、図８（ｃ）に示すように、情報トラ
ック１１２が集光スポット１０８ａに対して図上右側に
ずれたときには、上記と逆の現象が生じる。即ち、集光
スポット１０８ｂは情報トラック１１２から離れるの
で、その反射光の強度は増加し、集光スポット１０８ｃ
はほぼ情報トラック１１２の上に位置するので、その反
射光の強度は低下する。

【００１８】そして、集光スポット１０８ｂ、１０８ｃ
の反射光は、それぞれ光検出部１０７ｄ、１０７ｅ上に
集光されるので、光検出部１０７ｄ、１０７ｅの出力信
号をＳ４、Ｓ５とすると、トラッキング誤差信号ＴＥＳ
は、下記式の演算を行えば得られる。この演算も引算
器によって行われる。

【００１９】ＦＥＳ＝Ｓ４−Ｓ５… このようにしてトラッキング誤差信号ＴＥＳが得られる
と、このサーボ信号に基づき、図示されないアクチュエ
ータが対物レンズ１０５を駆動し、これにより情報トラ
ック１１２上に集光スポット１０８ａが結ばれるように
制御される。

【００２０】図９は、図６に示した第１の従来例を更に
具体化した光ピックアップを示す。この光ピックアップ
においては、第１の回折素子１０２および第２の回折素
子１０３は、ガラス基板１０９の下面および上面にそれ
ぞれエッチングにより形成されている。半導体レーザ１
０１および光検出器１０７は、気密に封止された箱状の
キャンパッケージ１１０内に配置されている。

【００２１】図１０は光学系に回折素子を用いた光ピッ
クアップの第２の従来例を示す。この光ピックアップは
いわゆる１ビーム方式の光ピックアップである。簡単の
ために、図９と共通の要素には同一の番号を付した。第
２の従来例が第１の従来例と異なる点は、ガラス基板１
１４の下面にのみ回折素子１１３が形成されている点
と、光検出器１１５が４分割されている点であり、半導
体レーザ１０１および光検出器１０７は、第1 の従来例
と同様に、気密に封止された箱状のキャンパッケージ１
１０内に配置されている。

【００２２】第２の従来例におけるフォーカス検出機構
およびトラッキング検出機構は、第１の従来例のそれと
重複する部分が多いので、ここでは省略する。詳細はY.
Kurata et al.:'' CD Optical Pickup using a Compute
r Generated Holographic Optical Element,'' Proc. O
ptical Data Strage and Scanning Technologies, SPIE
1139,(1989),p161.に記載されている。

【００２３】以上に述べたような回折素子を用いて光学
系を小型集積化した光ピックアップは、光源と光検出器
が同一パッケージ内に配置されているため、耐環境性能
に優れ、また小型軽量、低価格であるという特徴を有す
る。

【００２４】ところで最近では、光ディスクの普及に伴
い、書き換え可能な光ディスクとして光磁気ディスクが
注目を集めている。そして、そのピックアップの光学系
にも回折素子が用いられている。

【００２５】図１１は光学系に回折素子を用いた光磁気
ディスク用ピックアップの従来例を示す。この光磁気デ
ィスク用ピックアップにおいては、半導体レーザ２０１
から出射される発散光が、回折素子２０２を０次光とし
て透過し、コリメートレンズ２０３によって平行光に変
換され、続いて複合プリズム２０４を透過した後、４５
°ミラー２０５および対物レンズ２０６を経て光磁気デ
ィスク２０７上に集光される。

【００２６】光磁気ディスク２０７からの反射光は、対
物レンズ２０６によって再び光学系内に取り込まれ、そ
の一部は複合プリズム２０４とコリメートレンズ２０３
を透過した後、回折素子２０２により回折されて光検出
器２０９上に集光され、フォーカスずれ（フォーカシン
グエラー）およびトラッキングずれ（トラッキングエラ
ー）の検出に使用される。回折素子２０２のパターンは
ここには図示しないが、回折光を光検出器２０９上に集
光させるのに適した曲線が並設されたものになってい
る。

【００２７】フォーカス検出機構およびトラッキング検
出機構は、前述した光ピックアップの従来例のそれと重
複する部分が多いので、ここでは省略する。詳細は佐藤
他：''３．５インチ光磁気ディスク用ピックアッ
プ，''シャープ技報，第５０号，pp20-24(1991)に記載
されている。

