WO2012098859A1 - 光ピックアップ装置及び光ディスク装置 - Google Patents

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Abstract

 レーザ光源201と、レーザ光を平行光に変換する平行光学系202と、前記平行光を光ディスクに集光させる集光光学系205と、集光された光が光ディスク101で反射された戻り光を受光して検出信号を出力する光検出部と、前記平行光学系と前記集光光学系との間に配置された反射ミラー204とを備え、前記反射ミラー204は、3つの反射率の異なる領域で構成された反射面を有し、前記反射面の中央の領域は、前記集光光学系で集光された光が照射される位置における前記光ディスク101のラジアル方向と平行な2つの境界線で他の2つの領域と接しており、前記中央の領域の反射率を、前記他の2つの領域の反射率よりも低くしたものである。

Description

光ピックアップ装置及び光ディスク装置
 本発明は、光ピックアップ装置及びこれを搭載した光ディスク装置に関する。
 CD(Compact Disc:登録商標)、DVD(Digital Versatile Disc:登録商標)あるいはBD(Blu-ray Disc:登録商標)といった光ディスクは、非接触での情報の記録再生が可能であり、大容量で比較的安価な情報記録媒体を実現可能とすることから、産業用から民生用まで幅広く使用されている。光ディスクの大容量化は、光ディスクのトラック状またはスパイラル状の記録トラックに形成された記録マーク(ピットや相変化マークを含む)を微小化することで可能であり、この微小化された記録マークのサイズに合わせて、記録や再生に使用されるレーザ光の波長の短波長化と、対物レンズの開口数(NA:Numerical Aperture)の高値化とにより焦点面での集光スポットサイズを微小化することで達成されてきた。
 たとえば、CDにおいては、光透過層となるディスク基板の厚さが約1.2mm、レーザ光の波長が約780nm、対物レンズのNAが0.45であり、650MBの容量を実現することができる。また、DVDにおいては、光透過層となるディスク基板の厚さが約0.6mm、レーザ光の波長が約650nm、NAが0.6であり、4.7GBの容量を実現することができる。さらに、高記録密度のBDにおいては、光学記録層を被覆する光透過層である保護層の厚さを約0.1mmと薄くし、レーザ光の波長を約405nm、NAを0.85とすることで25GB以上の大容量化を実現することができる。
 しかしながら、レーザ光の短波長化と開口数の高値化とは技術的な限界に来ており、これまでのような方法で大容量化を進めることは難しくなっている。そのため記録層を複数積層する多層化によって、光ディスクの単位面積当たりの記録情報量を増大させて大容量化を実現する開発が現在の主流になっている。
 このような多層化された光ディスクにおいては、記録あるいは再生の対象とする記録層とレンズの間にある光透過層の厚みが、選択された記録層によって変化するため、球面収差が発生して記録再生性能が悪化する。そのため、一般的な光ピックアップ装置においては、レーザ光源と対物レンズとの間にコリメータレンズを配置し、このコリメータレンズを移動させることで球面収差を補正することが行われている。
 コリメータレンズによる球面収差の補正は、光透過層厚みの変化量が大きいほどコリメータレンズを移動させる移動量が大きくなる。これは記録層の多層化によってコリメータレンズの移動量が増大することを意味する。また、増大するコリメータレンズの移動量を確保するため光ピックアップ装置が大型化してしまうという課題がある。
 コリメータレンズの移動量を小さくして高い球面収差の補正性能を得るためには、移動するコリメータレンズの焦点距離を短くすることで可能である。従来の光ピックアップ装置においては、コリメータレンズの機能を2つのレンズの組み合わせによって実現し、この2つのレンズの移動量を低減することが行われている(例えば、特許文献1参照)。
特開2006-164493号公報(5頁、図2)
 しかしながら、2つのレンズを用いてコリメータレンズの移動量を低減する従来の方法では、レンズ自体が厚みをもつことになり、光ピックアップ装置の更なる小型化が難しいという課題がある。
 この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、複数の情報記録層を備えた光ディスクで発生する球面収差を補正するためのコリメータレンズの移動量を小さくし、良好な再生性能を確保することができる小型の光ピックアップ装置及び光ディスク装置を提供することを目的とする。
 この発明に係る光ピックアップ装置においては、レーザ光源と、このレーザ光源から出射されたレーザ光を平行光に変換する平行光学系と、この平行光学系で変換された前記平行光を光ディスクに集光させる集光光学系と、この集光光学系で集光された光が前記光ディスクで反射された戻り光を受光して検出信号を出力する光検出部と、前記平行光学系と前記集光光学系との間に配置された反射ミラーとを備え、前記反射ミラーは、3つの反射率の異なる領域で構成された反射面を有し、前記反射面の中央の領域は、前記集光光学系で集光された光が照射される位置における前記光ディスクのラジアル方向と平行な2つの境界線で他の2つの領域と接しており、前記中央の領域の反射率を、前記他の2つの領域の反射率よりも低くしたものである。
 この発明の光ピックアップ装置においては、複数の情報記録層を備えた光ディスクで発生する球面収差を補正するためのコリメータレンズの移動量を小さくし、良好な再生性能を確保することができる。
この発明の実施の形態1の光ディスク装置の概略図である。 この発明の実施の形態1の光ピックアップ装置の概略図である。 この発明の実施の形態1の光ピックアップ装置の一部を示す概略図である。 この発明の実施の形態1の光ピックアップ装置の立ち上げミラーの概略図である。 この発明の実施の形態1の光ピックアップ装置における集光スポット径と記録マークの分解能との関係を示す特性図である。 この発明の実施の形態1の光ピックアップ装置におけるビーム広がり角を示す模式図である。 この発明の実施の形態1の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子のビーム広がり角に対するリム光強度および集光スポット径の関係を示す特性図である。 この発明の実施の形態1の光ピックアップ装置におけるリム光強度とRi/Roとの関係を示す特性図である。 この発明の実施の形態2の光ピックアップ装置の一部を示す概略図である。 この発明の実施の形態2の光ピックアップ装置の立ち上げミラーの概略図である。
実施の形態1.
 図1は、この発明を実施するための実施の形態1に係る光ディスク装置1の構成を概略的に示す機能ブロック図である。図2は、光ディスク装置1の内部に備えられた光ピックアップ装置104の構成を概略的に示す図である。
 図1に示されるように、光ディスク装置1は、光ディスク101が着脱自在に装着されるターンテーブル102と、このターンテーブル102を回転駆動させるディスク駆動部としてのスピンドルモータ103と、光ディスク101から記録情報の読み出しを行なう光ピックアップ装置104と、この光ピックアップ装置104を光ディスク101のラジアル(半径)方向にシフトさせて位置合わせするスレッド駆動機構105とを備える。また、光ディスク装置1は、マトリクス回路106、信号再生回路107、サーボ回路108、スピンドル制御回路109、レーザ制御回路110、スレッド制御回路111及びコントローラ112を備えている。
 光ディスク101は、スピンドルモータ103の駆動軸(スピンドル)に固定されたターンテーブル102に着脱自在に装着されている。光ディスク101は、単一の情報記録層を有する単層ディスク、あるいは、複数の情報記録層を有する多層ディスクである。ターンテーブル102は、スピンドル制御回路109の制御を受けて駆動されるスピンドルモータ103によって回転駆動され、光ディスク101を回転させる。スピンドル制御回路109は、コントローラ112からの命令に従って動作し、スピンドルモータ103から供給された実回転数を表すパルス信号に基づいて実回転数を目標回転数に一致させるようにスピンドルサーボを実行する機能を有する。
 光ピックアップ装置104は、情報の再生時または記録時に光ディスク101にレーザ光を照射し、光ディスク101の情報記録層で反射された戻り光を受光して検出信号を生成し、当該検出信号をマトリクス回路106に出力する機能を有する。図2は、本実施の形態の光ピックアップ装置104の概略図である。図2において、光ピックアップ装置104からターンテーブル102の中心へと向かう方向が、光ディスクの内周側に相当し、この方向を、光ディスク101のラジアル方向と定義する。このラジアル方向をY軸方向としたときに、光ディスク101のタンジェンシャル方向をX軸方向、光ディスク101の情報記録層が形成された面に垂直な方向をZ軸方向と定義する。
 図2(a)は、光ピックアップ装置104を光ディスク101の情報記録面に垂直な方向(Z軸方向)から見たときの上面視図である。図2(b)は、光ピックアップ装置104を側方(X軸方向)から見たときの概略断面図である。図2(a)および(b)に示されるように、光ピックアップ装置104は、光ディスク101のラジアル方向(Y軸方向)に沿った長辺を持つ筐体200を有している。また、光ピックアップ装置104は、光集積素子201と、平行光学系であるコリメータレンズ202と、対物レンズアクチュエータ203とを有している。
 光集積素子201は、BD用レーザ光(発振波長:約405nm)を出射する半導体レーザ素子と受光素子とが同一基板上に集積された構造を有するものである。図1に示すレーザ制御回路110は、これら光集積素子201を駆動して、光ピックアップ装置104から出射されるレーザ光の強度を制御することができる。