【００２８】一方、複合プリズム２０４内で二度反射さ
れてウォラストンプリズム２１０に達する残りの反射光
は、該ウォラストンプリズム２１０で異なる２つの偏光
に分離された後、集光レンズ２１１によって２分割フォ
トダイオード２１２上に集光される。従って、この２分
割フォトダイオード２１２の出力の差を取れば、情報信
号が再生される。

【００２９】図１２は光磁気信号の検出原理を示す。周
知のように、光磁気ディスクでは例えばＰ偏光の光を媒
体に照射すると、照射位置の磁気の方向に応じて偏光方
向がθｋ又は−θｋだけ回転して反射される。この偏光
面の回転方向が情報信号になるのであるが、これを検出
するためには、一般には反射光を図１２に示すような±
４５°方位の偏光成分に分離し、この２偏光成分の強度
の差を取ることがなされている。そのため、これに適す
るように前記ウォラストンプリズム２１０の結晶方位が
決められている。

【００３０】また、前記偏光面の回転角θｋ又は−θｋ
は１°程度の微小角である。そのため、複合プリズム２
０４の反射面２１３には、偏光面の回転量を見掛け上大
きくして信号のＳ／Ｎ比を向上させるため、例えばＳ偏
光は１００％、Ｐ偏光は２０％反射するような偏光特性
が付与されている。

【００３１】

【発明が解決しようとする課題】前述した光ピックアッ
プの第１の従来例および第２の従来例は、回折素子を用
いて光学系を小型集積化し、光源と光検出器を同一パッ
ケージ内に配置したため小型軽量であり、再生専用およ
び追記型ディスク装置に好適である。また、耐環境性に
優れる。しかし、光磁気信号を検出する機能がないた
め、書き換え可能な光磁気ディスク装置には適用できな
い。

【００３２】一方、光磁気ディスク用ピックアップの従
来例では、回折素子の採用により一応は光学系の小型軽
量化が図られている。しかし、光磁気信号を検出する光
学系には未だプリズムが用いられており、このことが根
本的な小型軽量化の妨げになっている。また、偏光分離
に用いられるウォラストンプリズムは、高価な水晶から
つくられるため、光ピックアップのコストダウンを図る
上での障害になっている。

【００３３】本発明は上記従来の問題を解決するもので
あり、その目的は、書き換え可能な光磁気ディスク装置
に適用でき、しかも小型軽量で、かつ低コストの光ピッ
クアップ装置を提供することにある。

【００３４】

【課題を解決するための手段】本発明の光ピックアップ
装置は、光源と、前記光源からの光を記録担体上に集光
させると共に、前記記録担体からの反射光を集光する光
学系と、前記反射光の光路内に設けられて、前記反射光
の一部を分岐する光分岐手段と、前記光分岐手段によっ
て分岐された反射光を集光して、情報信号を検出する情
報信号検出部と、前記光分岐手段を透過した残りの反射
光を集光して、制御信号を検出する制御信号検出部とを
備えた光ピックアップ装置であって、前記光分岐手段
が、所定の格子ピッチで形成された凸部を有し、前記凸
部に光源からの光の波長よりも短い周期を有する周期構
造が、前記光源の偏光方向と９０°をなし、且つ前記凸
部の格子方向と略４５°をなすように重畳されたレリー
フ型ホログラムであり、前記情報信号検出部が、反射光
の偏光状態を検出する光導波路素子であることにより、
上記目的が達成される。

【００３５】

【００３６】

【作用】光の波長より短い周期を有する周期構造が重畳
されたレリーフ型ホログラムでは、構造複屈折のため
に、周期構造に平行な偏光成分と周期構造に直交する偏
光成分とで回折効率が異なる。この性質を利用すること
により、プリズムを用いることなく反射光の一部が、情
報信号検出部に導かれる。ここで、情報信号検出部とし
て光導波路素子を用いると、情報信号検出部でもプリズ
ムを用いることなく反射光の偏光状態が検出される。従
って、このような構成によれば、プリズムを用いること
なく高品位の情報信号を検出できる。

【００３７】

【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。

【００３８】図１および図２は本発明の光ピックアップ
装置を示す。この光ピックアップは、光磁気ディスク用
の光ピックアップである。以下にその構成を動作と共に
説明する。