 光集積素子201から出射されたレーザ光は、コリメータレンズ202の光入射面に入射する。図2(b)に示されるように、コリメータレンズ202は入射したレーザ光を平行光に変換する。
 立ち上げミラー204は、図2(b)に示されるように、コリメータレンズ202から入射した平行光を集光光学系である対物レンズ205の方向(Z軸方向)に反射する。対物レンズ205は、立ち上げミラー204の反射面から入射した光を光ディスク101に集光させる。BD用レーザ光に対する対物レンズ205のNAは、約0.85である。以下の表1に、対物レンズ205の仕様の一例を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 光ピックアップ装置104は、さらに、光学収差(主に球面収差)補正用のコリメータレンズ駆動機構206を備えている。コリメータレンズ駆動機構206は、コントローラ112からサーボ回路108を介して供給された制御信号に応じて、コリメータレンズ202を光軸方向(一点破線Aの方向)にシフトさせて光学収差を適正に補正することができる。コリメータレンズ駆動機構206は、ステッピングモータ(図示せず)や、コリメータレンズ202を光軸方向に移動させるガイド機構(図示せず)を有している。コリメータレンズ駆動機構206は、たとえば、多層ディスクの中の特定の情報記録層を被覆するカバー層の厚み、あるいは、カバー層の厚みの製造誤差に応じて、コリメータレンズ206を光軸に沿ってシフトさせて球面収差を補正することができる。
 また、光ピックアップ装置104は、光検出部(受光素子)を備えており、ディスクから反射された光を光検出部で受光して検出信号に変換する。
 図1において、マトリクス回路106は、マトリクス演算回路及び増幅回路などを備えている。そして、マトリクス回路106は、光ピックアップ装置104から供給された検出信号にマトリクス演算処理を施して、高周波信号である再生RF信号を生成し、さらにフォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号などのサーボ制御用の信号を生成する。マトリックス回路106で生成された再生RF信号は、信号再生回路107に供給される。マトリックス回路106で生成されたサーボ制御用の信号は、サーボ回路108に供給される。
 信号再生回路107は、マトリクス回路106から供給された再生RF信号に2値化処理を施して変調信号を生成する。そして、信号再生回路107は、この変調信号から再生クロックを抽出するとともに、変調信号に復調処理や誤り訂正やデコード処理を施して再生データを生成する。信号再生回路107で生成された再生データは、映像音響機器やパーソナルコンピュータなどのホスト機器(図示せず)に転送される。
 サーボ回路108は、マトリクス回路106から供給されたサーボ制御用の信号に基づいて、フォーカス制御及びトラッキング制御のための各種サーボドライブ信号を生成する。そして、これらサーボドライブ信号を光ピックアップ装置104の対物レンズアクチュエータ203に供給する。
 対物レンズアクチュエータ203は、図2(a)に示されるように、対物レンズ205を保持するレンズホルダ(可動部)203Lと、このレンズホルダ203Lを支持するサスペンション203Sa、203Sbと、磁気回路203Ma、203Mbとを備える。対物レンズアクチュエータ203は、さらに、図示されないフォーカスコイルとトラッキングコイルとを備えている。さらに、対物レンズアクチュエータ203は、サーボ回路108から供給されたサーボドライブ信号(駆動電流)によって、フォーカスコイルで対物レンズ205をフォーカス方向にシフトすることができ、トラッキングコイルで対物レンズ205をラジアル方向にシフトすることができる。
 図1において、スレッド制御回路111は、スレッド駆動機構105によって光ピックアップ装置104を光ディスク101のラジアル方向にシフトさせて位置付けすることができる。これにより、光ピックアップ装置104は、光ディスク101の所望の記録トラックに再生用あるいは記録用のレーザ光を焦点を絞って照射することができる。
 コントローラ112は、上記のサーボ回路108、レーザ制御回路110、スレッド制御回路111及びスピンドル制御回路109の各動作を制御する。コントローラ112は、マイクロコンピュータで構成されており、ホスト機器(図示せず)からのコマンドに応じて各種制御処理を実行する。
 図3は、光ピックアップ装置104における光路を概略的に示す図である。図3に示されるように、光集積素子201から出射されたレーザ光Lは、コリメータレンズ202で平行光に変換される。立ち上げミラー204は、この平行光を対物レンズ205の方向に反射させる。そして、対物レンズ205は、立ち上げミラー204から入射した光を光ディスク101に集光させて集光スポットを形成する。一方、光ディスク101で反射した戻り光は、対物レンズ205を透過した後、立ち上げミラー204でコリメータレンズ202の方向に反射させられる。その後、戻り光は、コリメータレンズ202を透過した後、光集積素子201の受光素子(図示せず)によって受光される。
 図4は、本実施の形態における立ち上げミラー204上に形成された反射率の差を有する帯状構造の反射面を示す概略図である。図4に示されるように、立ち上げミラー204の反射面は、長辺方向がラジアル方向に平行な矩形状の領域401、402、および403に分割されている。ここで、中央の領域401の反射率をRiとし、領域401の外側に位置する領域402および領域403の反射率は等しくその反射率をRoとすると、領域401の反射率Riと領域402および領域403の反射率Roとの関係がRi/Ro<1となるように構成されている。領域401はラジアル方向に長い形状をしており、領域401の幅fhは対物レンズ瞳径φよりも小さく、0<fh/φ<1である。
 本実施の形態では、コリメータレンズ202の焦点距離を、球面収差補正のためのコリメータレンズ移動量を低減して光学系の全長を短くするために、一般的に用いられるコリメータレンズの焦点距離よりも短く設定している。球面収差補正のためのコリメータレンズ移動量は、コリメータレンズ202の焦点距離に比例するため、焦点距離が短いコリメータレンズを用いる方がコリメータレンズ移動量の低減に有利である。一方、コリメータレンズ202の焦点距離は、7.056mmであり、コリメータレンズ202と対物レンズ205との組み合わせによる光学系の倍率は6倍である。光集積素子201として通常のBD用半導体レーザを使用する場合、光学系の倍率が6倍以下となるとリム光強度が小さくなり、BD用レーザ光Lの光ディスク101における集光スポット径を十分に小さくすることができず、光ディスク101の短い記録マークから再生される信号の品質が低下するので、所望の再生性能を確保することがむずかしい。
 図5は、本実施の形態における、集光スポット径と記録マークの分解能との関係を示す特性図である。図5は、タンジェンシャル方向の集光スポット径に対する、短い記録マークの分解能を表す2T/8T振幅比のシミュレーション結果である。ここで、Tは記録マーク長さを表し、例えば1層当たり25GBの記録容量をもつBDの1倍速においてクロック周波数66MHzであれば、T=0.149μmとなる。また、2T/8T振幅比とは、BDの最も短い記録マーク長さである2Tマークを再生したときの再生信号の振幅とBDの最も長い記録マーク長さである8Tマークを再生したときの再生信号の振幅との比を取ったもので、値が大きいほど2Tマークを用いた信号である2T信号が読み取れていることを表し信号の品質が良いことを表す。一般に、光スポット光量の大小の影響を排除して、2T信号を相対的に評価する場合に、2T/8T振幅比が用いられる。
 一般的に知られているように、レーザ光の波長をλ、対物レンズの開口数をNAとすると、理想的な集光スポット径は、以下の(1)式で与えられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 ここで、集光スポット径の定義は、集光スポットの光強度分布において、光強度が中心強度のexp(-2)となるビーム幅である。ここで、λを405nm、NAを0.85とすると、(1)式から理想的な集光スポット径は0.391μmとなる。これが集光スポット径の最小限界径となる。
 集光スポット径を最小限界径の0.391μmとしたときの2T/8T振幅比は、図5に示すシミュレーション結果から得られる(2)式に示す近似曲線(x:集光スポット径μm、y:2T/8T振幅比)から、0.074となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
 理想的な集光スポット径から得られる2T/8T振幅比が0.074であるとき、2T/8T振幅比0.074に対して3dB減少となる0.053をBDで良好な再生が行える2T/8T振幅比の限界とすると、(2)式の近似曲線から、このときの集光スポット径は0.412μmとなるので、BDで良好な再生が行える集光スポット径の限界は0.412μmとした。なお、BDで良好な再生が行える2T/8T振幅比の限界を3dB減少とした理由は、次のとおりである。集光スポットの質が劣化して、スポット径が大きくなった場合には2T信号の振幅が小さくなり、2T/8T振幅比も小さくなる。再生信号をデータ列に変換する際に2T/8T振幅比が小さいと読み出しの誤りが起こりやすいが、この読み出しの誤りはエラー訂正処理することができるので、ある程度の2T/8T振幅比の低下までは許容される。信号を伝送する線路の状態やエラー訂正処理の方法により、2T/8T振幅比低下の許容範囲は異なるため1つの値に決めることは難しい。本実施の形態では理想状態から3dB減少した2T/8T振幅比を仮の限界値として定めた。