【００３９】半導体レーザ１から上方に向けて出射され
る発散光は、第１のガラス基板２の下面に設けられた第
１の回折素子３によって０次回折光（メインビーム）
と、トラッキングずれを検出するための±１次回折光
（サブビーム）とに分割される。続いて、分割された発
散光は、第１のガラス基板２の上面に設けた第２の回折
素子４と、該第１のガラス基板２の上に重ね合わされた
第２のガラス基板５の上面に設けた第３の回折素子６と
を順に透過し、コリメートレンズ７に導かれる。続い
て、コリメートレンズ７により平行光にされた光ビーム
は、対物レンズ８によって光磁気ディスク９上に集光さ
れる。

【００４０】一方、光磁気ディスク９からの反射光は、
対物レンズ８によって再び光学系に取り込まれてコリメ
ートレンズ７を透過し、その一部が第３の回折素子６に
より回折されて光導波路素子１１上に集光される。

【００４１】ここで第３の回折素子６および光導波路素
子１１は、それぞれ本発明の光ピックアップ装置におけ
る光分岐手段および情報信号検出部である。図２に示す
ように、光導波路素子１１は、光検出器１５が形成され
たシリコン基板１６を有する。シリコン基板１６の表面
には、光導波路１３と、光導波路１３内に回折光を導く
光結合器１２と、光導波路１３を伝播する２つの偏光、
即ちＴＥ偏光とＴＭ偏光とを分離する偏光分離素子１４
とが形成されている。光導波路素子１１上に集光された
回折光は、光結合器１２によって光導波路１３内に導か
れ、偏光分離素子１４によりＴＥ偏光とＴＭ偏光とに分
離されて、光検出器１５に入射する。光検出器１５は、
ＴＥ偏光とＴＭ偏光との出力の差を演算して光磁気信
号、即ち情報信号を再生する。

【００４２】第３の回折素子６を透過した残りの反射光
は、第２の回折素子４によって回折され、５分割光検出
器１０に入射する。５分割光検出器１０は、本発明の光
ピックアップ装置における制御信号検出部であり、５分
割光検出器１０からの電気信号を演算処理することによ
り、フォーカス制御およびトラッキング制御のための制
御信号が得られる。

【００４３】そして、光源である半導体レーザ１、光導
波路素子１１および５分割光検出器１０は、気密に封止
されたキャンパッケージ２０内に配置されている。ま
た、第１のガラス基板２および第２のガラス基板５は、
キャンパッケージ２０の上に重ねて配置されている。キ
ャンパッケージ２０は円筒状になっている。

【００４４】以下に、本発明光ピックアップ装置におけ
る光磁気信号（情報信号）の検出原理および制御信号の
検出原理を説明する。

【００４５】（光磁気信号の検出原理）図３は第３の回
折素子６、５分割光検出器１０および光導波路素子１１
の位置関係を示す平面図であり、コリメートレンズ７か
らこれらを見た状態を示す。Ｘ軸とＹ軸の交点が光軸で
あり、５分割光検出器１０は光軸から−Ｘ方向に適当な
距離偏位し、光導波路素子１１はＸ軸から−４５°だけ
偏位してそれぞれ配置されている。

【００４６】図４は第３の回折素子６の表面構造を示す
斜視図である。第３の回折素子６は、格子ピッチＡを有
するレリーフ型ホログラムであり、各格子の表面には、
光源からの光の波長よりも短い周期Ｂを有する周期構造
が、Ｘ軸に平行に形成されている。

【００４７】ここで、光の波長より短い周期構造中で
は、偏光方向によって屈折率が異なる構造複屈折と呼ば
れる現象が生じる。このため、図３および図４に示した
ような第３の回折素子６では、周期構造に平行な偏光成
分（Ｘ方向成分）と、周期構造に直交する偏光成分（Ｙ
方向成分）とで回折効率が異なり、格子溝の深さを調節
することにより周期構造に平行な偏光成分は殆ど回折さ
れ、周期構造に直交する偏光成分は余り回折されないよ
うな状態にすることができる。