 集光スポット径は、光ディスクについての標準評価条件の1つであるリム光強度と関係している。リム光強度とは、対物レンズの瞳における最大光強度(Imax)に対する瞳端部での光強度(I)の比率(I/Imax)で定義される。また、リム光強度は、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光のビーム広がり角と関係している。レーザ光のビーム広がり角をθとし、対物レンズ205の瞳径(直径)をφとし、対物レンズ205に光を入射させるコリメータレンズ202の焦点距離をfとするとき、リム光強度IRIM(単位:パーセント)は、以下の(3)式で与えられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 図6は、本実施の形態における、半導体レーザから出射されるレーザ光のビーム広がり角を示す模式図である。図6(a)は、半導体レーザ素子300の活性層301から出射されるレーザ光Leのビーム広がりを示したものであり、図6(b)および(c)は、活性層301から出射されたレーザ光Leの遠視野像(FFP:Far field pattern)における光強度分布を示したものである。図6(b)および(c)に示すように、ビーム広がり角には2種類の値θ、θがある。ビーム広がり角θは、図6(a)に示すように、半導体レーザ素子300の活性層301から出射されたレーザ光Leの遠視野像(FFP)の光強度分布のうち、活性層301の光出射端面に平行なXθ方向における光強度分布Iの半値全幅(光強度Iが最大値の50%になるときの角度幅)をいう。また、ビーム広がり角θは、半導体レーザ素子300の活性層301から出射されたレーザ光Leの遠視野像(FFP)の光強度分布のうち、活性層の光出射端面に垂直なYθ方向における光強度分布Iの半値全幅(光強度Iが最大値の50%になるときの角度幅)をいう。
 図7は、本実施の形態における、半導体レーザ素子のビーム広がり角に対するリム光強度および集光スポット径の関係を示す特性図である。図7において、黒丸でプロットしたものがビーム広がり角に対する集光スポット径の関係を示し、白抜き四角でプロットしたものがビーム広がり角に対するリム光強度の関係を示す。図7は、光学系の倍率が6倍の場合の半導体レーザ素子のビーム広がり角に対するリム光強度と集光スポット径との関係を示している。立ち上げミラー204がその反射面に反射率分布のない通常の反射ミラーであるとき、すなわちRi/Ro=1であるとき、ビーム広がり角が12度であるとすると、リム光強度は28.4%となる。このときの集光スポット径は0.427μmとなり、BDで良好な再生が行える集光スポット径の限界である0.412μmよりも大きくなる。
 図8は、集光スポット径をBDで良好な再生が行える集光スポット径の限界である0.412μmとしたときの、シミュレーションにより求めたリム光強度とRi/Roとの関係を示す特性図である。集光スポット径を0.412μmとしたときのリム光強度とRi/Roとの関係を示す近似曲線(x:リム光強度(%)、y:Ri/Ro)は(4)式のようになる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
 立ち上げミラー204が通常の反射ミラー(Ri/Ro=1)であれば、リム光強度が小さいため、集光スポット径は大きくなる。しかし、立ち上げミラー204のRi/Roを図8に示す(4)式で示される近似曲線より小さい値とすれば、集光スポット径を0.412μmよりも小さくすることが可能である。例えば、ビーム広がり角が12度で、通常のミラーを用いた場合のリム光強度が28.4%のときに、(4)式で示される近似式から、Ri/Ro<0.77を満たすように立ち上げミラー204を設計することで集光スポット径を0.412μmよりも小さくすることができる。ここで、(4)式で示される近似式は、fh/φ=0.5の条件でシミュレーションしたものである。
 以上に説明したように、本実施の形態に係る光ピックアップ装置によれば、球面収差補正のためのコリメータレンズ移動量を低減して光学系を小型化するために、一般的に用いられるコリメータレンズの焦点距離よりも焦点距離の短いコリメータレンズを使用する場合でも、反射面に帯状構造を有する反射率の異なる領域をもつ立ち上げミラーを用いることにより、集光スポット径を小さくすることができる。したがって、再生性能の劣化を防ぐことができる。
 また、ラジアル方向に直行するタンジェンシャル方向は、マークとスペースが並ぶ方向であり、本実施の形態の光ピックアップ装置においては、立ち上げミラーの反射面を長辺方向がラジアル方向に平行な矩形状の3つの領域に分割しているため、タンジェンシャル方向の集光スポット径を小さくすることができるので、効果的に2T/8T振幅比を大きくすることができる。なお、直交するラジアル方向の集光スポット径を小さくしても2T/8T振幅比は大きくならない。
 なお、本実施の形態において、反射率の異なる3つの矩形状の領域を備えた反射面もつ矩形状の立ち上げミラーを用いたが、立ち上げミラーは必ずしも矩形状である必要はなく、丸形状でもよい。
実施の形態2.