【００４８】そして、例えば光源である半導体レーザ１
から出射されるレーザ光の偏光方位がＹ軸方向となるよ
うにしておくと、半導体レーザ１から出射された光が光
磁気ディスク９へ向かって進行するときには、第３の回
折素子６で回折される光が少なくなるので、より多くの
光が光磁気ディスク９に到達するようになり、光を有効
に利用できる。一方、光磁気ディスク９で反射され、Ｙ
軸からθｋまたは−θｋだけ偏光面が回転した反射光
は、第３の回折素子６でＸ方向成分は殆ど回折される
が、Ｙ軸方向成分はあまり回折されないため、回折光の
偏光面の回転が見掛け上大きくなり、結果的にＳ／Ｎ比
のよい光磁気信号が検出される。

【００４９】図５は光導波路１３内の偏光を示す。第３
の回折素子６からの回折光は、Ｘ軸に対して−４５°方
向に回折されるので、反射光の−４５°方位の偏光成分
は、光導波路素子１１内にＴＭモードとして励起され、
＋４５°方位の偏光成分は、光導波路素子１１内にＴＥ
モードとして励起される（図１２参照）。それぞれの偏
光成分は偏光分離素子１４により空間的に分離され、光
検出器１５に入射して電気信号に変換される。これによ
り、光磁気信号、即ち情報信号が検出される。そして、
光検出器１５の電気信号の差を取ることにより、情報が
再生される。この差分は、図３に示す引算器２１により
行われる。

【００５０】（制御信号の検出原理）次に、制御信号の
検出原理について説明する。第３の回折素子６を透過し
た残りの反射光は、上述したように、第２の回折素子４
によって回折され、５分割光検出器１０に入射する。

【００５１】第２の回折素子４は、上述した光ピックア
ップの第１の従来例に用いられた第２の回折素子１０３
に対応するものであって、図１に示すように、ほぼ円形
をなし、半円形の２つの領域４ａ、４ｂに分割されてい
る。そのパターンは、光磁気ディスク９からの反射光を
５分割光検出器１０上に集光させるのに適した曲線パタ
ーンになっている。

【００５２】また、５分割光検出器１０は、第１の従来
例の光検出器１０７に対応するものであって、その光検
出部１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄおよび１
０７ｅにそれぞれ対応する５つの光検出部１０ａ、１０
ｂ、１０ｃ、１０ｄおよび１０ｅを有する。

【００５３】第１の回折素子３によって回折され、光磁
気ディスク９上に集光された後、反射されるメインビー
ムのうち、第２の回折素子４の一方の領域４ａで回折さ
れた光は、５分割光検出器１０の光検出部１０ａ、１０
ｂを分割する分割線Ｌ（図３参照）上に、他方の領域４
ｂで回折された光は５分割光検出器１０の光検出部１０
ｃ上に、それぞれ集光スポットを形成する。

【００５４】また、光磁気ディスク９上に２つの集光ス
ポットを形成した後、反射される２つのサブビームの反
射光のうち、一方のサブビームの反射光は５分割光検出
器１０の光検出部１０ｄ上に集光スポットを形成する。
他方のサブビームの反射光は５分割光検出器１０の光検
出部１０ｅ上に集光スポットを形成する。

【００５５】そして、５分割光検出器１０の光検出部１
０ａ、１０ｂの出力差を検出し、上記式の演算を行え
ば、上記第１の従来例と同様にフォーカス誤差信号ＦＥ
Ｓを得ることができる。同様に、光検出部１０ｄ、１０
ｅの出力差を検出し、上記式の演算を行えば、上記第
１の従来例と同様にトラッキング誤差信号ＴＥＳを得る
ことができる。

【００５６】上記の説明のように、本発明の光ピックア
ップ装置は、光の波長より短い周期を有する周期構造が
重畳されたレリーフ型ホログラムからなる第３の回折素
子６を介して、光磁気ディスク９からの反射光の一部を
光導波路素子１１に導いて、光磁気信号を検出する構成
をとるため、プリズムを用いることなく、高品位の光磁
気信号を検出することができる。このため、光磁気信号
を検出するための光学系と制御信号を検出するための光
学系とが一体化され、それぞれの光学系における信号検
出部（光導波路素子１１と５分割光検出器１０）が、光
源である半導体レーザ１と共にキャンパッケージ２０内
に適切に配置される。

【００５７】なお、制御信号検出部、即ちフォーカス検
出機構およびトラッキング検出機構は、上記実施例に限
定されるものではなく、例えば第２の回折素子４での分
割の仕方や各領域内での格子線の方向、更には制御信号
検出用の光検出器（５分割光検出器１０）の形状等は自
由に選択することができる。従って、上述した光ピック
アップの第２の従来例のように１ビーム法でトラッキン
グずれを検出することも可能である。

【００５８】また、光検出器（５分割光検出器１０およ
び光導波路素子１１内の光検出器１５）と共に、電流−
電圧変換や信号増幅のための電子回路をシリコン基板上
に作製すれば、外部雑音に影響され難くなるなどの効果
を奏することができる。

【００５９】更に、第１のガラス基板２と第２のガラス
基板５を接着剤を介して接合する場合は、図２に示すよ
うに、第２の回折素子４に対向する上側のガラス基板５
の下面に凹部１７を設けるとよい。そのようにすると、
接着剤が第２の回折素子４に及ぶことがなく、回折素子
４の特性低下が防止されるからである。

【００６０】

【発明の効果】本発明の光ピックアップ装置は、このよ
うに、光の波長より短い周期を有する周期構造が重畳さ
れたレリーフ型ホログラムを介して、光導波路素子に記
録媒体からの反射光を導いて情報信号を検出する構成を
とるため、情報信号検出のための光学系からプリズムを
排除できる。従って、情報信号検出のための光学系と制
御信号検出のための光学系とを一体に作製することがで
き、更には、それぞれの光学系における信号検出部を光
源と共に同一パッケージ内に配置することもできる。こ
のため、例えば光磁気ディスク用ピックアップに適用し
て、その大幅な小型軽量化および光学部品点数の削減が
可能になる。また、そのパッケージングにより耐環境性
能が向上する。更に、高価な水晶を使用するウォラスト
ンプリズムが不要になるので、大幅なコストダウンが可
能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明光ピックアップ装置の概略構成を示す斜
視図。

【図２】本発明光ピックアップの一部を拡大して示す断
面図。

【図３】本発明光ピックアップ装置における光導波路素
子、制御信号検出部および光分岐手段の位置関係を示す
平面図。

【図４】光分岐手段の詳細構造を示す斜視図。

【図５】光導波路内の偏光を示す平面図。

【図６】光ピックアップの第１の従来例を示す概略斜視
図。

【図７】フォーカス制御信号の検出原理を示す模式図。

【図８】トラッキング制御信号の検出原理を示す模式
図。

【図９】第１の従来例を具体化した光ピックアップの斜
視図。

【図１０】光ピックアップの第２の従来例を示す斜視
図。

【図１１】光磁気ディスク用ピックアップの従来例の概
略構成を示す斜視図。

【図１２】光磁気信号の検出原理を示す模式図。

【符号の説明】

１ 半導体レーザ ２ 第１のガラス基板 ５ 第２のガラス基板 ３ 第１の回折素子 ４ 第２の回折素子 ６ 第３の回折素子 ７ コリメートレンズ ８ 対物レンズ ９ 光磁気ディスク １０ ５分割光検出器 １１ 光導波路素子 １２ 光結合器 １３ 光導波路 １４ 偏光分離素子 １５ 光検出器 １６ シリコン基板 ２０ キャンパッケージ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉田 幸夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 山本 裕之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 南 功治 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−79050（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−122943（ＪＰ，Ａ) 「続・わかりやすい光ディスク」オプ トロニクス社（平成２年５月21日）Ｐ 98，Ｐ109〜110 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/135

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源と、前記光源からの光を記録担体上
   に集光させると共に、前記記録担体からの反射光を集光
   する光学系と、前記反射光の光路内に設けられて、前記
   反射光の一部を分岐する光分岐手段と、前記光分岐手段
   によって分岐された反射光を集光して、情報信号を検出
   する情報信号検出部と、前記光分岐手段を透過した残り
   の反射光を集光して、制御信号を検出する制御信号検出
   部とを備えた光ピックアップ装置であって、前記 光分岐手段が、所定の格子ピッチで形成された凸部
   を有し、前記凸部に光源からの光の波長よりも短い周期
   を有する周期構造が、前記光源の偏光方向と９０°をな
   し、且つ前記凸部の格子方向と略４５°をなすように重
   畳されたレリーフ型ホログラムであり、前記 情報信号検出部が、反射光の偏光状態を検出する光
   導波路素子であることを特徴とする光ピックアップ装
   置。