 図9は、実施の形態2に係る光ピックアップ装置の一部を示す概略図である。実施の形態1の光ピックアップ装置においては、対物レンズとコリメータレンズとがラジアル方向に沿って並んで配置されていたが、本実施の形態の光ピックアップ装置においては、図9に示すとおり、対物レンズ205とコリメータレンズ202とがタンジェンシャル方向に沿って並んで配置されている。この場合も、立ち上げミラー204は、対物レンズ205とコリメータレンズ202との間の光路間に配置されている。この立ち上げミラー204は、実施の形態1と同様に、中央の領域とその外側の領域とで反射率が異なるように構成されている。図10は、本実施の形態における立ち上げミラー204上に形成された反射率の差を有する帯状構造の反射面を示す概略図である。本実施の形態における立ち上げミラー204の反射面は、長辺方向がタンジェンシャル方向に平行な矩形状の領域501、502および503に分割されている。ここで、中央の領域501の反射率をRiとし、領域501の外側に位置する領域502および領域503の反射率は等しくその反射率をRoとすると、領域501の反射率Riと領域502および領域503の反射率Roとの関係がRi/Ro<1となるように構成されている。領域501はタンジェンシャル方向に長い形状をしており、領域501の幅fhは対物レンズ瞳径φよりも小さく、0<fh/φ<1である。
 このように構成された光ピックアップ装置においては、実施の形態1と同様に、球面収差補正のためのコリメータレンズ移動量を低減して光学系を小型化するために、一般的に用いられるコリメータレンズの焦点距離よりも焦点距離の短いコリメータレンズを使用する場合でも、反射面に帯状構造を有する反射率の異なる領域をもつ立ち上げミラーを用いることにより、集光スポット径を小さくすることができる。したがって、再生性能の劣化を防ぐことができる。
 101 光ディスク
 102 ターンテーブル
 103 スピンドルモータ
 104 光ピックアップ装置
 105 移動手段
 106 マトリクス回路
 107 信号再生回路
 108 サーボ回路
 109 スピンドル制御回路
 110 レーザ制御回路
 111 スレッド制御回路
 112 コントローラ
 201 光集積素子
 202 コリメータレンズ
 203 対物レンズアクチュエータ
 204 立ち上げミラー
 205 対物レンズ
 206 コリメータレンズ駆動装置
 300 半導体レーザ素子
 301 活性層
 401、501 領域
 402、502 領域
 403、503 領域

Claims (3)

  1.  レーザ光源と、
     このレーザ光源から出射されたレーザ光を平行光に変換する平行光学系と、
     この平行光学系で変換された前記平行光を光ディスクに集光させる集光光学系と、
     この集光光学系で集光された光が前記光ディスクで反射された戻り光を受光して検出信号を出力する光検出部と、
     前記平行光学系と前記集光光学系との間に配置された反射ミラーと
    を備え、
     前記反射ミラーは、3つの反射率の異なる領域で構成された反射面を有し、
     前記反射面の中央の領域は、前記集光光学系で集光された光が照射される位置における前記光ディスクのラジアル方向と平行な2つの境界線で他の2つの領域と接しており、
     前記中央の領域の反射率は、前記他の2つの領域の反射率よりも低いことを特徴とする光ピックアップ装置。
  2.  中央の領域の2つの境界線の間隔は、集光光学系のレンズ瞳径よりも小さいことを特徴とする請求項1記載の光ピックアップ装置。
  3.  請求項1記載の光ピックアップ装置と、
    この光ピックアップ装置の光検出部から出力された出力信号に基づいて光ディスクの記録情報を再生する信号再生回路と
    を備えたことを特徴とする光ディスク装置。
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